2025-11-14T19:13:10.825865

AC Current-Driven Magnetization Switching and Nonlinear Hall Rectification in a Magnetic Topological Insulator

Kiyonaga, Mogi, Yoshimi et al.
Spin-orbit torque arising from the spin-orbit-coupled surface states of topological insulators enables current-induced control of magnetization with high efficiency. Here, alternating-current (AC) driven magnetization reversal is demonstrated in a semi-magnetic topological insulator (Cr,Bi,Sb)2Te3/(Bi,Sb)2Te3, facilitated by a low threshold current density of 1.5x10^9 A/m^2. Time-domain Hall voltage measurements using an oscilloscope reveal a strongly nonlinear and nonreciprocal Hall response during the magnetization reversal process. Fourier analysis of the time-varying Hall voltage identifies higher-harmonic signals and a rectified direct-current (DC) component, highlighting the complex interplay among the applied current, external magnetic field, and magnetization dynamics. Furthermore, a hysteretic behavior in the current-voltage characteristics gives rise to frequency mixing under dual-frequency excitation. This effect, distinct from conventional polynomial-based nonlinearities, allows for selective extraction of specific frequency components. The results demonstrate that AC excitation can not only switch magnetization efficiently but also induce tunable nonlinear responses, offering a new pathway for multifunctional spintronic devices with potential applications in energy-efficient memory, signal processing, and frequency conversion.
academic

এসি কারেন্ট-চালিত চুম্বকীকরণ স্যুইচিং এবং চৌম্বক টপোলজিক্যাল ইনসুলেটরে অরৈখিক হল সংশোধন

মৌলিক তথ্য

  • পেপার আইডি: 2504.10450
  • শিরোনাম: এসি কারেন্ট-চালিত চুম্বকীকরণ স্যুইচিং এবং চৌম্বক টপোলজিক্যাল ইনসুলেটরে অরৈখিক হল সংশোধন
  • লেখক: ইউটো কিয়োনাগা, মাসাতাকা মোগি, রিউতারো ইয়োশিমি, ইউকাকো ফুজিশিরো, ইউরি সুজুকি, ম্যাক্স টি. বার্চ, আতসুশি সুকাজাকি, মিনোরু কাওয়ামুরা, মাসাশি কাওয়াসাকি, ইয়োশিনোরি টোকুরা
  • শ্রেণীবিভাগ: cond-mat.mes-hall, cond-mat.mtrl-sci, physics.app-ph
  • প্রকাশনার সময়: ২০২৫ (প্রাক-প্রিন্ট)
  • পেপার লিঙ্ক: https://arxiv.org/abs/2504.10450

সারসংক্ষেপ

এই গবেষণায় আধা-চৌম্বক টপোলজিক্যাল ইনসুলেটর (Cr,Bi,Sb)₂Te₃/(Bi,Sb)₂Te₃-এ এসি কারেন্ট-চালিত চুম্বকীকরণ বিপর্যয় অর্জন করা হয়েছে, যেখানে প্রান্তিক কারেন্ট ঘনত্ব মাত্র ১.৫×১০⁹ A/m²। অসিলোস্কোপ দ্বারা পরিচালিত সময়-ডোমেইন হল ভোল্টেজ পরিমাপ চুম্বকীকরণ বিপর্যয় প্রক্রিয়ায় শক্তিশালী অরৈখিক এবং অ-পারস্পরিক হল প্রতিক্রিয়া প্রকাশ করেছে। সময়-পরিবর্তনশীল হল ভোল্টেজের ফুরিয়ার বিশ্লেষণ উচ্চ-ক্রম সুরেলা সংকেত এবং সংশোধিত ডিসি উপাদান চিহ্নিত করেছে, যা প্রয়োগকৃত কারেন্ট, বাহ্যিক চৌম্বক ক্ষেত্র এবং চুম্বকীকরণ গতিশীলতার মধ্যে জটিল মিথস্ক্রিয়া তুলে ধরেছে। অতিরিক্তভাবে, দ্বি-ফ্রিকোয়েন্সি উত্তেজনার অধীনে কারেন্ট-ভোল্টেজ বৈশিষ্ট্যে হিস্টেরেসিস আচরণ ফ্রিকোয়েন্সি মিশ্রণ প্রভাব উৎপন্ন করে, যা বহু-কার্যকরী স্পিন ইলেকট্রনিক্স ডিভাইসের জন্য নতুন পথ উন্মোচন করে।

