2025-11-24T02:31:17.642915

Effect of the Lattice-distortion on the Electronic Structure, Magnetic Anisotropy, and Hall Conductivities of the CoFeCrGa Spin Gapless Semiconductor: A First-Principles Study

Kumar, Chaudhary, Chandra
Spin gapless semiconductors (SGSs), novel quantum materials, are notable for their tunable spin-transport properties. Considering that the SGS materials might have an invariably deformed lattice upon integration into devices, and given that the SGS nature is highly sensitive to external factors, the impact of lattice distortions on the different physical properties of CoFeCrGa SGS alloy has been investigated using density functional theory calculations. For lattice distortions, the uniform strain corresponding to $-6\% \leq ΔV / V_0 \leq 6\% \quad (a: 5.60\text{-}5.83~\textÅ)$, and the tetragonal distortion corresponding to $0.8 \leq c/a \leq 1.2 \quad (a: 5.38\text{-}6.16~\textÅ,~c: 4.92\text{-}6.45~\textÅ)$ are modelled. All uniformly strained CoFeCrGa structures are found to display SGS character, magnetic isotropy, small anomalous Hall conductivity (AHC), and small spin Hall conductivity (SHC) - closely resembling those of the ideal CoFeCrGa structure. In contrast, the tetragonally deformed structures display nearly half-metallic behavior with very high spin polarization, very large magnetic anisotropy ($ \sim 10^6~\mathrm{J/m^3}$), and very large AHC ranging from ($ -215 \text{ to } 250~\mathrm{S/cm} $) depending on the axial ratio of the distorted structure. The SHC, however, does not change significantly under tetragonal distortion and remains nearly of the same order as that of the Y-I ordered structure. In summary, these findings demonstrate that CoFeCrGa displays favorable spintronic properties even under lattice distortions, underscoring its potential for next-generation spintronic applications.
academic

CoFeCrGa স্পিন গ্যাপলেস সেমিকন্ডাক্টরের ইলেকট্রনিক কাঠামো, চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি এবং হল পরিবাহিতার উপর জালি-বিকৃতির প্রভাব: একটি প্রথম-নীতি অধ্যয়ন

মৌলিক তথ্য

  • পেপার আইডি: 2411.06520
  • শিরোনাম: CoFeCrGa স্পিন গ্যাপলেস সেমিকন্ডাক্টরের ইলেকট্রনিক কাঠামো, চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি এবং হল পরিবাহিতার উপর জালি-বিকৃতির প্রভাব: একটি প্রথম-নীতি অধ্যয়ন
  • লেখক: অমর কুমার (আইআইটি দিল্লি), সুজিত চৌধারী (আইআইটি দিল্লি), শরৎ চন্দ্র (আইজিসিএআর)
  • শ্রেণীবিভাগ: cond-mat.mtrl-sci (ঘনীভূত পদার্থ পদার্থবিজ্ঞান - উপকরণ বিজ্ঞান)
  • প্রকাশনার সময়: ২০২৪ সালের নভেম্বর
  • পেপার লিঙ্ক: https://arxiv.org/abs/2411.06520

সারসংক্ষেপ

এই গবেষণা ঘনত্ব কার্যকরী তত্ত্ব (ডিএফটি) গণনার মাধ্যমে জালি বিকৃতির প্রভাব CoFeCrGa স্পিন গ্যাপলেস সেমিকন্ডাক্টর (এসজিএস) এর ইলেকট্রনিক কাঠামো, চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি এবং হল পরিবাহিতার উপর সিস্টেমেটিকভাবে অধ্যয়ন করে। গবেষণায় সমরূপ প্রসারণ (-6% ≤ ΔV/V₀ ≤ 6%) এবং চতুর্ভুজ বিকৃতি (0.8 ≤ c/a ≤ 1.2) উভয় জালি বিকৃতির ধরন বিবেচনা করা হয়েছে। ফলাফল দেখায় যে সমরূপ প্রসারণের অধীন CoFeCrGa কাঠামো এসজিএস বৈশিষ্ট্য, চৌম্বক আইসোট্রপি এবং ছোট অসাধারণ হল পরিবাহিতা (এএইচসি) এবং স্পিন হল পরিবাহিতা (এসএইচসি) বজায় রাখে। বিপরীতে, চতুর্ভুজ বিকৃত কাঠামো প্রায় অর্ধ-ধাতব আচরণ প্রদর্শন করে, অত্যন্ত উচ্চ স্পিন পোলারাইজেশন, বিশাল চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি (~10⁶ J/m³) এবং উল্লেখযোগ্যভাবে বর্ধিত এএইচসি (-215 থেকে 250 S/cm) সহ।

