2025-11-13T22:10:11.346281

Comparative Analysis of THz Signal Emission from SiO$_2$/CoFeB/Metal Heterostructures: Wideband and High-Frequency THz Signal Advantage of PtBi-based Emitter

Winkel, Parvini, Stiewe et al.
Spintronic THz emitters have attracted much attention due to their desirable properties, such as affordability, ultra-wideband capability, high efficiency, and tunable polarization. In this study, we investigate the characteristics of THz signals, including their frequency, bandwidth, and amplitude, emitted from a series of heterostructures with ferromagnetic (FM) and nonmagnetic (NM) materials. The FM layer consists of a wedge-shaped CoFeB layer with a thickness of 0 to 5 nm, while the NM materials include various metals such as Pt, Au, W, Ru, Pt$_{\%92}$Bi$_{\%8}$, and Ag$_{\%90}$Bi$_{\%10}$ alloys. Our experiments show that the emitter with Pt-NM layer has the highest amplitude of the emitted THz signal. However, the PtBi-based emitter exhibits a higher central THz peak and wider bandwidth, making it a promising candidate for broadband THz emitters. These results pave the way for further exploration of the specific compositions of Pt$_{1-x}$Bi$_{x}$ for THz emitter design, especially with the goal of generating higher frequency and wider bandwidth THz signals. These advances hold significant potential for applications in various fields such as high-resolution imaging, spectroscopy, communications, medical diagnostics, and more.
academic

SiO2_2/CoFeB/ধাতু বিষমতাপূর্ণ কাঠামো থেকে THz সংকেত নির্গমনের তুলনামূলক বিশ্লেষণ: PtBi-ভিত্তিক নির্গমনকারীর প্রশস্তব্যান্ড এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি THz সংকেত সুবিধা

মৌলিক তথ্য

  • গবেষণাপত্র ID: 2307.02232
  • শিরোনাম: SiO2_2/CoFeB/ধাতু বিষমতাপূর্ণ কাঠামো থেকে THz সংকেত নির্গমনের তুলনামূলক বিশ্লেষণ: PtBi-ভিত্তিক নির্গমনকারীর প্রশস্তব্যান্ড এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি THz সংকেত সুবিধা
  • লেখক: Tristan Joachim Winkel, Tahereh Sadat Parvini, Finn-Frederik Stiewe, Jakob Walowski, Farshad Moradi, Markus Münzenberg
  • শ্রেণীবিভাগ: physics.optics
  • প্রকাশনার সময়: ৬ জুলাই, ২০২৩
  • গবেষণাপত্র লিঙ্ক: https://arxiv.org/abs/2307.02232

সারসংক্ষেপ

স্পিনট্রনিক্স THz নির্গমনকারী তাদের অর্থনৈতিকতা, অতি-প্রশস্তব্যান্ড ক্ষমতা, উচ্চ দক্ষতা এবং সামঞ্জস্যযোগ্য সুবিধার কারণে ব্যাপক মনোযোগ আকর্ষণ করছে। এই গবেষণা লৌহচুম্বকীয় (FM) এবং অ-চুম্বকীয় (NM) উপকরণ বিষমতাপূর্ণ কাঠামো থেকে নির্গত THz সংকেতের বৈশিষ্ট্য অনুসন্ধান করে, যার মধ্যে রয়েছে ফ্রিকোয়েন্সি, ব্যান্ডউইথ এবং বিস্তার। FM স্তর ০-৫ nm পুরুত্বের ওয়েজ-আকৃতির CoFeB স্তর নিয়ে গঠিত, এবং NM উপকরণে Pt, Au, W, Ru, Pt92_{92}Bi8_8 এবং Ag90_{90}Bi10_{10} সংকর ধাতু সহ একাধিক ধাতু অন্তর্ভুক্ত রয়েছে। পরীক্ষা-নিরীক্ষা দেখায় যে Pt-NM স্তর নির্গমনকারী সর্বোচ্চ THz সংকেত বিস্তার প্রদান করে, যখন PtBi-ভিত্তিক নির্গমনকারী উচ্চতর কেন্দ্রীয় THz শিখর এবং আরও প্রশস্ত ব্যান্ডউইথ প্রদর্শন করে, যা প্রশস্তব্যান্ড THz নির্গমনকারীর জন্য প্রতিশ্রুতিশীল প্রার্থী।

