টেলিকমিউনিকেশন ব্যান্ডে হাইব্রিড ফেজ চেঞ্জ মেটাসারফেসের মাধ্যমে উচ্চ থ্রুপুট অপটিক্যাল সুইচিং

মৌলিক তথ্য

• পেপার আইডি: 2510.11881
• শিরোনাম: টেলিকমিউনিকেশন ব্যান্ডে হাইব্রিড ফেজ চেঞ্জ মেটাসারফেসের মাধ্যমে উচ্চ থ্রুপুট অপটিক্যাল সুইচিং
• লেখক: আমিন জামানি, গ্যাব্রিয়েল স্যান্ডারসন, লু ঝাং, কিওয়েই মিয়াও, সারা মুজদি, জে ঝেং, মোহাম্মাদহোসেইন মোমতাজপুর, ক্রিস্টোফার জে. মেলর, ওয়েন্ডিং ঝাং, টিং মেই, জাকারিয়া মানসুরি, লেই জু*, মোহসেন রাহমানি*
• শ্রেণীবিভাগ: physics.optics
• প্রতিষ্ঠান: নটিংহাম ট্রেন্ট বিশ্ববিদ্যালয়, নর্থওয়েস্টার্ন পলিটেকনিক্যাল বিশ্ববিদ্যালয়, নটিংহাম বিশ্ববিদ্যালয়
• পেপার লিংক: https://arxiv.org/abs/2510.11881

সারসংক্ষেপ

আধুনিক টেলিকমিউনিকেশন সিস্টেমের আরও দক্ষ ডেটা ট্রান্সমিশনের চাহিদা ন্যানোস্কেল উচ্চ থ্রুপুট সম্পূর্ণ অপটিক্যাল সুইচিংকে একটি গুরুত্বপূর্ণ প্রয়োজনীয়তা করে তুলেছে। মেটাসারফেস-ভিত্তিক প্ল্যাটফর্ম তাদের কমপ্যাক্ট ডিজাইন, শক্তি দক্ষতা এবং সাব-ওয়েভলেংথ স্কেলে নির্ভুল আলোক নিয়ন্ত্রণের ক্ষমতার কারণে অনন্য সুবিধা প্রদান করে। এই গবেষণা ফেজ চেঞ্জ ম্যাটেরিয়াল অ্যান্টিমনি ট্রাইসালফাইড (Sb₂S₃) ভিত্তিক মনোলিথিক এবং হাইব্রিড মেটাসারফেস উন্নয়ন করেছে যা টেলিকমিউনিকেশন ব্যান্ডে উচ্চ ট্রান্সমিশন মডুলেশন এবং কম আলোক ক্ষতির চ্যালেঞ্জ মোকাবেলা করে। গবেষণা প্রমাণ করে যে Sb₂S₃ এমনকি ম্যাগনেটিক ডাইপোল কম Q রেজোন্যান্স অবস্থায়ও ৯১% পর্যন্ত মডুলেশন গভীরতা প্রদান করতে পারে, এবং সিলিকন পাতলা ফিল্ম জমার মাধ্যমে হাইব্রিড পদ্ধতি সিমুলেটেড মডুলেশন গভীরতা ৯৯% পর্যন্ত উন্নীত করতে পারে। পরীক্ষামূলকভাবে, হাইব্রিড এবং মনোলিথিক উভয় কাঠামো ৮০% এর বেশি মডুলেশন অর্জন করেছে, হাইব্রিড ডিজাইনের সুইচিং পাওয়ার প্রয়োজনীয়তা প্রায় ২ গুণ হ্রাস পেয়েছে।

