2025-11-26T10:34:18.835293

Depairing critical current density and the vortex-free state in FeSe nanobridges

Sun, Xiang, Shi et al.
The depairing limit and the vortex-free state in a superconductor is crucial for both the study of supercurrent related physics and the application eliminating noise linked to vortex motion. In this work, we report the evidence of depairing limit and the vortex-free state achieved by geometric constraint in FeSe superconductors. A series of narrow bridges with varying widths at the same location of a single crystal were prepared by the \textquotedblleft pickup\textquotedblright method using successive focused ion beam millings. By simply reducing the width of bridge, the magnitude of critical current density ($J_{\rm{c}}$) is enhanced more than one order, evidence the achievement of depairing limit. Moreover, in the bridge with a width smaller than the penetration depth ($λ$), $J_{\rm{c}}$ is found to be robust against magnetic field up to 1 kOe. The field-robust $J_{\rm{c}}$ is a strong piece of evidence for vortex-free state, which is created by the enhancement of lower critical fields due to geometric constraint.
academic

Depairing critical current density and the vortex-free state in FeSe nanobridges

基本信息

  • 论文ID: 2511.19054
  • 标题: Depairing critical current density and the vortex-free state in FeSe nanobridges
  • 作者: Yue Sun, Yuling Xiang, Zhixiang Shi, Tsuyoshi Tamegai, Haruhisa Kitano
  • 分类: cond-mat.supr-con (超导), cond-mat.str-el (强关联电子系统)
  • 发表时间: 2025年11月25日
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2511.19054

摘要

超导体中的去配对极限(depairing limit)和无涡旋态(vortex-free state)对于超导电流相关物理研究和消除涡旋运动噪声的应用至关重要。本研究通过几何约束在FeSe超导体中实现了去配对极限和无涡旋态。研究者使用聚焦离子束(FIB)铣削的"pickup"方法，在单晶的同一位置制备了一系列不同宽度的窄桥。通过简单地减小桥的宽度，临界电流密度(Jc)提高了一个数量级以上，证明达到了去配对极限。此外，在宽度小于穿透深度(λ)的桥中，Jc在高达1 kOe的磁场下表现出鲁棒性，这是无涡旋态的有力证据，该态由几何约束导致的下临界场增强所创造。

研究背景与动机

研究问题

本研究旨在解决超导体中如何实现去配对临界电流密度和无涡旋态的问题。这两个状态对于理解超导电流物理机制和实际应用都至关重要。

问题重要性

  1. 物理意义：去配对临界电流密度直接反映了Cooper对的临界速度和超导能隙大小，是理解超导机制的关键参数
  2. 应用价值：无涡旋态可以消除涡旋运动相关的噪声，在高场环境下的超导器件应用中具有重要意义
  3. 材料特性：去配对Jc是超导体可承载电流的理论上限

现有方法的局限性

  1. 非均匀电流分布：在常规超导体中，由于Meissner效应，超导电流倾向于在表面/边缘堆积，导致涡旋在整体Jc远低于去配对Jc时就已经进入样品
  2. 几何条件苛刻：理论上需要样品横向尺寸同时小于相干长度和穿透深度，但高温超导体的相干长度仅几纳米，难以满足
  3. 铁基超导体研究不足：虽然在低温和铜基高温超导体中已有充分研究，但铁基超导体(IBSs)中的去配对极限和无涡旋态仍然了解甚少

研究动机

FeSe作为铁基超导体的代表材料，具有独特优势：

  • 可通过Te替代、高压或质子化将Tc从10 K提高到44 K
  • 单层FeSe薄膜甚至显示出65 K以上的超导迹象
  • 已实现高质量Te掺杂FeSe带材，在自场下Jc超过10^6 A/cm²
  • 具有小费米面、多带结构，处于BCS-BEC交叉区域

