2025-11-17T20:58:13.503845

Visualizing the Impact of Quenched Disorder on 2D Electron Wigner Solids

Ge, Smith, He et al.
Electron Wigner solids (WSs)1-12 provide an ideal system for understanding the competing effects of electron-electron and electron-disorder interactions, a central unsolved problem in condensed matter physics. Progress in this topic has been limited by a lack of single-defect-resolved experimental measurements as well as accurate theoretical tools to enable realistic experiment-theory comparison. Here we overcome these limitations by combining atomically-resolved scanning tunneling microscopy (STM) with quantum Monte Carlo (QMC) simulation of disordered 2D electron WSs. STM was used to image the electron density ($n_e$) dependent evolution of electron WSs in gate-tunable bilayer MoSe$_2$ devices with varying long-range ($n_\mathrm{LR}$) and short-range ($n_\mathrm{SR}$) disorder densities. These images were compared to QMC simulations using realistic disorder maps extracted from experiment, thus allowing the roles of different disorder types to be disentangled. We identify two distinct physical regimes for disordered electron WSs that depend on the magnitude of $n_\mathrm{SR}$. For $n_\mathrm{SR} \lesssim n_e$ the WS behavior is dominated by long-range disorder and features extensive mixed solid-liquid phases, a new type of re-entrant melting-crystallization, and prominent Friedel oscillations. In contrast, when $n_\mathrm{SR} \gg n_e$ these features are suppressed and a more robust amorphous WS phase emerges that persists to higher $n_e$, highlighting the importance of short-range disorder in this regime. Our work establishes a new framework for studying disordered quantum solids via a combined experimental-theoretical approach.
academic

দ্বিমাত্রিক ইলেকট্রন উইগনার সলিডে কোয়েঞ্চড ডিসঅর্ডারের প্রভাব ভিজ্যুয়ালাইজ করা

মৌলিক তথ্য

  • পেপার আইডি: 2510.12009
  • শিরোনাম: দ্বিমাত্রিক ইলেকট্রন উইগনার সলিডে কোয়েঞ্চড ডিসঅর্ডারের প্রভাব ভিজ্যুয়ালাইজ করা
  • লেখক: ঝেহাও গে, কনর স্মিথ, জেহাও হে, ইউবো ইয়াং এবং অন্যান্য (ইউসি বার্কলে, ফ্ল্যাটিরন ইনস্টিটিউট এবং অন্যান্য প্রতিষ্ঠান থেকে)
  • শ্রেণীবিভাগ: cond-mat.str-el (দৃঢ়ভাবে সম্পর্কিত ইলেকট্রন সিস্টেম), cond-mat.mes-hall (মেসোস্কোপিক হল প্রভাব)
  • প্রকাশনা সময়: ২০২৪
  • পেপার লিঙ্ক: https://arxiv.org/abs/2510.12009

সারসংক্ষেপ

এই গবেষণা পরমাণু-বিভাজন স্ক্যানিং টানেলিং মাইক্রোস্কোপি (STM) এবং কোয়ান্টাম মন্টে কার্লো (QMC) সিমুলেশনের সমন্বয়ের মাধ্যমে, প্রথমবারের মতো নিরাপদ দ্বিমাত্রিক ইলেকট্রন উইগনার সলিডের সরাসরি ভিজ্যুয়ালাইজেশন এবং নির্ভুল তাত্ত্বিক বর্ণনা অর্জন করেছে। গবেষণায় দুটি সম্পূর্ণ ভিন্ন ভৌত অঞ্চল আবিষ্কৃত হয়েছে: নিম্ন ত্রুটি ঘনত্ব (LDD) অঞ্চল এবং উচ্চ ত্রুটি ঘনত্ব (HDD) অঞ্চল, যা দীর্ঘ-পরিসর এবং স্বল্প-পরিসর ডিসঅর্ডারের ইলেকট্রন উইগনার সলিডে বিভিন্ন প্রভাব প্রক্রিয়া প্রকাশ করে।