গবেষণা পটভূমি এবং প্রেরণা

সমস্যা সংজ্ঞা

১. মূল চ্যালেঞ্জ: আধুনিক টেলিকমিউনিকেশন সিস্টেমের জরুরি প্রয়োজন টেলিকমিউনিকেশন ব্যান্ডে উচ্চ ট্রান্সমিশন মডুলেশন গভীরতা এবং কম আলোক ক্ষতি সহ সম্পূর্ণ অপটিক্যাল সুইচিং বাস্তবায়ন করা २. প্রযুক্তিগত বাধা: ঐতিহ্যবাহী মডুলেশন পদ্ধতিতে উল্লেখযোগ্য সীমাবদ্ধতা রয়েছে:

• তাপীয় মডুলেটর ক্রমাগত পাওয়ার সরবরাহের প্রয়োজন, স্ট্যাটিক পাওয়ার খরচ বেশি
• MEMS সিস্টেম উৎপাদন জটিল, নির্ভুল সারিবদ্ধতার প্রয়োজন
• প্লাজমোনিক মেটাসারফেস ওহমিক ক্ষতি বড়
• ম্যাগনেটিক মডুলেশন প্রতিক্রিয়া গতি ধীর, পিক্সেল নিয়ন্ত্রণ সীমিত

গবেষণার গুরুত্ব

• ডেটা ট্রান্সমিশন চাহিদার দ্রুত বৃদ্ধি ন্যানোস্কেল ফটোনিক ডিভাইসের উন্নয়ন চালিত করছে
• মেটাসারফেস সাব-ওয়েভলেংথ রেজোন্যান্ট ন্যানোস্ট্রাকচারের সমতল অ্যারে হিসাবে, রেজোন্যান্ট ইন্টারঅ্যাকশনের মাধ্যমে আলোর ফেজ, প্রশস্ততা, পোলারাইজেশন এবং প্রচার দিক নিয়ন্ত্রণ করতে পারে
• ডাইইলেকট্রিক মেটাসারফেস অবলোহিত অঞ্চলে প্লাজমোনিক সমতুল্যের তুলনায় কম আলোক ক্ষতি প্রদর্শন করে

বিদ্যমান পদ্ধতির সীমাবদ্ধতা

• GST-ভিত্তিক মেটাসারফেস স্ফটিকীকরণের পরে শোষণ বৃদ্ধি পায়, অপটিক্যাল দক্ষতা হ্রাস পায়
• VO₂ মেটাসারফেস সুইচিং গতি সীমিত, তাপীয় স্থিতিশীলতা বজায় রাখতে ক্রমাগত ভোল্টেজের প্রয়োজন
• বর্তমান ডিজাইন তাপীয় চালনা সীমাবদ্ধতা, পোলারাইজেশন নির্ভরতা এবং জটিল দ্বৈ-চালনা কনফিগারেশন দ্বারা সীমাবদ্ধ

মূল অবদান

१. প্রথমবার প্রমাণ যে Sb₂S₃-ভিত্তিক মেটাসারফেস এমনকি কম Q ম্যাগনেটিক ডাইপোল রেজোন্যান্সেও ৯১% পর্যন্ত মডুলেশন গভীরতা অর্জন করতে পারে, জটিল নির্ভুল উৎপাদন মেটাসারফেসের প্রয়োজনীয়তা দূর করে २. সহজ এবং কার্যকর হাইব্রিড পদ্ধতি উন্নয়ন: সিলিকন পাতলা ফিল্ম জমার মাধ্যমে সিমুলেটেড মডুলেশন গভীরতা ৯৯% পর্যন্ত উন্নীত করে ३. কম পাওয়ার সুইচিং বাস্তবায়ন: হাইব্রিড ডিজাইন মনোলিথিক কাঠামোর তুলনায় প্রায় ২ গুণ কম শক্তি খরচ করে, উচ্চ মডুলেশন গভীরতা বজায় রেখে ४. CMOS-সামঞ্জস্যপূর্ণ সমাধান প্রদান: একীভূত ফটোনিক সার্কিট এবং পরবর্তী প্রজন্মের টেলিকমিউনিকেশন সিস্টেমের সাথে একীকরণের শক্তিশালী সম্ভাবনা প্রদর্শন করে