গবেষণা পটভূমি এবং প্রেরণা

সমস্যা সংজ্ঞা

১. মূল সমস্যা: টপোলজিক্যাল ইনসুলেটরে এসি কারেন্ট-চালিত চুম্বকীকরণ গতিশীলতা এবং এর দ্বারা উৎপন্ন অরৈখিক হল প্রভাব অন্বেষণ করা २. প্রযুক্তিগত চ্যালেঞ্জ: ঐতিহ্যবাহী চুম্বকীকরণ ফ্লিপিং বড় কারেন্ট ঘনত্ব প্রয়োজন (১০¹⁰-१०¹¹ A/m²), যা গুরুতর জুল তাপীয় প্রভাব সৃষ্টি করে এবং অন্তর্নিহিত অরৈখিক সংকেত মুখোশ করে ३. বৈজ্ঞানিক তাৎপর্য: স্পিন-চার্জ সংযোগ দ্বারা উৎপন্ন অরৈখিক পরিবহন ঘটনা বোঝা, উন্নত স্পিন ইলেকট্রনিক্স কার্যকারিতার জন্য সম্ভাবনা উন্মোচন করা

গবেষণা প্রেরণা

१. শক্তি দক্ষতার প্রয়োজন: চুম্বকীকরণ নিয়ন্ত্রণের জন্য কম-শক্তি পদ্ধতি খুঁজে বের করা २. বহু-কার্যকারিতা: চুম্বকীকরণ ফ্লিপিং এবং অরৈখিক সংকেত প্রক্রিয়াকরণ উভয় কার্যকারিতা সহ ডিভাইস অন্বেষণ করা ३. মৌলিক পদার্থবিজ্ঞান: চুম্বকীকরণ গতিশীলতা প্রক্রিয়ায় অন্তর্নিহিত অরৈখিক হল প্রভাব গবেষণা করা

মূল অবদান

१. প্রথম বাস্তবায়ন: আধা-চৌম্বক টপোলজিক্যাল ইনসুলেটরে এসি কারেন্ট-চালিত ক্রমাগত চুম্বকীকরণ বিপর্যয় প্রদর্শন করা, প্রান্তিক কারেন্ট ঘনত্ব মাত্র १.५×१०⁹ A/m² २. সময়-ডোমেইন পরিমাপ প্রযুক্তি: রিয়েল-টাইম হল ভোল্টেজ পরিমাপ পদ্ধতি বিকাশ করা, চুম্বকীকরণ বিপর্যয় প্রক্রিয়া সরাসরি পর্যবেক্ষণ করা ३. অরৈখিক হল প্রভাব: চুম্বকীকরণ বিপর্যয়ের সাথে সম্পর্কিত শক্তিশালী অরৈখিক এবং হিস্টেরেসিস হল প্রতিক্রিয়া আবিষ্কার করা ४. ফ্রিকোয়েন্সি মিশ্রণ ঘটনা: চুম্বকীকরণ ফ্লিপিং হিস্টেরেসিস দ্বারা উৎপন্ন অ-প্রতিসম ফ্রিকোয়েন্সি মিশ্রণ প্রভাব প্রকাশ করা ५. বহু-কার্যকরী ডিভাইস ধারণা: চুম্বকীকরণ ফ্লিপিং, সংকেত প্রক্রিয়াকরণ এবং ফ্রিকোয়েন্সি রূপান্তর কার্যকারিতা একীভূত করার সম্ভাবনা প্রদর্শন করা

পদ্ধতি বিস্তারিত

পরীক্ষামূলক ডিজাইন

নমুনা প্রস্তুতি:

  • উপাদান: (Cr,Bi,Sb)₂Te₃/(Bi,Sb)₂Te₃ হেটেরোস্ট্রাকচার পাতলা ফিল্ম
  • সাবস্ট্রেট: InP(111)
  • প্রস্তুতি পদ্ধতি: আণবিক বিম এপিট্যাক্সি বৃদ্ধি
  • ডিভাইস কাঠামো: १० μm প্রশস্ত হল রড ডিভাইস

পরিমাপ ব্যবস্থা:

  • সময়-ডোমেইন পরিমাপ: অসিলোস্কোপ রিয়েল-টাইম হল ভোল্টেজ পর্যবেক্ষণ
  • কারেন্ট উৎস: Keithley 6221 এসি উত্তেজনা উৎপন্ন করে
  • পরিবেশ: PPMS সিস্টেম, তাপমাত্রা २.५ K
  • চৌম্বক ক্ষেত্র: ইন-প্লেন চৌম্বক ক্ষেত্র ०.०१-२ T