核心贡献

  1. 首次在FeSe单晶中通过几何约束实现去配对极限：通过减小桥宽度，在同一晶体位置获得比去钉扎Jc高一个数量级以上的临界电流密度
  2. 证实了宽度小于穿透深度时的无涡旋态：在W < λ的纳米桥中，Jc在高达1 kOe磁场下保持鲁棒性
  3. 揭示了几何约束对下临界场的增强效应：基于Abrikosov公式计算表明，当W/λ减小时，μ₀Hc1显著增强，与实验观察一致
  4. 提供了研究铁基超导体超导电流物理的新途径：为理解多带超导体的去配对机制提供了实验依据
  5. 开发了独特的"pickup"制备方法：使用连续FIB铣削在单晶同一位置制备不同宽度的桥，有效消除了晶体质量差异的影响

方法详解

任务定义

本研究的核心任务是：

  • 输入：FeSe单晶样品
  • 处理：通过FIB技术制备不同宽度的纳米桥(W >> Λ, W ~ 2Λ, W < Λ)
  • 输出：测量不同宽度桥的临界电流密度及其温度和磁场依赖性
  • 目标：验证去配对极限的实现和无涡旋态的存在

实验架构

1. 样品制备

采用"pickup"方法的FIB制备技术：

步骤流程：

  1. 使用FIB沿c轴刻蚀制备薄片(lamella)，典型尺寸10×10 μm²，厚度<1 μm
  2. 用石英针小心提起薄片并转移到带接触图案的硅基底上
  3. 通过Pt沉积将薄片连接到Au接触垫
  4. 使用FIB刻蚀在两个电压端子之间创建ab平面的窄桥
  5. 通过后处理进一步减小纳米桥宽度

关键参数：

  • Pearl长度：Λ = 2λ²/h = 620 nm (λ = 450 nm, h = 650 nm)
  • 制备的两个器件：W = 1250 nm (~ 2Λ) 和 W = 390 nm (< Λ)
  • 厚度h = 650 nm保持不变

方法优势：

  • 在同一晶体的相同位置制备不同宽度的桥，有效消除晶体质量差异
  • 可精确控制桥的几何尺寸

2. 测量技术

电阻测量：

  • 标准四探针技术
  • Tc ~ 8 K (W = 1250 nm)，转变宽度<0.5 K
  • Tc(零电阻) ~ 7.5 K (W = 390 nm)，转变略宽(归因于Ga⁺离子注入损伤)

I-V特性测量：

  • 使用Keithley Delta脉冲系统产生脉冲电流
  • 脉冲宽度：100 μs，间隔：3 s (占空比 ~ 3.3×10⁻⁵)，最小化加热效应
  • 电压积分时间：55 μs
  • 临界电流判据：100 μV
  • 零场冷却至目标温度后施加磁场

技术创新点

1. 几何约束实现电流均匀分布

理论基础：

  • 当W减小到Pearl长度Λ时，电流密度在桥中均匀分布
  • 避免了表面/边缘的电流堆积，防止涡旋过早进入

实验验证：

  • Jc随W减小而显著增强：
    • W >> Λ (块体)：Jc ~ 2×10⁴ A/cm² (4 K)
    • W ~ 2Λ：Jc ~ 5×10⁴ A/cm²
    • W < Λ：Jc > 2×10⁵ A/cm²
  • 增强超过一个数量级，无法用去钉扎机制解释

2. 下临界场的几何增强

Abrikosov公式： μ0Hc1=Φ04πλ2(log⁡κ+0.081−2∑n=1∞(−1)n+1K0(Wnλ))(1−sech(W2λ))−1\mu_0 H_{c1} = \frac{\Phi_0}{4\pi\lambda^2}\left(\log\kappa + 0.081 - 2\sum_{n=1}^{\infty}(-1)^{n+1}K_0\left(\frac{Wn}{\lambda}\right)\right)\left(1-\text{sech}\left(\frac{W}{2\lambda}\right)\right)^{-1}