গবেষণা পটভূমি এবং প্রেরণা

মূল সমস্যা

ইলেকট্রন-ইলেকট্রন মিথস্ক্রিয়া এবং ইলেকট্রন-ডিসঅর্ডার মিথস্ক্রিয়ার মধ্যে প্রতিযোগিতামূলক প্রভাব ঘনীভূত পদার্থ পদার্থবিজ্ঞানে একটি মূল অমীমাংসিত সমস্যা। যখন ইলেকট্রন-ইলেকট্রন মিথস্ক্রিয়া প্রাধান্য পায়, দ্বিমাত্রিক ইলেকট্রন সিস্টেম ফার্মি তরল থেকে উইগনার ক্রিস্টালে রূপান্তরিত হয়, কিন্তু বাস্তব উপকরণে অনিবার্য ডিসঅর্ডার এই সম্পর্কিত ইলেকট্রন আচরণকে উল্লেখযোগ্যভাবে পরিবর্তন করে।

সমস্যার গুরুত্ব

১. মৌলিক ভৌত অর্থ: দৃঢ়ভাবে সম্পর্কিত ইলেকট্রন সিস্টেমে পর্যায় রূপান্তর প্রক্রিয়া বোঝা २. প্রযুক্তিগত প্রয়োগ: কোয়ান্টাম ডিভাইস ডিজাইনের জন্য তাত্ত্বিক ভিত্তি প্রদান করা ३. পদ্ধতিগত অগ্রগতি: পরীক্ষামূলক-তাত্ত্বিক সমন্বয়ের নতুন প্যারাডাইম প্রতিষ্ঠা করা

বিদ্যমান পদ্ধতির সীমাবদ্ধতা

१. পরীক্ষামূলক সীমাবদ্ধতা: একক-ত্রুটি বিভাজনের পরীক্ষামূলক পরিমাপ পদ্ধতির অভাব २. তাত্ত্বিক কঠিনতা: ডিসঅর্ডার প্রভাব সঠিকভাবে পরিচালনা করার তাত্ত্বিক সরঞ্জামের অভাব ३. তুলনা কঠিনতা: বাস্তবসম্মত পরীক্ষামূলক-তাত্ত্বিক তুলনা বাস্তবায়ন করতে অক্ষমতা

গবেষণা প্রেরণা

STM এর পরমাণু-স্তরের ইমেজিং ক্ষমতা এবং উন্নত QMC পদ্ধতির মাধ্যমে, উপরোক্ত সীমাবদ্ধতা অতিক্রম করে, ডিসঅর্ডার দৃঢ়ভাবে সম্পর্কিত ইলেকট্রন সিস্টেমে প্রভাব সম্পর্কে পরিমাণগত বোঝার জন্য একটি নতুন কাঠামো প্রতিষ্ঠা করা।

মূল অবদান

१. প্রথমবারের মতো বাস্তবায়ন ডিসঅর্ডার দ্বিমাত্রিক ইলেকট্রন উইগনার সলিডের পরমাণু-বিভাজন সরাসরি ইমেজিং २. দুটি নতুন ভৌত অঞ্চল আবিষ্কার: LDD এবং HDD অঞ্চল, সম্পূর্ণ ভিন্ন ইলেকট্রন আচরণ সহ ३. নতুন ঘটনা পর্যবেক্ষণ: পুনঃপ্রবেশ গলন/স্ফটিকীকরণ আচরণ এবং ফ্রিডেল দোলনের নিয়ন্ত্রণ ४. নতুন পদ্ধতি প্রতিষ্ঠা: STM এবং QMC সমন্বয়ের পরীক্ষামূলক-তাত্ত্বিক একীভূত গবেষণা কাঠামো ५. নতুন QMC পদ্ধতি উন্নয়ন: (MP)²-NQSs পদ্ধতি, যা সলিড এবং তরল পর্যায় একীভূতভাবে বর্ণনা করতে পারে

পদ্ধতি বিস্তারিত

পরীক্ষামূলক সেটআপ

নমুনা প্রস্তুতি

  • উপকরণ সিস্টেম: গেট-সামঞ্জস্যযোগ্য দ্বিস্তর MoSe₂ ডিভাইস
  • কাঠামো: গ্রাফিন ন্যানোরিবন যোগাযোগ/দ্বিস্তর MoSe₂/হেক্সাগোনাল বোরন নাইট্রাইড হেটারোস্ট্রাকচার
  • সাবস্ট্রেট: SiO₂/Si সাবস্ট্রেট
  • প্রস্তুতি প্রক্রিয়া: পলিমার স্থানান্তর পদ্ধতি এবং ইলেকট্রন বিম বাষ্পীকরণ

