2025-11-15T11:19:11.677485

Electron transport in junctions between altermagnets

Ghadigaonkar, Das, Soori
We theoretically investigate electron transport in junctions between the two AMs in strong and weak altermagnetic phases. The charge and spin conductivities are analyzed as functions of angle between the Néel vectors of the two AMs $θ$. In the strong AM regime, the charge conductivity vanishes as $θ\to π$, while in the weak AM phase it remains finite. Introducing a normal metal between two AMs leads to Fabry-Pérot-type oscillations in charge conductivity. In the strong phase, transport is dominated by up-spin electrons, whereas both spin channels contribute in the weak phase. These results highlight the potential of AM-based heterostructures for spintronic applications, such as spin filters, and quantum interference-based spintronic devices, where tunable spin-dependent transport and interference effects can be utilized in electronic devices.
academic

Electron transport in junctions between altermagnets

基本信息

  • 论文ID: 2510.14868
  • 标题: Electron transport in junctions between altermagnets
  • 作者: Shubham Ghadigaonkar, Sachchidanand Das, Abhiram Soori (University of Hyderabad)
  • 分类: cond-mat.mes-hall, cond-mat.mtrl-sci
  • 发表时间: 2025年10月16日 (arXiv预印本)
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.14868

摘要

本文理论研究了强弱交替磁相(altermagnetic phases)中两个交替磁体(AMs)间结的电子输运问题。分析了电荷和自旋电导率随两个AM的Néel矢量夹角θ的变化规律。在强AM相中，电荷电导率在θ→π时趋于零，而在弱AM相中保持有限值。在两个AM之间引入正常金属会导致电荷电导率出现Fabry-Pérot型振荡。在强相中，输运由上自旋电子主导，而在弱相中两个自旋通道都有贡献。这些结果突出了基于AM的异质结构在自旋电子学应用中的潜力，如自旋过滤器和基于量子干涉的自旋电子器件。

研究背景与动机

问题的重要性

  1. 交替磁体的新兴特性: 交替磁体(Altermagnets)作为一类具有d波磁有序的新材料，兼具铁磁体和反铁磁体的特征，净自旋极化为零，但在电压偏置下能够携带自旋流。
  2. 自旋电子学应用需求: 磁隧道结(MTJs)是自旋电子器件的基础，传统的铁磁/绝缘体/铁磁结构已被广泛研究，但基于交替磁体的结构提供了新的可能性。
  3. 可调控的自旋输运: Néel矢量的取向可通过自旋轨道力矩或超快光激发来调节，这为实现可调控的自旋相关输运提供了机会。

现有研究的局限性

  • AM与正常金属、铁磁体和超导体的结已有研究，但AM-AM结的系统性理论研究较少
  • 缺乏对不同AM相(强相vs弱相)中输运行为差异的深入理解
  • 对Néel矢量夹角依赖性的定量分析不足

研究动机

本文旨在通过连续体模型系统研究AM-AM结的电子输运，特别关注Néel矢量相对取向对电荷和自旋电导率的影响，为AM基自旋电子器件的设计提供理论基础。

核心贡献

  1. 建立了AM-AM结的理论框架: 基于连续体模型推导了强弱AM相的哈密顿量，并给出了适当的边界条件。
  2. 揭示了两种AM相的不同输运机制:
    • 强相：电荷电导率在θ=π时完全消失，输运由单一自旋通道主导
    • 弱相：电荷电导率在θ=π时保持有限值，两个自旋通道均有贡献
  3. 发现了AM/NM/AM结构中的Fabry-Pérot干涉效应: 正常金属层的引入导致电导率出现量子干涉振荡，振荡频率与AM相类型相关。
  4. 提供了自旋过滤和量子干涉器件的设计指导: 通过调节Néel矢量夹角可实现可调的自旋相关输运和干涉效应。

方法详解

任务定义

研究两个具有不同Néel矢量取向的交替磁体间结的电子输运性质，包括：

  • 输入: Néel矢量夹角θ、AM强度参数tJ/t、能量E
  • 输出: 电荷电导率G、自旋电导率Gs
  • 约束: 概率流守恒、自旋守恒(在各自AM区域内)

模型架构

1. 哈密顿量构建

弱AM相 (0 ≤ tJ < t):

HW(χ) = -(tσ0 - tJσχ)a²∂²x - (tσ0 + tJσχ)a²∂²y

强AM相 (tJ > t ≥ 0):

HS(χ) = -[(tJ-t)(∂x - iπ/a)² + (tJ+t)∂²y]a² |↑χ⟩⟨↑χ|
        -[(tJ+t)∂²x + (tJ-t)(∂y ± iπ/a)²]a² |↓χ⟩⟨↓χ|

其中σχ = σz cosχ + σx sinχ，χ表示Néel矢量方向。

2. 边界条件

基于概率流守恒，在x=0处的边界条件为：

ψ(0⁻) = cψ(0⁺)
c[(tσ0 - tJσz)a∂xψ + taq0ψ]₀⁻ = (tσ0 - tJσθ)a∂xψ|₀⁺

3. 散射波函数

对于从左侧入射的↑自旋电子，散射波函数形式为：

ψ(x) = (e^(ikx↑x) + r↑↑e^(-ikx↑x))|↑⟩ + r↓↑e^(ikx↓x)|↓⟩  (x < 0)
      = t↑↑e^(ikx↑x)|↑θ⟩ + t↓↑e^(ikx↓x)|↓θ⟩             (x > 0)

技术创新点

  1. 统一的相描述框架: 通过连续体近似将紧束缚模型转化为有效的低能哈密顿量，统一描述强弱两相。
  2. 自旋相关的边界条件: 考虑了Néel矢量取向差异导致的自旋基矢变换，正确处理了界面处的自旋匹配问题。
  3. 完整的输运分析: 同时计算电荷流和自旋流，揭示了两者在不同相中的不同行为。

