110 এবং 100 সিলিকন ন্যানোওয়্যারে নিম্ন-তাপমাত্রা ইলেকট্রন পরিবহন: একটি DFT - মন্টে কার্লো অধ্যয়ন

মৌলিক তথ্য

• পেপার আইডি: 2409.07282
• শিরোনাম: Low-Temperature Electron Transport in 110 and 100 Silicon Nanowires: A DFT - Monte Carlo study
• লেখক: Daryoush Shiri (চ্যালমার্স বিশ্ববিদ্যালয়), Reza Nekovei (টেক্সাস A&M বিশ্ববিদ্যালয়-কিংসভিল), Amit Verma (টেক্সাস A&M বিশ্ববিদ্যালয়-কিংসভিল)
• শ্রেণীবিভাগ: cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph quant-ph
• প্রকাশনার সময়: ২০২৪ সালের ১১ সেপ্টেম্বর (arXiv প্রাক-প্রিন্ট)
• পেপার লিঙ্ক: https://arxiv.org/abs/2409.07282

সারসংক্ষেপ

এই গবেষণা অত্যন্ত নিম্ন তাপমাত্রায় 110 এবং 100 অক্ষীয় সারিবদ্ধ চাপমুক্ত সিলিকন ন্যানোওয়্যার (SiNWs) এ ইলেকট্রন পরিবহনের প্রভাব তদন্ত করে। অর্ধ-অভিজ্ঞতামূলক ১০-কক্ষপথ টাইট-বাইন্ডিং পদ্ধতি, ঘনত্ব কার্যকরী তত্ত্ব (DFT) এবং সমষ্টি মন্টে কার্লো (EMC) পদ্ধতির সমন্বয় ব্যবহার করা হয়েছে। ইলেকট্রন-ফোনন বিক্ষিপ্তকরণ হার গণনায় শাব্দিক এবং অপ্টিক্যাল ফোনন অন্তর্ভুক্ত করা হয়েছে, যা সাব-ব্যান্ড অভ্যন্তরীণ এবং সাব-ব্যান্ড মধ্যবর্তী ঘটনা কভার করে। কক্ষ তাপমাত্রা (300K) বৈশিষ্ট্যের সাথে তুলনা দেখায় যে উভয় ন্যানোওয়্যারের জন্য, তুলনামূলকভাবে মধ্যম বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র এবং নিম্ন তাপমাত্রায়, গড় ইলেকট্রন স্থির-অবস্থা ড্রিফট বেগ কমপক্ষে ২ গুণ বৃদ্ধি পায়। অতিরিক্তভাবে, 110 ন্যানোওয়্যারের গড় ড্রিফট বেগ 100 ন্যানোওয়্যারের চেয়ে ৫০% বেশি, যা তাদের পরিবাহী ব্যান্ড সাব-ব্যান্ডের কার্যকর ভরের পার্থক্য দ্বারা ব্যাখ্যা করা হয়। ক্ষণস্থায়ী গড় ইলেকট্রন বেগ নিম্ন তাপমাত্রায় স্পষ্ট প্রবাহিত ইলেকট্রন গতি নির্দেশ করে, যা ইলেকট্রন-ফোনন বিক্ষিপ্তকরণ হারের হ্রাসের জন্য দায়ী।

গবেষণা পটভূমি এবং প্রেরণা

১. গবেষণা সমস্যা

এই গবেষণা যে মূল সমস্যা সমাধান করতে চায় তা হল অত্যন্ত নিম্ন তাপমাত্রার অবস্থায় সিলিকন ন্যানোওয়্যারে ইলেকট্রন পরিবহন বৈশিষ্ট্যের পরিবর্তনের নিয়ম বোঝা, বিশেষ করে বিভিন্ন স্ফটিক দিকনির্দেশনা (110 এবং 100) সিলিকন ন্যানোওয়্যারে নিম্ন তাপমাত্রা পরিবেশে ইলেকট্রন সংক্রমণ আচরণের পার্থক্য।