প্রযুক্তিগত উদ্ভাবন পয়েন্ট

१. রিয়েল-টাইম পর্যবেক্ষণ প্রযুক্তি:

  • একযোগে হল ভোল্টেজ V_H(t) এবং অনুদৈর্ঘ্য প্রতিরোধ R_xx পরিমাপ করা
  • অনুদৈর্ঘ্য প্রতিরোধ থার্মোমিটার হিসাবে কাজ করে, তাপীয় প্রভাব বাদ দেয়
  • পটভূমি সংকেত দূর করতে অ-প্রতিসম প্রক্রিয়াকরণ

२. বহু-ফ্রিকোয়েন্সি বিশ্লেষণ পদ্ধতি:

  • সময়-পরিবর্তনশীল হল ভোল্টেজ বিয়োজন করতে ফুরিয়ার রূপান্তর
  • পর্যায় বিলম্ব এবং হিস্টেরেসিস প্রতিক্রিয়া চিহ্নিত করা
  • দ্বি-ফ্রিকোয়েন্সি উত্তেজনা ফ্রিকোয়েন্সি মিশ্রণ প্রভাব গবেষণা করা

३. ভৌত প্রক্রিয়া বিশ্লেষণ:

  • স্পিন অরবিটাল টর্ক: τ⃗ × (σ⃗ × M⃗)
  • ড্যাম্পিং-লাইক SOT উল্লম্ব চুম্বকীকরণ ফ্লিপিং চালনা করে
  • অস্বাভাবিক হল প্রভাব চুম্বকীকরণ অবস্থা সনাক্ত করে

পরীক্ষামূলক সেটআপ

উপাদান পরামিতি

  • হল পরিবাহিতা: ~०.३ × e²/h (T=२.५K)
  • কিউরি তাপমাত্রা: T_C ~ ४० K
  • প্রতিরোধ মূল্য: অনুদৈর্ঘ্য প্রতিরোধ ~१० kΩ, হল প্রতিরোধ ~२ kΩ
  • চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি: উল্লম্ব চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি

পরিমাপ শর্তাবলী

  • তাপমাত্রা: २.५ K (T_C এর নিচে, তাপীয় প্রভাব এড়াতে)
  • ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা:११ Hz - १० kHz
  • কারেন্ট প্রশস্ততা: १४-५०० μA
  • চৌম্বক ক্ষেত্র কনফিগারেশন: ইন-প্লেন সহায়ক চৌম্বক ক্ষেত্র ०.०१-२ T

তুলনামূলক পরীক্ষা

१. পালস বনাম এসি: পালস কারেন্ট এবং এসি কারেন্টের চুম্বকীকরণ ফ্লিপিং প্রভাব তুলনা করা २. বিভিন্ন চৌম্বক ক্ষেত্র: ०.०१ T বনাম २ T ইন-প্লেন চৌম্বক ক্ষেত্রের প্রতিক্রিয়া পার্থক্য ३. ফ্রিকোয়েন্সি নির্ভরতা: একাধিক ফ্রিকোয়েন্সিতে প্রতিক্রিয়া বৈশিষ্ট্য ४. দ্বি-ফ্রিকোয়েন্সি উত্তেজনা: ३७ Hz + १२५ Hz ফ্রিকোয়েন্সি মিশ্রণ পরীক্ষা

পরীক্ষামূলক ফলাফল

প্রধান ফলাফল

१. এসি কারেন্ট-চালিত চুম্বকীকরণ বিপর্যয়:

  • প্রান্তিক কারেন্ট: ~१५० μA (१.५×१०⁹ A/m²)
  • ফ্লিপিং মেরুত্ব কারেন্ট এবং চৌম্বক ক্ষেত্র দিক পরিবর্তনের সাথে পরিবর্তিত হয়
  • হল প্রতিরোধ R_xy প্রান্তিক বিন্দুতে চিহ্ন বিপর্যয় ঘটায়

२. অরৈখিক হল প্রতিক্রিয়া:

  • কম কারেন্ট: প্রায় রৈখিক সম্পর্ক
  • উচ্চ কারেন্ট: প্রজাপতি-আকৃতির হিস্টেরেসিস লুপ
  • শক্তিশালী কারেন্ট অরৈখিকতা এবং পর্যায় বিলম্ব