পদ্ধতি বিস্তারিত

উপাদান বৈশিষ্ট্য বিশ্লেষণ

• Sb₂S₃ এর সুবিধা:
  • অ-স্ফটিক এবং স্ফটিক অবস্থার মধ্যে রিফ্র্যাক্টিভ ইন্ডেক্স বৈসাদৃশ্য Δn≈0.74
  • টেলিকমিউনিকেশন ব্যান্ডে অন্তর্নিহিত কম আলোক ক্ষতি (k<10⁻⁴)
  • CMOS প্ল্যাটফর্ম সামঞ্জস্যতা
  • বড় রিফ্র্যাক্টিভ ইন্ডেক্স টিউনিং ক্ষমতা

মনোলিথিক মেটাসারফেস ডিজাইন

• জ্যামিতিক পরামিতি:
  • স্তম্ভ উচ্চতা: ৩০০ nm
  • স্তম্ভ ব্যাসার্ধ: ৩২৫ nm
  • পর্যায়ক্রমিকতা: ৯০০ nm
• রেজোন্যান্স প্রক্রিয়া: সর্বনিম্ন-অর্ডার Mie-টাইপ ম্যাগনেটিক ডাইপোল (MD) রেজোন্যান্স সমর্থন করে
• ডিজাইন সুবিধা:
  • উৎপাদন ত্রুটির প্রতি উচ্চ সহনশীলতা
  • স্তম্ভের মধ্যে শক্তিশালী ক্ষেত্র সীমাবদ্ধতা আলো-পদার্থ মিথস্ক্রিয়া বৃদ্ধি করে
  • প্রশস্ত-ব্যান্ড অপটিক্যাল স্পেকট্রাম ব্যান্ডউইথ

হাইব্রিড মেটাসারফেস আর্কিটেকচার

• কাঠামো গঠন: Sb₂S₃ ন্যানোডিস্ক মেটাসারফেস + ১০০nm পুরু সিলিকন স্তর
• কাজের নীতি:
  • সিলিকন স্তর অ-রেজোন্যান্ট মোডের ট্রান্সমিশন চ্যানেল পরিবর্তন করে
  • গাইডেড-মোড রেজোন্যান্সের লিকি চ্যানেলের সাথে মিথস্ক্রিয়া
  • সংকীর্ণ অ-প্রতিসম লাইন আকৃতি উৎপন্ন করে, Fano-সদৃশ হস্তক্ষেপ বৈশিষ্ট্য প্রদর্শন করে
• মাল্টিপোল বৈশিষ্ট্য: প্রধানত ইলেকট্রিক অক্টোপোল (EO), ইলেকট্রিক ডাইপোল (ED) এবং ম্যাগনেটিক কোয়াড্রুপোল (MQ) উত্তেজনা দ্বারা প্রভাবিত

ফেজ চেঞ্জ প্রক্রিয়া

• লেজার-প্ররোচিত স্ফটিকীকরণ: ৫३२nm ক্রমাগত-তরঙ্গ লেজার ব্যবহার করে নির্বাচনীভাবে Sb₂S₃ স্ফটিকীকরণ করে
• পাওয়ার প্রয়োজনীয়তা:
  • মনোলিথিক কাঠামো: ११०mW (শক্তি ঘনত্ব ७ kJ/cm²)
  • হাইব্রিড কাঠামো: ६५mW (শক্তি ঘনত্ব ४.१ kJ/cm²)
• স্ফটিকীকরণ থ্রেশহোল্ড: প্রাথমিক স্ফটিকীকরণ থ্রেশহোল্ড শক্তি ঘনত্ব ३.८ kJ/cm²

