2025-11-24T15:04:18.476637

Plasmon resonance in a sub-THz graphene-based detector: theory and experiment

Moiseenko, Titova, Kashchenko et al.
We present a combined experimental and theoretical study of photovoltage generation in a bilayer graphene (BLG) transistor structure exposed to subterahertz radiation. The device features a global bottom and split top gate, enabling independent control of the band gap and Fermi level, thereby enabling the formation of a tunable p-n junction in graphene. Measurements show that the photovoltage arises primarily through a thermoelectric mechanism driven by heating of the p-n junction in the middle of the channel. We also provide a theoretical justification for the excitation of two-dimensional plasmons at a record-low frequency of 0.13 THz, which manifests itself as characteristic oscillations in the measured photovoltage. These plasmonic resonances, activated by a decrease in charge carrier concentration due to opening of the band gap, lead to a local enhancement of the electromagnetic field and an increase in the carrier temperature in the junction region. The record-low frequency of plasmon resonance is enabled by the low carrier density achievable in the bilayer graphene upon electrical induction of the band gap.
academic

Plasmon resonance in a sub-THz graphene-based detector: theory and experiment

基本信息

  • 论文ID: 2511.06891
  • 标题: Plasmon resonance in a sub-THz graphene-based detector: theory and experiment
  • 作者: I.M. Moiseenko, E. Titova, M. Kashchenko, D. Svintsov
  • 机构: Moscow Institute of Physics and Technology, Laboratory of 2D Materials for Optoelectronics
  • 分类: cond-mat.mes-hall (凝聚态物理-介观与纳米尺度物理)
  • 发表期刊: 相关实验数据发表于 Adv. Optical Mater. 13, 2500167 (2025)
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2511.06891

摘要

本文结合实验与理论研究了双层石墨烯(BLG)晶体管结构在亚太赫兹辐射下的光电压产生机制。该器件采用全局底栅和分离顶栅设计,可独立控制带隙和费米能级,从而形成可调谐的p-n结。实验表明,光电压主要通过沟道中部p-n结加热驱动的热电机制产生。研究还提供了在创纪录低频率0.13 THz下激发二维等离激元的理论依据,这种等离激元共振在测量的光电压中表现为特征振荡。由于带隙打开导致载流子浓度降低,这些等离激元共振被激活,导致电磁场局部增强和结区载流子温度升高。双层石墨烯通过电学诱导带隙实现的低载流子密度使得创纪录低频等离激元共振成为可能。

研究背景与动机

研究问题

太赫兹(THz)辐射探测技术的发展受限于缺乏高灵敏度、低噪声且紧凑的探测器。本研究旨在解决以下核心问题:

  1. 单层石墨烯的固有限制:缺乏带隙导致辐射响应有限,热电和测热整流效应效率低
  2. 亚太赫兹频段等离激元观测困难:传统认为强阻尼效应(ωτ≪1)是主要障碍
  3. 零偏压工作模式需求:二维材料缺乏成熟的化学掺杂技术,需要新型探测器架构

研究重要性

  • 应用前景广阔:6G无线通信、非侵入式诊断、高分辨率光谱学等领域
  • 材料优势明显:石墨烯及其少层结构具有独特的等离激元特性
  • 技术突破潜力:双层石墨烯具有电学可调带隙,为克服单层石墨烯限制提供新途径

现有方法局限

  1. 单层石墨烯探测器效率低,特别是在低温下
  2. 等离激元共振频率难以降至亚太赫兹范围
  3. 剩余载流子将共振频率锁定在较高值
  4. 缺乏系统的理论模型解释带隙打开对等离激元探测的影响

研究动机

  • 最近实验6显示在低温下打开带隙可显著提高双层石墨烯p-n结的亚太赫兹灵敏度
  • 需要理论模型解释首次在0.13 THz超低频率观测到的石墨烯等离激元7
  • 探索带隙工程在太赫兹探测中的应用潜力

