2025-11-17T15:07:13.373257

Room-temperature magnetic semiconductor with superhigh hole mobility and ferrotoroidicity

Qi, Xiong, Ma et al.

The design and fabrication of room-temperature magnetic semiconductors are recognized worldwide as a great challenge, and of both theoretical and practical importance in the field of spintronics. Compared with diluted magnetic semiconductors, intrinsic room-temperature magnetic semiconductors have rarely been developed. Reported herein is a magnetic semiconductor film formed by supramolecular self-assembly based on uranyl and cyclodextrin, with the Curie temperature above room temperature. The electrical measurements show that the film exhibits typical p-type semiconductor characteristics with a superhigh carrier mobility of 3200 cm2V-1s-1, which can help achieve an excellent match with the n-type semiconductor. The room-temperature magnetic semiconductor with superhigh hole mobility can be attributed to the formation of ferrotoroidicity and the highly ordered transport channel. This work paves the way for the application of ferrotoroidic materials in sensing, information storage as well as flexible electronics.

academic

কক্ষ তাপমাত্রায় চৌম্বক অর্ধপরিবাহী যা অতি উচ্চ ছিদ্র গতিশীলতা এবং ফেরোটোরয়েডিসিটি প্রদর্শন করে

মৌলিক তথ্য

পত্র আইডি: 2510.09327
শিরোনাম: কক্ষ তাপমাত্রায় চৌম্বক অর্ধপরিবাহী যা অতি উচ্চ ছিদ্র গতিশীলতা এবং ফেরোটোরয়েডিসিটি প্রদর্শন করে
লেখক: জিয়ানিউয়ান কি, শিজি জিয়ং, বেইনিং মা, জিংহাই শেন (বেইজিং বিশ্ববিদ্যালয়)
শ্রেণীবিভাগ: cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other physics.chem-ph
প্রতিষ্ঠান: বেইজিং বিশ্ববিদ্যালয় রসায়ন ও আণবিক প্রকৌশল কলেজ, প্রয়োগিত পদার্থবিজ্ঞান ও প্রযুক্তি গবেষণা কেন্দ্র
পত্র লিংক: https://arxiv.org/abs/2510.09327

সারসংক্ষেপ

কক্ষ তাপমাত্রায় চৌম্বক অর্ধপরিবাহীর ডিজাইন এবং প্রস্তুতি বিশ্বব্যাপী একটি প্রধান চ্যালেঞ্জ হিসাবে স্বীকৃত, যা স্পিন ইলেকট্রনিক্স ক্ষেত্রে গুরুত্বপূর্ণ তাত্ত্বিক এবং ব্যবহারিক মূল্য রাখে। বিরল চৌম্বক অর্ধপরিবাহীর তুলনায়, অন্তর্নিহিত কক্ষ তাপমাত্রা চৌম্বক অর্ধপরিবাহীর উন্নয়ন অত্যন্ত বিরল। এই পত্রটি ইউরানিল এবং সাইক্লোডেক্সট্রিন সুপারমলিকুলার স্ব-সমাবেশের উপর ভিত্তি করে গঠিত একটি চৌম্বক অর্ধপরিবাহী পাতলা স্তর রিপোর্ট করে, যার কিউরি তাপমাত্রা কক্ষ তাপমাত্রার উপরে। বৈদ্যুতিক পরিমাপ দেখায় যে পাতলা স্তরটি সাধারণ p-ধরনের অর্ধপরিবাহী বৈশিষ্ট্য প্রদর্শন করে, বাহক গতিশীলতা (3.2±0.2)×10³ cm²V⁻¹s⁻¹ এ পৌঁছায়, যা n-ধরনের অর্ধপরিবাহীর সাথে চমৎকার মিল অর্জন করতে পারে। কক্ষ তাপমাত্রা চৌম্বক অর্ধপরিবাহীর অতি উচ্চ ছিদ্র গতিশীলতা ফেরোটোরয়েডিসিটি গঠন এবং অত্যন্ত সুশৃঙ্খল পরিবহন চ্যানেলের জন্য দায়ী। এই কাজ সেন্সিং, তথ্য সংরক্ষণ এবং নমনীয় ইলেকট্রনিক ডিভাইসে ফেরোটোরয়েডাল উপকরণের প্রয়োগের পথ প্রশস্ত করে।