३. চৌম্বক ক্ষেত্র নির্ভরতা:

  • ०.०१ T: সম্পূর্ণ চুম্বকীকরণ বিপর্যয়, উল্লেখযোগ্য হিস্টেরেসিস
  • २ T: চুম্বকীকরণ ঝোঁক, হিস্টেরেসিস-মুক্ত সংশোধন প্রতিক্রিয়া

ফুরিয়ার বিশ্লেষণ ফলাফল

ফ্রিকোয়েন্সি বিয়োজন:

V_H(t) = V_H^(0) + V'_H^(1)sin(ωt) + V''_H^(1)cos(ωt) + 
         V'_H^(2)cos(2ωt) + V''_H^(2)sin(2ωt) + ...

মূল আবিষ্কার:

  • শক্তিশালী দ্বিতীয় সুরেলা V'_H^(2) উপাদান
  • শুধুমাত্র ०.०१ T-এ পর্যায় অফসেট উপাদান V''_H^(n) উপস্থিত
  • ডিসি উপাদান V_H^(0) সংশোধন প্রভাব প্রতিফলিত করে

ফ্রিকোয়েন্সি মিশ্রণ পরীক্ষা

দ্বি-ফ্রিকোয়েন্সি উত্তেজনা (f₁=३७ Hz, f₂=१२५ Hz):

  • কম চৌম্বক ক্ষেত্র (०.०१ T): f₁+f₂ উপাদান >> |f₁-f₂| উপাদান
  • উচ্চ চৌম্বক ক্ষেত্র (२ T): f₁+f₂ উপাদান ≈ |f₁-f₂| উপাদান
  • ভৌত প্রক্রিয়া: হিস্টেরেসিস প্রান্তিক বহুপদী অরৈখিকতার প্রতিসাম্য ভেঙে দেয়

সংখ্যাসূচক সিমুলেশন যাচাইকরণ

  • সরলীকৃত প্রান্তিক মডেল পরীক্ষামূলক পর্যবেক্ষণ পুনরুৎপাদন করে
  • I_th = १५० μA: অ-প্রতিসম ফ্রিকোয়েন্সি মিশ্রণ
  • I_th = ० μA: প্রতিসম ফ্রিকোয়েন্সি মিশ্রণ

সম্পর্কিত কাজ

টপোলজিক্যাল ইনসুলেটর স্পিন ইলেকট্রনিক্স

१. স্পিন অরবিটাল টর্ক: TI পৃষ্ঠ অবস্থার দক্ষ স্পিন-চার্জ রূপান্তর २. চুম্বকীকরণ বিপর্যয়: TI/ফেরোম্যাগনেটিক হেটেরোস্ট্রাকচারে কম-শক্তি বিপর্যয় ३. অস্বাভাবিক হল প্রভাব: চৌম্বক TI-তে বড় অস্বাভাবিক হল পরিবাহিতা

অরৈখিক হল প্রভাব

१. দ্বিতীয় সুরেলা সনাক্তকরণ: চুম্বকীকরণ দোলনের সাধারণ অনুসন্ধান পদ্ধতি २. তাপবিদ্যুৎ প্রভাব: নার্নস্ট প্রভাব এবং স্পিন Seebeck প্রভাবের হস্তক্ষেপ ३. সময়-ডোমেইন পরিমাপ: অতি-দ্রুত চুম্বকীকরণ বিপর্যয় এবং ডোমেইন প্রাচীর গতিবিধি গবেষণা

ফ্রিকোয়েন্সি মিশ্রণ প্রযুক্তি

१. ঐতিহ্যবাহী অরৈখিকতা: বহুপদী সম্প্রসারণের উপর ভিত্তি করে ফ্রিকোয়েন্সি রূপান্তর २. প্রান্তিক অরৈখিকতা: স্যুইচ আচরণ দ্বারা উৎপন্ন অ-প্রতিসম প্রতিক্রিয়া ३. প্রয়োগ সম্ভাবনা: সংকেত প্রক্রিয়াকরণ এবং ফ্রিকোয়েন্সি নির্বাচন