计算结果：

  • W >> λ：μ₀Hc1 ~ 30 Oe (与文献一致)
  • W/λ ~ 2：μ₀Hc1 > 100 Oe
  • W/λ = 0.5：μ₀Hc1 > 1 kOe
  • W/λ = 0.1：μ₀Hc1 > 10 kOe

3. 与理论的对比

GL理论：Jc(t) = Jc(0)(1-t)^(3/2)，其中t = T/Tc

实验发现：

  • 测量的去配对Jc远小于GL理论和KL理论预测
  • 可能原因：FeSe的特殊性质
    • 微小的多带费米面
    • 处于BCS-BEC交叉区域
    • 比简单BCS超导体具有更强的电子关联

实验设置

样品制备

FeSe单晶生长：

  • 方法：气相输运法
  • 质量：高质量单晶，Tc ~ 8 K

纳米桥制备：

  • 技术：FIB (Focused Ion Beam)
  • 方法："pickup"方法(常用于TEM样品制备)
  • 关键参数：
    • 薄片尺寸：10×10 μm²
    • 厚度：h = 650 nm
    • 桥宽度：W = 1250 nm 和 390 nm
    • Pearl长度：Λ = 620 nm

测量参数

温度范围：3-8 K

磁场范围：0-5 T

磁场方向：

  • H ∥ ab (磁场平行于ab平面)
  • H ∥ c (磁场平行于c轴)

电流方向：I ∥ ab

评价指标

  1. 临界电流密度Jc：使用100 μV判据确定
  2. 温度依赖性：Jc(T)关系
  3. 磁场依赖性：Jc(H)关系
  4. 与理论对比：归一化Jc与GL/KL理论的比较

对比方法

  1. 块体样品(W >> Λ)：通过磁滞回线(MHLs)基于Bean模型估算Jc(去钉扎)
  2. 纳米桥(W ~ 2Λ, W < Λ)：通过I-V曲线直接测量Jc
  3. 理论模型：GL理论和KL理论的去配对Jc预测

实验结果

主要结果

1. 临界电流密度的宽度依赖性

零场下4 K的Jc值：

  • W >> Λ (块体)：~ 2×10⁴ A/cm²
  • W ~ 2Λ：~ 5×10⁴ A/cm² (提高2.5倍)
  • W < Λ：> 2×10⁵ A/cm² (提高超过10倍)

关键发现：

  • Jc随桥宽度减小而显著增强
  • W < Λ时的Jc比去钉扎Jc高一个数量级以上
  • 这种增强只能归因于从去钉扎到去配对的转变

2. 温度依赖性

实验观察：

  • 所有宽度的桥都显示Jc随温度升高而降低
  • W < Λ的桥在整个温度范围内保持最高Jc

与理论对比：

  • 使用J_c^(2/3)对t = T/Tc线性拟合外推得到Jc(0)
  • 归一化后的Jc(t)/Jc(0)与GL理论和KL理论比较
  • 实验值显著低于两种理论预测

理论偏差的可能原因：

  • FeSe的多带特性
  • BCS-BEC交叉区域的强电子关联
  • 理论假设的简单BCS超导体模型不适用

3. 磁场依赖性(W < Λ)

H ∥ ab方向：

  • Jc在H < 1 kOe时几乎保持不变
  • 1-10 kOe范围内略有下降
  • H > 10 kOe后显著下降

H ∥ c方向：

  • 类似的行为模式
  • Jc在1 kOe以下保持鲁棒性
  • 高场下逐渐下降

对比块体样品(W >> Λ)：

  • 在4 K时，块体样品的Jc在低场下快速下降
  • H ∥ ab：从2×10⁴降至5×10³ A/cm² (H ~ 1 kOe)
  • H ∥ c：下降更快
  • 这种快速下降归因于涡旋进入和去钉扎过程

