তাপীয় সুইচ হল এমন ডিভাইস যা বৈদ্যুতিকভাবে তাপ প্রবাহ নিয়ন্ত্রণ করতে পারে এবং তাপ ব্যবস্থাপনা ক্ষেত্রে গুরুত্বপূর্ণ প্রয়োগ সম্ভাবনা রয়েছে। এই গবেষণায় পৃথিবীতে প্রচুর পরিমাণে পাওয়া যায় এমন সেরিয়াম অক্সাইড (CeO₂) পাতলা ফিল্ম সক্রিয় স্তর হিসাবে ব্যবহার করে কঠিন-অবস্থা ইলেকট্রোকেমিক্যাল তাপীয় সুইচ তৈরি করা হয়েছে। ইলেকট্রোকেমিক্যাল হ্রাস/অক্সিডেশন প্রক্রিয়ার মাধ্যমে, তাপ পরিবাহিতা κ কে ২.২ W/mK (বন্ধ অবস্থা) এবং ১২.৫ W/mK (খোলা অবস্থা) এর মধ্যে পুনরাবৃত্তিমূলকভাবে পরিবর্তন করা হয়েছে, খোলা/বন্ধ অনুপাত ৫.৮ এ পৌঁছেছে এবং তাপ পরিবাহিতা পরিবর্তনের পরিসীমা ১০.৩ W/mK, যা বিদ্যমান অক্সাইড-ভিত্তিক তাপীয় সুইচের কর্মক্ষমতার চেয়ে উল্লেখযোগ্যভাবে ভাল। ডিভাইসটি ১০০ চক্রের পরেও স্থিতিশীল কর্মক্ষমতা বজায় রাখে এবং তাপীয় প্রদর্শক এবং তাপ ব্যবস্থাপনা সরঞ্জামের জন্য নতুন প্রযুক্তিগত পথ প্রদান করে।
১. বর্জ্য তাপ ব্যবহারের চ্যালেঞ্জ: বিশ্বব্যাপী তিন-চতুর্থাংশ প্রাথমিক শক্তি বর্জ্য তাপ হিসাবে হারিয়ে যায়, বিশেষত ১০০-৩০০°C মধ্য-নিম্ন তাপমাত্রার বর্জ্য তাপ পুনরায় ব্যবহার করা সবচেয়ে কঠিন २. তাপ ব্যবস্থাপনা চাহিদা: তাপীয় ডায়োড এবং তাপীয় সুইচের মতো তাপ ব্যবস্থাপনা প্রযুক্তি ব্যাপক মনোযোগ আকর্ষণ করেছে এবং তাপ প্রবাহের নির্ভুল নিয়ন্ত্রণ সক্ষম করতে পারে ३. বিদ্যমান প্রযুক্তির সীমাবদ্ধতা:
१. প্রথমবারের মতো CeO₂ কে তাপীয় সুইচ সক্রিয় উপকরণ হিসাবে ব্যবহার করা: CeO₂ এর উচ্চ তাপ পরিবাহিতা (~१४ W/mK) এবং পুনরাবৃত্তিমূলক অক্সিডেশন-হ্রাস বৈশিষ্ট্য ব্যবহার করা २. উৎকৃষ্ট সুইচিং কর্মক্ষমতা অর্জন করা: খোলা/বন্ধ অনুপাত ৫.८, তাপ পরিবাহিতা পরিবর্তনের পরিসীমা १०.३ W/mK, অক্সাইড-ভিত্তিক তাপীয় সুইচে উল্লেখযোগ্য কর্মক্ষমতা ३. উৎকৃষ্ট চক্রীয় স্থিতিশীলতা: १०० চক্রের পরে কর্মক্ষমতা স্থিতিশীল থাকে ४. পৃথিবীতে প্রচুর পরিমাণে পাওয়া যায় এমন উপকরণ ব্যবহার করা: CeO₂ ব্যাপকভাবে পলিশিং পাউডার, অনুঘটক এবং সানস্ক্রিন হিসাবে ব্যবহৃত হয়, টেকসই উন্নয়নের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ ५. গভীর প্রক্রিয়া গবেষণা: XRD, TEM, EELS ইত্যাদি চিহ্নিতকরণ পদ্ধতির মাধ্যমে তাপ পরিবাহিতা নিয়ন্ত্রণের মাইক্রোস্কোপিক প্রক্রিয়া প্রকাশ করা
