Molybdenum disulfide (MoS2) is a widely studied layered material for electronic, optical, and catalytic applications. It can host lithium ions between the van der Waals layers, which triggers a phase transition between the semiconducting 2H phase and metallic 1T phase. While lithium insertion triggers a phase transition to the 1T phase, the phase behavior upon electrochemical lithium removal is not resolved. In this work, we conduct single-flake electrochemical (de)lithiation of MoS2 using microelectrode arrays. Through both electrochemical voltage analysis and correlative Raman spectroscopy, we show that an electrochemically cycled and delithiated MoS2 flake initially remains in the 1T phase. However, over the course of several days, it transitions back into the thermodynamically stable 2H phase. This result resolves the phase transformation pathway upon delithiation and showcases the ability to electrochemically synthesize the metastable 1T-MoS2 phase.
- পেপার আইডি: 2510.10911
- শিরোনাম: LiMoS2 এর ইলেকট্রোকেমিক্যাল ডিলিথিয়েশনে বিলম্বিত 1T থেকে 2H ফেজ ট্রানজিশন
- লেখক: Yerin Hong, Juhwan Lim, Jinhong Min, Nishkarsh Agarwal, Robert Hovden, Ageeth A. Bol, Yiyang Li
- প্রতিষ্ঠান: মিশিগান বিশ্ববিদ্যালয়, অ্যান আর্বর
- শ্রেণীবিভাগ: cond-mat.mtrl-sci eess.AS
- যোগাযোগকারী লেখক: yiyangli@umich.edu
মলিবডেনাম ডাইসালফাইড (MoS2) একটি ব্যাপকভাবে অধ্যয়নকৃত স্তরযুক্ত উপাদান যা ইলেকট্রনিক্স, অপটিক্স এবং অনুঘটক প্রয়োগে গুরুত্বপূর্ণ মূল্য রাখে। এটি ভ্যান ডার ওয়ালস স্তরের মধ্যে লিথিয়াম আয়ন সংযুক্ত করতে পারে, যা অর্ধপরিবাহী 2H ফেজ এবং ধাতব 1T ফেজের মধ্যে ফেজ ট্রানজিশন ঘটায়। যদিও লিথিয়াম আয়ন সন্নিবেশ 1T ফেজে রূপান্তর ঘটায়, তবে ইলেকট্রোকেমিক্যাল ডিলিথিয়েশন প্রক্রিয়ায় ফেজ আচরণ এখনও সমাধান করা হয়নি। এই গবেষণা একক-স্তরীয় MoS2 এর ইলেকট্রোকেমিক্যাল (ডি)লিথিয়েশন অধ্যয়নের জন্য মাইক্রোইলেকট্রোড অ্যারে ব্যবহার করে। ইলেকট্রোকেমিক্যাল ভোল্টেজ বিশ্লেষণ এবং সম্পর্কিত রামান স্পেকট্রোস্কপি চিহ্নিতকরণের মাধ্যমে, গবেষণা দেখায় যে ইলেকট্রোকেমিক্যাল চক্র এবং ডিলিথিয়েশনের পরে MoS2 ফ্লেক প্রাথমিকভাবে 1T ফেজ বজায় রাখে। তবে, কয়েক দিনের মধ্যে, এটি ধীরে ধীরে তাপগতিগতভাবে স্থিতিশীল 2H ফেজে রূপান্তরিত হয়। এই ফলাফল ডিলিথিয়েশন প্রক্রিয়ায় ফেজ ট্রানজিশন পথের সমস্যা সমাধান করে এবং ইলেকট্রোকেমিক্যাল সংশ্লেষণ মেটাস্টেবল 1T-MoS2 ফেজের ক্ষমতা প্রদর্শন করে।