গবেষণার পটভূমি এবং প্রেরণা

সমস্যার পটভূমি

  1. স্পিন ইলেকট্রনিক্স উপকরণের চাহিদা: আধুনিক স্পিন ইলেকট্রনিক্স ডিভাইসগুলির জন্য উচ্চ স্পিন পোলারাইজেশন, উচ্চ কিউরি তাপমাত্রা, বড় চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি এবং বড় হল পরিবাহিতা সহ চৌম্বক উপকরণ প্রয়োজন।
  2. বিদ্যমান উপকরণের সীমাবদ্ধতা:
    • CoFeB সংকর ধাতু টানেল বাধা ইন্টারফেসে দুর্বল উল্লম্ব চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি প্রদর্শন করে
    • চতুর্ভুজ হিউসলার সংকর ধাতু কম টানেল চৌম্বক প্রতিরোধ প্রদর্শন করে
    • পেরোভস্কাইট উপকরণ পাতলা ফিল্ম আকারে কাঠামোগতভাবে অস্থিতিশীল
    • ঘনক হিউসলার সংকর ধাতু কম পরীক্ষামূলক স্পিন পোলারাইজেশন এবং চৌম্বক আইসোট্রপি প্রদর্শন করে
  3. এসজিএস উপকরণের সুবিধা:
    • চৌম্বক সেমিকন্ডাক্টরের তুলনায় উচ্চতর কিউরি তাপমাত্রা
    • 100% স্পিন পোলারাইজড ইলেকট্রন এবং হোল বাহক একযোগে সরবরাহ করতে পারে
    • কম উত্তেজনা শক্তি উচ্চ দক্ষ পরিবহন অর্জন করে
    • দীর্ঘ বাহক বিস্তার দৈর্ঘ্য উচ্চ দক্ষ স্পিন পরিবহন অর্জন করে

গবেষণার প্রেরণা

CoFeCrGa নতুন আবিষ্কৃত চতুর্ভুজ হিউসলার সংকর ধাতু এসজিএস উপকরণ হিসাবে উচ্চ কিউরি তাপমাত্রা (>600 K) এবং চৌম্বক মুহূর্ত (~2.0 μB/f.u.) সহ, কিন্তু ডিভাইস একীকরণের সময় এটি অনিবার্যভাবে জালি বিকৃতির সম্মুখীন হয়, এবং এসজিএস বৈশিষ্ট্য বাহ্যিক কারণের প্রতি অত্যন্ত সংবেদনশীল। অতএব, জালি বিকৃতির এর ভৌত বৈশিষ্ট্যের উপর প্রভাব সিস্টেমেটিকভাবে অধ্যয়ন করা ডিভাইস ডিজাইনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ।

মূল অবদান

  1. সিস্টেমেটিক গবেষণা কাঠামো: সমরূপ প্রসারণ এবং চতুর্ভুজ বিকৃতির CoFeCrGa এসজিএস সংকর ধাতুর একাধিক ভৌত বৈশিষ্ট্যের উপর প্রভাব সম্পর্কে প্রথম ব্যাপক গবেষণা
  2. বিনিময় সম্পর্ক কার্যকরী যাচাইকরণ: জিজিএ এবং জিজিএ+ইউ পদ্ধতির তুলনার মাধ্যমে, জিজিএ CoFeCrGa এর ভৌত বৈশিষ্ট্য অধ্যয়নের জন্য আরও উপযুক্ত নির্ধারণ করা হয়েছে
  3. ইলেকট্রনিক কাঠামো স্থিতিশীলতা আবিষ্কার: CoFeCrGa এর এসজিএস বৈশিষ্ট্য সমরূপ প্রসারণের অধীন শক্তিশালী, কিন্তু চতুর্ভুজ বিকৃতির অধীন অর্ধ-ধাতব বৈশিষ্ট্যে রূপান্তরিত হয় প্রমাণিত করা হয়েছে
  4. চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি নিয়ন্ত্রণ প্রক্রিয়া: চতুর্ভুজ বিকৃতি-প্ররোচিত বিশাল চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি (~10⁶ J/m³) এবং এর দ্বিমুখী বৈশিষ্ট্য প্রকাশ করা হয়েছে
  5. হল পরিবহন বৈশিষ্ট্য নিয়ন্ত্রণ: চতুর্ভুজ বিকৃতি অসাধারণ হল পরিবাহিতা উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করতে পারে, স্পিন ইলেকট্রনিক্স প্রয়োগের জন্য নতুন নিয়ন্ত্রণ মাধ্যম প্রদান করে