4. 无涡旋态的证据

关键观察：

  • W < Λ的桥中，Jc在高达1 kOe的磁场下保持鲁棒性
  • 这与去钉扎场景(Jc对磁场高度敏感)形成鲜明对比

物理解释：

  • 块体FeSe的μ₀Hc1 ~ 30 Oe
  • 几何约束导致μ₀Hc1增强至~1 kOe
  • 在H < Hc1时，样品处于无涡旋态
  • 无涡旋意味着Jc不受涡旋运动影响，保持在去配对水平

理论计算与实验对比

Abrikosov公式计算：

  • W/λ >> 1：μ₀Hc1 ~ 30 Oe (与实验报道一致)
  • W/λ ~ 2：μ₀Hc1 > 100 Oe
  • W/λ = 0.5：μ₀Hc1 > 1 kOe (与实验观察的无涡旋态上限一致)

理论低估的原因：

  1. 假设限制：计算假设涡旋捕获绝对稳定，自由能相关项为零，导致小W极限下μ₀Hc1增强饱和
  2. 退磁效应：样品几何形状产生的退磁效应未被考虑
  3. 表面钉扎：FIB铣削产生的无序表面(厚度~5 nm)提供额外钉扎，阻碍磁通进入

实验发现总结

  1. 去配对极限的实现：通过几何约束在FeSe中首次实现，Jc提高超过一个数量级
  2. 无涡旋态的扩展：通过减小桥宽度，无涡旋态可维持至1 kOe
  3. 理论与实验的差异：实验Jc低于理论预测，可能与FeSe的多带和强关联特性相关
  4. 几何约束的有效性：证明了几何约束是在铁基超导体中实现去配对和无涡旋态的有效途径

相关工作

去配对极限研究

铜基高温超导体：

  • YBCO纳米线：已实现去配对极限，80 nm宽、150 nm厚的纳米线中涡旋穿透起始场增强至~1 T
  • YBCO纳米桥：通过减小宽度至Pearl长度实现电流均匀分布

铁基超导体：

  • Ba₀.₅K₀.₅Fe₂As₂：已实现去配对极限
  • Fe₁₊ᵧTe₁₋ₓSeₓ c轴桥：报道了去配对行为
  • P掺杂BaFe₂As₂：观察到去配对特征
  • 本工作：首次在FeSe中系统研究去配对极限和无涡旋态

理论框架

GL理论：

  • 预测Jc(t) = Jc(0)(1-t)^(3/2)
  • 适用于接近Tc的温度范围

KL理论：

  • 基于Eilenberger方程数值计算去配对Jc
  • 假设超导电流速度与序参量相位梯度成正比

Abrikosov公式：

  • 计算薄层超导体中宽度依赖的Hc1
  • 考虑了几何约束效应

本工作的独特贡献

  1. 材料选择：FeSe作为铁基超导体代表，具有多带、BCS-BEC交叉等独特性质
  2. 制备方法：在同一晶体同一位置制备不同宽度的桥，消除材料质量差异
  3. 系统研究：同时研究了去配对极限和无涡旋态，提供了完整的物理图像
  4. 理论对比：发现实验与理论的系统性偏差，指出多带强关联的重要性

结论与讨论

主要结论

  1. 去配对极限的实现：
    • 通过几何约束在FeSe纳米桥中成功实现去配对极限
    • Jc从块体的2×10⁴ A/cm²提高到纳米桥的>2×10⁵ A/cm²
    • 增强超过一个数量级，证明了从去钉扎到去配对的转变
  2. 无涡旋态的证据：
    • W < λ的桥中，Jc在高达1 kOe磁场下保持鲁棒性
    • 几何约束导致μ₀Hc1从30 Oe增强至1 kOe
    • 提供了无涡旋态存在的有力证据
  3. 理论与实验的对比：
    • 实验测得的去配对Jc显著低于GL和KL理论预测
    • 归因于FeSe的多带特性和BCS-BEC交叉区域的强电子关联
    • 现有理论假设的简单BCS模型不适用于FeSe
  4. 应用前景：
    • 为研究超导电流相关物理提供了新途径
    • 在消除涡旋运动噪声的应用中具有潜力
    • 特别适用于高磁场环境下的超导器件