গবেষণা পটভূমি এবং প্রেরণা

গবেষণা সমস্যা

এই গবেষণা স্পিনট্রনিক্স THz নির্গমনকারীর কর্মক্ষমতা অপ্টিমাইজেশন সমস্যা সমাধানের লক্ষ্য রাখে, বিশেষত উপকরণ নির্বাচন এবং কাঠামো ডিজাইনের মাধ্যমে THz সংকেতের ফ্রিকোয়েন্সি, ব্যান্ডউইথ এবং বিস্তার বৈশিষ্ট্য বৃদ্ধি কীভাবে করা যায়।

গুরুত্ব

১. প্রযুক্তিগত চাহিদা: THz তরঙ্গ উপকরণ বিজ্ঞান, জীববিজ্ঞান এবং চিকিৎসা ক্ষেত্রে বিস্তৃত প্রয়োগের সম্ভাবনা রয়েছে, যার মধ্যে রয়েছে বর্ণালী বিশ্লেষণ, প্রতিবিম্ব এবং যোগাযোগ ২. যন্ত্র সুবিধা: স্পিনট্রনিক্স THz নির্গমনকারী প্রথাগত নির্গমনকারীর তুলনায় কম খরচ, অতি-প্রশস্তব্যান্ড এবং উচ্চ দক্ষতার সুবিধা রয়েছে ३. প্রয়োগ সম্ভাবনা: উচ্চ-বিভেদনশীল প্রতিবিম্ব, বর্ণালী বিশ্লেষণ, যোগাযোগ এবং চিকিৎসা নির্ণয়ের ক্ষেত্রে উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি প্রশস্তব্যান্ড THz সংকেতের জরুরি চাহিদা রয়েছে

বিদ্যমান সীমাবদ্ধতা

প্রথাগত THz নির্গমনকারী ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা, ব্যান্ডউইথ এবং দক্ষতার ক্ষেত্রে সীমাবদ্ধতা রয়েছে, যা বিষমতাপূর্ণ কাঠামো উপকরণ সমন্বয় অপ্টিমাইজেশনের মাধ্যমে কর্মক্ষমতা বাধা অতিক্রম করার প্রয়োজন।

গবেষণা প্রেরণা

স্পিন হল প্রভাব এবং বিপরীত স্পিন হল প্রভাবের ভৌত বিষয়ের উপর ভিত্তি করে, বিভিন্ন অ-চুম্বকীয় স্তর উপকরণ THz নির্গমন বৈশিষ্ট্যের উপর প্রভাবের পদ্ধতিগত তুলনার মাধ্যমে, সর্বোত্তম উপকরণ সমন্বয় খুঁজে বের করা।

মূল অবদান

১. পদ্ধতিগত উপকরণ তুলনা: প্রথমবারের মতো একাধিক অ-চুম্বকীয় স্তর উপকরণ (Pt, Au, W, Ru এবং PtBi, AgBi সংকর) এর THz নির্গমনে কর্মক্ষমতার ব্যাপক তুলনামূলক বিশ্লেষণ २. পুরুত্ব অপ্টিমাইজেশন আবিষ্কার: CoFeB স্তরের ২ nm সমালোচনামূলক পুরুত্ব নির্ধারণ করা, এই পুরুত্ব অতিক্রম করলে THz সংকেত বিস্তার সম্পৃক্ত হয়ে যায় ३. PtBi সংকর সুবিধা: PtBi-ভিত্তিক নির্গমনকারী যদিও বিস্তার খাঁটি Pt এর চেয়ে ৫০% কম, তবে উচ্চতর কেন্দ্রীয় ফ্রিকোয়েন্সি (~০.३ THz ফ্রিকোয়েন্সি স্থানান্তর) এবং আরও প্রশস্ত ব্যান্ডউইথ (~०.३५ THz) প্রদর্শন করে ४. তাত্ত্বিক বিষয় ব্যাখ্যা: THz সময়-ডোমেইন বর্ণালী প্রযুক্তি ব্যবহার করে বিভিন্ন উপকরণের বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা এবং প্রতিবন্ধকতা বৈশিষ্ট্য বিশ্লেষণ করা, কর্মক্ষমতা পার্থক্যের ভৌত বিষয় প্রকাশ করা ५. প্রয়োগ নির্দেশনা: উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি প্রশস্তব্যান্ড THz নির্গমনকারীর উপকরণ ডিজাইনের জন্য পরীক্ষামূলক প্রমাণ এবং তাত্ত্বিক নির্দেশনা প্রদান করা