পদ্ধতি বিস্তারিত

গণনা পদ্ধতি

এই গবেষণা সমতল তরঙ্গ সিউডোপটেনশিয়াল ভিত্তিক ঘনত্ব কার্যকরী তত্ত্ব (ডিএফটি) গণনা ব্যবহার করে, কোয়ান্টাম এসপ্রেসো সফটওয়্যার প্যাকেজ ব্যবহার করে।

প্রযুক্তিগত পরামিতি

  • বিনিময় সম্পর্ক কার্যকরী: সাধারণীকৃত গ্রেডিয়েন্ট অনুমান (জিজিএ) - পিবিই প্যারামিটারাইজেশন
  • শক্তি কাটঅফ: 350 Ry
  • k-বিন্দু জাল: 15×15×15 (Y-I অর্ডার করা 16 পরমাণু ঘনক একক কোষ)
  • সংমিশ্রণ মানদণ্ড:
    • পরমাণু বল < 10⁻³ Ry/Bohr
    • মোট শক্তি পরিবর্তন < 10⁻⁶ Ry

জালি বিকৃতি মডেলিং

সমরূপ প্রসারণ

  • প্রসারণ পরিসীমা: -6% ≤ ΔV/V₀ ≤ 6%
  • জালি পরামিতি: 5.60-5.83 Å
  • ভৌত অর্থ: ডিভাইস একীকরণের সময় সমস্থানিক চাপ প্রভাব অনুকরণ করে

চতুর্ভুজ বিকৃতি

  • অক্ষ অনুপাত পরিসীমা: 0.8 ≤ c/a ≤ 1.2
  • আয়তন সীমাবদ্ধতা: অপ্টিমাইজ করা ঘনক পর্যায়ের আয়তন V₀ অপরিবর্তিত রাখা
  • জালি পরামিতি: a = 5.38-6.16 Å, c = 4.92-6.45 Å

ভৌত বৈশিষ্ট্য গণনা

চৌম্বক স্ফটিক অ্যানিসোট্রপি শক্তি (এমসিএ)

চৌম্বক বল উপপাদ্য ব্যবহার করে গণনা করা হয়:

MCA = E_band[100] - E_band[001]
K_MCA = MCA/V

চৌম্বক আকৃতি অ্যানিসোট্রপি (এমএসএ)

সরাসরি সমষ্টি পদ্ধতির মাধ্যমে দ্বিমেরু-দ্বিমেরু মিথস্ক্রিয়া গণনা করা হয়:

MSA = E_dip[100] - E_dip[001]

হল পরিবাহিতা

সর্বাধিক স্থানীয়করণ ওয়ানিয়ার ফাংশন (এমএলডাব্লুএফ) এবং কুবো সূত্র ব্যবহার করে অসাধারণ হল পরিবাহিতা (এএইচসি) এবং স্পিন হল পরিবাহিতা (এসএইচসি) গণনা করা হয়।

পরীক্ষামূলক ফলাফল

বিনিময় সম্পর্ক কার্যকরী যাচাইকরণ

পদ্ধতিজালি পরামিতি (Å)চৌম্বক মুহূর্ত (μB/f.u.)এসজিএস বৈশিষ্ট্যস্পিন পোলারাইজেশন
জিজিএ5.722.00হ্যাঁ92.33%
জিজিএ+ইউ6.489.33না33.14%
পরীক্ষামূলক মান5.792.01হ্যাঁ-

জিজিএ পদ্ধতির গণনা ফলাফল পরীক্ষামূলক মানের সাথে অত্যন্ত সামঞ্জস্যপূর্ণ, তাই পরবর্তী গণনার জন্য বিনিময় সম্পর্ক কার্যকরী হিসাবে জিজিএ নির্বাচন করা হয়েছে।