গবেষণা পটভূমি এবং প্রেরণা

মূল সমস্যা

কক্ষ তাপমাত্রা চৌম্বক অর্ধপরিবাহী প্রস্তুতির চ্যালেঞ্জ: কক্ষ তাপমাত্রা চৌম্বক অর্ধপরিবাহীর ডিজাইন এবং প্রস্তুতি Science ম্যাগাজিনের 2005 সালের 125টি সবচেয়ে চ্যালেঞ্জিং বৈজ্ঞানিক প্রশ্নের একটি। ঐতিহ্যবাহী বিরল চৌম্বক অর্ধপরিবাহী (DMS) একাধিক কঠোর শর্ত পূরণ করতে হবে: কিউরি তাপমাত্রা কক্ষ তাপমাত্রার উপরে, গেট-নিয়ন্ত্রিত সামঞ্জস্যযোগ্য চৌম্বকতা, ডোপ্যান্ট পৃথকীকরণ নেই, দীর্ঘ-পরিসর চৌম্বক ক্রম স্থাপন করা।
p-ধরনের অর্ধপরিবাহী গতিশীলতা সীমাবদ্ধতা: বিদ্যমান p-ধরনের অর্ধপরিবাহীর বাহক গতিশীলতা n-ধরনের অর্ধপরিবাহীর চেয়ে অনেক কম, উদাহরণস্বরূপ SiC প্রায় 120 cm²V⁻¹s⁻¹, InSe প্রায় 800 cm²V⁻¹s⁻¹, কালো ফসফরাস প্রায় 1350 cm²V⁻¹s⁻¹, যা ইলেকট্রনিক ডিভাইসের প্রয়োগকে গুরুতরভাবে সীমাবদ্ধ করে।

গবেষণার তাৎপর্য

স্পিন ইলেকট্রনিক্স প্রয়োগ: চৌম্বক অর্ধপরিবাহী একযোগে চার্জ এবং স্পিন স্বাধীনতা নিয়ন্ত্রণ করতে পারে, স্পিন ইলেকট্রনিক ডিভাইসে বিস্তৃত প্রয়োগ সম্ভাবনা রয়েছে
ডিভাইস ম্যাচিং প্রয়োজন: উচ্চ গতিশীলতা p-ধরনের অর্ধপরিবাহী এবং n-ধরনের অর্ধপরিবাহীর মিল ব্যবহারিকীকরণের জন্য গুরুত্বপূর্ণ
নতুন ফেরোম্যাগনেটিক উপকরণ: ফেরোটোরয়েডিসিটি চতুর্থ মৌলিক ফেরোম্যাগনেটিক ক্রম হিসাবে, তথ্য সংরক্ষণ ক্ষেত্রে গুরুত্বপূর্ণ প্রয়োগ মূল্য রয়েছে

মূল অবদান

সুপারমলিকুলার স্ব-সমাবেশের মাধ্যমে প্রথমবারের মতো কক্ষ তাপমাত্রা চৌম্বক অর্ধপরিবাহী প্রস্তুতি: ইউরানিল-γ-সাইক্লোডেক্সট্রিন সিস্টেমের উপর ভিত্তি করে, 300K এর উপরে কিউরি তাপমাত্রা সহ অন্তর্নিহিত চৌম্বক অর্ধপরিবাহী অর্জন করা হয়েছে
অতি উচ্চ ছিদ্র গতিশীলতা অর্জন: বাহক গতিশীলতা (3.2±0.2)×10³ cm²V⁻¹s⁻¹ এ পৌঁছায়, বিদ্যমান p-ধরনের অর্ধপরিবাহী উপকরণকে উল্লেখযোগ্যভাবে অতিক্রম করে
ফেরোটোরয়েডিসিটি প্রক্রিয়া আবিষ্কার: সময় বিপরীতকরণ প্রতিসাম্যতা এবং স্থান বিপরীতকরণ প্রতিসাম্যতা উভয়ই ভাঙা ফেরোটোরয়েডিসিটি উচ্চতর কর্মক্ষমতা অর্জনের চাবিকাঠি তা প্রকাশ করে
পাঁচ-ধাপ সংযোগ মডেল প্রতিষ্ঠা: মাইক্রোস্কোপিক থেকে ম্যাক্রোস্কোপিক চৌম্বক মুহূর্ত সংযোগ প্রক্রিয়া প্রস্তাব করা হয়েছে, কক্ষ তাপমাত্রা চৌম্বকতা এবং অতি উচ্চ গতিশীলতার উৎস ব্যাখ্যা করে