核心贡献

  1. 建立了完整的理论模型:首次系统描述双层石墨烯p-n结中亚太赫兹光热电效应,包含等离激元增强效应
  2. 解释超低频等离激元共振:为0.13 THz创纪录低频等离激元激发提供理论依据,揭示带隙诱导的载流子密度降低是关键机制
  3. 验证热电主导机制:通过理论与实验对比,确认光电压主要源于p-n结处的热电效应,而非光伏或光电导效应
  4. 预测等离激元振荡结构:理论预测并实验验证了光电压随带隙和载流子密度变化的振荡特性
  5. 揭示关键物理机制:阐明了等离激元共振导致局部电场增强→焦耳加热增加→结温升高→光电压增强的完整物理链条

方法详解

任务定义

输入:亚太赫兹辐射(f=0.13 THz,功率~70 nW)照射双层石墨烯晶体管 输出:源漏电极间的光电压Vph 可调参数:顶栅电压(控制费米能级)、底栅电压(控制带隙) 工作条件:零偏压模式,低温T=7K

理论框架架构

1. 热电光电压模型

光电压由Seebeck系数差和结温升确定: Vph=(SLSR)ΔT(1)V_{ph} = (S_L - S_R)\Delta T \quad (1)

其中Seebeck系数定义为: S=αe/h/(σe+σh)(2)S = -\alpha_{e/h}/(\sigma_e + \sigma_h) \quad (2)

传输系数通过Boltzmann输运理论计算: σ=ECe2ρ(E)τ(E)v2(E)(f0E)dE\sigma = \int_{E_C}^{\infty} e^2 \rho(E) \tau(E) v^2(E) \left(-\frac{\partial f_0}{\partial E}\right) dEα=ECeρ(E)τ(E)v2(E)(EEF)(f0E)dEkBT\alpha = \int_{E_C}^{\infty} e \rho(E) \tau(E) v^2(E) (E-E_F) \left(-\frac{\partial f_0}{\partial E}\right) \frac{dE}{k_B T}

物理意义

  • 带隙打开时,若EF<Eg/2,双极性贡献被抑制,Seebeck系数增大
  • 若EF>Eg,Seebeck系数几乎不依赖带隙
  • p-n结两侧Seebeck系数符号相反,产生热电电压

2. 热平衡方程

载流子温度分布由热平衡方程确定: x[κ(x)T(x)x]+Ceτe1T(x)=12Re[σ(x)]Ex(x)2(3)-\frac{\partial}{\partial x}\left[\kappa(x)\frac{\partial T(x)}{\partial x}\right] + C_e\tau_e^{-1}T(x) = \frac{1}{2}\text{Re}[\sigma(x)]|E_x(x)|^2 \quad (3)

各项物理含义

  • 左侧第一项:热扩散到金属接触
  • 左侧第二项:通过衬底散热(τe^-1为冷却速率)
  • 右侧:交流焦耳加热

边界条件

  • p-n结处温度连续:TL(0)=TR(0)
  • 热流连续:κL∂TL/∂x|x=0 = κR∂TR/∂x|x=0

3. 等离激元场分布模型

通过连续性方程求解振荡电场: iωρ(x)+J(x)x=0(4)-i\omega\rho(x) + \frac{\partial J(x)}{\partial x} = 0 \quad (4)

采用局域电容近似:ρ(x)=Cφ(x),欧姆定律:J(x)=σ(x)Ex(x)

解的形式ϕj(x)=Vant2csc[(qL+qR)L/4]sin[(qL+qR)L/4qjx](5)\phi_j(x) = \frac{V_{ant}}{2}\csc[(q_L+q_R)L/4]\sin[(q_L+q_R)L/4 - q_j x] \quad (5)

其中等离激元波矢: qj=(iωε0dσj)1q_j = \left(\frac{i\omega\varepsilon_0 d}{\sigma_j}\right)^{-1}