পরীক্ষামূলক সেটআপ

উৎপাদন প্রক্রিয়া

१. পাতলা ফিল্ম জমা: তাপীয় বাষ্পীকরণ পদ্ধতি ব্যবহার করে গলিত সিলিকা সাবস্ট্রেটে Sb₂S₃ জমা করা २. প্যাটার্নিং: মান ইলেকট্রন-বিম লিথোগ্রাফি এবং এচিং ३. হাইব্রিডাইজেশন: প্লাজমা-বর্ধিত রাসায়নিক বাষ্প জমা (PECVD) ব্যবহার করে সিলিকন স্তর জমা করা

চিহ্নিতকরণ পদ্ধতি

• অপটিক্যাল চিহ্নিতকরণ: Köhler আলোকসজ্জা সিস্টেম, Thorlabs SLS302 সাদা আলোর উৎস এবং Ocean Optics NIRQuest স্পেকট্রোমিটার ব্যবহার করে
• ফেজ চেঞ্জ প্ররোচনা: २.५W ५३२nm DPSS ক্রমাগত-তরঙ্গ লেজার
• সংখ্যাসূচক সিমুলেশন: MATLAB-এ কঠোর সংযুক্ত-তরঙ্গ বিশ্লেষণ (RCWA) এবং COMSOL Multiphysics সীমিত-উপাদান পদ্ধতি

মূল্যায়ন সূচক

মডুলেশন গভীরতা η গণনা সূত্র:

η = [(Tmax - Tmin) / Tabsolute max] × 100%

যেখানে Tmax এবং Tmin যথাক্রমে সর্বোচ্চ এবং সর্বনিম্ন ট্রান্সমিশন তীব্রতা, Tabsolute max সর্বোচ্চ পরম ট্রান্সমিশন হার।

পরীক্ষামূলক ফলাফল

প্রধান ফলাফল

মনোলিথিক মেটাসারফেস কর্মক্ষমতা

• রেজোন্যান্স স্থানান্তর: অ-স্ফটিক অবস্থা থেকে १४००nm পলিক্রিস্টালাইন অবস্থায় १५६०nm-এ লাল-স্থানান্তরিত, স্থানান্তর १४०nm
• মডুলেশন গভীরতা:
  • সিমুলেটেড ফলাফল: ९१.५%
  • পরীক্ষামূলক ফলাফল: ९२%
• প্রয়োজনীয় স্ফটিকীকরণ: প্রায় ५३% PCM স্ফটিকীকরণ

হাইব্রিড মেটাসারফেস কর্মক্ষমতা

• রেজোন্যান্স বৈশিষ্ট্য: १४५७nm-এ তীক্ষ্ণ রেজোন্যান্স উপস্থিত
• মডুলেশন গভীরতা:
  • সিমুলেটেড ফলাফল: ९९% (মাত্র ३% স্ফটিকীকরণের প্রয়োজন)
  • পরীক্ষামূলক ফলাফল: প্রায় ९०%
• পাওয়ার সুবিধা: মনোলিথিক কাঠামোর তুলনায় প্রায় ४१% পাওয়ার হ্রাস

মাল্টিপোল বিয়োজন বিশ্লেষণ

• মনোলিথিক কাঠামো: १४००nm-এ প্রধানত ম্যাগনেটিক ডাইপোল রেজোন্যান্স দ্বারা প্রভাবিত, ইলেকট্রিক ডাইপোল, ইলেকট্রিক কোয়াড্রুপোল এবং ম্যাগনেটিক কোয়াড্রুপোল অবদান সহ
• হাইব্রিড কাঠামো: १४५७nm-এ প্রধানত ইলেকট্রিক অক্টোপোল, ইলেকট্রিক ডাইপোল এবং ম্যাগনেটিক কোয়াড্রুপোল উত্তেজনা দ্বারা প্রভাবিত

কোণ নির্ভরতা

সহায়ক তথ্য চিত্র S3 এর মাধ্যমে দেখা যায় যে মনোলিথিক মেটাসারফেস অবলোহিত পরিসরে বড় ঘটনা কোণ স্বাধীনতা বজায় রাখে, १३१४nm এবং १४२२nm-এ অর্ধ-স্ফটিক এবং সম্পূর্ণ-স্ফটিক অবস্থার জন্য, উচ্চ ট্রান্সমিশন এবং ন্যূনতম কোণ নির্ভরতা ५०° পর্যন্ত অর্জনযোগ্য।