২. সমস্যার গুরুত্ব

• কোয়ান্টাম কম্পিউটিং প্রয়োগ: সিলিকন ন্যানোওয়্যার স্পিন-ভিত্তিক কোয়ান্টাম বিট (qubits) এ বর্ধিত সুসংগততা প্রদর্শন করে, III-V পরিবার ন্যানোওয়্যারের তুলনায়, পারমাণবিক হাইপারফাইন চৌম্বক মিথস্ক্রিয়া সীমাবদ্ধতা এড়ায়
• নিম্ন-তাপমাত্রা ইলেকট্রনিক্স: CMOS সামঞ্জস্যপূর্ণ নিম্ন-তাপমাত্রা সেন্সর, সুইচ এবং গভীর মহাকাশ ইলেকট্রনিক ডিভাইসের জন্য কম খরচের বিকল্প প্রদান করে
• প্রযুক্তিগত সামঞ্জস্য: সিলিকন ন্যানোওয়্যার উৎপাদন মূলধারার সিলিকন প্রযুক্তির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, আকার হ্রাসের কারণে বর্ধিত কোয়ান্টাম মেকানিক্যাল প্রভাব রয়েছে

৩. বিদ্যমান গবেষণার সীমাবদ্ধতা

• সিলিকন ন্যানোওয়্যারে অত্যন্ত নিম্ন তাপমাত্রায় ইলেকট্রন পরিবহন প্রক্রিয়া সম্পর্কে পর্যাপ্ত গভীর বোঝাপড়া নেই
• বিভিন্ন স্ফটিক দিকনির্দেশনা ন্যানোওয়্যারে নিম্ন তাপমাত্রায় পরিবহন বৈশিষ্ট্যের পদ্ধতিগত তুলনার অভাব
• নিম্ন তাপমাত্রায় ইলেকট্রন-ফোনন বিক্ষিপ্তকরণের বিস্তারিত প্রভাব প্রক্রিয়া গবেষণার অপ্রতুলতা

৪. গবেষণা প্রেরণা

কোয়ান্টাম কম্পিউটিং এবং নিম্ন-তাপমাত্রা ইলেকট্রনিক্সের উন্নয়নের সাথে সাথে, সিলিকন ন্যানোওয়্যারে অত্যন্ত নিম্ন তাপমাত্রায় ইলেকট্রন পরিবহন বৈশিষ্ট্য গভীরভাবে বোঝার প্রয়োজন, যা সংশ্লিষ্ট ডিভাইস ডিজাইনের জন্য তাত্ত্বিক ভিত্তি প্রদান করে।

মূল অবদান

১. বহু-পদার্থবিজ্ঞান ক্ষেত্র সংযুক্ত গণনা পদ্ধতি: প্রথমবারের মতো DFT, টাইট-বাইন্ডিং পদ্ধতি এবং সমষ্টি মন্টে কার্লো পদ্ধতি একত্রিত করে সিলিকন ন্যানোওয়্যারে নিম্ন তাপমাত্রা ইলেকট্রন পরিবহন পদ্ধতিগতভাবে অধ্যয়ন করা হয়েছে

२. স্ফটিক দিকনির্দেশনা নির্ভরতা প্রকাশ: 110 এবং 100 স্ফটিক দিকনির্দেশনা সিলিকন ন্যানোওয়্যারে নিম্ন তাপমাত্রায় পরিবহন পার্থক্যের পরিমাণগত বিশ্লেষণ, 110 ন্যানোওয়্যার ৫০% উচ্চতর ড্রিফট বেগ প্রদর্শন করে

३. বিক্ষিপ্তকরণ প্রক্রিয়া স্পষ্টকরণ: শাব্দিক এবং অপ্টিক্যাল ফোনন বিক্ষিপ্তকরণ নিম্ন তাপমাত্রা ইলেকট্রন পরিবহনে প্রভাব বিস্তারিত বিশ্লেষণ, সাব-ব্যান্ড অভ্যন্তরীণ এবং সাব-ব্যান্ড মধ্যবর্তী বিক্ষিপ্তকরণ প্রক্রিয়া অন্তর্ভুক্ত

४. প্রবাহিত ইলেকট্রন গতি আবিষ্কার: প্রথমবারের মতো সিলিকন ন্যানোওয়্যারে নিম্ন তাপমাত্রায় প্রবাহিত ইলেকট্রন গতি ঘটনা পর্যবেক্ষণ করা হয়েছে এবং পদার্থবিজ্ঞান প্রক্রিয়া ব্যাখ্যা প্রদান করা হয়েছে

५. নিম্ন-তাপমাত্রা পরিবহন বৃদ্ধি পরিমাণকরণ: নিম্ন তাপমাত্রায় ইলেকট্রন ড্রিফট বেগ কমপক্ষে ২ গুণ বৃদ্ধি প্রমাণ করা হয়েছে, নিম্ন-তাপমাত্রা ডিভাইস ডিজাইনের জন্য পরিমাণগত নির্দেশনা প্রদান করে