关键创新

  • 分段常数近似(左右区域不同参数)
  • 天线边界条件:φ(±L/2)=±Vant/2
  • 自洽求解电场-电流-电荷密度

技术创新点

1. 等离激元-热电耦合

首次将等离激元增强效应与热电探测机制统一在一个理论框架中:

  • 等离激元共振→局部电场|Ex|²增强→焦耳加热增加→ΔT增大→Vph增强
  • 解释了光电压的振荡结构

2. 带隙调控机制

揭示带隙打开的双重作用:

  • 正面效应:降低载流子密度→等离激元频率降至亚太赫兹→共振成为可能
  • 负面效应:载流子密度过低时,热扩散长度变化导致温度峰位置偏移

3. 半解析解方法

通过Green函数方法获得热平衡方程半解析解,计算效率高且物理图像清晰

实验设置

器件结构

  • 材料堆叠:hBN/双层石墨烯/hBN/HfO₂/Si
  • 沟道长度:L=6 μm(较长沟道使等离激元波长可比)
  • 栅极配置
    • 底栅:全局Si栅极(控制带隙)
    • 顶栅:分离Ti/Au栅极(控制左右区域费米能级)
  • 天线:弓形天线聚焦太赫兹辐射

辐射源

  • 类型:IMPATT二极管(碰撞电离雪崩渡越时间二极管)
  • 频率:f=0.13 THz(130 GHz)
  • 输出功率:16.4 mW
  • 到达器件功率:PTHz≈70 nW(考虑透镜、低温窗口、衰减器损耗)

测量配置

  • 温度:T=7 K(低温抑制热激发,增强带隙效应)
  • 工作模式:零偏压(源漏电压Vsd=0)
  • 探测技术:锁相放大器
    • 辐射调制频率:14.5 Hz
    • 电阻测量:双端配置,Isd≈25 nA,83 Hz交流电流
  • 扫描参数:左右顶栅电压VgL、VgR,底栅电压Vbg

带隙验证

通过测量中性点电阻随垂直电场的指数增长确认带隙形成: Rexp(Eg/kBT)R \propto \exp(E_g/k_B T)

实验结果

主要结果

1. 热电机制验证

实验观测:光电压随栅极扫描出现六次符号反转 理论解释:这是热电机制的特征性标志

  • 当左右区域载流子类型相同时,SL-SR≈0,Vph≈0
  • 当形成p-n结时,SL-SR最大,|Vph|最大
  • 符号由(SR-SL)决定,随费米能级符号变化而翻转

定量对比:理论计算的SR-SL分布(图2b)与实验测量的光电压模式高度吻合

2. 等离激元振荡观测

实验现象(图4b):

  • 带隙较小时:光电压平滑变化
  • 带隙增大(Vbg增加)时:出现明显振荡结构
  • 振荡在费米能级接近带边时最显著

理论预测(图4a):

  • 完美复现振荡特征
  • 振荡周期对应等离激元共振条件
  • 电子导电(EFR>0)和空穴导电(EFR<0)区域均出现振荡

物理机制

  • 等离激元共振条件:qjL≈nπ(n为整数)
  • 载流子密度n₀~10¹¹ cm⁻²时,等离激元波长与沟道长度匹配
  • 带隙打开降低载流子密度,使共振频率降至0.13 THz

3. 结温分布特征

空间分布(图3a):

  • 温升峰值位于p-n结中心(x=0)
  • 对称p-n结(|EFL|=|EFR|)时温度分布对称
  • 峰值温升约0.1-0.3 K(PTHz~70 nW)
  • 热扩散长度LT,j=√(κj/(Ceτe⁻¹))决定温度分布宽度

带隙依赖性(图3b):

  • 温度-带隙关系呈现振荡结构
  • 振荡峰对应等离激元共振
  • 不同EFR值振荡峰位置不同(共振条件不同)