- MoS2 এর গুরুত্ব: MoS2 একটি ট্রানজিশন মেটাল ডাইচ্যালকোজেনাইড (TMD) হিসাবে, লুব্রিকেন্ট, ট্রানজিস্টর, স্মৃতি, ব্যাটারি, অনুঘটক এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে ব্যাপক প্রয়োগ রয়েছে
- ফেজ ট্রানজিশন মেকানিজম: MoS2 অর্ধপরিবাহী 2H ফেজ (ত্রিকোণীয় প্রিজম্যাটিক Mo-S সমন্বয়) এবং ধাতব 1T ফেজ (অষ্টহেড্রাল Mo-S সমন্বয়) এর মধ্যে ফেজ ট্রানজিশন ঘটাতে পারে
- লিথিয়াম আয়ন সন্নিবেশ: ভ্যান ডার ওয়ালস স্তরে লিথিয়াম আয়নের সন্নিবেশ/বহিষ্কার উপাদানের ভৌত বৈশিষ্ট্য পরিবর্তন করে, যার মধ্যে ফেজ কাঠামো রয়েছে
বিদ্যমান গবেষণা MoS2 ইলেকট্রোকেমিক্যাল ডিলিথিয়েশন প্রক্রিয়ায় ফেজ ট্রানজিশন গতিশীলতার বিষয়ে বিরোধ রয়েছে:
- কিছু গবেষণা বিশ্বাস করে যে ফেজ ট্রানজিশন প্রক্রিয়া প্রতিবর্তনীয়, 1T ফেজ ডিলিথিয়েশনের পরে 2H ফেজে ফিরে যাবে
- অন্যান্য গবেষণা দেখায় যে MoS2 ডিলিথিয়েশনের পরে মেটাস্টেবল 1T ফেজে আটকে থাকে
- বেশিরভাগ গবেষণা ছিদ্রযুক্ত ইলেকট্রোড ব্যবহার করে, যা অন্তর্নিহিত ফেজ ট্রানজিশন গতিশীলতা স্পষ্ট করা কঠিন করে তোলে
- ফেজ ট্রানজিশন মেকানিজম বিরোধ সমাধান: ইলেকট্রোকেমিক্যাল ডিলিথিয়েশন প্রক্রিয়ায় ফেজ ট্রানজিশন পথ স্পষ্ট করা
- একক-স্তরীয় স্তরে নির্ভুল গবেষণা: ছিদ্রযুক্ত ইলেকট্রোডের জটিলতা এড়ানো এবং অন্তর্নিহিত ফেজ ট্রানজিশন আচরণ প্রাপ্ত করা
- ডিভাইস প্রয়োগ নির্দেশনা: MoS2 ভিত্তিক ইলেকট্রোকেমিক্যাল ডিভাইস ডিজাইনের জন্য তাত্ত্বিক ভিত্তি প্রদান করা
- প্রথমবারের মতো একক-স্তরীয় MoS2 এর ইলেকট্রোকেমিক্যাল চক্র বাস্তবায়ন: মাইক্রোইলেকট্রোড অ্যারে প্রযুক্তি ব্যবহার করে, একক ফ্লেক স্তরে নির্ভুল ইলেকট্রোকেমিক্যাল (ডি)লিথিয়েশন গবেষণা পরিচালনা করা
- বিলম্বিত ফেজ ট্রানজিশন মেকানিজম প্রকাশ: প্রমাণ করা যে ডিলিথিয়েশনের পরে MoS2 ফ্লেক প্রাথমিকভাবে 1T ফেজ বজায় রাখে এবং কয়েক দিন পরে ধীরে ধীরে 2H ফেজে রূপান্তরিত হয়
- 1T-MoS2 এর ইলেকট্রোকেমিক্যাল সংশ্লেষণের পদ্ধতি প্রদান: ইলেকট্রোকেমিক্যাল পদ্ধতির মাধ্যমে মেটাস্টেবল 1T-MoS2 ফেজ প্রস্তুতির সম্ভাবনা প্রদর্শন করা