STM পরিমাপ প্রযুক্তি

  • "ব্যান্ডগ্যাপ অভ্যন্তরীণ" টানেলিং প্রযুক্তি: STM সূচ-প্ররোচিত বিঘ্ন ন্যূনতম করা
  • পক্ষপাত সমন্বয়: V_bias সূচ-নমুনা কার্যকর ফাংশন পার্থক্যে সমন্বয়, সূচ ফার্মি শক্তি স্তর ব্যান্ডগ্যাপে রাখা
  • পরিমাপ শর্ত: অতি-উচ্চ শূন্যতা, 4.8K নিম্ন তাপমাত্রা

তাত্ত্বিক পদ্ধতি

QMC সিমুলেশন

  • নতুন পদ্ধতি: (MP)²-NQSs (একাধিক-সমতল-তরঙ্গ-বার্তা-পাস নিউরাল কোয়ান্টাম অবস্থা)
  • সুবিধা: সলিড এবং তরল পর্যায় বর্ণনা করার জন্য একীভূত কাঠামো, ঐতিহ্যবাহী পদ্ধতির পক্ষপাত এড়ানো
  • উদ্ভাবনী বিন্দু: পরীক্ষা থেকে নিষ্কাশিত ডিসঅর্ডার বিতরণ সরাসরি ব্যবহার করে সিমুলেশন

ডিসঅর্ডার প্রক্রিয়াকরণ

  • দীর্ঘ-পরিসর ডিসঅর্ডার: চার্জযুক্ত ত্রুটি, 1/r কুলম্ব সম্ভাবনা
  • স্বল্প-পরিসর ডিসঅর্ডার: সমতুল্য ত্রুটি, স্বল্প-পরিসর সম্ভাবনা
  • বাস্তবসম্মত মডেলিং: ত্রুটি অবস্থান সরাসরি STM চিত্র থেকে নিষ্কাশিত

পরীক্ষামূলক সেটআপ

উপকরণ সিস্টেম পরামিতি

  • কার্যকর ভর: m* ≈ 0.54m₀
  • ডাইইলেকট্রিক ধ্রুবক: ε ≈ 2.58ε₀ (hBN/শূন্যতা ইন্টারফেস)
  • সমালোচনামূলক উইগনার-সেইটজ ব্যাসার্ধ: rs ≈ 37 (তাত্ত্বিক পূর্বাভাস)

ত্রুটি ঘনত্ব পরিসীমা

  • LDD ডিভাইস: n_LR ≈ 1.6×10¹⁰ cm⁻², n_SR ≈ 3.5×10¹⁰ cm⁻²
  • HDD ডিভাইস: n_SR LDD এর চেয়ে প্রায় 28 গুণ বেশি, n_LR সমতুল্য

পরিমাপ পরামিতি

  • ইলেকট্রন ঘনত্ব পরিসীমা: 2.9×10¹⁰ - 2.5×10¹¹ cm⁻²
  • উইগনার-সেইটজ ব্যাসার্ধ: rs ≈ 14-41
  • তাপমাত্রা: 4.8K

পরীক্ষামূলক ফলাফল

প্রধান আবিষ্কার

LDD অঞ্চল বৈশিষ্ট্য (n_SR ≲ n_e)

१. পুনঃপ্রবেশ গলন/স্ফটিকীকরণ: ইলেকট্রন ঘনত্ব বৃদ্ধির সাথে অ-একঘেয়ে সলিড-তরল রূপান্তর २. মিশ্র পর্যায় সহাবস্থান: সলিড এবং তরল পর্যায় স্থানিকভাবে সহাবস্থান ३. উল্লেখযোগ্য ফ্রিডেল দোলন: উচ্চ ঘনত্বে স্পষ্ট চার্জ ঘনত্ব দোলন ४. দীর্ঘ-পরিসর ক্রম: স্থানীয় ত্রিভুজ জালক কাঠামো

HDD অঞ্চল বৈশিষ্ট্য (n_SR ≫ n_e)

