2025-11-15T18:13:12.061642

Engineering Quantum Wire States for Atom Scale Circuitry

Yuan, Livadaru, Achal et al.

Recent advances in hydrogen lithography on silicon surfaces now enable the fabrication of complex and error-free atom-scale circuitry. The structure of atomic wires, the most basic and common circuit elements, plays a crucial role at this scale, as the exact position of each atom matters. As such, the characterization of atomic wire geometries is critical for identifying the most effective configurations. In this study, we employed low-temperature (4.5 K) scanning tunneling microscopy (STM) and spectroscopy (STS) to systematically fabricate and characterize six planar wire configurations made up of silicon dangling bonds (DBs) on the H-Si(100) surface. Crucially, the characterization was performed at the same location and under identical tip conditions, thereby eliminating artifacts due to the local environment to reveal true electronic differences among the line configurations. By performing dI/dV line spectroscopy on each wire, we reveal their local density of states (LDOS) and demonstrate how small variations in wire geometry affect orbital hybridization and induce the emergence of new electronic states. Complementarily, we deploy density functional theory (DFT) and non-equilibrium Green's functions to compute the LDOS and evaluate transmission coefficients for the most promising wire geometries. Our results indicate that dimer and wider wires exhibit multiple discrete mid-gap electronic states which could be exploited for signal transport or as custom quantum dots. Furthermore, wider wires benefit from additional current pathways and exhibit increased transmission, while also demonstrating enhanced immunity to hydrogen defects.

academic

পরমাণু স্কেল সার্কিটরির জন্য কোয়ান্টাম তার অবস্থা প্রকৌশল

মৌলিক তথ্য

পেপার আইডি: 2507.02123
শিরোনাম: Engineering Quantum Wire States for Atom Scale Circuitry
লেখক: Max Yuan, Lucian Livadaru, Roshan Achal, Jason Pitters, Furkan Altincicek, Robert Wolkow
শ্রেণীবিভাগ: cond-mat.mtrl-sci cond-mat.mes-hall
প্রকাশনা সময়: ২০২৫
পেপার লিংক: https://arxiv.org/abs/2507.02123

সারসংক্ষেপ

এই গবেষণা হাইড্রোজেন খোদাই প্রযুক্তি ব্যবহার করে সিলিকন পৃষ্ঠে জটিল এবং ত্রুটিমুক্ত পরমাণু-স্তরের সার্কিট প্রস্তুত করে। গবেষণা দল নিম্ন তাপমাত্রায় (৪.৫ কে) স্ক্যানিং টানেলিং মাইক্রোস্কোপি (STM) এবং স্ক্যানিং টানেলিং স্পেকট্রোস্কোপি (STS) ব্যবহার করে সিলিকন ড্যাঙ্গলিং বন্ড (DB) দ্বারা গঠিত ছয়টি সমতল তার কনফিগারেশন পদ্ধতিগতভাবে প্রস্তুত এবং চিহ্নিত করেছে। একই অবস্থান এবং একই সুই অবস্থার অধীনে চিহ্নিতকরণের মাধ্যমে, স্থানীয় পরিবেশের প্রভাব দূর করে বিভিন্ন তার কনফিগারেশনের প্রকৃত ইলেকট্রনিক পার্থক্য প্রকাশ করা হয়েছে। গবেষণা ফলাফল দেখায় যে ডাইমার এবং আরও প্রশস্ত তারগুলি একাধিক বিচ্ছিন্ন ব্যান্ডগ্যাপ ইলেকট্রনিক অবস্থা প্রদর্শন করে, যা সংকেত প্রেরণের জন্য বা কাস্টমাইজড কোয়ান্টাম ডট হিসাবে ব্যবহার করা যায়।

গবেষণা পটভূমি এবং প্রেরণা

সমস্যার পটভূমি

১. CMOS প্রযুক্তির বাধা: প্রথাগত CMOS ডিভাইসগুলি ভৌত সীমার কাছাকাছি পৌঁছাচ্ছে, শক্তি ঘনত্ব স্কেলিং ব্যর্থতা কর্মক্ষমতা বৃদ্ধি সীমিত করছে २. পরমাণু-স্তরের সার্কিট চাহিদা: CMOS অতিক্রম করে সম্পূর্ণ সিলিকন সমাধান বিকাশের প্রয়োজন, দ্রুত এবং কম শক্তি খরচের ডিভাইস উপলব্ধি করতে ३. পরমাণু তার চ্যালেঞ্জ: পরমাণু-স্তরের তারগুলি সার্কিটের মৌলিক উপাদান, কিন্তু পরমাণু স্কেলে, প্রতিটি পরমাণুর সঠিক অবস্থান অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ

গবেষণা প্রেরণা

প্রথাগত ধাতব আন্তঃসংযোগ পরমাণু স্কেলে পরমাণু নির্ভুলতা অর্জন করতে পারে না
বিদ্যমান ডোপড তারগুলি স্থানীয় সম্প্রসারণে খুব বড়, ঘন পরমাণু সার্কিটের জন্য অনুপযুক্ত
পরমাণু সার্কিটের ইনপুট/আউটপুটের সাথে মেলাতে অত্যন্ত স্থানীয়ভাবে সীমাবদ্ধ তারের প্রয়োজন

মূল অবদান

१. পদ্ধতিগত জ্যামিতি চিহ্নিতকরণ: একই অবস্থান এবং একই সুই অবস্থার অধীনে ছয়টি ভিন্ন DB তার জ্যামিতি কনফিগারেশন প্রথমবার পদ্ধতিগতভাবে চিহ্নিত করা २. ইলেকট্রনিক অবস্থা প্রকৌশল: তার জ্যামিতি পরিবর্তন কীভাবে কক্ষীয় হাইব্রিডাইজেশনকে প্রভাবিত করে এবং নতুন ইলেকট্রনিক অবস্থার উদ্ভব ঘটায় তা প্রকাশ করা ३. ট্রান্সমিশন সহগ গণনা: DFT এবং অ-সমতুল্য গ্রীন ফাংশন (NEGF) ব্যবহার করে সবচেয়ে প্রতিশ্রুতিশীল তার জ্যামিতির ট্রান্সমিশন সহগ গণনা করা ४. ত্রুটি প্রতিরোধ বিশ্লেষণ: প্রশস্ত তারগুলি শক্তিশালী হাইড্রোজেন ত্রুটি প্রতিরোধ এবং একাধিক বর্তমান চ্যানেল প্রদর্শন করে তা প্রমাণ করা ५. ব্যবহারিকতা মূল্যায়ন: ট্রান্সমিশন এবং কোয়ান্টাম ডট প্রয়োগের জন্য তার জ্যামিতি নির্বাচনের নির্দেশনা প্রদান করা

পদ্ধতি বিস্তারিত

পরীক্ষামূলক ডিজাইন

হাইড্রোজেন খোদাই প্রযুক্তি (Hydrogen Lithography):

অতি-তীক্ষ্ণ STM সুই ব্যবহার করে নির্বাচনীভাবে H পরমাণু অপসারণ করা
ইনজেকশন কারেন্টের মাধ্যমে (১.৯-२.३ V, ५० ms পালস) সিলিকন ড্যাঙ্গলিং বন্ড উন্মোচন করা
ত্রুটিপূর্ণ DB হাইড্রোজেন কার্যকরী সুই দ্বারা মুছে ফেলা যায়

চিহ্নিতকরণ পদ্ধতি:

४.५ K নিম্ন তাপমাত্রায় STM/STS পরিমাপ
dI/dV স্পেকট্রোস্কোপি স্থানীয় অবস্থা ঘনত্ব (LDOS) প্রকাশ করা
ধ্রুবক উচ্চ dI/dV ইমেজিং নির্দিষ্ট শক্তিতে ইলেকট্রনিক বিতরণ দেখায়

তাত্ত্বিক গণনা

DFT গণনা:

AMS2024 প্রোগ্রাম এবং GGA (PBE) বিনিময় সম্পর্কিত কার্যকারিতা ব্যবহার করা
সীমিত আকারের সিলিকন ন্যানোক্রিস্টাল মডেল (Si308H246)
উচ্চ নির্ভুলতা গণনার জন্য পর্যায়ক্রমিক স্ল্যাব মডেল (Si672H228)

কোয়ান্টাম ট্রান্সপোর্ট গণনা:

শূন্য পক্ষপাত ভোল্টেজের কাছাকাছি ট্রান্সমিশন সহগ গণনা করতে NEGF-DFT পদ্ধতি
রূপালী ইলেকট্রোড যোগাযোগের সাথে সিলিকন ন্যানোক্লাস্টার মডেল
ব্যালিস্টিক ট্রান্সপোর্ট বৈশিষ্ট্য এবং ত্রুটি প্রভাব মূল্যায়ন করা

তার জ্যামিতি প্রকার

ছয়টি তার কনফিগারেশন অধ্যয়ন করা হয়েছে: १. একক পরমাণু প্রশস্ত সরল তার २. করাত-দাঁত আকৃতির তার ३. ডাইমার তার ४. २H ফাঁক সহ ডাইমার তার ५. ডাইমার + একক পরমাণু প্রশস্ত তার ६. দ্বিগুণ ডাইমার তার

পরীক্ষামূলক সেটআপ

নমুনা প্রস্তুতি

উচ্চ আর্সেনিক ডোপড n-টাইপ Si(100), প্রতিরোধ্যতা ০.००३-०.००५ Ω·cm
१२५०°C ফ্ল্যাশ অ্যানিলিং অক্সাইড স্তর অপসারণ এবং পুনঃস্ফটিকীকরণের জন্য
হাইড্রোজেন পরিবেশে পরিষ্কার H-Si(100) পৃষ্ঠ প্রস্তুতি
DB তারগুলিকে দাতা ব্যান্ড থেকে বিচ্ছিন্ন করতে নিকটবর্তী পৃষ্ঠ ডোপিং ক্ষয় অঞ্চল তৈরি করা

পরিমাপ শর্তাবলী

Scienta Omicron LT STM সিস্টেম, ४.५ K অপারেটিং তাপমাত্রা
অতি-উচ্চ শূন্যতা অবস্থা: २.५×१०⁻¹¹ Torr
একীভূত সুই সেটপয়েন্ট: १.८ V, ५० pA (H-Si এ)
লক-ইন অ্যামপ্লিফায়ার: ७०० Hz, २५ mV মডুলেশন ভোল্টেজ

চিহ্নিতকরণ প্রোটোকল

প্রতিটি তারের জন্য १०० স্পেকট্রা সংগ্রহ করা, २D LDOS ম্যাপে একত্রিত করা
সুই অবস্থা সামঞ্জস্য পর্যবেক্ষণের জন্য রেফারেন্স DB
সুই ড্রিফট হ্রাস করতে १५ মিনিটের মধ্যে ধ্রুবক উচ্চ পরিমাপ সীমাবদ্ধ করা

পরীক্ষামূলক ফলাফল

একক DB বেঞ্চমার্ক

-१.५० V এ উল্লেখযোগ্য চার্জ ট্রানজিশন শিখর প্রদর্শন করা
প্রকাশ্য ব্যান্ডগ্যাপ २.५८ eV (সুই-প্ররোচিত ব্যান্ড বেন্ডিং কারণে)
চার্জ অবস্থা সুই পক্ষপাত ভোল্টেজের উপর নির্ভরশীল: নেতিবাচক অবস্থা (-१.८० V), ইতিবাচক অবস্থা (-१.३० V)

তার কর্মক্ষমতা তুলনা

তার প্রকার	HOMO (V)	LUMO (V)	ব্যান্ডগ্যাপ (eV)	ট্রান্সমিশন রেটিং
একক পরমাণু প্রশস্ত	-१.३५	०.६०	१.९१	দুর্বল
করাত-দাঁত আকৃতি	-	-	२.५५	দুর্বল
ডাইমার	-१.५०	०.३०	१.८०	ভাল
ত্রুটিযুক্ত ডাইমার	-१.५०	०.२३	१.७३	মধ্যম
দ্বিগুণ ডাইমার	-१.९०	०.१५	१.६७	সর্বোত্তম

ট্রান্সমিশন গণনা ফলাফল

শূন্য পক্ষপাত ট্রান্সমিশন সহগ:

४ দৈর্ঘ্যের একক ডাইমার তার: T ≈ ०.६७
८ দৈর্ঘ্যের একক ডাইমার তার: T ≈ ०.७१ (ব্যালিস্টিক ট্রান্সপোর্ট)
४ দৈর্ঘ্যের দ্বিগুণ ডাইমার তার: T ≈ १.४८ (প্রায় রৈখিক স্কেলিং)
८ দৈর্ঘ্যের দ্বিগুণ ডাইমার তার: T ≈ १.३२