সমরূপ প্রসারণ প্রভাব

ইলেকট্রনিক কাঠামো স্থিতিশীলতা

  • এসজিএস বৈশিষ্ট্য সংরক্ষণ: সমস্ত সমরূপ প্রসারণ কাঠামো (-6% ≤ ΔV/V₀ ≤ 6%) এসজিএস বৈশিষ্ট্য সংরক্ষণ করে
  • চৌম্বক মুহূর্ত স্থিতিশীলতা: মোট চৌম্বক মুহূর্ত 2.00 μB/f.u. এ বজায় থাকে
  • স্পিন পোলারাইজেশন: নেতিবাচক প্রসারণে ~100%, ইতিবাচক প্রসারণে (1-5%) ~50%, সর্বাধিক ইতিবাচক প্রসারণে (6%) ~100% এ ফিরে আসে

আপেক্ষিক গঠন শক্তি

সমরূপ প্রসারণ কাঠামোর আপেক্ষিক গঠন শক্তি খুবই ছোট (≲ 0.1 eV/f.u.), যা নির্দেশ করে যে এই কাঠামোগুলি পরীক্ষায় সহজেই গঠিত হয়।

চতুর্ভুজ বিকৃতি প্রভাব

ইলেকট্রনিক কাঠামো রূপান্তর

  • এসজিএস→অর্ধ-ধাতব রূপান্তর: এমনকি ছোট চতুর্ভুজ বিকৃতিও এসজিএস বৈশিষ্ট্য ভাঙতে পারে
  • উচ্চ স্পিন পোলারাইজেশন: ছোট বিকৃত কাঠামো (0.90 ≤ c/a ≤ 1.10) ~90% স্পিন পোলারাইজেশন প্রদর্শন করে
  • ধাতব বৈশিষ্ট্য বৃদ্ধি: বড় বিকৃতি (|Δc/a| ≥ 0.10) ধাতব বৈশিষ্ট্য প্রাধান্য দেয়

চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি

চতুর্ভুজ বিকৃতি বিশাল চৌম্বক স্ফটিক অ্যানিসোট্রপি প্ররোচিত করে:

  • সংকোচিত কাঠামো (c/a < 1.0): সমতল-মধ্যস্থ চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি, এমসিএ = -0.17 থেকে -2.07×10⁶ J/m³
  • প্রসারিত কাঠামো (c/a > 1.0): উল্লম্ব চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি, এমসিএ = 0.10 থেকে 1.64×10⁶ J/m³
  • দ্বিমুখী বৈশিষ্ট্য: এমসিএ অক্ষ অনুপাত জুড়ে স্পষ্ট দ্বিমুখী পরিবর্তন প্রদর্শন করে

হল পরিবাহিতা নিয়ন্ত্রণ

  • এএইচসি উল্লেখযোগ্য বৃদ্ধি: চতুর্ভুজ বিকৃতির অধীন এএইচসি পরিসীমা -215 থেকে 250 S/cm, ঘনক কাঠামোর -30 S/cm এর চেয়ে অনেক বেশি
  • এসএইচসি স্থিতিশীল রাখা: চতুর্ভুজ বিকৃতির অধীন এসএইচসি পরিবর্তন সামান্য, Y-I অর্ডার করা কাঠামোর সমতুল্য স্তরে বজায় থাকে

পরমাণু এবং কক্ষীয় অবদান বিশ্লেষণ

  • এমসিএ প্রধান অবদান: রূপান্তর ধাতু d কক্ষ এবং Ga এর p কক্ষ
  • কক্ষীয় বিশেষত্ব: বিভিন্ন বিকৃত কাঠামোতে নির্দিষ্ট কক্ষ (যেমন Co-d_z², Fe-d_xy ইত্যাদি) এমসিএ অবদানে উল্লেখযোগ্য
  • ইলেকট্রন পুনর্বিতরণ: ফার্মি শক্তি স্তরের কাছাকাছি ইলেকট্রন অবস্থা পুনর্বিতরণ এমসিএ পরিবর্তনের মাইক্রোস্কোপিক প্রক্রিয়া