পদ্ধতি বিস্তারিত

কাজের সংজ্ঞা

ফেমটোসেকেন্ড লেজার উত্তেজনার অধীনে বিভিন্ন বিষমতাপূর্ণ কাঠামো SiO2_2/CoFeB/NM এর THz নির্গমন বৈশিষ্ট্য অধ্যয়ন করা, সংকেতের বিস্তার, ফ্রিকোয়েন্সি এবং ব্যান্ডউইথ অপ্টিমাইজ করা।

পরীক্ষামূলক স্থাপত্য

নমুনা প্রস্তুতি

१. ভিত্তি: গলিত সিলিকা (SiO2_2) ভিত্তি २. লৌহচুম্বকীয় স্তর: ওয়েজ-আকৃতির Co40_{40}Fe40_{40}B20_{20} স্তর, ०-५ nm পুরুত্ব, ম্যাগনেট্রন স্পাটারিং ব্যবহার করে প্রস্তুত ३. অ-চুম্বকীয় স্তর: খাঁটি ধাতু (Pt: २,३,४ nm; W: २ nm; Au: २ nm; Ru: ४ nm) এবং সংকর (Pt92_{92}Bi8_8: २ nm; Ag90_{90}Bi10_{10}: २ nm) অন্তর্ভুক্ত, ইলেকট্রন বিম বাষ্পীকরণ ব্যবহার করে প্রস্তুত

পরিমাপ ব্যবস্থা

१. উত্তেজনা উৎস: ফেমটোসেকেন্ড লেজার স্পন্দন (কেন্দ্রীয় তরঙ্গদৈর্ঘ্য ~८१० nm, স্পন্দন প্রস্থ ४० fs, পুনরাবৃত্তি ফ্রিকোয়েন্সি ८० MHz) २. সনাক্তকারী: বাণিজ্যিক কম-তাপমাত্রা বর্ধিত GaAs (LT-GaAs) Auston সুইচ, ব্যান্ডউইথ >४ THz ३. স্ক্যানিং প্রযুক্তি: দ্বি-মাত্রিক মোটর স্ক্যান টেবিল অবস্থান-সম্পর্কিত THz বর্ণালী পরিমাপ বাস্তবায়ন করা

ভৌত বিষয়

THz নির্গমন নীতি

বিপরীত স্পিন হল প্রভাব (ISHE) এর উপর ভিত্তি করে THz নির্গমন প্রক্রিয়া:

ETHz=A⋅FdNM+dFM⋅j0s⋅tFMNM⋅λNM⋅tanh⁡dNMλNM⋅θSH⋅eZ(ω)E_{THz} = \frac{A \cdot F}{d_{NM} + d_{FM}} \cdot j_0^s \cdot t_{FM}^{NM} \cdot \lambda_{NM} \cdot \tanh\frac{d_{NM}}{\lambda_{NM}} \cdot \theta_{SH} \cdot e^{Z(\omega)}

যেখানে প্রতিটি পদ যথাক্রমে প্রতিনিধিত্ব করে:

  • পাম্প স্পন্দন শোষণ
  • স্পিন প্রবাহ উৎপাদন
  • স্পিন-চার্জ প্রবাহ রূপান্তর
  • চার্জ প্রবাহ-বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র রূপান্তর

মূল পরামিতি

  • θSH\theta_{SH}: স্পিন হল কোণ
  • λNM\lambda_{NM}: অ-চুম্বকীয় স্তরে স্পিন প্রবাহ শিথিলকরণ দৈর্ঘ্য
  • Z(ω)=Z0n1+n2+Z0GZ(\omega) = \frac{Z_0}{n_1+n_2+Z_0G}: ফ্রিকোয়েন্সি-নির্ভর প্রতিবন্ধকতা

