2025-11-13T21:22:10.753620

Optically induced orbital polarization in bulk germanium

Scali, Finazzi, Bottegoni et al.
Optical orientation has been proven as a powerful tool to inject spin-polarized electron and hole populations in III-V and group-IV semiconductors. In particular, the absorption of circularly-polarized light in bulk Ge generates a spin-oriented population of electrons in the conduction band with a spin-polarization up to 50%, whereas the hole spin-polarization, opposite to the electron one, can even reach values up to 83%. In this letter, we theoretically investigate the optical injection of orbital polarization by means of circularly-polarized light in bulk Ge and we show that the latter considerably exceeds 100% for holes and photon energies close to the direct Ge gap. These results suggest that Ge is a convenient platform for future development of orbitronics and opto-orbitronic devices.
academic

বাল্ক জার্মেনিয়ামে অপটিক্যালি প্ররোচিত কক্ষীয় পোলারাইজেশন

মৌলিক তথ্য

  • পেপার আইডি: 2510.09525
  • শিরোনাম: বাল্ক জার্মেনিয়ামে অপটিক্যালি প্ররোচিত কক্ষীয় পোলারাইজেশন
  • লেখক: F. Scali, M. Finazzi, F. Bottegoni, C. Zucchetti (পলিটেকনিকো ডি মিলানো)
  • শ্রেণীবিভাগ: cond-mat.mtrl-sci (ঘনীভূত পদার্থ পদার্থবিজ্ঞান-উপকরণ বিজ্ঞান)
  • প্রকাশনার সময়: ২০২৫ সালের ১৩ অক্টোবর
  • পেপার লিংক: https://arxiv.org/abs/2510.09525

সারসংক্ষেপ

অপটিক্যাল ওরিয়েন্টেশন কৌশল III-V এবং IV গ্রুপ সেমিকন্ডাক্টরে স্পিন-পোলারাইজড ইলেকট্রন এবং হোল ইনজেক্ট করার একটি কার্যকর হাতিয়ার হিসাবে প্রমাণিত হয়েছে। বিশেষত, বাল্ক জার্মেনিয়ামে বৃত্তাকার পোলারাইজড আলোর শোষণ পরিবাহী ব্যান্ডে স্পিন-ওরিয়েন্টেড ইলেকট্রনের জনসংখ্যা তৈরি করে, যার স্পিন পোলারাইজেশন হার ৫০% পর্যন্ত পৌঁছায়, যখন হোলের স্পিন পোলারাইজেশন হার (ইলেকট্রনের বিপরীত) ৮৩% পর্যন্ত পৌঁছায়। এই পেপারটি বাল্ক জার্মেনিয়ামে বৃত্তাকার পোলারাইজড আলোর মাধ্যমে কক্ষীয় কৌণিক গতিবেগ পোলারাইজেশনের অপটিক্যাল ইনজেকশনের তাত্ত্বিক গবেষণা উপস্থাপন করে, যা জার্মেনিয়ামের সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপের কাছাকাছি ফোটন শক্তিতে হোলের কক্ষীয় পোলারাইজেশন হার উল্লেখযোগ্যভাবে ১০০% অতিক্রম করে। এই ফলাফলগুলি নির্দেশ করে যে জার্মেনিয়াম ভবিষ্যতের কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্স এবং ফটো-কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্স ডিভাইস উন্নয়নের জন্য একটি আদর্শ প্ল্যাটফর্ম।

গবেষণা পটভূমি এবং প্রেরণা

সমস্যার পটভূমি

১. স্পিন ইলেকট্রনিক্সের চ্যালেঞ্জ: যদিও স্পিন ট্রান্সফার টর্ক এবং স্পিন-অরবিট টর্ক MRAM স্মৃতি ডিভাইসে সাফল্য অর্জন করেছে, স্পিন ম্যানিপুলেশন এখনও একটি কঠিন সমস্যা। বাহক স্পিন জীবনকাল অত্যন্ত ছোট, যা শক্তিশালী সম্পূর্ণ বৈদ্যুতিক স্পিন সুইচ আর্কিটেকচার বাস্তবায়নে বাধা দেয়।

२. কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্সের উত্থান: কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্স একটি উদীয়মান গবেষণা ক্ষেত্র হিসাবে, ইলেকট্রন বা হোলের কক্ষীয় কৌণিক গতিবেগকে অবস্থা পরিবর্তনশীল হিসাবে ব্যবহার করে, স্পিন ইলেকট্রনিক্সের তুলনায় সম্ভাব্য সুবিধা রয়েছে। কক্ষীয় হল প্রভাব (OHE) অনুপ্রস্থ কক্ষীয় প্রবাহ তৈরি করতে পারে, যা কক্ষীয় প্রবাহের উৎপাদন, সনাক্তকরণ এবং নিয়ন্ত্রণের জন্য নতুন পথ প্রদান করে।