१. শক্তিশালী অ-স্ফটিক উইগনার সলিড: উচ্চতর ইলেকট্রন ঘনত্ব পর্যন্ত অব্যাহত २. পুনঃপ্রবেশ আচরণ দমন: কোন পুনঃপ্রবেশ গলন/স্ফটিকীকরণ ঘটনা নেই ३. ফ্রিডেল দোলন নিভানো: উচ্চ ঘনত্বে কোন স্পষ্ট দোলন নেই ४. সমান ইলেকট্রন স্থানীয়করণ: ইলেকট্রন শক্তিশালী স্থানীয়করিত কিন্তু বিন্যাস নিরাপদ

পরিমাণগত ফলাফল

পর্যায় রূপান্তর সমালোচনামূলক মান

  • তাত্ত্বিক পূর্বাভাস: rs ≈ 37 (বিশুদ্ধ সিস্টেম)
  • LDD পরীক্ষা: উইগনার সলিড rs < 37 এ এখনও স্থিতিশীল বিদ্যমান
  • HDD পরীক্ষা: সলিড পর্যায় স্থিতিশীলতা আরও বৃদ্ধি পায়

কাঠামো ফ্যাক্টর বিশ্লেষণ

  • LDD: স্পষ্ট কাঠামো ফ্যাক্টর শিখর বিদ্যমান, মধ্য-পরিসর ক্রম নির্দেশ করে
  • HDD: কাঠামো ফ্যাক্টর শিখর অদৃশ্য, অ-স্ফটিক বৈশিষ্ট্য নিশ্চিত করে

তাত্ত্বিক-পরীক্ষামূলক তুলনা

উৎকৃষ্ট সামঞ্জস্য

१. ইলেকট্রন বিতরণ: QMC সিমুলেশন STM চিত্রের সাথে উচ্চ সামঞ্জস্যপূর্ণ २. পর্যায় রূপান্তর আচরণ: তত্ত্ব নিখুঁতভাবে পুনঃপ্রবেশ ঘটনা পুনরুৎপাদন করে ३. ফ্রিডেল দোলন: QMC ফলাফল পরীক্ষার সাথে পরিমাণগতভাবে সামঞ্জস্যপূর্ণ ४. ত্রুটি প্রভাব: তত্ত্ব বিভিন্ন ডিসঅর্ডার ধরনের প্রভাব সঠিকভাবে পূর্বাভাস দেয়

সম্পর্কিত কাজ

ঐতিহাসিক উন্নয়ন

१. উইগনার ক্রিস্টাল তত্ত্ব: 1934 সালে উইগনার ইলেকট্রন ক্রিস্টাল ধারণা প্রস্তাব করেন २. QMC উন্নয়ন: তানাতার এবং সেপারলে প্রভৃতি দ্বিমাত্রিক ইলেকট্রন গ্যাস পর্যায় চিত্র প্রতিষ্ঠা করেন ३. পরীক্ষামূলক অগ্রগতি: সম্প্রতি TMD উপকরণে উইগনার সলিড পর্যবেক্ষণ করা হয়েছে

এই কাজের উদ্ভাবন

१. প্রথম সরাসরি ইমেজিং: পরমাণু-বিভাজন নিরাপদ উইগনার সলিড পর্যবেক্ষণ २. পরিমাণগত তাত্ত্বিক তুলনা: বাস্তবসম্মত ডিসঅর্ডার কনফিগারেশনের নির্ভুল QMC সিমুলেশন ३. নতুন পদার্থবিজ্ঞান আবিষ্কার: দুটি ভিন্ন ডিসঅর্ডার অঞ্চল এবং পুনঃপ্রবেশ ঘটনা

উপসংহার এবং আলোচনা

প্রধান উপসংহার

१. নতুন কাঠামো প্রতিষ্ঠা: নিরাপদ কোয়ান্টাম সলিড অধ্যয়নের পরীক্ষামূলক-তাত্ত্বিক সমন্বয় পদ্ধতি २. নতুন অঞ্চল আবিষ্কার: LDD এবং HDD দুটি ভিন্ন ভৌত বৈশিষ্ট্য সহ অঞ্চল ३. নতুন প্রক্রিয়া প্রকাশ: ইলেকট্রন সম্পর্কে স্বল্প-পরিসর ডিসঅর্ডারের সিদ্ধান্তমূলক ভূমিকা ४. নতুন ঘটনা পর্যবেক্ষণ: পুনঃপ্রবেশ গলন/স্ফটিকীকরণ এবং ফ্রিডেল দোলন নিয়ন্ত্রণ