পদ্ধতি বিস্তারিত

কাজের সংজ্ঞা

৪K এবং ৩০০K তাপমাত্রায়, 110 এবং 100 স্ফটিক দিকনির্দেশনা সিলিকন ন্যানোওয়্যারে বিভিন্ন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের অধীনে ইলেকট্রন পরিবহন বৈশিষ্ট্য গবেষণা করা, স্থির-অবস্থা এবং ক্ষণস্থায়ী ড্রিফট বেগ অন্তর্ভুক্ত করে।

মডেল স্থাপত্য

১. কাঠামো অপ্টিমাইজেশন এবং শক্তি ব্যান্ড গণনা

• DFT গণনা: SIESTA কোড ব্যবহার করে কাঠামো শক্তি ন্যূনতমকরণ
  • বিনিময় সম্পর্কিত কার্যকারিতা: সাধারণীকৃত গ্রেডিয়েন্ট অনুমান (GGA) PBE সিউডোপটেনশিয়াল সহ
  • k-বিন্দু নমুনা: ১×१×४० (Monkhorst-Pack অ্যালগরিদম)
  • শক্তি কাটঅফ: ৬৮০ eV
  • বল সহনশীলতা: ০.०१ eV/Å
• টাইট-বাইন্ডিং পদ্ধতি: অর্ধ-অভিজ্ঞতামূলক sp³d⁵s* টাইট-বাইন্ডিং স্কিম ব্যবহার করা হয়েছে
  • ১০-কক্ষপথ মডেল
  • প্যারামিটার Jancu এবং অন্যান্যদের (১৯९८) থেকে
  • ব্রিলুইন অঞ্চল ৮০০০ গ্রিড পয়েন্টে বিভক্ত

२. ইলেকট্রন-ফোনন বিক্ষিপ্তকরণ হার গণনা

বিক্ষিপ্তকরণ হার প্রথম-ক্রম বিঘ্নকারী তত্ত্ব এবং বিকৃতি সম্ভাব্য অনুমানের উপর ভিত্তি করে গণনা করা হয়:

শাব্দিক ফোনন: ডেবাই অনুমান ব্যবহার করা হয়েছে

• রৈখিক বিচ্ছুরণ সম্পর্ক: $E_P = \hbar\omega = c|k|$
• যেখানে c সিলিকনে শাব্দিক গতি

অপ্টিক্যাল ফোনন: সমতল বিচ্ছুরণ

• শক্তি স্থির: $E_{LO} = 54$ meV

বিক্ষিপ্তকরণ হার তাপমাত্রা নির্ভরতা:

• ফোনন নির্গমন: $n(E_P) + 1$ এর সমানুপাতিক
• ফোনন শোষণ: $n(E_P)$ এর সমানুপাতিক
• ফোনন দখল সংখ্যা: $n(E_P) = \frac{1}{e^{E_P/k_BT} - 1}$

३. সমষ্টি মন্টে কার্লো সিমুলেশন

• চারটি সর্বনিম্ন পরিবাহী ব্যান্ড সাব-ব্যান্ড অন্তর্ভুক্ত করে
• সাব-ব্যান্ড অভ্যন্তরীণ এবং সাব-ব্যান্ড মধ্যবর্তী বিক্ষিপ্তকরণ বিবেচনা করে
• স্থির-অবস্থা বিশ্লেষণ: t=0 সময়ে সর্বনিম্ন পরিবাহী ব্যান্ড নীচে ইলেকট্রন ইনজেকশন
• ক্ষণস্থায়ী বিশ্লেষণ: প্রথমে শূন্য বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রে ৫०,००० পুনরাবৃত্তি চালিয়ে ভারসাম্যে পৌঁছানো

প্রযুক্তিগত উদ্ভাবন পয়েন্ট

१. বহু-স্কেল মডেলিং: পারমাণবিক স্কেল DFT গণনা মধ্য-স্কেল পরিবহন সিমুলেশনের সাথে একত্রিত করা হয়েছে

२. ব্যাপক বিক্ষিপ্তকরণ বিবেচনা: শাব্দিক এবং অপ্টিক্যাল ফোননের সাব-ব্যান্ড অভ্যন্তরীণ এবং বাহ্যিক বিক্ষিপ্তকরণ একযোগে অন্তর্ভুক্ত করা হয়েছে