ত্রুটি প্রতিরোধ:

४ দৈর্ঘ্যের তারে २H ত্রুটি প্রবর্তন: ট্রান্সমিশন ক্ষতি ८२%
८ দৈর্ঘ্যের তারে २H ত্রুটি প্রবর্তন: ট্রান্সমিশন ক্ষতি মাত্র २४%

মূল আবিষ্কার

१. ডাইমার সুবিধা: π বন্ধন মিথস্ক্রিয়া বহু-ডাইমার সম্মিলিত অবস্থা গঠন করে, উল্লেখযোগ্য স্থানীয়করণ অর্জন করে २. প্রস্থ প্রভাব: দ্বিগুণ ডাইমার তারগুলি অনুপ্রস্থ সংযোগ প্রদর্শন করে, ডাইমার সারি জুড়ে সংকেত প্রচার সমর্থন করে ३. যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা: প্রশস্ত তারগুলি গতিশীল ডাইমার বাঁকানো হ্রাস করে, আরও স্পষ্ট ব্যান্ডগ্যাপ অবস্থা প্রদান করে ४. অবস্থা ঘনত্ব: প্রশস্ত তারগুলি আরও সমৃদ্ধ বিচ্ছিন্ন ব্যান্ডগ্যাপ শক্তি স্তর বর্ণালী প্রদর্শন করে

উপসংহার এবং আলোচনা

প্রধান উপসংহার

१. সর্বোত্তম জ্যামিতি: ডাইমার এবং দ্বিগুণ ডাইমার তারগুলি সবচেয়ে প্রতিশ্রুতিশীল পরমাণু তার প্রার্থী २. ট্রান্সমিশন বৈশিষ্ট্য: প্রশস্ত তারগুলি একাধিক বর্তমান চ্যানেল প্রদান করে, ট্রান্সমিশন সহগ প্রায় রৈখিকভাবে স্কেল করে ३. ত্রুটি প্রতিরোধ: দীর্ঘ তারগুলি এবং প্রশস্ত তারগুলি হাইড্রোজেন ত্রুটির প্রতি আরও শক্তিশালী ४. প্রয়োগ সম্ভাবনা: বিচ্ছিন্ন ব্যান্ডগ্যাপ অবস্থা সংকেত প্রেরণের জন্য বা কাস্টমাইজড কোয়ান্টাম ডট হিসাবে ব্যবহার করা যায়

সীমাবদ্ধতা

१. এনক্যাপসুলেশন চ্যালেঞ্জ: শূন্যতার বাইরে পৃষ্ঠ দূষণ সমস্যা সমাধানের প্রয়োজন २. ম্যাক্রোস্কোপিক সংযোগ: ম্যাক্রোস্কোপিক ইলেকট্রোড এবং পরমাণু সার্কিটের নির্ভরযোগ্য সংযোগ পরিকল্পনার অভাব ३. তাপমাত্রা সীমাবদ্ধতা: বর্তমান গবেষণা প্রধানত নিম্ন তাপমাত্রায় পরিচালিত হয় ४. গণনা সীমাবদ্ধতা: ট্রান্সমিশন গণনা তুলনামূলকভাবে ছোট তারগুলিতে সীমাবদ্ধ

ভবিষ্যত দিকনির্দেশনা

१. এনক্যাপসুলেশন প্রযুক্তি: ওয়েফার বন্ধন সুরক্ষা বা মাইক্রোম্যাচিনড শূন্যতা চেম্বার २. ইলেকট্রোড সংযোগ: ধাতব সিলিসাইড জমা বা ডোপড ইনজেকশন লিড ३. মাল্টি-প্রোব পরিমাপ: তার ট্রান্সমিশন বৈশিষ্ট্যের সরাসরি মূল্যায়ন ४. ডিভাইস একীকরণ: সম্পূর্ণ DB ডিভাইসের প্রস্তুতি এবং পরীক্ষা