३. অপটিক্যাল ওরিয়েন্টেশন কৌশলের সম্ভাবনা: অপটিক্যাল ওরিয়েন্টেশন কৌশল III-V এবং IV গ্রুপ সেমিকন্ডাক্টরে স্পিন-পোলারাইজড বাহক ইনজেকশনে সফলভাবে বাস্তবায়িত হয়েছে, তবে কক্ষীয় কৌণিক গতিবেগ পোলারাইজেশনে এর প্রয়োগ এখনও সম্পূর্ণভাবে অন্বেষণ করা হয়নি।

গবেষণার প্রেরণা

এই গবেষণা বাল্ক জার্মেনিয়ামে অপটিক্যাল ওরিয়েন্টেশন কৌশল ব্যবহার করে কক্ষীয় কৌণিক গতিবেগ সংগ্রহ তৈরির সম্ভাবনা তাত্ত্বিকভাবে অন্বেষণ করার লক্ষ্য রাখে, যা কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্স ডিভাইসের জন্য নতুন ভৌত ভিত্তি প্রদান করে।

মূল অবদান

१. প্রথম তাত্ত্বিক গবেষণা: বাল্ক জার্মেনিয়ামে বৃত্তাকার পোলারাইজড আলো দ্বারা প্ররোচিত কক্ষীয় কৌণিক গতিবেগ পোলারাইজেশনের ভৌত প্রক্রিয়ার প্রথম সিস্টেমেটিক তাত্ত্বিক গবেষণা

२. সম্পূর্ণ তাত্ত্বিক কাঠামো প্রতিষ্ঠা: ৩০-ব্যান্ড k·p পদ্ধতি এবং রৈখিক প্রতিক্রিয়া তত্ত্বের উপর ভিত্তি করে বাহক, স্পিন এবং কক্ষীয় ইনজেকশন হারের সম্পূর্ণ গণনা কাঠামো প্রতিষ্ঠা

३. অতি-উচ্চ কক্ষীয় পোলারাইজেশন আবিষ্কার: জার্মেনিয়ামের সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপের কাছাকাছি ফোটন শক্তিতে হোল কক্ষীয় পোলারাইজেশন হার প্রায় ১৬০% (ℏ/२ এর ইউনিটে) পৌঁছাতে পারে তা আবিষ্কার

४. পরমাণু ভৌত চিত্র প্রদান: পরমাণু কক্ষীয় কোণ থেকে কক্ষীয় পোলারাইজেশনের ভৌত প্রক্রিয়া ব্যাখ্যা

५. প্রয়োগের সম্ভাবনা নির্দেশ: কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্স ডিভাইস প্ল্যাটফর্ম হিসাবে জার্মেনিয়ামের বিশাল সম্ভাবনা প্রমাণ

পদ্ধতির বিস্তারিত বিবরণ

তাত্ত্বিক কাঠামো

এই গবেষণা k·p তত্ত্ব এবং রৈখিক প্রতিক্রিয়া তত্ত্বের উপর ভিত্তি করে একটি সম্পূর্ণ কোয়ান্টাম মেকানিক্স কাঠামো গ্রহণ করে:

१. শক্তি ব্যান্ড কাঠামো গণনা

  • s-, p- এবং d-(eg) ধরনের ৩০টি অবস্থা সহ k·p মডেল ব্যবহার
  • সম্পূর্ণ ব্রিলোইন অঞ্চলের শক্তি ব্যান্ড কাঠামো গণনা
  • পরামিতি কক্ষ তাপমাত্রায় পরীক্ষামূলক ডেটা থেকে গৃহীত

२. বাহক ইনজেকশন টেনসর

বাহক ইনজেকশন টেনসরের সাধারণ উপাদান প্রতিনিধিত্ব:

ξ^αβ(ω) = (2πe²/(ℏω)²) Σ_{c,v} ∫ dk/(8π³) v̂^α*_{cv}(k)v̂^β_{cv}(k)δ[ω_{cv}(k) - ω]

যেখানে α,β স্ফটিক ঘন অক্ষ দিক নির্দেশ করে, c(v) পরিবাহী ব্যান্ড (মূল্যবান ব্যান্ড) অবস্থা যোগফল নির্দেশ করে, v̂^α_ বেগ অপারেটর ম্যাট্রিক্স উপাদান।