३. তাপমাত্রা প্রভাব নির্ভুল প্রক্রিয়াকরণ: Bose-Einstein বিতরণের মাধ্যমে তাপমাত্রা বিক্ষিপ্তকরণে প্রভাব নির্ভুলভাবে গণনা করা হয়েছে

४. ক্ষণস্থায়ী গতিশীলতা বিশ্লেষণ: গতিশীল স্থানে ইলেকট্রনের "লাফানো" আচরণ প্রকাশ করা হয়েছে

পরীক্ষামূলক সেটআপ

ন্যানোওয়্যার কাঠামো প্যারামিটার

• 110 SiNW: ব্যাস ১.३ nm, হাইড্রোজেন钝化পৃষ্ঠ
• 100 SiNW: ব্যাস १.१ nm, হাইড্রোজেন钝化পৃষ্ঠ
• সীমানা শর্ত: মুক্ত-দাঁড়ানো, সংলগ্ন একক কোষ ন্যূনতম দূরত্ব >०.६ nm

গণনা প্যারামিটার

• তাপমাত্রা: ४K (নিম্ন তাপমাত্রা) এবং ३००K (কক্ষ তাপমাত্রা)
• বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র পরিসীমা: ०-५० kV/cm
• শক্তি ব্যান্ড প্যারামিটার:
  • 110: $E_{cmin} = 1.81$ eV, $m^* = 0.16$
  • 100: $E_{cmin} = 2.528$ eV, $m^* = 0.63$

মূল্যায়ন সূচক

• গড় ড্রিফট বেগ বনাম বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র
• ক্ষণস্থায়ী বেগ বিবর্তন
• ইলেকট্রন বিতরণ ফাংশন সময় বিবর্তন
• বিক্ষিপ্তকরণ হার তাপমাত্রা এবং স্ফটিক দিকনির্দেশনার সাথে সম্পর্ক

পরীক্ষামূলক ফলাফল

প্রধান ফলাফল

१. স্থির-অবস্থা ড্রিফট বেগ

• নিম্ন-তাপমাত্রা বৃদ্ধি: ४K এ ড্রিফট বেগ ३००K এর তুলনায় কমপক্ষে २ গুণ বৃদ্ধি পায়
• স্ফটিক দিকনির্দেশনা পার্থক্য: 110 ন্যানোওয়্যার ড্রিফট বেগ 100 এর চেয়ে প্রায় ५०% বেশি
• বেগ স্যাচুরেশন: উচ্চ বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রে ফোনন নির্গমন বিক্ষিপ্তকরণের কারণে বেগ স্যাচুরেশন ঘটে

२. বিক্ষিপ্তকরণ হার বিশ্লেষণ

• তাপমাত্রা নির্ভরতা: নিম্ন তাপমাত্রায় বিক্ষিপ্তকরণ হার উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস পায়, প্রধানত ফোনন নির্গমন দ্বারা পরিচালিত
• স্ফটিক দিকনির্দেশনা প্রভাব: 100 ন্যানোওয়্যার বিক্ষিপ্তকরণ হার 110 এর চেয়ে প্রায় २ গুণ বেশি
• van Hove বৈশিষ্ট্য: LO ফোনন বিক্ষিপ্তকরণ হার শক্তি ব্যান্ড নীচে তীক্ষ্ণ শিখর প্রদর্শন করে

३. ক্ষণস্থায়ী আচরণ

• প্রবাহিত ইলেকট্রন গতি: নিম্ন তাপমাত্রায় স্পষ্ট বেগ দোলন পর্যবেক্ষণ করা হয়েছে
• লাফানো প্রক্রিয়া: গতিশীল স্থানে ইলেকট্রনের পর্যায়ক্রমিক ত্বরণ-বিক্ষিপ্তকরণ প্রক্রিয়া
• সময় স্কেল: দোলন সময়কাল প্রায় ६०० fs

মূল ডেটা

• १५ kV/cm বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রে, 100 ন্যানোওয়্যার বেগ প্রায় १/५ হ্রাস পায়, 110 প্রায় १/२ হ্রাস পায় (४K→३००K)
• কার্যকর ভর অনুপাত: 100/110 = 0.63/0.16 ≈ 4
• LO ফোনন বিক্ষিপ্তকরণ থ্রেশহোল্ড: k ≈ २×१०⁶ cm⁻¹ (110), k ≈ ६×१०⁶ cm⁻¹ (100)