কর্মক্ষমতা তুলনা

সাহিত্যে সাধারণ মেটাসারফেস অপটিক্যাল সুইচের সাথে তুলনা মডুলেশন গভীরতার ক্ষেত্রে এই কাজের উৎকর্ষতা প্রদর্শন করে:

• Sb₂S₃ মনোলিথিক কাঠামো: ९१% মডুলেশন গভীরতা
• Sb₂S₃/Si হাইব্রিড কাঠামো: ९९% মডুলেশন গভীরতা
• সুইচিং গতি: १००ms
• কাজের তরঙ্গদৈর্ঘ্য: টেলিকমিউনিকেশন ব্যান্ড (१४६०-१५६०nm)

সম্পর্কিত কাজ

ফেজ চেঞ্জ ম্যাটেরিয়াল মেটাসারফেস উন্নয়ন

• GST সিরিজ: Ge₂Sb₂Te₅ এবং Ge₂Sb₂Se₄Te₁ ইত্যাদি উপাদান ব্যাপকভাবে প্রয়োগ করা হলেও, স্ফটিকীকরণের পরে শোষণ বৃদ্ধি অপটিক্যাল দক্ষতা সীমাবদ্ধ করে
• VO₂ ম্যাটেরিয়াল: সুইচিং গতি সীমিত, স্থিতিশীলতা বজায় রাখতে ক্রমাগত ভোল্টেজের প্রয়োজন
• Sb₂S₃ এবং Sb₂Se₃: দৃশ্যমান আলো এবং অবলোহিত পরিসরে কম আলোক ক্ষতি, বড় রিফ্র্যাক্টিভ ইন্ডেক্স বৈসাদৃশ্য এবং CMOS সামঞ্জস্যতার কারণে ব্যাপক মনোযোগ আকর্ষণ করছে

মডুলেশন প্রক্রিয়া তুলনা

• যান্ত্রিক মডুলেশন: শারীরিক গতিবিধি দ্বারা বাস্তবায়িত, কিন্তু উৎপাদন জটিল
• তাপীয় মডুলেশন: ক্রমাগত পাওয়ার প্রয়োজন, স্ট্যাটিক পাওয়ার খরচ বেশি
• ইলেকট্রো-অপটিক মডুলেশন: দ্রুত প্রতিক্রিয়া কিন্তু মডুলেশন গভীরতা সীমিত
• লেজার-প্ররোচিত ফেজ চেঞ্জ ম্যাটেরিয়াল মডুলেশন: এই পেপারের পদ্ধতি, কম ক্ষতি এবং উচ্চ বৈসাদৃশ্য সুবিধা সহ

উপসংহার এবং আলোচনা

প্রধান উপসংহার

१. উপাদান সুবিধা যাচাইকরণ: Sb₂S₃ টেলিকমিউনিকেশন ব্যান্ডে উৎকৃষ্ট অপটিক্যাল মডুলেশন কর্মক্ষমতা প্রদর্শন করে, রিফ্র্যাক্টিভ ইন্ডেক্স পরিবর্তন ०.७४ পৌঁছায়, আলোক ক্ষতি k<10⁻⁴ २. ডিজাইন কৌশল কার্যকারিতা: এমনকি কম Q ম্যাগনেটিক ডাইপোল রেজোন্যান্স ব্যবহার করেও ९१% উচ্চ মডুলেশন গভীরতা অর্জন করা সম্ভব ३. হাইব্রিড পরিকল্পনা উৎকর্ষতা: সিলিকন একীকরণ শুধুমাত্র মডুলেশন গভীরতা ९९% পর্যন্ত উন্নীত করে না, বরং সুইচিং পাওয়ার উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে ४. শক্তিশালী ব্যবহারিকতা: পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ ८०% এর বেশি মডুলেশন গভীরতা প্রদর্শন করে, বাস্তব প্রয়োগের সম্ভাবনা প্রদর্শন করে