१. পাতলা ফিল্ম বৃদ্ধি: ८००°C এবং ३×१०⁻३ Pa অক্সিজেন পরিবেশে পালস লেজার ডিপোজিশন (PLD) পদ্ধতি দ্বারা CeO₂ এপিট্যাক্সিয়াল পাতলা ফিল্ম প্রস্তুত করা २. ইলেকট্রোড প্রস্তুতি: ম্যাগনেট্রন স্পাটারিং পদ্ধতি দ্বারা Pt ইলেকট্রোড প্রস্তুত করা ३. ডিভাইস প্রক্রিয়াকরণ: ५ mm×५ mm ডিভাইস ইউনিটে কাটা
१. কাঠামো চিহ্নিতকরণ: XRD, TEM/STEM, EELS স্ফটিক কাঠামো এবং রাসায়নিক যোজনীয়তা পরিবর্তন বিশ্লেষণ २. তাপ পরিবাহিতা পরিমাপ: সময়-ডোমেইন তাপীয় প্রতিফলন (TDTR) পদ্ধতি দ্বারা উল্লম্ব দিকে তাপ পরিবাহিতা পরিমাপ ३. চক্রীয় কর্মক্ষমতা: १०० বার হ্রাস/অক্সিডেশন চক্র পরীক্ষা
রিপোর্ট করা অক্সাইড-ভিত্তিক তাপীয় সুইচের সাথে তুলনা: LiCoO₂, SrCoO₃, LaNiO₃ ইত্যাদি ব্যবস্থা
XRD বিশ্লেষণের মাধ্যমে হ্রাস প্রক্রিয়ায় পর্যায় বিবর্তন নির্ধারণ করা হয়েছে:
তাপ পরিবাহিতা প্রধানত CeO₂ পর্যায় (a পর্যায়) এর আয়তন ভগ্নাংশের সাথে সম্পর্কিত।
গবেষণা দেখায় যে পুরু পাতলা ফিল্মগুলি উচ্চতর তাপ পরিবাহিতা এবং বৃহত্তর পরিবর্তনের পরিসীমা রয়েছে, যা অক্সিজেন ঘাটতি ঘনত্বের সাথে সম্পর্কিত।
१. তাত্ত্বিক প্রস্তাব: २००६ সালে Li ইত্যাদি তাপীয় ট্রানজিস্টর ধারণা প্রস্তাব করেছিলেন २. VO₂ ব্যবস্থা: २०१४ সালে Ben-Abdallah ইত্যাদি VO₂-ভিত্তিক তাপীয় সুইচ প্রস্তাব করেছিলেন, কিন্তু প্রকৃত κ তাপমাত্রার সাথে পরিবর্তিত হয় না ३. ইলেকট্রোকেমিক্যাল ব্যবস্থা: २०१४ সালে Cho ইত্যাদি প্রথম LiCoO₂ ইলেকট্রোকেমিক্যাল তাপীয় সুইচ রিপোর্ট করেছিলেন ४. অক্সাইড ব্যবস্থা: SrCoO₃, LaNiO₃, La०.५Sr०.५CoO३ ইত্যাদি ব্যবস্থা ক্রমান্বয়ে রিপোর্ট করা হয়েছে
१. CeO₂-ভিত্তিক উচ্চ-কর্মক্ষমতা সম্পন্ন কঠিন-অবস্থা ইলেকট্রোকেমিক্যাল তাপীয় সুইচ সফলভাবে বিকশিত করা হয়েছে २. উৎকৃষ্ট সুইচিং কর্মক্ষমতা অর্জন করা হয়েছে: খোলা/বন্ধ অনুপাত ५.८, পরিবর্তনের পরিসীমা १०.३ W/mK ३. তাপ পরিবাহিতা নিয়ন্ত্রণ প্রক্রিয়া CeO₂ পর্যায়ের আয়তন ভগ্নাংশের সাথে ঘনিষ্ঠভাবে সম্পর্কিত ४. ডিভাইসটি ভাল চক্রীয় স্থিতিশীলতা এবং বাস্তবায়নের সম্ভাবনা রয়েছে
१. উচ্চ কর্মক্ষমতা তাপমাত্রা: २८०°C কর্মক্ষমতা তাপমাত্রার প্রয়োজন २. প্রতিক্রিয়া গতি: ইলেকট্রোকেমিক্যাল নিয়ন্ত্রণ গতি তুলনামূলকভাবে ধীর ३. স্বতঃস্ফূর্ত অক্সিডেশন: উচ্চ তাপমাত্রায় স্বতঃস্ফূর্ত অক্সিডেশন ঘটনা বিদ্যমান ४. সম্পূর্ণ পরিবর্তন নয়: হ্রাস অবস্থা এখনও আংশিক CeO₂ পর্যায় ধারণ করে
१. কর্মক্ষমতা তাপমাত্রা হ্রাসের কৌশল গবেষণা २. প্রতিক্রিয়া গতি বৃদ্ধির পদ্ধতি অন্বেষণ ३. তাপীয় প্রদর্শক ইত্যাদি বাস্তব প্রয়োগের সিস্টেম একীকরণ ४. অন্যান্য বিরল পৃথিবী অক্সাইড ব্যবস্থার গবেষণা