পদার্থবিজ্ঞান প্রক্রিয়া ব্যাখ্যা

१. নিম্ন-তাপমাত্রা বৃদ্ধি: $n(E_P) → 0$ সময়ে ফোনন শোষণ বিক্ষিপ্তকরণ অদৃশ্য হয়ে যায়, প্রধানত নির্গমন প্রক্রিয়া

२. স্ফটিক দিকনির্দেশনা পার্থক্য: কার্যকর ভর পার্থক্য অবস্থা ঘনত্ব পার্থক্য সৃষ্টি করে, $DOS(E) ∝ \sqrt{m^*}$

३. প্রবাহিত গতি: ইলেকট্রন LO ফোনন নির্গমন থ্রেশহোল্ডে পৌঁছানোর পরে দ্রুত k=0 কাছাকাছি বিক্ষিপ্ত হয়, পর্যায়ক্রমিক গতি গঠন করে

সম্পর্কিত কাজ

প্রধান গবেষণা দিকনির্দেশনা

१. সিলিকন ন্যানোওয়্যার উৎপাদন: শীর্ষ-নীচে এবং নীচে-শীর্ষে উৎপাদন পদ্ধতি

२. কোয়ান্টাম ডিভাইস প্রয়োগ: স্পিন কোয়ান্টাম বিট, কোয়ান্টাম ডট ডিভাইস

३. নিম্ন-তাপমাত্রা ইলেকট্রনিক্স: গভীর মহাকাশ ইলেকট্রনিক ডিভাইস, নিম্ন-তাপমাত্রা সেন্সর

४. পরিবহন তত্ত্ব: ন্যানো-স্কেল ইলেকট্রন পরিবহন মডেলিং

এই পেপারের সুবিধা

• প্রথমবারের মতো সিলিকন ন্যানোওয়্যারে নিম্ন তাপমাত্রা পরিবহনের স্ফটিক দিকনির্দেশনা নির্ভরতা পদ্ধতিগতভাবে অধ্যয়ন করা হয়েছে
• প্রথম নীতি এবং পরিবহন সিমুলেশনের সমন্বয়ের বহু-স্কেল পদ্ধতি
• প্রবাহিত ইলেকট্রন গতি ঘটনা আবিষ্কার এবং ব্যাখ্যা করা হয়েছে

উপসংহার এবং আলোচনা

প্রধান উপসংহার

१. নিম্ন তাপমাত্রা সিলিকন ন্যানোওয়্যার ইলেকট্রন পরিবহন কর্মক্ষমতা উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে

२. 110 স্ফটিক দিকনির্দেশনা ন্যানোওয়্যার উন্নত পরিবহন বৈশিষ্ট্য প্রদর্শন করে

३. ইলেকট্রন-ফোনন বিক্ষিপ্তকরণের তাপমাত্রা নির্ভরতা মূল পদার্থবিজ্ঞান প্রক্রিয়া

४. নিম্ন তাপমাত্রায় অনন্য প্রবাহিত ইলেকট্রন গতি ঘটনা বিদ্যমান

সীমাবদ্ধতা

१. আদর্শকরণ অনুমান: নিখুঁত ন্যানোওয়্যার, কোন ত্রুটি, কোন ডোপিং, সমান তাপমাত্রা অনুমান করা হয়েছে

२. আকার সীমাবদ্ধতা: শুধুমাত্র নির্দিষ্ট ব্যাসের ন্যানোওয়্যার অধ্যয়ন করা হয়েছে

३. বিক্ষিপ্তকরণ প্রক্রিয়া: ইন্টারফেস বিক্ষিপ্তকরণ, অমেধ্য বিক্ষিপ্তকরণ ইত্যাদি অন্যান্য প্রক্রিয়া বিবেচনা করা হয়নি

४. পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ: সংশ্লিষ্ট পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ ডেটার অভাব

ভবিষ্যত দিকনির্দেশনা

१. পৃষ্ঠ রুক্ষতা এবং ত্রুটির প্রভাব বিবেচনা করা

२. আরও অনেক স্ফটিক দিকনির্দেশনা এবং আকারে সম্প্রসারণ করা

३. নিম্ন তাপমাত্রা পরিবহনে চাপের প্রভাব গবেষণা করা

४. সংশ্লিষ্ট পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ পদ্ধতি উন্নয়ন করা

গভীর মূল্যায়ন

সুবিধা

१. পদ্ধতি উদ্ভাবন: বহু-পদার্থবিজ্ঞান ক্ষেত্র সংযুক্ত গণনা পদ্ধতি অত্যন্ত উদ্ভাবনী

