2025-11-15T21:46:11.577553

Disorder-assisted Spin-Filtering at Metal/Ferromagnet Interfaces: An Alternative Route to Anisotropic Magnetoresistance

Iorsh, Titov
We introduce a minimal interface-scattering mechanism that produces a sizable anisotropic magnetoresistance (AMR) in metal/ferromagnet bilayers (e.g., Pt/YIG) without invoking bulk spin or orbital Hall currents. In a $δ$-layer model with interfacial exchange and Rashba spin-orbit coupling, charge transfer at a high-quality interface creates a spin-selective phase condition (interfacial spin filtering) that suppresses backscattering for one spin projection while enhancing momentum relaxation for the other. The resulting resistance anisotropy peaks at an optimal metal thickness of a few nanometers, quantitatively reproducing the thickness and angular dependences typically attributed to spin Hall magnetoresistance (SMR), as well as its characteristic magnitude. Remarkably, the maximal AMR scales linearly with the smaller of the two coupling strengths - exchange or spin-orbit, highlighting a mechanism fundamentally distinct from SMR. Our scattering formulation maps onto Boltzmann boundary conditions and predicts other clear discriminants from SMR, including strong sensitivity to interfacial charge transfer and disorder.
academic

Disorder-assisted Spin-Filtering at Metal/Ferromagnet Interfaces: An Alternative Route to Anisotropic Magnetoresistance

基本信息

  • 论文ID: 2510.14867
  • 标题: Disorder-assisted Spin-Filtering at Metal/Ferromagnet Interfaces: An Alternative Route to Anisotropic Magnetoresistance
  • 作者: Ivan Iorsh (Queen's University), Mikhail Titov (Radboud University)
  • 分类: cond-mat.mes-hall cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci
  • 发表时间: 2025年10月17日
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.14867

摘要

本文提出了一种全新的界面散射机制，能够在金属/铁磁体双分子层（如Pt/YIG）中产生显著的各向异性磁阻（AMR），而无需依赖体相自旋或轨道霍尔电流。通过包含界面交换和Rashba自旋轨道耦合的δ层模型，高质量界面处的电荷转移创建了自旋选择性相位条件（界面自旋过滤），抑制一种自旋投影的背散射，同时增强另一种的动量弛豫。所得的电阻各向异性在几纳米的最优金属厚度处达到峰值，定量重现了通常归因于自旋霍尔磁阻（SMR）的厚度和角度依赖性及其特征幅度。

研究背景与动机

研究问题

本文要解决的核心问题是重金属/铁磁体异质结构中各向异性磁阻（AMR）现象的物理机制问题。传统上，这种现象被广泛归因于自旋霍尔效应（SHE）和轨道霍尔效应（OHE），但这些解释面临概念上的模糊性。

问题重要性

  1. 概念挑战: 自旋电流和轨道电流算符的定义并非唯一，且不对应守恒量，在相应的有效哈密顿量中也不耦合外场
  2. 实验解释: 现有基于SHE/OHE的图景在解释Pt/YIG等系统中的磁输运现象时存在理论基础不够坚实的问题
  3. 技术需求: 自旋电子学器件需要更准确的物理理解来指导设计和优化

现有方法局限性

  • 自旋霍尔磁阻（SMR）模型: 依赖于自旋电流的概念，但自旋电流算符缺乏真正可观测量的地位
  • 轨道霍尔效应: 同样面临算符定义的模糊性问题
  • 界面效应: 现有模型对界面散射机制的描述不够充分

核心贡献

  1. 提出了全新的自旋过滤磁阻（SFMR）机制：基于界面散射而非体相霍尔效应
  2. 建立了δ层界面模型：包含界面电荷转移、交换相互作用和Rashba自旋轨道耦合
  3. 理论预测了线性标度关系：最大AMR与较小耦合强度（交换或自旋轨道）呈线性关系
  4. 定量重现实验观测：包括厚度依赖性、角度依赖性和特征幅度
  5. 提供了与SMR的明确区分标准：包括对界面电荷转移和无序的强敏感性