实验设置

计算参数

  • 能量标度: E = t (弱相), E = tJ (强相)
  • 界面参数: c = 1, q0 = 1/a (典型值)
  • AM强度比: tJ/t = 0.2-0.8 (弱相), tJ/t > 1 (强相)
  • 正常金属参数: t0 = 0.1tJ, 化学势μ可调

评价指标

  1. 微分电荷电导率:
    G = (e/8π²√(t²-tJ²)) ∫ dα [Jc↑(α) + Jc↓(α)]
  2. 自旋电导率:
    Gs± = (e/8π²√(t²-tJ²)) ∫ dα [Js±↑(α) + Js±↓(α)]

对比分析

  • 强相vs弱相的输运行为对比
  • 有无正常金属层的影响对比
  • 不同Néel矢量夹角θ的系统性分析

实验结果

主要结果

1. 弱AM相中的输运

  • 电荷电导率: 在θ=0时最大，随θ增加单调递减，但在θ=π时保持有限值
  • 自旋电导率: 左右区域在θ=0时相等，θ=π时大小相等但符号相反
  • tJ依赖性: 较大的tJ值导致电导率随θ的变化更显著

2. 强AM相中的输运

  • 电荷电导率: θ=0时最大，θ→π时完全消失
  • 自旋选择性: 输运几乎完全由↑自旋电子主导
  • 对称性: 左右区域的自旋电导率完全一致

3. AM/NM/AM结构中的Fabry-Pérot效应

  • 振荡周期: ΔL = π/q ≈ 2.22a (理论) vs 2.212a (数值)
  • 化学势依赖: Δq = π/L，振荡幅度随μ增加而稳定
  • 相依赖性: 强相中振荡更明显，弱相中两个自旋通道都贡献

消融实验

  1. tJ=0的极限: 电导率不随θ变化，对应正常金属行为
  2. c和q0参数的影响: 界面透明度和杂质强度影响总体电导率大小但不改变θ依赖性
  3. 能量依赖性: 不同能量下的定性行为保持一致

案例分析

  • θ=0: 两AM区域自旋取向一致，传输最大化
  • θ=π: 强相中传输完全阻断，弱相中仍有有限传输
  • 中间角度: 自旋重叠逐渐减少，电导率平滑变化

相关工作

主要研究方向

  1. AM基本性质研究: Šmejkal等人建立了AM的基本理论框架
  2. AM异质结研究: AM与正常金属、铁磁体、超导体的界面已有研究
  3. 磁隧道结: 传统FM/I/FM结构和新兴的AM基MTJ研究

本文的独特贡献

  • 首次系统研究AM-AM结的输运性质
  • 揭示了强弱两相的根本差异
  • 提供了Fabry-Pérot效应在AM结构中的完整分析

结论与讨论

主要结论

  1. 相依赖的输运机制: 强相表现出完全的自旋过滤效应，弱相允许两个自旋通道传输
  2. 角度可调的电导率: 通过调节Néel矢量夹角可实现从最大传输到完全阻断的连续调控
  3. 量子干涉效应: 正常金属层引入的Fabry-Pérot振荡为量子干涉器件提供了新的设计思路

局限性

  1. 模型简化: 采用了连续体近似，忽略了晶格细节和无序效应
  2. 温度效应: 未考虑有限温度下的热激发和退相干效应
  3. 实际材料参数: 理论参数与实际AM材料的对应关系需要进一步建立

未来方向

  1. 考虑自旋轨道耦合和无序散射的影响
  2. 研究有限温度和频率相关的输运性质
  3. 探索三维AM结构和更复杂的异质结构

深度评价

优点

  1. 理论框架完整: 从紧束缚模型出发，通过连续体近似得到了处理AM结的系统方法
  2. 物理图像清晰: 通过Fermi面分析清楚解释了不同相中的输运机制差异
  3. 计算细致: 详细给出了边界条件推导和散射系数计算过程
  4. 结果具有指导意义: 为AM基自旋电子器件设计提供了明确的理论指导

不足

  1. 实验验证缺失: 作为纯理论工作，缺乏与实验结果的对比验证
  2. 材料参数不明确: 理论参数tJ、t与实际材料的关系不够明确
  3. 三维效应忽略: 二维模型可能无法完全捕捉实际三维材料的行为

影响力

  1. 学术价值: 为AM输运理论提供了重要补充，特别是AM-AM结的首次系统研究
  2. 应用前景: 为自旋过滤器、自旋阀和量子干涉器件提供了新的设计思路
  3. 可复现性: 理论推导完整，数值计算方法清晰，便于其他研究者重现和扩展

适用场景

  1. 自旋电子器件设计: 特别适用于需要可调自旋过滤效应的应用
  2. 量子计算: AM结的相干输运性质可能在量子信息处理中有应用
  3. 基础物理研究: 为理解新型磁性材料的输运性质提供理论基础

参考文献

关键参考文献包括：

  1. Šmejkal等人关于AM基本理论的系列工作 (Phys. Rev. X 2022)
  2. Das和Soori关于AM异质结的前期研究 (J. Phys.: Condens. Matter 2023)
  3. 磁隧道结的经典理论工作 (Julliere, Miyazaki等)
  4. AM材料的实验研究 (MnTe, RuO2等)

这篇论文为交替磁体这一新兴研究领域提供了重要的理论贡献，特别是在理解不同AM相的输运机制差异方面。虽然作为纯理论工作存在一些局限性，但其完整的理论框架和清晰的物理图像为后续的实验研究和器件应用提供了重要指导。