ভৌত প্রক্রিয়া বোঝা

LDD অঞ্চল প্রক্রিয়া

  • প্রধান ফ্যাক্টর: চার্জযুক্ত ত্রুটির দীর্ঘ-পরিসর কুলম্ব সম্ভাবনা
  • ইলেকট্রন আচরণ: ত্রুটির মধ্যে স্থানীয়করণ গঠন, কিন্তু নির্দিষ্ট প্রবাহশীলতা বজায় রাখা
  • পর্যায় রূপান্তর বৈশিষ্ট্য: ঘনত্ব-নির্ভর সামঞ্জস্যপূর্ণ/অসামঞ্জস্যপূর্ণ রূপান্তর পুনঃপ্রবেশ আচরণ সৃষ্টি করে

HDD অঞ্চল প্রক্রিয়া

  • প্রধান ফ্যাক্টর: উচ্চ ঘনত্ব সমতুল্য ত্রুটির স্বল্প-পরিসর সম্ভাবনা
  • ইলেকট্রন আচরণ: শক্তিশালী স্থানীয়করণ কিন্তু স্থানিক বিন্যাস নিরাপদ
  • স্থিতিশীলতা প্রক্রিয়া: স্বল্প-পরিসর ডিসঅর্ডার ইলেকট্রন স্থানীয়করণ বৃদ্ধি করে, সলিড পর্যায় স্থিতিশীল করে

সীমাবদ্ধতা

१. তাপমাত্রা সীমাবদ্ধতা: শুধুমাত্র 4.8K এ গবেষণা পরিচালিত, তাপীয় প্রভাব সম্পূর্ণভাবে অন্বেষণ করা হয়নি २. আকার সীমাবদ্ধতা: STM দৃশ্যক্ষেত্র বৃহৎ-স্কেল আচরণ অধ্যয়ন সীমাবদ্ধ করে ३. উপকরণ বিশেষত্ব: প্রধানত MoSe₂ সিস্টেমের ফলাফলের উপর ভিত্তি করে

ভবিষ্যত দিকনির্দেশনা

१. গবেষণা সম্প্রসারণ: বৃহত্তর এলাকা, বিভিন্ন উপকরণ সিস্টেম २. তাপমাত্রা নির্ভরতা: তাপীয় গলন আচরণ অধ্যয়ন ३. গতিশীলতা অধ্যয়ন: সময়-সমাধান পর্যায় রূপান্তর গতিশীলতা ४. প্রয়োগ অন্বেষণ: ডিসঅর্ডার নিয়ন্ত্রণের উপর ভিত্তি করে কোয়ান্টাম ডিভাইস ডিজাইন

গভীর মূল্যায়ন

সুবিধা

প্রযুক্তিগত উদ্ভাবন

१. পদ্ধতি অগ্রগতি: STM-QMC সমন্বয়ের নতুন প্যারাডাইম যুগান্তকারী २. তাত্ত্বিক অগ্রগতি: (MP)²-NQSs পদ্ধতি দীর্ঘমেয়াদী প্রযুক্তিগত সমস্যা সমাধান করে ३. পরীক্ষামূলক নির্ভুলতা: পরমাণু-স্তরের বিভাজন এবং পরিমাণগত ডিসঅর্ডার চিহ্নিতকরণ

বৈজ্ঞানিক অবদান

१. নতুন পদার্থবিজ্ঞান আবিষ্কার: দুটি ডিসঅর্ডার অঞ্চল এবং পুনঃপ্রবেশ ঘটনা গুরুত্বপূর্ণ অর্থ রাখে २. প্রক্রিয়া বোঝা: ইলেকট্রন সম্পর্ক-ডিসঅর্ডার প্রতিযোগিতার গভীর বোঝাপড়া ३. পরিমাণগত যাচাইকরণ: তাত্ত্বিক-পরীক্ষামূলক নির্ভুল তুলনা নতুন মান প্রতিষ্ঠা করে