প্রযুক্তিগত উদ্ভাবন বিন্দু

१. ওয়েজ-আকৃতির কাঠামো ডিজাইন: ওয়েজ-আকৃতির CoFeB স্তরের মাধ্যমে পুরুত্ব ক্রমাগত পরিবর্তন অর্জন করা, একক নমুনায় পুরুত্ব প্রভাব পদ্ধতিগতভাবে অধ্যয়ন করা সম্ভব করে २. বহু-উপকরণ তুলনা: খাঁটি ধাতু এবং সংকর উপকরণ একযোগে অধ্যয়ন করা, সংকরকরণ THz কর্মক্ষমতার উপর প্রভাব প্রকাশ করা ३. THz সময়-ডোমেইন বর্ণালী বিশ্লেষণ: Tinkham সূত্র ব্যবহার করে উপকরণের ফ্রিকোয়েন্সি-নির্ভর বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা এবং প্রতিবন্ধকতা বৈশিষ্ট্য পরিমাণগতভাবে বিশ্লেষণ করা

পরীক্ষামূলক সেটআপ

নমুনা পরামিতি

  • CoFeB ওয়েজ-আকৃতির স্তর: ०-५ nm পুরুত্ব গ্রেডিয়েন্ট
  • অ-চুম্বকীয় স্তর পুরুত্ব: Pt(२,३,४ nm), W(२ nm), Au(२ nm), Ru(४ nm), PtBi(२ nm), AgBi(२ nm)
  • ভিত্তি: ५०० μm পুরুত্ব গলিত সিলিকা

পরিমাপ শর্তাবলী

  • পাম্প শক্তি ঘনত্ব: ०.८±०.२ mJ/cm²
  • প্রয়োগকৃত চৌম্বক ক্ষেত্র: १० mT
  • সনাক্তকরণ ব্যান্ডউইথ: >४ THz

বৈশিষ্ট্য প্রযুক্তি

१. চৌম্বক-অপটিক্যাল Kerr প্রভাব: CoFeB স্তর পুরুত্ব বিতরণ নির্ধারণ করা २. THz সময়-ডোমেইন বর্ণালী: উপকরণ বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা এবং প্রতিবন্ধকতা পরিমাপ করা ३. দ্বি-মাত্রিক স্ক্যানিং: অবস্থান-সময় সম্পর্কিত THz সংকেত অর্জন করা

পরীক্ষামূলক ফলাফল

প্রধান ফলাফল

পুরুত্ব নির্ভরশীলতা

  • সমালোচনামূলক পুরুত্ব: CoFeB স্তর २ nm পুরুত্বে THz সংকেত বিস্তার সর্বোচ্চ মূল্যে পৌঁছায়
  • সম্পৃক্ততা আচরণ: २ nm অতিক্রম করার পরে সংকেত বিস্তার সম্পৃক্ত হয়ে যায়, যা কাঠামোগত ত্রুটি, ইলেকট্রন বিচ্ছুরণ এবং প্রতিরোধ বৃদ্ধির কারণে

উপকরণ কর্মক্ষমতা তুলনা

NM স্তর উপকরণবিস্তার aVsকেন্দ্রীয় ফ্রিকোয়েন্সি THzব্যান্ডউইথ বৈশিষ্ট্য
Pt(२ nm)४६.३५०.७५ভিত্তি
Pt(३ nm)३६.०२०.७३সংকীর্ণ
Pt(४ nm)३०.८३०.७१সংকীর্ণ
PtBi(२ nm)२२.९०१.०४সর্বাধিক প্রশস্ত (~०.३५ THz)
W(२ nm)-१३.२७०.८४মধ্যম

মূল আবিষ্কার

१. বিস্তার কর্মক্ষমতা: Pt(२ nm) নির্গমনকারী সর্বোচ্চ THz বিস্তার প্রদান করে २. ফ্রিকোয়েন্সি সুবিধা: PtBi নির্গমনকারী কেন্দ্রীয় ফ্রিকোয়েন্সি Pt এর চেয়ে ०.३ THz বেশি ३. ব্যান্ডউইথ সুবিধা: PtBi নির্গমনকারী সর্বাধিক প্রশস্ত THz ব্যান্ডউইথ প্রদান করে

বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা বিশ্লেষণ

Pt পুরুত্ব প্রভাব

Drude মডেল ফিটিং এর মাধ্যমে আবিষ্কৃত:

  • প্লাজমা ফ্রিকোয়েন্সি: পুরুত্ব বৃদ্ধির সাথে বৃদ্ধি পায় (ωp,Pt(२)=०.१९×१०१६\omega_{p,Pt(२)} = ०.१९ \times १०^{१६} Hz → ωp,Pt(४)=०.३६×१०१६\omega_{p,Pt(४)} = ०.३६ \times १०^{१६} Hz)
  • বিচ্ছুরণ সময়: পুরুত্ব বৃদ্ধির সাথে হ্রাস পায় (τPt(२)=५२\tau_{Pt(२)} = ५२ fs → τPt(४)=२३\tau_{Pt(४)} = २३ fs)
  • প্রতিবন্ধকতা সম্পর্ক: ∣ZPt(२)∣>∣ZPt(३)∣>∣ZPt(४)∣|Z_{Pt(२)}| > |Z_{Pt(३)}| > |Z_{Pt(४)}|

PtBi অস্বাভাবিক আচরণ

PtBi সংকর অনন্য বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা বৈশিষ্ট্য প্রদর্শন করে:

  • বাস্তব অংশ বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা Pt(२ nm) এর সমতুল্য
  • কল্পিত অংশ বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা নেতিবাচক মূল্য (Im[σPtBi]=−aω\text{Im}[\sigma_{PtBi}] = -a\omega), সহজ Drude মডেল দ্বারা ব্যাখ্যা করা যায় না
  • স্পিন-চার্জ রূপান্তর দক্ষতা খাঁটি Pt এর দ্বিগুণ

সম্পর্কিত কাজ

স্পিনট্রনিক্স THz নির্গমন

१. মৌলিক তত্ত্ব: স্পিন হল প্রভাব এবং বিপরীত স্পিন হল প্রভাবের উপর ভিত্তি করে THz নির্গমন প্রক্রিয়া २. উপকরণ গবেষণা: ভারী ধাতু/লৌহচুম্বকীয় ধাতু বিষমতাপূর্ণ কাঠামোর স্পিনট্রনিক্স বৈশিষ্ট্য ३. যন্ত্র অপ্টিমাইজেশন: উপকরণ নির্বাচন এবং কাঠামো ডিজাইনের মাধ্যমে THz নির্গমন কর্মক্ষমতা অপ্টিমাইজ করা

এই গবেষণার অবদান

বিদ্যমান গবেষণার তুলনায়, এই গবেষণা প্রথমবারের মতো একাধিক সংকর উপকরণের THz নির্গমনে কর্মক্ষমতা পদ্ধতিগতভাবে তুলনা করে, বিশেষত উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি প্রশস্তব্যান্ড প্রয়োগে PtBi সংকরের সুবিধা আবিষ্কার করে।

উপসংহার এবং আলোচনা

প্রধান উপসংহার

१. সর্বোত্তম পুরুত্ব: CoFeB স্তর २ nm পুরুত্ব THz নির্গমনের সর্বোত্তম কনফিগারেশন २. উপকরণ নির্বাচন: খাঁটি Pt সর্বোচ্চ বিস্তার প্রদান করে, PtBi সংকর সর্বোত্তম ফ্রিকোয়েন্সি এবং ব্যান্ডউইথ কর্মক্ষমতা প্রদান করে ३. কর্মক্ষমতা ভারসাম্য: বিস্তার এবং ব্যান্ডউইথের মধ্যে ভারসাম্য সম্পর্ক বিদ্যমান, প্রয়োগ চাহিদা অনুযায়ী উপকরণ নির্বাচন প্রয়োজন

সীমাবদ্ধতা

१. বিষয় বোঝা: PtBi সংকরের অস্বাভাবিক বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা আচরণ আরও গভীর তাত্ত্বিক গবেষণার প্রয়োজন २. উপাদান অপ্টিমাইজেশন: Pt1−x_{1-x}Bix_x বিভিন্ন উপাদান অনুপাতের প্রভাব পদ্ধতিগতভাবে অধ্যয়ন করা হয়নি ३. তাপমাত্রা প্রভাব: উপকরণ কর্মক্ষমতায় তাপমাত্রার প্রভাব বিবেচনা করা হয়নি