局限性

  1. Tc的抑制：
    • FIB制备过程中的Ga⁺离子注入导致Tc从8 K降至7.5 K
    • 超导转变变宽，可能影响低温特性的精确测量
    • 表面损伤层(~5 nm)的影响难以定量评估
  2. 理论计算的局限：
    • Abrikosov公式低估了实验观察到的μ₀Hc1
    • 未充分考虑退磁效应和表面钉扎
    • 缺乏适用于多带强关联超导体的去配对理论
  3. 测量技术：
    • 使用100 μV判据定义Ic，在Tc附近可能引入~5%的误差
    • 脉冲电流测量虽然减少了加热效应，但可能无法完全消除
    • 未进行直接的涡旋成像观察
  4. 样品尺寸限制：
    • 仅研究了两个特定宽度(W ~ 2Λ和W < Λ)
    • 缺乏更系统的宽度依赖性研究
    • 未探索厚度变化的影响
  5. 温度和磁场范围：
    • 测量限于3-8 K温度范围
    • 磁场最高5 T，未探索更高场下的行为

未来方向

  1. 直接涡旋成像：
    • 使用扫描隧道显微镜(STM)或磁力显微镜(MFM)直接观察几何约束导致的涡旋排斥
    • 可视化无涡旋态的形成和破坏过程
  2. 系统的尺寸依赖性研究：
    • 制备更多不同宽度和厚度的纳米桥
    • 系统研究宽高比对μ₀Hc1和Jc的影响
    • 探索优化几何参数
  3. 改进制备技术：
    • 优化FIB工艺参数减少离子注入损伤
    • 探索低能量FIB或其他纳米加工技术
    • 研究退火等后处理方法恢复Tc
  4. 理论发展：
    • 发展适用于多带强关联超导体的去配对理论
    • 考虑退磁效应和表面钉扎的更精确模型
    • 结合第一性原理计算理解FeSe的特殊性质
  5. 其他铁基超导体：
    • 将方法推广到其他铁基超导体(如FeSe₁₋ₓTeₓ, 1111体系等)
    • 比较不同材料的去配对行为
    • 探索材料参数(Tc, λ, ξ)对去配对和无涡旋态的影响
  6. 实际应用探索：
    • 研究在超导量子器件中的应用潜力
    • 探索高场环境下的低噪声超导电子学
    • 开发基于无涡旋态的新型超导器件

深度评价

优点

  1. 方法创新性：
    • "pickup"方法在同一晶体同一位置制备不同宽度的桥，是研究几何效应的理想方法
    • 有效消除了材料质量差异，使结果更可靠
    • 制备技术可推广到其他层状超导材料
  2. 实验充分性：
    • 系统测量了温度和磁场依赖性
    • 同时研究了两个磁场方向(H ∥ ab和H ∥ c)
    • 使用脉冲电流技术有效减少加热效应
    • 对比了块体和纳米桥的行为
  3. 结果说服力：
    • Jc提高超过一个数量级，证据确凿
    • 磁场鲁棒性与理论预期的μ₀Hc1增强一致
    • 多个独立证据支持去配对和无涡旋态的结论
    • 数据质量高，误差小(<5%)
  4. 物理洞察：
    • 揭示了FeSe多带强关联特性导致的理论偏差
    • 阐明了几何约束对超导特性的深刻影响
    • 为理解铁基超导体的去配对机制提供了重要实验依据
  5. 写作清晰度：
    • 结构清晰，逻辑严密
    • 图表制作精良，信息丰富
    • 充分讨论了实验细节和可能的误差来源