সীমাবদ্ধতা

१. উৎপাদন নির্ভুলতা প্রভাব: সিলিকন জমা মডেলিং অনুমান এবং স্পেকট্রোমিটার রেজোলিউশন সীমাবদ্ধতা পরিমাপ নির্ভুলতা প্রভাবিত করে २. সুইচিং গতি: বর্তমান १००ms সুইচিং সময় কিছু উচ্চ-গতির প্রয়োগের জন্য উপযুক্ত নাও হতে পারে ३. পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা যাচাইকরণ: পেপার একাধিক সুইচিং চক্রের স্থিতিশীলতা এবং পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা যথেষ্টভাবে আলোচনা করে না ४. তাপমাত্রা নির্ভরতা: লেজার শক্তির তাপমাত্রা নির্ভরতা বিভিন্ন পরিবেশগত অবস্থায় ডিভাইসের কর্মক্ষমতা প্রভাবিত করতে পারে

ভবিষ্যত দিকনির্দেশনা

१. উৎপাদন প্রক্রিয়া অপ্টিমাইজেশন: সিলিকন স্তর জমার সমানতা এবং ইন্টারফেস গুণমান উন্নত করা २. সুইচিং গতি বৃদ্ধি: পালস লেজার বা অন্যান্য দ্রুত ফেজ চেঞ্জ প্ররোচনা পদ্ধতি অন্বেষণ করা ३. মাল্টি-লেভেল মডুলেশন: আংশিক স্ফটিকীকরণ ব্যবহার করে মাল্টি-লেভেল অপটিক্যাল মডুলেশন বাস্তবায়ন করা ४. একীকরণ উন্নয়ন: সিলিকন ফটোনিক প্ল্যাটফর্মের সাথে গভীর একীকরণ, অন-চিপ অপটিক্যাল সুইচ অ্যারে উন্নয়ন করা

গভীর মূল্যায়ন

সুবিধা

१. প্রযুক্তিগত উদ্ভাবন শক্তিশালী:

• প্রথমবার প্রমাণ করে যে কম Q রেজোন্যান্সও উচ্চ মডুলেশন গভীরতা অর্জন করতে পারে, ঐতিহ্যবাহী জ্ঞান ভাঙে
• সহজ এবং কার্যকর হাইব্রিড কৌশল কর্মক্ষমতা উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নীত করে
• উপাদান নির্বাচন যুক্তিসঙ্গত, Sb₂S₃ এর কম ক্ষতি বৈশিষ্ট্য সম্পূর্ণভাবে ব্যবহৃত হয়

२. পরীক্ষামূলক ডিজাইন সম্পূর্ণ:

• তাত্ত্বিক সিমুলেশন এবং পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ সমন্বয়
• মাল্টিপোল বিয়োজন বিশ্লেষণ গভীরভাবে শারীরিক প্রক্রিয়া প্রকাশ করে
• সাহিত্য তুলনা ব্যাপক এবং উদ্দেশ্যমূলক

३. ব্যবহারিক মূল্য উচ্চ:

• CMOS সামঞ্জস্যতা শক্তিশালী, শিল্পীকরণ সহজ
• পাওয়ার খরচ উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস, শক্তি সাশ্রয় প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে
• টেলিকমিউনিকেশন ব্যান্ড অপারেশন, বিস্তৃত প্রয়োগ সম্ভাবনা

অপূর্ণতা

१. তাত্ত্বিক বিশ্লেষণ গভীরতা:

• হাইব্রিড কাঠামোতে সিলিকন-Sb₂S₃ ইন্টারফেস মিথস্ক্রিয়ার শারীরিক প্রক্রিয়া বিশ্লেষণ অপর্যাপ্ত
• Fano রেজোন্যান্স গঠন প্রক্রিয়ার বিস্তারিত তাত্ত্বিক ব্যুৎপত্তি অনুপস্থিত

२. পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ সীমাবদ্ধতা:

• দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীলতা পরীক্ষা পরিচালিত হয়নি
• বড় এলাকা সমানতা যাচাইকরণ অনুপস্থিত
• তাপমাত্রা নির্ভরতা চিহ্নিতকরণ অপর্যাপ্ত

३. কর্মক্ষমতা অপ্টিমাইজেশন স্থান:

• সুইচিং গতি ইলেকট্রো-অপটিক মডুলেশন পদ্ধতির তুলনায় এখনও পিছিয়ে আছে
• পাওয়ার খরচ উন্নত হলেও পরম মূল্য এখনও তুলনামূলকভাবে বেশি

প্রভাব মূল্যায়ন

१. একাডেমিক অবদান: ফেজ চেঞ্জ ম্যাটেরিয়াল মেটাসারফেস অপটিক্যাল সুইচের জন্য নতুন ডিজাইন চিন্তাভাবনা এবং উপাদান নির্বাচন প্রদান করে २. প্রযুক্তি অগ্রগতি: কম ক্ষতি অপটিক্যাল সুইচ প্রযুক্তির উন্নয়ন চালিত করে ३. শিল্প মূল্য: পরবর্তী প্রজন্মের টেলিকমিউনিকেশন সিস্টেম এবং ডেটা সেন্টার অপটিক্যাল ইন্টারকানেক্টের জন্য প্রযুক্তিগত ভিত্তি প্রদান করে ४. পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা: উৎপাদন প্রক্রিয়া মান, উপাদান সহজলভ্য, ভাল পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা রয়েছে

প্রযোজ্য পরিস্থিতি

१. অপটিক্যাল যোগাযোগ সিস্টেম: তরঙ্গদৈর্ঘ্য বিভাজন মাল্টিপ্লেক্সিং, অপটিক্যাল অ্যাড/ড্রপ মাল্টিপ্লেক্সার २. ডেটা সেন্টার: চিপ-অন অপটিক্যাল ইন্টারকানেক্ট, অপটিক্যাল সুইচ ম্যাট্রিক্স
३. অপটিক্যাল কম্পিউটিং: পুনর্নির্মাণযোগ্য অপটিক্যাল নিউরাল নেটওয়ার্ক, অপটিক্যাল লজিক গেট ४. সেন্সিং প্রয়োগ: টিউনেবল অপটিক্যাল সেন্সর, অভিযোজিত অপটিক্যাল সিস্টেম

সংদর্ভ

পেপারটি ৫७টি সম্পর্কিত সংদর্ভ উদ্ধৃত করে, যা মেটাসারফেস, ফেজ চেঞ্জ ম্যাটেরিয়াল, অপটিক্যাল সুইচ এবং অন্যান্য গবেষণা ক্ষেত্রের গুরুত্বপূর্ণ কাজ অন্তর্ভুক্ত করে, গবেষণার জন্য দৃঢ় তাত্ত্বিক ভিত্তি এবং প্রযুক্তিগত তুলনা প্রদান করে। মূল সংদর্ভগুলির মধ্যে রয়েছে Yu এবং অন্যদের মেটাসারফেস মৌলিক নীতি সম্পর্কে যুগান্তকারী কাজ, Wuttig এবং অন্যদের ফেজ চেঞ্জ ম্যাটেরিয়াল ফটোনিক প্রয়োগ সম্পর্কে পর্যালোচনা, এবং সম্প্রতি GST, VO₂, Sb₂S₃ এবং অন্যান্য ম্যাটেরিয়ালের অপটিক্যাল সুইচ প্রয়োগে গুরুত্বপূর্ণ অগ্রগতি।