२. পদার্থবিজ্ঞান অন্তর্দৃষ্টি: প্রবাহিত ইলেকট্রন গতি ঘটনার আবিষ্কার এবং ব্যাখ্যা গুরুত্বপূর্ণ পদার্থবিজ্ঞান অর্থ রাখে

३. ব্যবহারিক মূল্য: নিম্ন-তাপমাত্রা সিলিকন-ভিত্তিক ডিভাইস ডিজাইনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ নির্দেশনা প্রদান করে

४. গণনা কঠোরতা: DFT+TB+EMC সমন্বয় পদ্ধতি গণনা কঠোর এবং নির্ভরযোগ্য

অপূর্ণতা

१. পরীক্ষামূলক অভাব: পরীক্ষামূলক যাচাইকরণের অভাব, তাত্ত্বিক পূর্বাভাস পরীক্ষামূলক সমর্থন প্রয়োজন

२. প্যারামিটার সংবেদনশীলতা: গণনা প্যারামিটার ফলাফলে সংবেদনশীলতা পর্যাপ্তভাবে আলোচনা করা হয়নি

३. প্রয়োগ সীমাবদ্ধতা: অধ্যয়ন করা ন্যানোওয়্যার আকার এবং অবস্থা তুলনামূলকভাবে সীমিত

४. প্রক্রিয়া বিশ্লেষণ: কিছু পদার্থবিজ্ঞান ঘটনার মাইক্রোস্কোপিক প্রক্রিয়া ব্যাখ্যা আরও গভীর হতে পারে

প্রভাব

१. একাডেমিক অবদান: ন্যানো-স্কেল নিম্ন-তাপমাত্রা ইলেকট্রন পরিবহন তত্ত্বে গুরুত্বপূর্ণ সম্পূরক প্রদান করে

२. প্রযুক্তি নির্দেশনা: সিলিকন-ভিত্তিক কোয়ান্টাম ডিভাইস এবং নিম্ন-তাপমাত্রা ইলেকট্রনিক্স উন্নয়নে নির্দেশনা প্রদান করে

३. পদ্ধতি প্রদর্শন: বহু-স্কেল গণনা পদ্ধতি অন্যান্য ন্যানো-উপকরণ গবেষণায় প্রচার করা যেতে পারে

প্রযোজ্য পরিস্থিতি

१. সিলিকন-ভিত্তিক কোয়ান্টাম কম্পিউটিং ডিভাইস ডিজাইন

२. নিম্ন-তাপমাত্রা ইলেকট্রনিক্স ডিভাইস উন্নয়ন

३. গভীর মহাকাশ অন্বেষণ ইলেকট্রনিক সিস্টেম

४. উচ্চ-কর্মক্ষমতা ন্যানো-ইলেকট্রনিক ডিভাইস

সংদর্ভ

এই পেপারটি ৬७টি সম্পর্কিত সংদর্ভ উদ্ধৃত করে, যা সিলিকন ন্যানোওয়্যার উৎপাদন, কোয়ান্টাম ডিভাইস, নিম্ন-তাপমাত্রা ইলেকট্রনিক্স এবং পরিবহন তত্ত্ব সহ একাধিক ক্ষেত্রের গুরুত্বপূর্ণ কাজ অন্তর্ভুক্ত করে, গবেষণার জন্য দৃঢ় তাত্ত্বিক ভিত্তি প্রদান করে।

সামগ্রিক মূল্যায়ন: এটি একটি উচ্চ-মানের তাত্ত্বিক গণনা পেপার, যা বহু-স্কেল মডেলিং পদ্ধতি ব্যবহার করে সিলিকন ন্যানোওয়্যারে নিম্ন-তাপমাত্রা ইলেকট্রন পরিবহন বৈশিষ্ট্য পদ্ধতিগতভাবে অধ্যয়ন করে, গুরুত্বপূর্ণ পদার্থবিজ্ঞান ঘটনা আবিষ্কার করে এবং যুক্তিসঙ্গত প্রক্রিয়া ব্যাখ্যা প্রদান করে। গবেষণা ফলাফল সিলিকন-ভিত্তিক কোয়ান্টাম ডিভাইস এবং নিম্ন-তাপমাত্রা ইলেকট্রনিক্সের জন্য গুরুত্বপূর্ণ নির্দেশনা প্রদান করে, তবে তাত্ত্বিক পূর্বাভাসকে সমর্থন করার জন্য আরও পরীক্ষামূলক যাচাইকরণের প্রয়োজন।