পদ্ধতি বিস্তারিত

উপকরণ প্রস্তুতি কৌশল

U2 পাতলা স্তর প্রস্তুতি

পূর্বসূরী দ্রবণ: UO₂(NO₃)₂·6H₂O (0.5 mmol) + γ-CD (1 mmol) + CsOH দ্রবণ (10 mmol)
স্ব-সমাবেশ প্রক্রিয়া: স্পিন কোটিং পদ্ধতি দ্বারা প্রস্তুতি, γ-CD ধাতু আয়নের সাথে সমন্বয় করে সুপারমলিকুলার স্ব-সমাবেশ স্ফটিক গঠন করে
পাতলা স্তর পুরুত্ব নিয়ন্ত্রণ: স্পিন কোটিং গতি (2000-8000 rpm) এবং পূর্বসূরী ঘনত্ব সামঞ্জস্য করে পুরুত্ব নিয়ন্ত্রণ করা হয় (0.8-1.4 μm)

U1@U2 চৌম্বক পাতলা স্তর প্রস্তুতি

UO₂²⁺ কে UO₂⁺ এ হ্রাস করার জন্য দুটি হ্রাস পদ্ধতি:

বিকিরণ হ্রাস: ⁶⁰Co উৎস, মোট ডোজ 600 kGy, ডোজ হার 100 Gy/min
আলোক হ্রাস: LED আলো দ্বারা 12 ঘন্টা আলোকিত, শক্তি 100 mW

কাঠামোগত বৈশিষ্ট্য

স্ফটিক কাঠামো: (γ-CD)₈(UO₂)₈Cs₁₆ স্যান্ডউইচ-ধরনের সমন্বয় কাঠামো
আকৃতিগত বৈশিষ্ট্য: অসংখ্য ছোট চতুর্ভুজ স্ফটিক দ্বারা বিনিময়ে স্তূপীকৃত বহুস্ফটিক পাতলা স্তর
হ্রাস দক্ষতা: XPS বিশ্লেষণ দেখায় 69.2% ষড়মুখী ইউরেনিয়াম পঞ্চমুখী ইউরেনিয়ামে হ্রাস পেয়েছে

পরীক্ষামূলক সেটআপ

বৈশিষ্ট্য পদ্ধতি

কাঠামো বৈশিষ্ট্য: PXRD, SEM, TEM, EDS
চৌম্বক বৈশিষ্ট্য: SQUID চৌম্বকমাপী (MPMS-3), EPR, AC/DC চৌম্বকীয় সংবেদনশীলতা পরিমাপ
বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য: হল ডিভাইস প্রস্তুতি, ক্ষেত্র প্রভাব ট্রানজিস্টর বৈশিষ্ট্য পরিমাপ
প্রতিসাম্যতা বিশ্লেষণ: দ্বিতীয় সুরেলা প্রজন্ম (SHG) স্পেকট্রোস্কপি

ডিভাইস প্রস্তুতি

হল ডিভাইস: নীচের গেট শীর্ষ ইলেকট্রোড কাঠামো, Au ইলেকট্রোড (50 nm পুরু)
অন্তরক স্তর: SiO₂ স্তর পুরুত্ব 4.73±0.03 nm
ডিভাইস আকার: হল স্ট্রিপ দৈর্ঘ্য 100 μm, প্রস্থ 40 μm, দিক অনুপাত 2.5

গণনা পদ্ধতি

DFT গণনা: CASSCF পদ্ধতি স্পিন-কক্ষপথ সংযোগ ধ্রুবক এবং অতি-বিনিময় সহগ গণনা করতে ব্যবহৃত
চৌম্বক বিশ্লেষণ: Heisenberg মডেলের উপর ভিত্তি করে চৌম্বক সংযোগ প্রক্রিয়া বিশ্লেষণ