१. উপকরণ উদ্ভাবনী: প্রথমবারের মতো CeO₂ কে তাপীয় সুইচে ব্যবহার করা, মূল সৃজনশীলতা রয়েছে २. কর্মক্ষমতা অগ্রগতি: অক্সাইড-ভিত্তিক তাপীয় সুইচে সর্বাধিক পরিবর্তনের পরিসীমা অর্জন করা ३. গভীর প্রক্রিয়া: একাধিক উন্নত চিহ্নিতকরণ প্রযুক্তির মাধ্যমে মাইক্রোস্কোপিক প্রক্রিয়া প্রকাশ করা ४. ব্যবহারিক মূল্য: সংরক্ষণ-সমৃদ্ধ উপকরণ ব্যবহার করা, টেকসই উন্নয়নের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ ५. পর্যাপ্ত পরীক্ষা: চক্রীয় স্থিতিশীলতা, পুরুত্ব নির্ভরতা ইত্যাদি সিস্টেমেটিক গবেষণা অন্তর্ভুক্ত
१. কঠোর কর্মক্ষমতা শর্ত: २८०°C কর্মক্ষমতা তাপমাত্রা নির্দিষ্ট প্রয়োগ সীমিত করে २. তাত্ত্বিক বিশ্লেষণ অপর্যাপ্ত: তাপ পরিবাহিতা পরিবর্তনের তাত্ত্বিক মডেল অনুপস্থিত ३. প্রয়োগ প্রদর্শন অনুপস্থিত: বাস্তব ডিভাইস প্রয়োগ প্রদর্শন করা হয়নি ४. খরচ বিশ্লেষণ অনুপস্থিত: প্রস্তুতি খরচ এবং অর্থনৈতিকতা বিশ্লেষণ করা হয়নি
१. একাডেমিক অবদান: তাপীয় সুইচ ক্ষেত্রে নতুন উপকরণ ব্যবস্থা এবং কর্মক্ষমতা মানদণ্ড প্রদান করা २. প্রযুক্তিগত মূল্য: তাপ ব্যবস্থাপনা এবং তাপীয় প্রদর্শন প্রযুক্তির জন্য নতুন সমাধান প্রদান করা ३. শিল্প সম্ভাবনা: বর্জ্য তাপ ব্যবহার এবং তাপ ব্যবস্থাপনা ক্ষেত্রে প্রয়োগ সম্ভাবনা রয়েছে
१. তাপীয় প্রদর্শক: অবলোহিত তাপ উৎস ব্যবহার করে প্রদর্শন প্রযুক্তি २. তাপ ব্যবস্থাপনা ব্যবস্থা: ইলেকট্রনিক ডিভাইসের বুদ্ধিমান তাপ ব্যবস্থাপনা ३. বর্জ্য তাপ ব্যবহার: মধ্য-নিম্ন তাপমাত্রার বর্জ্য তাপের কার্যকর ব্যবহার ४. তাপ নিয়ন্ত্রণ ডিভাইস: নির্ভুল তাপ প্রবাহ নিয়ন্ত্রণ প্রয়োগ
পত্রিকাটি ३८টি সম্পর্কিত তথ্যসূত্র উদ্ধৃত করেছে, যা তাপীয় বৈদ্যুতিক উপকরণ, তাপীয় সুইচ, সেরিয়াম অক্সাইড রসায়ন ইত্যাদি একাধিক ক্ষেত্রের গুরুত্বপূর্ণ কাজ অন্তর্ভুক্ত করে এবং গবেষণার জন্য দৃঢ় তাত্ত্বিক ভিত্তি প্রদান করে।
সামগ্রিক মূল্যায়ন: এটি উপকরণ বিজ্ঞানের একটি উচ্চ-মানের গবেষণা পত্রিকা যা তাপীয় সুইচ ক্ষেত্রে গুরুত্বপূর্ণ অগ্রগতি অর্জন করেছে। নতুন উপকরণ ব্যবস্থা প্রবর্তনের মাধ্যমে, এটি কর্মক্ষমতা অগ্রগতি অর্জন করেছে এবং গভীর প্রক্রিয়া গবেষণার মাধ্যমে পরবর্তী কাজের জন্য নির্দেশনা প্রদান করেছে। যদিও কিছু প্রযুক্তিগত চ্যালেঞ্জ রয়েছে, তবে এটি তাপ ব্যবস্থাপনা প্রযুক্তির উন্নয়নে মূল্যবান অবদান প্রদান করেছে।