- ক্ষেত্র বিরোধ সমাধান: ইলেকট্রোকেমিক্যাল ভোল্টেজ বিশ্লেষণ এবং রামান স্পেকট্রোস্কপি একত্রিত করে, ডিলিথিয়েশন প্রক্রিয়ায় ফেজ ট্রানজিশন গতিশীলতা স্পষ্ট করা
মাইক্রোইলেকট্রোড অ্যারে প্ল্যাটফর্ম:
- 15μm বর্গ, 50nm পুরু Au মাইক্রোইলেকট্রোড কর্মরত ইলেকট্রোড হিসাবে
- Li0.6FePO4 ছিদ্রযুক্ত ইলেকট্রোড প্রতিপক্ষ এবং রেফারেন্স ইলেকট্রোড হিসাবে
- 1M LiPF6/প্রোপিলিন কার্বোনেট ইলেকট্রোলাইট
- Ar গ্লোভবক্সে সমস্ত ইলেকট্রোকেমিক্যাল অপারেশন পরিচালনা করা হয়
- একক-স্তরীয় ফ্লেক প্রস্তুতি: PDMS যান্ত্রিক খোসা পদ্ধতি ব্যবহার করে MoS2 ফ্লেক মাইক্রোইলেকট্রোডে স্থানান্তর করা
- ইলেকট্রোকেমিক্যাল চক্র:
- ধ্রুবক বর্তমান মোড: লিথিয়েশন বর্তমান -3.6 pA, ডিলিথিয়েশন বর্তমান +2.4 pA
- ভোল্টেজ উইন্ডো: 0.8-3.4 V বনাম Li/Li+
- চক্রীয় ভোল্টামেট্রি: স্ক্যান হার 2 mV/s
- ইন-সিটু চিহ্নিতকরণ: ইলেকট্রোকেমিক্যাল পরিমাপ এবং রামান স্পেকট্রোস্কপি বিশ্লেষণ একত্রিত করা
- ইলেকট্রোকেমিক্যাল বিশ্লেষণ: ভোল্টেজ বক্ররেখা, dQ/dV বিশ্লেষণ, ক্ষমতা সমন্বয়
- রামান স্পেকট্রোস্কপি: 532nm লেজার, 50× দীর্ঘ কর্মদূরত্ব উদ্দেশ্য, শক্তি 0.5%
- ফেজ ট্রানজিশন চিহ্নিতকরণ:
- 2H ফেজ: E2g (384 cm⁻¹) এবং A1g (410 cm⁻¹) শিখর
- 1T ফেজ: J1 শিখর (156 cm⁻¹)
- MoS2 স্ফটিক: HQ graphene থেকে ক্রয়কৃত
- ফ্লেক আকার: ~15μm, পুরুত্ব ~80nm
- ইলেকট্রোড প্রস্তুতি: মান ফটোলিথোগ্রাফি প্রক্রিয়া, Ti/Au (5nm/100nm) ধাতু স্তর
- প্যাসিভেশন স্তর: 50nm SiN স্তর, পরজীবী প্রতিক্রিয়া হ্রাস করা
- ইলেকট্রোলাইট: 1M LiPF6 নিরজল প্রোপিলিন কার্বোনেটে
- পরিবেশ: Ar গ্লোভবক্স (<1 ppm O2 এবং H2O)
- তাপমাত্রা: কক্ষ তাপমাত্রা
- প্রি-চক্র: 1.3-3.5V পরিসরে 3 চক্রীয় ভোল্টামেট্রি, পার্শ্ব প্রতিক্রিয়া দূর করা
- তাৎক্ষণিক পরিমাপ: চক্রের পরে 30 মিনিট
- বিলম্বিত পরিমাপ: 4 দিন এবং 8 দিন পরে
- সংরক্ষণ শর্ত: Ar গ্লোভবক্সে, ইলেকট্রোলাইট দ্বারা আবৃত
- প্রথম লিথিয়েশন: 1.1V এ স্পষ্ট ভোল্টেজ প্ল্যাটফর্ম, 2H→1T ফেজ ট্রানজিশনের সাথে সংশ্লিষ্ট
- পরবর্তী চক্র: 1.1V প্ল্যাটফর্ম ধীরে ধীরে অদৃশ্য হয়, লিথিয়েশন প্রধানত উচ্চতর ভোল্টেজে ঘটে
- ডিলিথিয়েশন প্রক্রিয়া: 1.1V কাছাকাছি কোন অ্যানোডিক প্ল্যাটফর্ম নেই, প্রধানত 1.9V এবং 2.4V এ অ্যানোডিক শিখর উপস্থিত
- প্রথম চক্র: লিথিয়েশন ক্ষমতা প্রধানত 1.5V এর নিচে
- পরবর্তী চক্র: 1.5V এর উপরে লিথিয়েশন ক্ষমতা ধীরে ধীরে বৃদ্ধি পায়