关键发现

1. 超低频等离激元的实现条件

  • 载流子密度:n₀(EF,Eg)~10¹¹ cm⁻²(比常规石墨烯低1-2个数量级)
  • 带隙要求:Eg≥50 meV
  • 沟道长度:L6 μm(使λplasmonL)
  • 频率范围:首次在f=0.13 THz观测到等离激元共振

2. 带隙优化效应

  • 带隙从0增至~100 meV,光电压幅度增加数倍
  • 最优工作点:EF接近带边,形成强p-n结,且满足等离激元共振条件
  • 过大带隙导致载流子密度过低,可能降低探测效率

3. 剩余载流子的关键作用

理论揭示先前未认识到的障碍:

  • 电荷中性点的剩余载流子(热激发或电势涨落)将共振频率锁定在高值
  • 带隙打开抑制剩余载流子,是降低共振频率的关键

相关工作

石墨烯太赫兹探测器

  1. 单层石墨烯探测器3,4
    • 利用等离激元效应增强探测
    • 受限于无带隙,室温性能有限
    • 本工作通过双层石墨烯克服此限制
  2. 室温石墨烯探测器8
    • Caridad et al.(2024)实现室温等离激元探测
    • 工作频率较高(>1 THz)
    • 本工作聚焦亚太赫兹低频段

双层石墨烯带隙工程

  1. 带隙诱导探测增强6
    • Titova et al.(2023)实验验证带隙打开提高灵敏度
    • 本工作为该实验提供完整理论解释
  2. 二维材料掺杂技术5
    • 化学掺杂技术不成熟
    • 电学掺杂(栅极调控)成为主流方案

等离激元物理

  1. 传统观点
    • 认为强阻尼(ωτ≪1)是亚太赫兹等离激元观测的主要障碍
    • 本工作指出剩余载流子的钉扎效应同样重要
  2. 本工作创新
    • 首次在0.13 THz观测到石墨烯等离激元
    • 揭示带隙-载流子密度-共振频率的关联

结论与讨论

主要结论

  1. 等离激元在亚太赫兹探测中起重要作用:即使在f=130 GHz超低频率,等离激元共振仍显著影响光电压
  2. 带隙工程是关键使能技术:通过电学诱导带隙降低载流子密度,将共振频率降至数百GHz
  3. 热电机制主导光响应:p-n结加热驱动的热电效应是主要光电压来源
  4. 理论-实验高度一致:简化模型成功捕捉实验观测的等离激元振荡特征

局限性

理论模型简化

  1. 几何近似
    • 未考虑顶栅间隙的实际宽度
    • 分段常数近似忽略过渡区域
  2. 散射机制简化
    • 假设τ(E)=const,未微观计算杂质散射
    • 未考虑电子-光学声子相互作用的能量弛豫
  3. 单一整流机制
    • 仅考虑中心p-n结整流
    • 未包含金属-石墨烯肖特基结整流

实验局限

  1. 温度限制:仅在T=7K验证,室温性能未知
  2. 单频测量:仅在0.13 THz测试,频率依赖性未充分探索
  3. 器件优化空间:沟道长度、栅极配置可进一步优化

未来方向

理论改进

  1. 考虑实际器件几何(包括栅极间隙)
  2. 微观计算动量和能量弛豫时间
  3. 包含多种整流机制的竞争

实验拓展

  1. 温度依赖性研究:探索室温工作可能性
  2. 频谱响应测量:系统研究频率依赖性
  3. 器件优化
    • 优化沟道长度匹配目标频率
    • 设计多谐振腔结构
    • 改进天线耦合效率

应用前景

  1. 可调谐探测器:通过栅压实时调节工作频率
  2. 高灵敏度探测:利用等离激元增强
  3. 片上集成:紧凑尺寸适合集成系统

深度评价

优点

1. 科学贡献显著

  • 突破认知:首次在0.13 THz观测石墨烯等离激元,打破频率下限
  • 机制揭示:阐明剩余载流子钉扎效应,补充传统阻尼理论
  • 理论完整:建立等离激元-热电耦合的统一框架