方法详解

任务定义

研究金属薄膜（厚度W，占据0 < z < W）置于铁磁介电体（z < 0）上的双分子层系统中的各向异性磁阻现象。

模型架构

有效界面哈密顿量

采用Amin和Stiles的有效界面模型：

H=p22m+V(r)+U0Θ(−z)+ℏvFδ(z)ΓpH = \frac{p^2}{2m} + V(r) + U_0 \Theta(-z) + \hbar v_F \delta(z)\Gamma_p

其中界面势为： Γp=u0+γσ⋅m^+λσ⋅(p^×z^)\Gamma_p = u_0 + \gamma \sigma \cdot \hat{m} + \lambda \sigma \cdot (\hat{p} \times \hat{z})

参数含义：

  • u0u_0：界面电荷转移参数
  • γ\gamma：界面交换相互作用强度
  • λ\lambda：界面Rashba耦合强度
  • m^\hat{m}：铁磁体中的单位磁化矢量

散射矩阵方法

通过求解弹性散射问题获得反射矩阵：

r^k=−2Γk+κ+iq2Γk+κ−iq\hat{r}_k = \frac{-2\Gamma_k + \kappa + iq}{2\Gamma_k + \kappa - iq}

其中κ=U0/EF−q2\kappa = \sqrt{U_0/E_F - q^2}，q=1−k2q = \sqrt{1-k^2}为无量纲动量分量。

Boltzmann输运理论

采用半经典Boltzmann方程描述电子分布函数：

vp⋅∇rf^(p,r)−eE⋅∇pf^(p,r)=−f^(p,r)−f0(εp)τv_p \cdot \nabla_r \hat{f}(p,r) - eE \cdot \nabla_p \hat{f}(p,r) = -\frac{\hat{f}(p,r) - f_0(\varepsilon_p)}{\tau}

分布函数分解为： f^(p,r)=f0(εp)+f1(p,z)+f^2(p,z)\hat{f}(p,r) = f_0(\varepsilon_p) + f_1(p,z) + \hat{f}_2(p,z)

技术创新点

自旋过滤机制

当满足共振条件2u0≃−U0/EF2u_0 \simeq -\sqrt{U_0/E_F}时，一个自旋通道的界面散射相位等于π，导致：

  • 一种自旋投影经历近似镜面反射（最小动量损失）
  • 另一种自旋投影经历强烈的动量弛豫

线性标度关系

在最优条件下，AMR幅度为： Δρρ≈min⁡(∣λ∣,∣γ∣)Φ(2w)EFτ\frac{\Delta\rho}{\rho} \approx \frac{\min(|\lambda|, |\gamma|)}{\Phi(2w)E_F\tau}

这与传统SMR的二次依赖形成鲜明对比。

实验设置

理论计算参数

  • 金属薄膜厚度：W/ℓ=0.1−3.0W/\ell = 0.1 - 3.0（ℓ\ell为平均自由程）
  • 界面交换参数：γ=0.01−0.2\gamma = 0.01 - 0.2
  • Rashba耦合强度：λ=0.01−0.2\lambda = 0.01 - 0.2
  • 电荷转移参数：u0EF/U0=−1.0u_0\sqrt{E_F/U_0} = -1.0 到 0.00.0

评价指标

  1. 各向异性磁阻比：Δρ/ρ\Delta\rho/\rho
  2. 角度依赖性：cos⁡2ϕ\cos 2\phi和sin⁡2ϕ\sin 2\phi形式
  3. 厚度依赖性：随薄膜厚度的变化规律
  4. 自旋电流密度：jz(y)(z)j_z^{(y)}(z)的空间分布