- ক্ষমতা পরিবর্তন: প্রমাণ করে যে 2H→1T ফেজ ট্রানজিশন প্রধানত প্রথম চক্রে ঘটে
চক্রের পরে তাৎক্ষণিক পরিমাপ:
- 156 cm⁻¹ এ J1 শিখর উপস্থিত, 1T ফেজের উপস্থিতি নিশ্চিত করে
- E2g এবং A1g শিখর এখনও উপস্থিত, সম্ভাব্য মিশ্র ফেজ অবস্থা নির্দেশ করে
- 30 মিনিট: শক্তিশালী J1 শিখর, লাল-স্থানান্তরিত E2g এবং A1g শিখর
- 4-8 দিন: 1T বৈশিষ্ট্য বজায় রাখে, E2g এবং A1g শিখর শক্তি সময়ের সাথে দুর্বল হয়
- উপসংহার: লিথিয়েশন অবস্থায় 1T ফেজ তুলনামূলকভাবে স্থিতিশীল
- 30 মিনিট: শক্তিশালী J1 শিখর, 1T ফেজ নিশ্চিত করে
- 4 দিন: J1 শিখর দুর্বল হয়, E2g এবং A1g শিখর বৃদ্ধি পায় এবং নীল-স্থানান্তরিত হয়
- 8 দিন: 2H ফেজ বৈশিষ্ট্যের দিকে আরও রূপান্তর
- উপসংহার: ডিলিথিয়েশনের পরে 1T ফেজ ধীরে ধীরে 2H ফেজে রূপান্তরিত হয়
8 দিনের বিশ্রামের পরে চক্রীয় ভোল্টামেট্রি:
- 1.5V এর নিচে নতুন লিথিয়েশন শিখর উপস্থিত
- লিথিয়েশন ক্ষমতা 3 pAh থেকে 5 pAh এ পুনরুদ্ধার হয়
- আংশিক 2H ফেজ পুনরুদ্ধার প্রমাণ করে
- n-বিউটাইল লিথিয়াম পদ্ধতি: সহজ এবং স্কেলেবল, কিন্তু নির্ভুল নিয়ন্ত্রণের অভাব
- ইলেকট্রোকেমিক্যাল পদ্ধতি: নির্ভুল, গতিশীল এবং প্রতিবর্তনীয় লিথিয়াম ঘনত্ব নিয়ন্ত্রণ প্রদান করে
- Cook এবং Tolbert দল: ছিদ্রযুক্ত ইলেকট্রোডে ডিলিথিয়েশনের পরে 1T ফেজ পর্যবেক্ষণ করা
- Zhang এবং অন্যান্য: প্রতিবর্তনীয় আয়ন সন্নিবেশ রিপোর্ট করা
- এই গবেষণার সুবিধা: একক-স্তরীয় গবেষণা + আরও ভাল সিল করা পরীক্ষামূলক শর্তাবলী
- তাপগতিবিদ্যা: 2H ফেজ তাপগতিগতভাবে স্থিতিশীল ফেজ
- গতিশীলতা: 1T→2H ট্রানজিশনে গতিশীলতা বাধা রয়েছে
- প্রয়োগ: 1T ফেজ ধাতব বৈশিষ্ট্য রয়েছে, যোগাযোগ ইলেকট্রোড এবং অনুঘটকের জন্য উপযুক্ত
- ফেজ ট্রানজিশন পথ স্পষ্ট: 2H→1T (লিথিয়েশন) → 1T (ডিলিথিয়েশন) → 2H (বয়স)
- বিলম্বিত রূপান্তর: ডিলিথিয়েশনের পরে 1T ফেজ কয়েক দিন স্থিতিশীল থাকতে পারে
- নিয়ন্ত্রিত সংশ্লেষণ: ইলেকট্রোকেমিক্যাল পদ্ধতি মেটাস্টেবল 1T-MoS2 প্রস্তুত করতে পারে
- তাপগতিগত চালনা: 2H ফেজ কম শক্তি
- গতিশীলতা বাধা: 1T→2H ট্রানজিশনে শক্তি বাধা অতিক্রম করা প্রয়োজন
- পরিবেশগত কারণ: জল এবং অক্সিজেন ফেজ ট্রানজিশন হার প্রভাবিত করতে পারে
- ব্যাটারি প্রয়োগ: 1T ফেজের ধাতব বৈশিষ্ট্য দ্রুত চার্জ-ডিসচার্জের জন্য উপকারী
- নিউরোমরফিক ডিভাইস: 1T লিথিয়েশন অবস্থা এবং 1T ডিলিথিয়েশন অবস্থার মধ্যে স্যুইচিং