३. স্পিন ইনজেকশন সিউডো-টেনসর

ইলেকট্রন এবং হোলের স্পিন ইনজেকশন সিউডো-টেনসর যথাক্রমে:

ζ^xyz_e(ω) = (ℏ/2)(πe²/(ℏω)²) Σ_{c,c̄,v} ∫ dk/(8π³) Ŝ^x_{cc̄}(k)v̂^y*_{cv}(k)v̂^z_{c̄v}(k) × [δ[ω_{cv}(k) - ω] + δ[ω_{c̄v}(k) - ω]]

४. কক্ষীয় কৌণিক গতিবেগ ইনজেকশন সিউডো-টেনসর

স্পিন অপারেটর Ŝ^x কে কক্ষীয় কৌণিক গতিবেগ অপারেটর L̂^x দিয়ে প্রতিস্থাপন করে কক্ষীয় ইনজেকশন সিউডো-টেনসর η^xyz(ω) প্রাপ্ত করা হয়।

কক্ষীয় কৌণিক গতিবেগ অপারেটর

p কক্ষীয়ের জন্য, কক্ষীয় কৌণিক গতিবেগ অপারেটরের ম্যাট্রিক্স ফর্ম:

L̂^x_(p) = ℏ [0  0   0 ]
              [0  0  -i ]
              [0  i   0 ]

|p_x⟩, |p_y⟩, |p_z⟩ কে ভিত্তি অবস্থা হিসাবে।

পোলারাইজেশন ডিগ্রি গণনা

  • স্পিন পোলারাইজেশন ডিগ্রি: DSP_{e(h)} = Ṡ^x_{e(h)}/ṅ
  • কক্ষীয় পোলারাইজেশন ডিগ্রি: DOP_{e(h)} = L̇^x_{e(h)}/ṅ

পরীক্ষামূলক সেটআপ

গণনা পরামিতি

  • তাপমাত্রা: কক্ষ তাপমাত্রা (তাপীয় শক্তি ২৬ meV এ সেট)
  • k পয়েন্ট ইন্টিগ্রেশন: শক্তি সংরক্ষণ নিশ্চিত করতে টেট্রাহেড্রাল ইন্টিগ্রেশন পদ্ধতি ব্যবহার
  • অবক্ষয়িত অবস্থা পরিচালনা: ℏω_{cc̄(vv̄)} < k_BT এর অবক্ষয়িত বা আধা-অবক্ষয়িত অবস্থার জোড়ার জন্য সুসংগততা বিবেচনা

অপটিক্যাল শর্তাবলী

  • আলোর উৎস: একক-রঙ বৃত্তাকার পোলারাইজড আলো
  • ফোটন শক্তির পরিসীমা: ℏω ≥ ε_ (জার্মেনিয়াম সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপ)
  • পোলারাইজেশন ধরন: বাম এবং ডান বৃত্তাকার পোলারাইজড আলো

পরীক্ষামূলক ফলাফল

বাহক ইনজেকশন বৈশিষ্ট্য

१. মোট বাহক ইনজেকশন হার: ফোটন শক্তি বৃদ্ধির সাথে বৃদ্ধি পায়, ৩.০ eV এর কাছাকাছি প্রায় ३.०×१०^१४ V^-२ s^-१ Å^-१ এ পৌঁছায়

२. শক্তি ব্যান্ড অবদান: ভারী হোল (HH), হালকা হোল (LH) এবং বিভক্ত কক্ষীয় (SO) ব্যান্ডের আপেক্ষিক অবদান ফোটন শক্তির সাথে পরিবর্তিত হয়

স্পিন পোলারাইজেশন ফলাফল

१. ইলেকট্রন স্পিন পোলারাইজেশন:

  • সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপের কাছাকাছি প্রায় ৫০% এ পৌঁছায়
  • ফোটন শক্তি বৃদ্ধির সাথে ধীরে ধীরে হ্রাস পায়

२. হোল স্পিন পোলারাইজেশন:

  • সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপের কাছাকাছি প্রায় -८३% এ পৌঁছায়
  • ইলেকট্রন স্পিন পোলারাইজেশনের বিপরীত দিক

কক্ষীয় পোলারাইজেশনের যুগান্তকারী আবিষ্কার

१. ইলেকট্রন কক্ষীয় পোলারাইজেশন:

  • সম্পূর্ণ ফোটন শক্তির পরিসীমায় ১% এর নিচে থাকে
  • পরিবাহী ব্যান্ড প্রধানত s কক্ষীয় দ্বারা গঠিত (l=0) কারণে