অপূর্ণতা

१. সার্বজনীনতা সমস্যা: অন্যান্য উপকরণে ফলাফলের সার্বজনীনতা যাচাই প্রয়োজন २. স্কেল সীমাবদ্ধতা: STM দৃশ্যক্ষেত্র ম্যাক্রোস্কোপিক বৈশিষ্ট্য অধ্যয়ন সীমাবদ্ধ করে ३. গণনা খরচ: QMC সিমুলেশনের গণনা পরিমাণ পরামিতি স্থান অন্বেষণ সীমাবদ্ধ করে

প্রভাব মূল্যায়ন

একাডেমিক প্রভাব

१. ক্ষেত্র প্রচার: দৃঢ়ভাবে সম্পর্কিত ইলেকট্রন সিস্টেম গবেষণায় নতুন সরঞ্জাম প্রদান করে २. পদ্ধতি উদাহরণ: পরীক্ষামূলক-তাত্ত্বিক গভীর সমন্বয়ের উদাহরণ প্রতিষ্ঠা করে ३. তাত্ত্বিক উন্নয়ন: কোয়ান্টাম বহু-শরীর তত্ত্ব উন্নয়ন প্রচার করে

প্রয়োগ সম্ভাবনা

१. কোয়ান্টাম ডিভাইস: ইলেকট্রন সম্পর্কের উপর ভিত্তি করে ডিভাইস ডিজাইনে নির্দেশনা প্রদান করে २. উপকরণ ডিজাইন: ডিসঅর্ডার প্রকৌশলের মাধ্যমে ইলেকট্রন বৈশিষ্ট্য নিয়ন্ত্রণ করা ३. গণনা পদ্ধতি: QMC পদ্ধতির উন্নতি ব্যাপক প্রয়োগ মূল্য রাখে

প্রযোজ্য দৃশ্যকল্প

१. মৌলিক গবেষণা: দৃঢ়ভাবে সম্পর্কিত ইলেকট্রন সিস্টেমের পর্যায় রূপান্তর গবেষণা २. উপকরণ বিজ্ঞান: দ্বিমাত্রিক উপকরণের ইলেকট্রন বৈশিষ্ট্য নিয়ন্ত্রণ ३. কোয়ান্টাম প্রযুক্তি: কোয়ান্টাম পর্যায় রূপান্তর এবং কোয়ান্টাম সমালোচনামূলক ঘটনা গবেষণা ४. গণনা পদার্থবিজ্ঞান: কোয়ান্টাম বহু-শরীর সিস্টেমের সংখ্যাগত পদ্ধতি উন্নয়ন

প্রযুক্তিগত বিবরণ সম্পূরক

STM প্রযুক্তি মূল বিন্দু

  • সূচ প্রস্তুতি: ইলেকট্রোকেমিক্যাল খোদাই টাংস্টেন সূচ, Au(111) ক্যালিব্রেশন
  • পরিমাপ শর্ত: UHV < 1×10⁻¹⁰ mbar
  • ডেটা প্রক্রিয়াকরণ: রেডিয়াল গড়, কাঠামো ফ্যাক্টর বিশ্লেষণ

QMC গণনা বিবরণ

  • তরঙ্গ ফাংশন ফর্ম: নিউরাল নেটওয়ার্ক জাস্ট্রো ফ্যাক্টর + ব্যাকফ্লো রূপান্তর
  • অপ্টিমাইজেশন অ্যালগরিদম: পরিবর্তনশীল মন্টে কার্লো অপ্টিমাইজেশন
  • সমান্তরাল গণনা: বৃহৎ-স্কেল সমান্তরাল বাস্তবায়ন

এই গবেষণা ঘনীভূত পদার্থ পদার্থবিজ্ঞানে পরীক্ষামূলক-তাত্ত্বিক সমন্বয় গবেষণার একটি গুরুত্বপূর্ণ মাইলফলক প্রতিনিধিত্ব করে, নিরাপদ কোয়ান্টাম বহু-শরীর সিস্টেম বোঝার জন্য নতুন পথ উন্মোচন করে।