উপসংহার এবং আলোচনা

প্রধান উপসংহার

१. উচ্চ-দক্ষ চুম্বকীকরণ নিয়ন্ত্রণ: অতি-কম প্রান্তিক কারেন্ট ঘনত্বের এসি চুম্বকীকরণ বিপর্যয় অর্জন করা २. সমৃদ্ধ অরৈখিক ঘটনা: চুম্বকীকরণ গতিশীলতার সাথে সম্পর্কিত বিভিন্ন অরৈখিক প্রতিক্রিয়া আবিষ্কার করা ३. নিয়ন্ত্রণযোগ্য বৈশিষ্ট্য: চৌম্বক ক্ষেত্র শক্তির মাধ্যমে হিস্টেরেসিস আচরণের উপস্থিতি নিয়ন্ত্রণ করা ४. নতুন ফ্রিকোয়েন্সি মিশ্রণ: প্রান্তিক অরৈখিকতার উপর ভিত্তি করে অ-প্রতিসম ফ্রিকোয়েন্সি রূপান্তর

ভৌত প্রক্রিয়া বোঝা

স্পিন অরবিটাল টর্ক প্রক্রিয়া:

  • TI পৃষ্ঠ অবস্থায় ইলেকট্রন স্পিন এবং গতিবেগ লক করা
  • কারেন্ট কারেন্ট দিকের লম্ব স্পিন পোলারাইজেশন উৎপন্ন করে
  • ড্যাম্পিং-লাইক SOT উল্লম্ব চুম্বকীকরণকে কারেন্ট দিকে ঝুঁকায়

অরৈখিক প্রতিক্রিয়ার উৎস: १. অন্তর্নিহিত প্রক্রিয়া: চুম্বকীকরণ গতিশীলতা এবং প্রান্তিক বিপর্যয় २. বাহ্যিক প্রভাব: তাপবিদ্যুৎ প্রভাব এবং ম্যাগনন বিক্ষিপ্তকরণ ३. প্রধান কারণ: হিস্টেরেসিস আচরণ চুম্বকীকরণ গতিশীলতাকে প্রধান কারণ হিসাবে নিশ্চিত করে

সীমাবদ্ধতা

१. তাপমাত্রা সীমাবদ্ধতা: পরীক্ষা শুধুমাত্র २.५ K-এ পরিচালিত হয়েছে, কক্ষ-তাপমাত্রা অপারেশনের জন্য উচ্চ T_C উপাদান প্রয়োজন २. ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা: উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্স পরিমাপ নির্ভুলতা প্রভাবিত করে ३. তাপীয় প্রভাব বিচ্ছিন্নকরণ: বিভিন্ন অরৈখিক অবদানের সম্পূর্ণ পরিমাণগত বিচ্ছিন্নকরণ এখনও চ্যালেঞ্জিং ४. ডিভাইস অপ্টিমাইজেশন: উপাদান এবং কাঠামো পরামিতি আরও অপ্টিমাইজ করার প্রয়োজন

ভবিষ্যত দিকনির্দেশনা

१. কক্ষ-তাপমাত্রা ডিভাইস: উচ্চ কিউরি তাপমাত্রার চৌম্বক TI উপাদান বিকাশ করা २. উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি প্রয়োগ: পরিমাপ সার্কিট উন্নত করা, ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা প্রসারিত করা ३. নিউরোমরফিক কম্পিউটিং: অরৈখিকতা এবং স্মৃতি বৈশিষ্ট্য ব্যবহার করে সংরক্ষণ পুল কম্পিউটিং নির্মাণ করা ४. একীভূত ডিভাইস: বহু-কার্যকরী স্পিন ইলেকট্রনিক্স ডিভাইসের ডিজাইন এবং প্রস্তুতি

গভীর মূল্যায়ন

সুবিধা

१. প্রযুক্তিগত উদ্ভাবন:

  • TI-তে এসি-চালিত চুম্বকীকরণ গতিশীলতার প্রথম সিস্টেমেটিক গবেষণা
  • উদ্ভাবনী রিয়েল-টাইম পরিমাপ এবং বিশ্লেষণ পদ্ধতি
  • নতুন অরৈখিক ভৌত ঘটনা আবিষ্কার

२. পরীক্ষামূলক ডিজাইন:

  • তাপীয় প্রভাব বাদ দিতে কঠোর তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ
  • বহু-মাত্রিক তুলনামূলক পরীক্ষা প্রক্রিয়া যাচাই করে
  • সংখ্যাসূচক সিমুলেশন পরীক্ষামূলক পর্যবেক্ষণ সমর্থন করে

३. বৈজ্ঞানিক মূল্য:

  • স্পিন-চার্জ সংযোগের বোঝাপড়া গভীর করা
  • বহু-কার্যকরী ডিভাইসের জন্য ভৌত ভিত্তি প্রদান করা
  • মৌলিক পদার্থবিজ্ঞান এবং প্রয়োগ চাহিদা সংযোগ করা

অপূর্ণতা

१. তাপমাত্রা সীমাবদ্ধতা: কম-তাপমাত্রা পরীক্ষা ব্যবহারিকতা সীমিত করে २. উপাদান বিশেষত্ব: ফলাফল নির্দিষ্ট TI উপাদান সিস্টেমে সীমাবদ্ধ হতে পারে ३. পরিমাণগত বিশ্লেষণ: বিভিন্ন অরৈখিক অবদানের পরিমাণগত বিচ্ছিন্নকরণ সম্পূর্ণ করা প্রয়োজন ४. ডিভাইস প্রকৌশল: পরীক্ষাগার প্রদর্শন থেকে ব্যবহারিক ডিভাইসে এখনও দূরত্ব রয়েছে

প্রভাব মূল্যায়ন

একাডেমিক প্রভাব:

  • TI অরৈখিক স্পিন ইলেকট্রনিক্সের নতুন দিক উন্মোচন করা
  • সম্পর্কিত তত্ত্ব উন্নয়নের জন্য পরীক্ষামূলক ভিত্তি প্রদান করা
  • সময়-ডোমেইন পরিমাপ প্রযুক্তি উন্নয়ন চালনা করা

প্রয়োগ সম্ভাবনা:

  • কম-শক্তি চৌম্বক স্মৃতি
  • স্পিন ইলেকট্রনিক্স সংকেত প্রসেসর
  • নিউরোমরফিক কম্পিউটিং উপাদান
  • ফ্রিকোয়েন্সি রূপান্তর এবং সংশোধন ডিভাইস

প্রযোজ্য দৃশ্য

१. মৌলিক গবেষণা: চুম্বকীকরণ গতিশীলতা এবং অরৈখিক পরিবহন প্রক্রিয়া গবেষণা २. ডিভাইস উন্নয়ন: বহু-কার্যকরী স্পিন ইলেকট্রনিক্স ডিভাইস প্রোটোটাইপ ३. প্রযুক্তিগত প্রয়োগ: কম-শক্তি সুইচ, সংকেত প্রক্রিয়াকরণ, নিউরাল নেটওয়ার্ক হার্ডওয়্যার ४. পদ্ধতিবিদ্যা: অন্যান্য চৌম্বক উপাদানের অনুরূপ গবেষণার জন্য উদাহরণ প্রদান করা

তথ্যসূত্র

পেপারটি ४३টি গুরুত্বপূর্ণ তথ্যসূত্র উদ্ধৃত করেছে, যা অন্তর্ভুক্ত করে:

  • স্পিন স্থানান্তর টর্ক এবং স্পিন অরবিটাল টর্ক মৌলিক তত্ত্ব १-३
  • টপোলজিক্যাল ইনসুলেটর চৌম্বকত্ব এবং পরিবহন বৈশিষ্ট্য २०,२४,२५
  • অরৈখিক হল প্রভাব এবং সময়-ডোমেইন পরিমাপ প্রযুক্তি १२,१६-१९
  • ফ্রিকোয়েন্সি মিশ্রণ এবং নিউরোমরফিক কম্পিউটিং প্রয়োগ २७,३४-३९

সারসংক্ষেপ: এই গবেষণা আধা-চৌম্বক টপোলজিক্যাল ইনসুলেটরে সমৃদ্ধ এসি কারেন্ট-চালিত চুম্বকীকরণ গতিশীলতা ঘটনা এবং সম্পর্কিত অরৈখিক হল প্রভাব আবিষ্কার করেছে, যা একাধিক কার্যকারিতা একীভূত করে এমন নতুন স্পিন ইলেকট্রনিক্স ডিভাইস বিকাশের জন্য গুরুত্বপূর্ণ ভৌত ভিত্তি এবং প্রযুক্তিগত পথ প্রদান করেছে। যদিও বর্তমানে শুধুমাত্র কম তাপমাত্রায় যাচাই করা হয়েছে, এর প্রকাশিত ভৌত প্রক্রিয়া এবং ডিভাইস ধারণা উল্লেখযোগ্য বৈজ্ঞানিক মূল্য এবং প্রয়োগ সম্ভাবনা রাখে।