ভবিষ্যত দিকনির্দেশনা

१. উপাদান সমন্বয়: Pt1−x_{1-x}Bix_x সংকর বিভিন্ন উপাদানের THz নির্গমন বৈশিষ্ট্য পদ্ধতিগতভাবে অধ্যয়ন করা २. তাত্ত্বিক মডেলিং: PtBi সংকরের অস্বাভাবিক আচরণ ব্যাখ্যা করার জন্য আরও সম্পূর্ণ তাত্ত্বিক মডেল বিকাশ করা ३. যন্ত্র একীকরণ: অপ্টিমাইজড উপকরণ সমন্বয় বাস্তব THz যন্ত্রে প্রয়োগ করা

গভীর মূল্যায়ন

সুবিধা

१. শক্তিশালী পদ্ধতিগততা: একাধিক উপকরণের THz নির্গমন কর্মক্ষমতার ব্যাপক তুলনা २. কঠোর পরীক্ষা-নিরীক্ষা: ওয়েজ-আকৃতির কাঠামো ডিজাইন এবং উচ্চ নির্ভুলতা পরিমাপ প্রযুক্তি ব্যবহার করা ३. স্পষ্ট বিষয়: তাত্ত্বিক মডেল এবং পরীক্ষামূলক ডেটা সমন্বয় করে ভৌত বিষয় ব্যাখ্যা করা ४. প্রয়োগ-ভিত্তিক: বাস্তব যন্ত্র ডিজাইনের জন্য মূল্যবান নির্দেশনা প্রদান করা

অপূর্ণতা

१. তাত্ত্বিক সীমাবদ্ধতা: PtBi সংকরের অস্বাভাবিক আচরণের তাত্ত্বিক ব্যাখ্যা যথেষ্ট গভীর নয় २. পরামিতি স্থান: সংকর উপাদান অনুপাত কর্মক্ষমতায় প্রভাবের সম্পূর্ণ অন্বেষণ করা হয়নি ३. পরিবেশগত কারণ: তাপমাত্রা, আর্দ্রতা ইত্যাদি পরিবেশগত কারণের প্রভাব গবেষণা অনুপস্থিত

প্রভাব

१. একাডেমিক মূল্য: স্পিনট্রনিক্স THz নির্গমনকারীর উপকরণ ডিজাইনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ সংদর্ভ প্রদান করা २. ব্যবহারিক মূল্য: আবিষ্কৃত PtBi সংকর সুবিধা প্রশস্তব্যান্ড THz প্রয়োগের জন্য গুরুত্বপূর্ণ অর্থ রাখে ३. পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা: পরীক্ষামূলক পদ্ধতি বিস্তারিত, ফলাফল ভাল পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা রয়েছে

প্রযোজ্য পরিস্থিতি

१. উচ্চ-বিভেদনশীল প্রতিবিম্ব: PtBi নির্গমনকারীর প্রশস্তব্যান্ড বৈশিষ্ট্য উচ্চ-বিভেদনশীল THz প্রতিবিম্বের জন্য উপযুক্ত २. প্রশস্তব্যান্ড বর্ণালী: প্রশস্ত ফ্রিকোয়েন্সি কভারেজ প্রয়োজনীয় THz বর্ণালী প্রয়োগের জন্য উপযুক্ত ३. যোগাযোগ ব্যবস্থা: উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি বৈশিষ্ট্য THz যোগাযোগে সম্ভাব্য সুবিধা প্রদান করে ४. চিকিৎসা নির্ণয়: প্রশস্তব্যান্ড উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি বৈশিষ্ট্য জৈব-চিকিৎসা THz প্রয়োগে সহায়ক

সংদর্ভ

এই গবেষণাপত্র স্পিনট্রনিক্স, THz পদার্থবিজ্ঞান এবং উপকরণ বিজ্ঞান ক্ষেত্রের গুরুত্বপূর্ণ সাহিত্য উদ্ধৃত করে, যার মধ্যে রয়েছে হল প্রভাবের ঐতিহাসিক আবিষ্কার, স্পিন হল প্রভাবের তাত্ত্বিক পূর্বাভাস এবং পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ, এবং THz প্রযুক্তির প্রয়োগ গবেষণা সহ ২৯টি সম্পর্কিত গবেষণাপত্র, যা গবেষণার জন্য দৃঢ় তাত্ত্বিক ভিত্তি প্রদান করে।