不足

  1. 理论解释的深度：
    • 对实验Jc低于理论预测的解释较为定性
    • 缺乏定量的多带模型计算
    • 未深入讨论BCS-BEC交叉对去配对的具体影响
  2. 直接证据的缺失：
    • 未进行直接的涡旋成像观察
    • 无涡旋态的证据主要是间接的(Jc的磁场鲁棒性)
    • 缺乏对电流分布均匀性的直接测量
  3. 样品数量有限：
    • 仅研究了两个特定宽度的桥
    • 缺乏更细致的宽度依赖性数据
    • 未探索厚度变化的系统影响
  4. Ga⁺损伤的影响：
    • 虽然提到了Tc抑制，但未定量评估对Jc的影响
    • 表面损伤层可能影响μ₀Hc1的准确估计
    • 缺乏对损伤层的详细表征(如TEM分析)
  5. 高场行为的探索：
    • 未充分讨论H > 1 kOe后Jc下降的机制
    • 缺乏对涡旋进入模式的分析
    • 未探索更高磁场下的行为

影响力

  1. 对领域的贡献：
    • 首次在FeSe中系统证明去配对极限和无涡旋态
    • 为铁基超导体的超导电流研究提供了重要范例
    • 方法可推广到其他层状超导材料
    • 推动了几何约束效应在超导物理中的研究
  2. 实用价值：
    • 为开发低噪声超导器件提供了新思路
    • 在高磁场环境下的应用具有潜力
    • 对超导电子学和量子器件有启发意义
    • 提供了优化超导器件性能的新途径
  3. 可复现性：
    • 实验方法描述详细，可复现性强
    • FIB制备技术成熟，易于推广
    • 测量技术标准，其他实验室可重复
    • 理论计算基于成熟公式，易于验证
  4. 后续研究的启发：
    • 激发对其他铁基超导体的类似研究
    • 推动多带强关联超导体去配对理论的发展
    • 促进直接涡旋成像技术的应用
    • 为超导器件的几何设计提供指导

适用场景

  1. 基础研究：
    • 研究超导体的本征去配对机制
    • 探索多带超导体的超导电流物理
    • 理解几何约束对超导特性的影响
    • 研究BCS-BEC交叉区域的超导现象
  2. 材料筛选：
    • 评估不同超导材料的去配对Jc
    • 比较不同铁基超导体的几何约束效应
    • 优化材料参数(λ, ξ)以实现高Jc
  3. 器件应用：
    • 设计低噪声超导量子比特
    • 开发高场环境下的超导探测器
    • 制备高性能超导纳米线单光子探测器(SNSPD)
    • 应用于超导电子学中的高频器件
  4. 技术推广：
    • 推广到其他层状超导材料(如铜基、镍基超导体)
    • 应用于二维超导体的研究
    • 结合其他纳米加工技术(如电子束刻蚀)
    • 与其他表征技术(STM, MFM)结合

参考文献

本文引用了多个关键领域的重要文献：

超导理论基础：

  • M. Tinkham, "Introduction to superconductivity" (1996) - 超导物理经典教材

去配对研究：

  • S. Nawaz et al., Phys. Rev. Lett. 110, 167004 (2013) - YBCO中的去配对极限
  • J. Li et al., Appl. Phys. Lett. 103, 062603 (2013) - Ba₀.₅K₀.₅Fe₂As₂的去配对

无涡旋态：

  • V. Rouco et al., Nano Letters 19, 4174 (2019) - YBCO纳米线中的涡旋排斥
  • K. H. Kuit et al., Phys. Rev. B 77, 134504 (2008) - 涡旋捕获和排斥理论

FeSe材料：

  • F. C. Hsu et al., Proc. Nat. Acad. Sci. 105, 14262 (2008) - FeSe的发现
  • S. Kasahara et al., Proc. Nat. Acad. Sci. 111, 16309 (2014) - FeSe的BCS-BEC交叉

这些文献为本研究提供了坚实的理论基础和实验参考。