সম্পর্কিত কাজ

এসজিএস উপকরণ গবেষণার বর্তমান অবস্থা

  • তাত্ত্বিক পূর্বাভাস: গত দশকে প্রথম-নীতি গণনার মাধ্যমে অসংখ্য এসজিএস উপকরণ পূর্বাভাস দেওয়া হয়েছে
  • পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ: একাধিক এসজিএস উপকরণ পরীক্ষামূলকভাবে যাচাই করা হয়েছে, Cr₃Al, V₃Al, FeMnGa ইত্যাদি সহ
  • চতুর্ভুজ সুবিধা: চতুর্ভুজ হিউসলার সংকর ধাতু এসজিএস দ্বিমুখী বা ত্রিমুখীর চেয়ে উচ্চতর সামঞ্জস্যতা রয়েছে

CoFeCrGa গবেষণার ইতিহাস

  • প্রথম পূর্বাভাস: গাও এবং অন্যরা প্রথম তাত্ত্বিক পূর্বাভাস দিয়েছেন
  • পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ: বাইনসলা এবং অন্যরা প্রথম পরীক্ষামূলকভাবে প্রস্তুত করেছেন এবং এসজিএস বৈশিষ্ট্য নিশ্চিত করেছেন
  • পাতলা ফিল্ম স্থিতিশীলতা: মিশ্র এবং অন্যরা প্রমাণ করেছেন যে এটি পাতলা ফিল্ম আকারে এসজিএস বৈশিষ্ট্য বজায় রাখে

জালি বিকৃতি গবেষণা

বিদ্যমান গবেষণা প্রধানত অন্যান্য হিউসলার সংকর ধাতুর বিকৃতি প্রভাবে কেন্দ্রীভূত, CoFeCrGa এর সিস্টেমেটিক গবেষণা প্রথম।

উপসংহার এবং আলোচনা

প্রধান উপসংহার

  1. প্রসারণ স্থিতিশীলতা: CoFeCrGa এর এসজিএস বৈশিষ্ট্য সমরূপ প্রসারণের অধীন ভাল শক্তিশালীতা রয়েছে, যা প্রকৃত ডিভাইস প্রয়োগের জন্য অত্যন্ত অনুকূল
  2. বিকৃতি নিয়ন্ত্রণ: চতুর্ভুজ বিকৃতি এসজিএস কে অর্ধ-ধাতবে রূপান্তরিত করতে পারে এবং বিশাল চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি এবং বর্ধিত হল পরিবাহিতা প্ররোচিত করতে পারে
  3. দ্বিমুখী চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি: c/a অনুপাত নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে সমতল-মধ্যস্থ বা উল্লম্ব চৌম্বক অ্যানিসোট্রপির নির্ভুল নিয়ন্ত্রণ অর্জন করা যায়
  4. ডিভাইস ডিজাইন নির্দেশনা: গবেষণা CoFeCrGa ভিত্তিক স্পিন ইলেকট্রনিক্স ডিভাইসের ডিজাইনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ তাত্ত্বিক নির্দেশনা প্রদান করে

ব্যবহারিক প্রয়োগ সম্ভাবনা

ডিভাইস একীকরণ কৌশল

  • GaAs সাবস্ট্রেট: উল্লম্ব চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি (পিএমএ) প্ররোচিত করতে পারে
  • MgO সাবস্ট্রেট: সমতল-মধ্যস্থ চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি (আইএমএ) প্ররোচিত করতে পারে
  • প্রসারণ প্রকৌশল: বৃদ্ধির অবস্থা নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে প্রয়োজনীয় চৌম্বক অভিযোজন অর্জন করা যায়

কর্মক্ষমতা সুবিধা

  • উচ্চ তাপীয় স্থিতিশীলতা: বিশাল চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি ডিভাইসের উচ্চ তাপীয় স্থিতিশীলতা নিশ্চিত করে
  • উচ্চ সংরক্ষণ ঘনত্ব: উল্লম্ব চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি উচ্চ-ঘনত্ব ডেটা সংরক্ষণ অর্জনে অনুকূল
  • কম শক্তি খরচ: এসজিএস বৈশিষ্ট্য কম-শক্তি স্পিন পরিবহন অর্জনে অনুকূল