2. 理论-实验结合紧密

  • 理论预测的振荡结构与实验高度吻合
  • 物理图像清晰:等离激元→场增强→温升→光电压链条完整
  • 半解析解方法兼顾精度与效率

3. 方法学价值

  • 分段常数+边界条件的处理方法可推广至其他异质结构
  • Green函数方法求解热平衡方程具有普适性
  • 为其他二维材料探测器提供理论模板

4. 实验设计合理

  • 分离栅极设计实现独立调控
  • 低温测量突出带隙效应
  • 锁相检测提高信噪比

不足

1. 模型简化过度

  • τ(E)=const假设在带边附近可能不准确
  • 忽略栅极间隙可能低估实际场分布复杂性
  • 单一整流机制假设需实验验证

2. 实验覆盖不足

  • 仅单一频率(0.13 THz),频谱响应未知
  • 仅低温(7K)数据,实用性受限
  • 功率依赖性未系统研究

3. 定量预测精度

  • 图4对比显示理论振荡幅度略大于实验
  • 可能源于忽略的散射机制或几何效应
  • 需更精细模型提高定量准确性

4. 物理参数缺失

  • 未给出关键参数如τ、κ的具体数值
  • Green函数解未明确给出
  • 阻碍结果复现和进一步分析

影响力

学术影响

  • 开辟新方向:亚太赫兹石墨烯等离激元学成为新研究领域
  • 理论工具:提供的模型可用于类似器件设计
  • 引用潜力:作为首次观测,预期高引用

技术影响

  • 探测器设计:为可调谐太赫兹探测器提供原理验证
  • 6G通信:亚太赫兹频段探测对6G技术至关重要
  • 商业化前景:需解决室温工作和大规模制造问题

领域推动

  • 激励其他二维材料(如过渡金属硫化物)的类似研究
  • 推动带隙工程在光电子器件中的应用
  • 促进等离激元学与热电学的交叉研究

适用场景

理想应用

  1. 低温科学仪器:低温环境下的太赫兹光谱仪
  2. 天文探测:空间探测器天然低温环境
  3. 量子信息:低温量子计算系统的信号读取

限制场景

  1. 室温应用:需验证室温性能
  2. 宽带探测:当前单频设计不适合宽带
  3. 高功率:热电机制可能在强辐射下饱和

拓展可能

  1. 多频段探测:设计不同长度沟道的阵列
  2. 主动调谐:实时调节栅压匹配信号频率
  3. 集成系统:与CMOS工艺兼容的片上系统

参考文献(关键文献)

  1. Akyildiz et al., IEEE Trans. Commun. (2022): 6G通信中的太赫兹应用综述
  2. Ryzhii et al., Appl. Phys. Lett. (2020): 石墨烯太赫兹探测器理论
  3. Titova et al., ACS Nano (2023): 双层石墨烯带隙增强探测实验
  4. Titova et al., Adv. Optical Mater. (2025): 本工作对应的实验论文
  5. Caridad et al., Nano Lett. (2024): 室温石墨烯等离激元探测

总结

本文在亚太赫兹石墨烯等离激元学领域取得重要突破,首次在0.13 THz超低频率观测到等离激元共振,并建立了完整的理论框架解释其在光电压中的表现。通过揭示带隙工程降低载流子密度的关键作用,为可调谐太赫兹探测器开辟了新途径。尽管存在模型简化和实验局限,但理论-实验的高度一致性验证了核心物理图像的正确性。该工作不仅推动了基础物理理解,也为6G通信等应用提供了技术基础,具有重要的学术和实用价值。未来研究需聚焦室温性能、频谱响应和器件优化,以实现实际应用。