গভীর মূল্যায়ন

শক্তি

१. কঠোর পরীক্ষামূলক ডিজাইন: একই অবস্থান একই সুই অবস্থার অধীনে তুলনা পদ্ধতিগত ত্রুটি দূর করে २. তাত্ত্বিক পরীক্ষামূলক সমন্বয়: DFT এবং NEGF গণনা পরীক্ষামূলক পর্যবেক্ষণকে ভালভাবে সমর্থন করে ३. পদ্ধতিগত গবেষণা: বিভিন্ন DB তার জ্যামিতি কনফিগারেশনের প্রথম পদ্ধতিগত তুলনা ४. উচ্চ ব্যবহারিক মূল্য: পরমাণু সার্কিট ডিজাইনের জন্য নির্দিষ্ট নির্দেশনা প্রদান করে ५. উন্নত প্রযুক্তি: জটিল ত্রুটিমুক্ত পরমাণু সার্কিট প্রস্তুতির ক্ষমতা প্রদর্শন করে

অপূর্ণতা

१. প্রয়োগ সীমাবদ্ধতা: বর্তমানে শূন্যতা নিম্ন তাপমাত্রা পরিবেশে সীমাবদ্ধ २. স্কেল সীমাবদ্ধতা: ট্রান্সমিশন গণনা গণনা সম্পদ দ্বারা সীমাবদ্ধ, তার দৈর্ঘ্য সীমিত ३. ত্রুটি প্রকার: শুধুমাত্র হাইড্রোজেন ত্রুটি বিবেচনা করা হয়েছে, অন্যান্য প্রকার ত্রুটি অন্তর্ভুক্ত নয় ४. দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীলতা: দীর্ঘ সময়ের স্থিতিশীলতা ডেটার অভাব

প্রভাব

१. শৃঙ্খলা অবদান: পরমাণু-স্তরের ইলেকট্রনিক্সের জন্য গুরুত্বপূর্ণ মৌলিক ডেটা প্রদান করে २. প্রযুক্তি অগ্রগতি: CMOS অতিক্রম করে পরমাণু সার্কিট প্রযুক্তি বিকাশ চালিত করে ३. পদ্ধতি উদ্ভাবন: পরমাণু তার চিহ্নিতকরণের মান পদ্ধতি প্রতিষ্ঠা করে ४. প্রয়োগ সম্ভাবনা: কোয়ান্টাম কম্পিউটিং এবং কম শক্তি খরচ ইলেকট্রনিক্সের জন্য নতুন পথ খুলে দেয়

প্রযোজ্য দৃশ্যকল্প

१. কোয়ান্টাম ডিভাইস: কোয়ান্টাম ডট, একক ইলেকট্রন ট্রানজিস্টর প্রস্তুতি २. কম শক্তি খরচ সার্কিট: অতি-কম শক্তি খরচ যুক্তি ডিভাইস ३. পরমাণু সংরক্ষণ: উচ্চ ঘনত্ব পরমাণু-স্তরের ডেটা সংরক্ষণ ४. সেন্সর: পরমাণু-স্তরের সেন্সর এবং সনাক্তকারী

তথ্যসূত্র

१. Huff, T. et al. Binary atomic silicon logic. Nat. Electron. 1, 636–643 (2018). २. Achal, R. et al. Lithography for robust and editable atomic-scale silicon devices and memories. Nat. Commun. 9, (2018). ३. Engelund, M. et al. Search for a metallic dangling-bond wire on n-doped H-passivated semiconductor surfaces. J. Phys. Chem. C 120, 20303–20309 (2016). ४. Kepenekian, M. et al. Surface-state engineering for interconnects on H-passivated Si(100). Nano Lett. 13, 1192–1195 (2013). ५. Naydenov, B. & Boland, J. J. Engineering the electronic structure of surface dangling bond nanowires of different size and dimensionality. Nanotechnology 24, (2013).

এই গবেষণা পরমাণু-স্তরের সার্কিট ডিজাইনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ তাত্ত্বিক এবং পরীক্ষামূলক ভিত্তি প্রদান করে, বিশেষত তার জ্যামিতি অপ্টিমাইজেশনে যুগান্তকারী অগ্রগতি অর্জন করেছে। যদিও বর্তমানে ব্যবহারিক প্রয়োগে এখনও চ্যালেঞ্জ রয়েছে, তবে এটি ভবিষ্যতের পরমাণু ইলেকট্রনিক্স বিকাশের দিকনির্দেশনা নির্দেশ করে।