সীমাবদ্ধতা

  1. গণনা নির্ভুলতা: ডিএফটি গণনা অন্তর্নিহিত অনুমান রয়েছে, প্রকৃত মান গণনা মান থেকে বিচ্যুত হতে পারে
  2. তাপমাত্রা প্রভাব: গবেষণা শুধুমাত্র 0K এ বৈশিষ্ট্য বিবেচনা করে, সীমিত তাপমাত্রা প্রভাব অন্তর্ভুক্ত করে না
  3. ইন্টারফেস প্রভাব: প্রকৃত ডিভাইসে ইন্টারফেস প্রভাব এবং ত্রুটি প্রভাব বিবেচনা করা হয়নি
  4. গতিশীল স্থিতিশীলতা: বিকৃত কাঠামোর গতিশীল স্থিতিশীলতা যাচাই করতে ফোনন গণনা পরিচালিত হয়নি

ভবিষ্যত দিকনির্দেশনা

  1. পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ: তাত্ত্বিক পূর্বাভাসের বিকৃতি প্রভাব যাচাই করতে পরীক্ষামূলক গবেষণা প্রয়োজন
  2. ইন্টারফেস প্রকৌশল: CoFeCrGa এবং বিভিন্ন উপকরণের ইন্টারফেস বৈশিষ্ট্য অধ্যয়ন করা
  3. ত্রুটি প্রভাব: বিন্দু ত্রুটির এসজিএস বৈশিষ্ট্যের উপর প্রভাব বিবেচনা করা
  4. ডিভাইস সিমুলেশন: উপকরণ বৈশিষ্ট্যের উপর ভিত্তি করে ডিভাইস স্তরের কর্মক্ষমতা সিমুলেশন

গভীর মূল্যায়ন

সুবিধা

  1. গবেষণা সম্পূর্ণতা: দুটি প্রধান বিকৃতি ধরনের একাধিক ভৌত বৈশিষ্ট্যের উপর প্রভাব সিস্টেমেটিকভাবে অধ্যয়ন করা হয়েছে, গবেষণা বিষয়বস্তু ব্যাপক এবং গভীর
  2. পদ্ধতি কঠোরতা:
    • প্রথমে গণনা পদ্ধতির নির্ভরযোগ্যতা যাচাই করা হয়েছে
    • উপযুক্ত সংমিশ্রণ পরীক্ষা গ্রহণ করা হয়েছে
    • ভৌত মডেল সেটআপ যুক্তিসঙ্গত
  3. ফলাফল বিশ্বাসযোগ্যতা:
    • গণনা ফলাফল বিদ্যমান পরীক্ষামূলক ডেটার সাথে অত্যন্ত সামঞ্জস্যপূর্ণ
    • ভৌত প্রক্রিয়া ব্যাখ্যা স্পষ্ট এবং যুক্তিসঙ্গত
    • সংখ্যাগত ফলাফল পরিসংখ্যানগত তাৎপর্য রয়েছে
  4. ব্যবহারিক মূল্য: CoFeCrGa ভিত্তিক স্পিন ইলেকট্রনিক্স ডিভাইসের ডিজাইনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ তাত্ত্বিক নির্দেশনা প্রদান করে
  5. প্রযুক্তিগত উদ্ভাবন:
    • প্রথম বার CoFeCrGa এর বিকৃতি প্রভাব সিস্টেমেটিকভাবে অধ্যয়ন করা হয়েছে
    • বিকৃতি-প্ররোচিত চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি নিয়ন্ত্রণ প্রক্রিয়া প্রকাশ করা হয়েছে
    • হল পরিবাহিতার সামঞ্জস্যতা আবিষ্কার করা হয়েছে

অপূর্ণতা

  1. তাত্ত্বিক সীমাবদ্ধতা:
    • শুধুমাত্র সহরৈখিক চৌম্বকত্ব বিবেচনা করা হয়েছে, অ-সহরৈখিক চৌম্বক কাঠামো অন্তর্ভুক্ত করা হয়নি
    • 0K গণনা, সীমিত তাপমাত্রা প্রভাব অনুপস্থিত
    • চৌম্বক ফোনন-ফোনন সংযোগ প্রভাব বিবেচনা করা হয়নি
  2. পরীক্ষামূলক অনুপস্থিতি:
    • পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ অনুপস্থিত, বিশেষত বিকৃত কাঠামোর প্রকৃত প্রস্তুতি
    • অন্যান্য এসজিএস উপকরণের সাথে তুলনামূলক পরীক্ষা প্রদান করা হয়নি
  3. প্রয়োগ সীমাবদ্ধতা:
    • প্রকৃত ডিভাইসে ইন্টারফেস প্রভাব বিবেচনা করা হয়নি
    • ডিভাইস স্তরের কর্মক্ষমতা মূল্যায়ন অনুপস্থিত
    • প্রস্তুতি প্রক্রিয়ার সম্ভাব্যতা আলোচনা করা হয়নি
  4. গণনা বিস্তারিত:
    • এমএসএ গণনা সরাসরি সমষ্টি পদ্ধতি ব্যবহার করে নির্ভুলতা সমস্যা থাকতে পারে
    • গতিশীল স্থিতিশীলতা যাচাই করতে ফোনন গণনা পরিচালিত হয়নি