२. হোল কক্ষীয় পোলারাইজেশন:

  • সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপের কাছাকাছি প্রায় ১६०% এ পৌঁছায়
  • ℏω < २.२ eV পরিসীমায় ४०% এর উপরে থাকে
  • এটি এই গবেষণার সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ আবিষ্কার

পরমাণু ভৌত ব্যাখ্যা

Γ বিন্দুর কাছাকাছি, কক্ষীয় পোলারাইজেশনের ভৌত প্রক্রিয়া পরমাণু কক্ষীয় বিশ্লেষণের মাধ্যমে বোঝা যায়:

१. HH অবস্থা অবদান: ⟨3/2, 3/2|L_z|3/2, 3/2⟩ = ℏ २. LH অবস্থা অবদান: ⟨3/2, 1/2|L_z|3/2, 1/2⟩ = ℏ/3 ३. রূপান্তর শক্তি অনুপাত: HH:LH = 3:1 ४. তাত্ত্বিক প্রত্যাশা: DOP_h = (3ℏ + ℏ/3)/4 = 5ℏ/6 = 166% (ℏ/2 এর ইউনিটে)

সম্পর্কিত কাজ

কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্স উন্নয়ন

१. তাত্ত্বিক ভিত্তি: २००५ সালে Bernevig এবং অন্যদের যুগান্তকারী কাজ २. পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ: সম্প্রতি Ti, Cr, Ge, Si এবং অন্যান্য উপকরণে কক্ষীয় হল প্রভাব পর্যবেক্ষণ ३. ডিভাইস প্রয়োগ: চৌম্বকীয় ডিভাইসে কক্ষীয়-স্পিন রূপান্তরের প্রয়োগ

অপটিক্যাল ওরিয়েন্টেশন কৌশল

१. ঐতিহাসিক উন্নয়ন: १९६८ সালে Lampel এর যুগান্তকারী কাজ থেকে আধুনিক প্রয়োগ পর্যন্ত २. উপকরণ সম্প্রসারণ: III-V গ্রুপ সেমিকন্ডাক্টর থেকে IV গ্রুপ সেমিকন্ডাক্টরে প্রয়োগ ३. স্পিন ইনজেকশন: জার্মেনিয়ামে উচ্চ-দক্ষ স্পিন-পোলারাইজড বাহক ইনজেকশন বাস্তবায়ন

উপসংহার এবং আলোচনা

প্রধান উপসংহার

१. কক্ষীয় পোলারাইজেশনের সুবিধা: হোল কক্ষীয় পোলারাইজেশন হার স্পিন পোলারাইজেশন হারকে উল্লেখযোগ্যভাবে অতিক্রম করে, যা কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্স প্রয়োগের জন্য নতুন সুযোগ প্রদান করে

२. উপকরণের সুবিধা: কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্স প্ল্যাটফর্ম হিসাবে জার্মেনিয়াম অনন্য সুবিধা রয়েছে, বিশেষত মূল্যবান ব্যান্ড প্রয়োগে

३. ভৌত প্রক্রিয়া: কক্ষীয় কৌণিক গতিবেগের উৎপাদন p কক্ষীয়ের অন্তর্নিহিত বৈশিষ্ট্য এবং অপটিক্যাল নির্বাচন নিয়ম থেকে উদ্ভূত

সীমাবদ্ধতা

१. তাত্ত্বিক গণনা: আদর্শ স্ফটিক মডেলের উপর ভিত্তি করে, প্রকৃত উপকরণে ত্রুটি এবং বিশৃঙ্খলা বিবেচনা করা হয়নি

२. তাপমাত্রা প্রভাব: শুধুমাত্র কক্ষ তাপমাত্রার অবস্থা বিবেচনা করা হয়েছে, নিম্ন তাপমাত্রায় আচরণ ভিন্ন হতে পারে

३. বাহক জীবনকাল: কক্ষীয় কৌণিক গতিবেগের শিথিলকরণ সময় বিবেচনা করা হয়নি

ভবিষ্যত দিকনির্দেশনা

१. পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ: তাত্ত্বিক পূর্বাভাসের উচ্চ কক্ষীয় পোলারাইজেশন হার যাচাই করতে পরীক্ষামূলক কৌশল প্রয়োজন

२. ডিভাইস ডিজাইন: উচ্চ কক্ষীয় পোলারাইজেশনের উপর ভিত্তি করে ব্যবহারিক কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্স ডিভাইস উন্নয়ন