পরীক্ষামূলক ফলাফল

চৌম্বক বৈশিষ্ট্য

কক্ষ তাপমাত্রা লৌহচুম্বকত্ব:
- কিউরি তাপমাত্রা TC > 300K
- ZFC-FC বক্ররেখা 4-300K পরিসরে অ-ছেদকারী
- 300K এ জবরদস্তি ক্ষেত্র Hc = 80 Oe
চৌম্বক ক্রম স্থিতিশীলতা:
- AC চৌম্বকীয় সংবেদনশীলতা বাস্তব এবং কল্পনা অংশ ফ্রিকোয়েন্সি-স্বাধীন শিখর উপস্থাপন করে
- দীর্ঘ সময়ের বায়ু এক্সপোজারের পরে চৌম্বকতা স্থিতিশীল থাকে

বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা

p-ধরনের অর্ধপরিবাহী বৈশিষ্ট্য:
- নেতিবাচক গেট ভোল্টেজ পরিচালনা, ইতিবাচক গেট ভোল্টেজ বন্ধ
- কাটঅফ ভোল্টেজ Vth ≈ -9.5V
- বাহক গতিশীলতা: (3.2±0.2)×10³ cm²V⁻¹s⁻¹
অস্বাভাবিক হল প্রভাব:
- শূন্য চৌম্বক ক্ষেত্রে অস্বাভাবিক হল প্রতিরোধ্যতা: 0.32 mΩ·cm
- বিদ্যমান চৌম্বক উপকরণের চেয়ে 1-2 অর্ডার বেশি

প্রতিসাম্যতা ভাঙা

স্থান বিপরীতকরণ প্রতিসাম্যতা ভাঙা: SHG সংকেত তীব্রতা শক্তির সাথে দ্বিঘাত সম্পর্ক (ঢাল 1.9≈2.0)
সময় বিপরীতকরণ প্রতিসাম্যতা ভাঙা: EPR সংকেত (g=2.015, 2.006) চৌম্বকতা প্রমাণ করে

প্রক্রিয়া বিশ্লেষণ

ফেরোটোরয়েডিসিটি গঠন প্রক্রিয়া

পাঁচ-ধাপ সংযোগ মডেল

প্রথম ধাপ: স্পিন-কক্ষপথ সংযোগ মোট কৌণিক গতিবেগ প্রদান করে, γ-CD চতুর্মুখী সমন্বয়ের মাধ্যমে 3D স্থান অভিযোজন অর্জন করে
দ্বিতীয় ধাপ: চৌম্বক মুহূর্ত ভর্টেক্স ব্যবস্থা এবং অতি-বিনিময় ক্রিয়া ফেরোটোরয়েডাল মুহূর্ত T⃗ গঠন করে
তৃতীয় ধাপ: 1D নল-আকৃতির কাঠামো বরাবর সংযোগ দীর্ঘ-পরিসর ফেরোটোরয়েডাল মুহূর্ত ∑T⃗ গঠন করে
চতুর্থ ধাপ: দীর্ঘ-পরিসর ফেরোটোরয়েডাল মুহূর্ত আরও সংযোগ ফেরোটোরয়েডাল ডোমেইন গঠন করে
পঞ্চম ধাপ: বিভিন্ন ফেরোটোরয়েডাল ডোমেইন সম্পর্ক ম্যাক্রোস্কোপিক ফেরোটোরয়েডাল উপকরণ গঠন করে

মূল পরামিতি

স্পিন-কক্ষপথ সংযোগ ধ্রুবক: ζ = 2164.5 cm⁻¹ (শক্তিশালী সংযোগ)
অতি-বিনিময় সহগ: J = 7.8 cm⁻¹ (TC > 300K বজায় রাখার জন্য যথেষ্ট)
চৌম্বক সংযোগ মডেল: মাথা-লেজ চৌম্বক মুহূর্ত সংযোগ, নিকটবর্তী U পরমাণু সংযোগ লাইনের দিকে নির্দেশিত