প্রভাব মূল্যায়ন

  1. একাডেমিক অবদান:
    • এসজিএস উপকরণের প্রসারণ প্রকৌশলের জন্য গুরুত্বপূর্ণ তাত্ত্বিক ভিত্তি প্রদান করে
    • হিউসলার সংকর ধাতুর চৌম্বক নিয়ন্ত্রণ তত্ত্ব সমৃদ্ধ করে
    • স্পিন ইলেকট্রনিক্স উপকরণ ডিজাইনের জন্য নতুন চিন্তাভাবনা প্রদান করে
  2. ব্যবহারিক মূল্য:
    • CoFeCrGa ভিত্তিক ডিভাইসের ডিজাইন এবং প্রস্তুতি নির্দেশনা দেয়
    • নতুন ধরনের স্পিন ইলেকট্রনিক্স ডিভাইস উন্নয়নের জন্য উপকরণ ভিত্তি প্রদান করে
    • উচ্চ-কর্মক্ষমতা চৌম্বক সংরক্ষণ ডিভাইস অর্জনে সহায়তা করে
  3. পুনরুৎপাদনযোগ্যতা:
    • গণনা পদ্ধতি এবং পরামিতি বিস্তারিতভাবে বর্ণিত
    • ব্যবহৃত সফটওয়্যার প্যাকেজ খোলা উৎস সফটওয়্যার
    • ফলাফল ভাল পুনরুৎপাদনযোগ্যতা রয়েছে

প্রযোজ্য দৃশ্যকল্প

  1. চৌম্বক সংরক্ষণ ডিভাইস: সামঞ্জস্যযোগ্য চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি ব্যবহার করে উচ্চ-ঘনত্ব, কম-শক্তি সংরক্ষণ অর্জন করা
  2. স্পিন লজিক ডিভাইস: এসজিএস বৈশিষ্ট্য ব্যবহার করে উচ্চ-দক্ষ স্পিন পরিবহন এবং নিয়ন্ত্রণ অর্জন করা
  3. চৌম্বক সেন্সর: বর্ধিত হল প্রভাব ব্যবহার করে উচ্চ-সংবেদনশীলতা চৌম্বক ক্ষেত্র সনাক্তকরণ অর্জন করা
  4. টেরাহার্জ নির্গমক: বড় অসাধারণ হল পরিবাহিতা ব্যবহার করে টেরাহার্জ তরঙ্গ নির্গমন অর্জন করা

সংদর্ভ

এই পত্রটি 75টি সম্পর্কিত সংদর্ভ উদ্ধৃত করে, যা এসজিএস উপকরণ, হিউসলার সংকর ধাতু, চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি এবং হল প্রভাব সহ একাধিক গবেষণা ক্ষেত্রের গুরুত্বপূর্ণ কাজ অন্তর্ভুক্ত করে, গবেষণার জন্য একটি শক্তিশালী তাত্ত্বিক ভিত্তি প্রদান করে।

সামগ্রিক মূল্যায়ন: এটি একটি উচ্চ-মানের তাত্ত্বিক গবেষণা পত্র যা সিস্টেমেটিকভাবে জালি বিকৃতির CoFeCrGa এসজিএস উপকরণের বৈশিষ্ট্যের উপর প্রভাব প্রক্রিয়া প্রকাশ করে, সম্পর্কিত ডিভাইসের ডিজাইন এবং প্রয়োগের জন্য গুরুত্বপূর্ণ তাত্ত্বিক নির্দেশনা প্রদান করে। গবেষণা পদ্ধতি কঠোর, ফলাফল বিশ্বাসযোগ্য, এবং গুরুত্বপূর্ণ একাডেমিক মূল্য এবং প্রয়োগ সম্ভাবনা রয়েছে।