३. উপকরণ অপ্টিমাইজেশন: অনুরূপ বৈশিষ্ট্য সহ অন্যান্য সেমিকন্ডাক্টর উপকরণ অন্বেষণ

গভীর মূল্যায়ন

শক্তি

१. তাত্ত্বিক উদ্ভাবন: কক্ষীয় কৌণিক গতিবেগের অপটিক্যাল ইনজেকশনের প্রথম সিস্টেমেটিক গবেষণা, নতুন গবেষণা দিক উন্মোচন করে

२. পদ্ধতির কঠোরতা: পরিপক্ক k·p তত্ত্ব এবং রৈখিক প্রতিক্রিয়া তত্ত্ব ব্যবহার করে, গণনা কাঠামো সম্পূর্ণ এবং নির্ভরযোগ্য

३. উল্লেখযোগ্য ফলাফল: আবিষ্কৃত অতি-উচ্চ কক্ষীয় পোলারাইজেশন হার গুরুত্বপূর্ণ বৈজ্ঞানিক মূল্য এবং প্রয়োগ সম্ভাবনা রয়েছে

४. স্পষ্ট ভৌত চিত্র: পরমাণু কক্ষীয় কোণ থেকে স্বজ্ঞাত ভৌত ব্যাখ্যা প্রদান করে

অপূর্ণতা

१. পরীক্ষামূলক যাচাইকরণের অভাব: বিশুদ্ধ তাত্ত্বিক কাজ হিসাবে, পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ সমর্থন অনুপস্থিত

२. প্রয়োগ পথ অস্পষ্ট: যদিও প্রয়োগ সম্ভাবনা নির্দেশ করা হয়েছে, নির্দিষ্ট ডিভাইস বাস্তবায়ন পথ যথেষ্ট স্পষ্ট নয়

३. উপকরণ সীমাবদ্ধতা: শুধুমাত্র জার্মেনিয়াম উপকরণ গবেষণা করা হয়েছে, অন্যান্য উপকরণের তুলনামূলক বিশ্লেষণ অনুপস্থিত

প্রভাব

१. একাডেমিক অবদান: কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্স ক্ষেত্রে গুরুত্বপূর্ণ তাত্ত্বিক ভিত্তি প্রদান করে

२. প্রযুক্তিগত মূল্য: নতুন প্রজন্মের কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্স ডিভাইস ডিজাইনের জন্য ডিজাইন ভিত্তি প্রদান করে

३. নেতৃত্বের ভূমিকা: কক্ষীয় কৌণিক গতিবেগের অপটিক্যাল নিয়ন্ত্রণ গবেষণার একটি গবেষণা ঢেউ উদ্দীপিত করতে পারে

প্রযোজ্য পরিস্থিতি

१. মৌলিক গবেষণা: কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্সের মৌলিক ভৌত গবেষণা

२. ডিভাইস উন্নয়ন: আলো-নিয়ন্ত্রিত কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্স ডিভাইস ডিজাইন

३. উপকরণ নির্বাচন: উচ্চ-দক্ষ কক্ষীয় পোলারাইজেশন উপকরণ খুঁজে পাওয়ার জন্য তাত্ত্বিক নির্দেশনা

তথ্যসূত্র

পেপারটি কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্স, অপটিক্যাল ওরিয়েন্টেশন এবং সেমিকন্ডাক্টর পদার্থবিজ্ঞান ক্ষেত্রের গুরুত্বপূর্ণ সাহিত্য উদ্ধৃত করে, যার মধ্যে রয়েছে:

  • Bernevig এবং অন্যদের কক্ষীয় হল প্রভাবের যুগান্তকারী কাজ
  • সাম্প্রতিক কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্স পরীক্ষামূলক অগ্রগতি
  • k·p তত্ত্ব এবং অপটিক্যাল ওরিয়েন্টেশনের ক্লাসিক সাহিত্য
  • জার্মেনিয়াম উপকরণের শক্তি ব্যান্ড কাঠামো গবেষণা

সংক্ষিপ্তসার: এটি একটি উচ্চ-মানের তাত্ত্বিক পদার্থবিজ্ঞান পেপার, যা কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্সের এই উদীয়মান ক্ষেত্রে গুরুত্বপূর্ণ অবদান রাখে। আবিষ্কৃত অতি-উচ্চ কক্ষীয় পোলারাইজেশন ঘটনা গুরুত্বপূর্ণ বৈজ্ঞানিক তাৎপর্য রয়েছে, যা ভবিষ্যতের কক্ষীয় ইলেকট্রনিক্স ডিভাইস উন্নয়নের জন্য শক্তিশালী তাত্ত্বিক ভিত্তি প্রদান করে।