- ফেজ ইঞ্জিনিয়ারিং: মিশ্র ফেজ 2D উপাদান প্রস্তুতির জন্য নতুন পথ প্রদান করা
- পরিশীলিত পরীক্ষামূলক ডিজাইন: মাইক্রোইলেকট্রোড অ্যারে একক-স্তরীয় স্তরে নির্ভুল গবেষণা বাস্তবায়ন করে
- সম্পূর্ণ চিহ্নিতকরণ পদ্ধতি: ইলেকট্রোকেমিক্যাল + রামান স্পেকট্রোস্কপি পরিপূরক তথ্য প্রদান করে
- সময় স্কেল গবেষণা: ফেজ ট্রানজিশনের গতিশীল বৈশিষ্ট্য প্রকাশ করে
- কঠোর পরীক্ষামূলক শর্তাবলী: অতি-নিম্ন জল-অক্সিজেন পরিবেশ ফলাফলের নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে
- গুরুত্বপূর্ণ বিরোধ সমাধান: ডিলিথিয়েশন প্রক্রিয়ায় ফেজ ট্রানজিশন মেকানিজম স্পষ্ট করে
- ফেজ অবস্থা পার্থক্য: 1T এবং 1T' ফেজ পার্থক্য করতে অক্ষম
- মেকানিজম গভীরতা: ফেজ ট্রানজিশন গতিশীলতার আণবিক মেকানিজম সম্পর্কে আলোচনা অপর্যাপ্ত
- তাপমাত্রা প্রভাব: ফেজ ট্রানজিশন হারে তাপমাত্রার প্রভাব অধ্যয়ন করা হয়নি
- নমুনা পরিমাণ: একক-স্তরীয় গবেষণার পরিসংখ্যানগত সীমাবদ্ধতা রয়েছে
- একাডেমিক মূল্য: MoS2 ফেজ ট্রানজিশন ক্ষেত্রের গুরুত্বপূর্ণ বিরোধ সমাধান করে
- প্রযুক্তিগত মূল্য: 1T-MoS2 এর নিয়ন্ত্রিত প্রস্তুতির জন্য নতুন পদ্ধতি প্রদান করে
- প্রয়োগের সম্ভাবনা: MoS2 ভিত্তিক ডিভাইস ডিজাইনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ নির্দেশনা প্রদান করে
- পদ্ধতিগত অবদান: 2D উপাদান গবেষণায় মাইক্রোইলেকট্রোড অ্যারে প্রযুক্তির প্রয়োগ
- মৌলিক গবেষণা: 2D উপাদান ফেজ ট্রানজিশন মেকানিজম গবেষণা
- ডিভাইস উন্নয়ন: MoS2 ভিত্তিক ব্যাটারি, সেন্সর, অনুঘটক
- ফেজ ইঞ্জিনিয়ারিং: মেটাস্টেবল উপাদান প্রস্তুতি এবং প্রয়োগ
- চিহ্নিতকরণ প্রযুক্তি: একক ন্যানো কাঠামোর ইলেকট্রোকেমিক্যাল গবেষণা
পেপারটি 66টি সম্পর্কিত সংদর্ভ উদ্ধৃত করে, যা MoS2 এর মৌলিক বৈশিষ্ট্য, ফেজ ট্রানজিশন মেকানিজম, ইলেকট্রোকেমিক্যাল আচরণ, ডিভাইস প্রয়োগ এবং অন্যান্য একাধিক দিক কভার করে, গবেষণার জন্য একটি দৃঢ় তাত্ত্বিক ভিত্তি প্রদান করে।
সংক্ষিপ্তসার: এই গবেষণা পরিশীলিত পরীক্ষামূলক ডিজাইন এবং কঠোর চিহ্নিতকরণ পদ্ধতির মাধ্যমে, MoS2 ইলেকট্রোকেমিক্যাল ডিলিথিয়েশন প্রক্রিয়ায় ফেজ ট্রানজিশন মেকানিজমের বিরোধ সফলভাবে সমাধান করে, এই ক্ষেত্রের তাত্ত্বিক উন্নয়ন এবং প্রয়োগ প্রচারে গুরুত্বপূর্ণ অবদান রাখে। বিলম্বিত ফেজ ট্রানজিশনের আবিষ্কার শুধুমাত্র গুরুত্বপূর্ণ বৈজ্ঞানিক মূল্য নয়, বরং সম্পর্কিত ডিভাইসের ডিজাইন এবং অপ্টিমাইজেশনের জন্য নতুন চিন্তাভাবনা প্রদান করে।