অতি উচ্চ গতিশীলতা প্রক্রিয়া

সুশৃঙ্খল পরিবহন চ্যানেল: সুপারমলিকুলার স্ব-সমাবেশ দীর্ঘ-পরিসর সুশৃঙ্খল ছিদ্র পরিবহন চ্যানেল নির্মাণ করে
বিক্ষিপ্তকরণ দমন: ইন্টারফেস এবং জালক বিক্ষিপ্তকরণ হ্রাস করে
কার্যকর ভর হ্রাস: শক্তিশালী স্পিন-কক্ষপথ সংযোগ মূল্য ব্যান্ড বিভাজন প্রেরণা করে, আন্তঃআণবিক ছিদ্র গতিবিধি প্রচার করে

উপসংহার এবং আলোচনা

প্রধান উপসংহার

সুপারমলিকুলার স্ব-সমাবেশের উপর ভিত্তি করে প্রথম কক্ষ তাপমাত্রা চৌম্বক অর্ধপরিবাহী সফলভাবে প্রস্তুত করা হয়েছে
p-ধরনের অর্ধপরিবাহীর সর্বোচ্চ বাহক গতিশীলতা অর্জন করা হয়েছে
ফেরোটোরয়েডিসিটি চতুর্থ ফেরোম্যাগনেটিক ক্রম হিসাবে আবিষ্কার এবং যাচাই করা হয়েছে
মাইক্রোস্কোপিক থেকে ম্যাক্রোস্কোপিক চৌম্বক সংযোগ তাত্ত্বিক মডেল প্রতিষ্ঠা করা হয়েছে

প্রযুক্তিগত সুবিধা

সহজ প্রস্তুতি: এক-ধাপ স্পিন কোটিং পদ্ধতি, বৃহৎ-ক্ষেত্র প্রস্তুতির জন্য সহজ
উচ্চতর কর্মক্ষমতা: একযোগে কক্ষ তাপমাত্রা চৌম্বকতা এবং অতি উচ্চ গতিশীলতা রয়েছে
ভাল স্থিতিশীলতা: বায়ুতে দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীল
স্পষ্ট প্রক্রিয়া: সম্পূর্ণ তাত্ত্বিক মডেল, স্পষ্ট ভৌত চিত্র

সীমাবদ্ধতা

উপকরণ নিরাপত্তা: তেজস্ক্রিয় ইউরেনিয়াম উপাদান জড়িত, বিশেষ সুরক্ষা ব্যবস্থা প্রয়োজন
হ্রাস পদ্ধতি: বিকিরণ বা আলোক চিকিত্সা প্রয়োজন, প্রস্তুতি জটিলতা বৃদ্ধি করে
পাতলা স্তর গুণমান: বহুস্ফটিক কাঠামো ডিভাইস সামঞ্জস্য প্রভাবিত করতে পারে
দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীলতা: ডিভাইসের দীর্ঘমেয়াদী অপারেশন স্থিতিশীলতা আরও যাচাই প্রয়োজন

ভবিষ্যত দিকনির্দেশনা

উপকরণ অপ্টিমাইজেশন: অ-তেজস্ক্রিয় উপাদান প্রতিস্থাপন সমাধান অন্বেষণ করা
ডিভাইস একীকরণ: এই উপকরণের উপর ভিত্তি করে স্পিন ইলেকট্রনিক ডিভাইস উন্নয়ন
প্রয়োগ সম্প্রসারণ: সেন্সিং, সংরক্ষণ, নমনীয় ইলেকট্রনিক্স ক্ষেত্রে প্রয়োগ
তত্ত্ব গভীরকরণ: ফেরোটোরয়েডিসিটি তত্ত্ব আরও নিখুঁত করা