实验结果

主要结果

AMR幅度和参数依赖性

  • 在共振条件2u0≃−U0/EF2u_0 \simeq -\sqrt{U_0/E_F}附近，AMR达到最大值
  • 最大AMR与min⁡(∣γ∣,∣λ∣)\min(|\gamma|, |\lambda|)呈线性关系
  • 典型幅度为10−4−10−310^{-4} - 10^{-3}，与实验观测一致

厚度依赖性

  • AMR在W≈ℓW \approx \ell处达到峰值
  • 对于W≫ℓW \gg \ell，AMR按W−1W^{-1}衰减
  • 对于W≪ℓW \ll \ell，受经典尺寸效应抑制

角度依赖性

验证了标准的各向异性磁阻角度关系：

  • 纵向分量：Δρ∥∼cos⁡2ϕ\Delta\rho_\parallel \sim \cos 2\phi
  • 横向分量：Δρ⊥∼sin⁡2ϕ\Delta\rho_\perp \sim \sin 2\phi

与SMR的区别

自旋电流行为

  • 自旋电流密度在界面附近剧烈变化（6个数量级）
  • 在z=0z=0处标度为λ3\lambda^3，远离界面为λ\lambda
  • 表明自旋电流非守恒，不适合作为输运现象的基础

物理机制对比

特征SFMRSMR
主要机制界面自旋过滤体相自旋霍尔效应
参数依赖线性于min⁡(γ,λ)\min(\gamma, \lambda)二次依赖
界面敏感性强依赖电荷转移相对不敏感
无序效应可能增强效应通常抑制

相关工作

传统AMR理论

  • 自旋霍尔磁阻（SMR）：基于自旋霍尔效应和逆自旋霍尔效应
  • 界面自旋轨道磁阻：考虑界面自旋轨道散射
  • Rashba-Edelstein磁阻（REMR）：基于界面Rashba效应

轨道霍尔效应

最近提出的轨道霍尔效应为角动量输运提供了额外通道，但同样面临算符定义的概念问题。

本文优势

  • 避免了自旋电流概念的模糊性
  • 提供了可验证的实验预测
  • 建立了微观散射理论基础

结论与讨论

主要结论

  1. 新机制验证：自旋过滤磁阻机制能够完全解释现有实验观测
  2. 定量预测：理论计算与实验的厚度、角度依赖性定量一致
  3. 物理图像清晰：基于界面散射的物理图像比自旋电流更为直接
  4. 实验判据：提供了区分SFMR和SMR的明确实验方法

局限性

  1. 交换参数起源：界面交换参数γ\gamma的微观起源需要进一步研究
  2. 模型简化：采用了δ层近似，实际界面可能更复杂
  3. 参数范围：理论适用于γ,λ≪1\gamma, \lambda \ll 1的参数范围

未来方向

  1. 界面工程：通过控制界面电荷转移和无序来优化AMR
  2. 材料探索：寻找具有最优参数组合的新材料体系
  3. 器件应用：将SFMR机制应用于自旋电子学器件设计

深度评价

优点

  1. 理论创新性：提出了全新的物理机制，避免了现有理论的概念问题
  2. 数学严谨性：基于严格的散射理论和Boltzmann输运方程
  3. 实验相关性：定量重现了多个实验观测特征
  4. 预测能力：提供了可验证的新实验预测

不足

  1. 实验验证：理论预测尚需直接实验验证
  2. 参数确定：某些界面参数的确定可能存在困难
  3. 适用范围：对界面质量和材料选择可能有较高要求

影响力

  1. 学术价值：为磁输运理论提供了新的理论框架
  2. 应用前景：可能指导新型自旋电子学器件的设计
  3. 方法论贡献：界面散射方法可推广到其他系统

适用场景

  • 高质量金属/铁磁体界面系统
  • 需要精确控制界面参数的器件
  • 对磁阻各向异性有特殊要求的应用

参考文献

论文引用了32篇重要文献，涵盖了自旋霍尔效应、轨道霍尔效应、界面磁输运等相关领域的关键工作，为理论发展提供了坚实的基础。