গভীর মূল্যায়ন

সুবিধা

উদ্ভাবনী বৈশিষ্ট্য: সুপারমলিকুলার স্ব-সমাবেশ কক্ষ তাপমাত্রা চৌম্বক অর্ধপরিবাহী প্রথম বাস্তবায়ন, নতুন গবেষণা দিকনির্দেশনা খোলে
উচ্চতর কর্মক্ষমতা: বাহক গতিশীলতা p-ধরনের অর্ধপরিবাহীর নতুন রেকর্ড তৈরি করে, গুরুত্বপূর্ণ প্রয়োগ মূল্য রয়েছে
গভীর প্রক্রিয়া: ফেরোটোরয়েডিসিটি প্রক্রিয়া আবিষ্কার এবং যাচাইকরণ গুরুত্বপূর্ণ তাত্ত্বিক তাৎপর্য রয়েছে
সম্পূর্ণ বৈশিষ্ট্য: কাঠামো, চৌম্বক, বৈদ্যুতিক, অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য সম্পূর্ণ, ডেটা নির্ভরযোগ্য

অপূর্ণতা

নিরাপত্তা বিবেচনা: ইউরেনিয়াম উপাদানের ব্যবহার উপকরণের ব্যাপক প্রয়োগ সীমিত করে
প্রস্তুতি শর্ত: নিষ্ক্রিয় বায়ুমণ্ডল এবং বিকিরণ সরঞ্জাম প্রয়োজন, প্রস্তুতি প্রবেশদ্বার উচ্চ
ডিভাইস অপ্টিমাইজেশন: হল ডিভাইসের কর্মক্ষমতা পরামিতি আরও অপ্টিমাইজেশন প্রয়োজন
তাত্ত্বিক যাচাইকরণ: কিছু তাত্ত্বিক গণনা সরলীকৃত মডেলের উপর ভিত্তি করে, আরও নির্ভুল যাচাইকরণ প্রয়োজন

প্রভাব

একাডেমিক অবদান: চৌম্বক অর্ধপরিবাহী এবং ফেরোটোরয়েডাল উপকরণ গবেষণায় নতুন চিন্তাভাবনা প্রদান করে
প্রযুক্তিগত মূল্য: অতি উচ্চ গতিশীলতা p-ধরনের অর্ধপরিবাহী ইলেকট্রনিক ডিভাইস উন্নয়নে গুরুত্বপূর্ণ
প্রয়োগ সম্ভাবনা: স্পিন ইলেকট্রনিক্স, কোয়ান্টাম ডিভাইস অগ্রভাগ ক্ষেত্রে প্রয়োগ সম্ভাবনা রয়েছে

প্রযোজ্য পরিস্থিতি

মৌলিক গবেষণা: চৌম্বক অর্ধপরিবাহী পদার্থবিজ্ঞান প্রক্রিয়া গবেষণা
স্পিন ডিভাইস: স্পিন ক্ষেত্র প্রভাব ট্রানজিস্টর, স্পিন LED ইত্যাদি
সংরক্ষণ প্রয়োগ: ফেরোটোরয়েডিসিটির উপর ভিত্তি করে নতুন সংরক্ষণ ডিভাইস
সেন্সর ডিভাইস: উচ্চ সংবেদনশীলতা চৌম্বক সেন্সর

উল্লেখপঞ্জি

এই পত্রটি 47টি সম্পর্কিত সাহিত্য উদ্ধৃত করে, যা চৌম্বক অর্ধপরিবাহী, ফেরোটোরয়েডাল উপকরণ, সুপারমলিকুলার স্ব-সমাবেশ এবং অন্যান্য গবেষণা ক্ষেত্রের গুরুত্বপূর্ণ কাজ অন্তর্ভুক্ত করে, গবেষণার জন্য দৃঢ় তাত্ত্বিক ভিত্তি এবং তুলনা প্রমাণ প্রদান করে।

সামগ্রিক মূল্যায়ন: এটি উপকরণ বিজ্ঞান ক্ষেত্রে গুরুত্বপূর্ণ যুগান্তকারী অবদান সহ একটি পত্র, শুধুমাত্র প্রযুক্তিতে উল্লেখযোগ্য উদ্ভাবন অর্জন করেনি বরং তত্ত্বে নতুন ভৌত প্রক্রিয়া প্রস্তাব করেছে। যদিও ব্যবহারিক প্রয়োগের ক্ষেত্রে কিছু চ্যালেঞ্জ রয়েছে, তবে এর একাডেমিক মূল্য এবং সম্ভাব্য প্রয়োগ সম্ভাবনা এটিকে এই ক্ষেত্রের একটি গুরুত্বপূর্ণ অবদান করে তোলে।