2025-11-19T10:25:13.604478

Possible high-Tc superconductivity at 45 K in the Ge-doped cluster Mott insulator GaNb4Se8

Yuan, Gu, Shi et al.

The Ge-doped GaNb4Se8 polycrystalline samples were synthesized by solid-state reaction method. Zero resistance transitions were observed in one batch of samples with the highest onset superconducting Tc at 45 K. This discovery may demonstrate a new class of Nb-based high-Tc superconductors arising from doped Mott insulators.

academic

Ge-ডোপড ক্লাস্টার মট ইনসুলেটর GaNb4Se8-তে 45 K-এ সম্ভাব্য উচ্চ-Tc সুপারকন্ডাক্টিভিটি

মৌলিক তথ্য

পেপার আইডি: 2510.12452
শিরোনাম: Ge-ডোপড ক্লাস্টার মট ইনসুলেটর GaNb4Se8-তে 45 K-এ সম্ভাব্য উচ্চ-Tc সুপারকন্ডাক্টিভিটি
লেখক: Ji-Hai Yuan, Ya-Dong Gu, Yun-Qing Shi, Hao-Yu He, Qing-Song Liu, Jun-Kun Yi, Le-Wei Chen, Zheng-Xin Lin, Jia-Sheng Liu, Meng Wang, Zhi-An Ren
শ্রেণীবিভাগ: cond-mat.supr-con, cond-mat.mtrl-sci
সংশ্লিষ্ট প্রতিষ্ঠান: চীনীয় বিজ্ঞান একাডেমির পদার্থবিজ্ঞান গবেষণা প্রতিষ্ঠান, চীনীয় বিজ্ঞান একাডেমি বিশ্ববিদ্যালয়
পেপার লিংক: https://arxiv.org/abs/2510.12452

সারসংক্ষেপ

এই গবেষণায় লেখকরা কঠিন অবস্থা প্রতিক্রিয়া পদ্ধতির মাধ্যমে Ge-ডোপড GaNb4Se8 পলিক্রিস্টালাইন নমুনা সংশ্লেষণ করেছেন। নমুনাগুলির একটি ব্যাচে শূন্য প্রতিরোধ রূপান্তর পর্যবেক্ষণ করা হয়েছে, সর্বোচ্চ সুপারকন্ডাক্টিং অনসেট Tc 45 K-এ পৌঁছেছে। এই আবিষ্কার ডোপড মট ইনসুলেটরের উপর ভিত্তি করে একটি নতুন শ্রেণীর Nb-ভিত্তিক উচ্চ-তাপমাত্রা সুপারকন্ডাক্টর প্রদর্শন করতে পারে।

গবেষণা পটভূমি এবং প্রেরণা

ঐতিহাসিক পটভূমি: 1986 সালে Bednorz এবং Müller Ba-ডোপড La2CuO4-তে 30 K সুপারকন্ডাক্টিভিটি আবিষ্কার করার পর থেকে, শক্তিশালী সম্পর্কিত ইলেকট্রন সিস্টেম (যেমন মট ইনসুলেটর) এ বাহক ডোপিং উচ্চ-তাপমাত্রা সুপারকন্ডাক্টর আবিষ্কারের একটি গুরুত্বপূর্ণ পথ হয়ে উঠেছে।
গবেষণার তাৎপর্য:
- তামা অক্সাইড, লোহা-ভিত্তিক এবং নিকেল-ভিত্তিক সুপারকন্ডাক্টরের আবিষ্কার সবই শক্তিশালী সম্পর্কিত ইলেকট্রন সিস্টেম ডোপিং প্যারাডাইম অনুসরণ করে
- নতুন সুপারকন্ডাক্টর উপাদান সিস্টেম অন্বেষণ উচ্চ-তাপমাত্রা সুপারকন্ডাক্টিভিটি প্রক্রিয়া বোঝার জন্য গুরুত্বপূর্ণ
উপাদান পটভূমি:
- GaNb4Se8 একটি ঘনক স্পিনেল কাঠামোর ক্লাস্টার যৌগ, AM4X8 প্রকারের কাঠামোর অন্তর্গত
- এই উপাদানটি একটি পরিচিত অ-চৌম্বকীয় মট ইনসুলেটর, যা উচ্চ চাপে সুপারকন্ডাক্টিং অবস্থায় রূপান্তরিত হতে পারে (13 GPa-তে Tc = 2.9 K)
- এর আগে সফল বাহক ডোপিং গবেষণার কোনো প্রতিবেদন ছিল না
গবেষণা প্রেরণা: লেখকদের দল Mo/Nb-ভিত্তিক ট্রানজিশন মেটাল যৌগ সুপারকন্ডাক্টর উপাদানের গবেষণা অভিজ্ঞতার উপর ভিত্তি করে, Ge ডোপিং এর মাধ্যমে GaNb4Se8-এ সুপারকন্ডাক্টিং রূপান্তর অর্জনের চেষ্টা করেছে।

মূল অবদান

প্রথম বাস্তবায়ন: Ge-ডোপড GaNb4Se8-তে শূন্য প্রতিরোধ রূপান্তর পর্যবেক্ষণ করা হয়েছে, অনসেট Tc 45 K পর্যন্ত
নতুন উপাদান সিস্টেম: সম্ভবত একটি নতুন শ্রেণীর Nb-ভিত্তিক উচ্চ-তাপমাত্রা সুপারকন্ডাক্টর আবিষ্কার করা হয়েছে
ডোপিং কৌশল: Ga প্রতিস্থাপনের মাধ্যমে বাহক ডোপিং অর্জনের সম্ভাব্যতা প্রমাণ করা হয়েছে
তাত্ত্বিক তাৎপর্য: ক্লাস্টার মট ইনসুলেটর-ভিত্তিক সুপারকন্ডাক্টিভিটি গবেষণার জন্য নতুন পরীক্ষামূলক প্রমাণ প্রদান করা হয়েছে

পদ্ধতির বিস্তারিত বিবরণ

উপাদান সংশ্লেষণ

পদ্ধতি: কঠিন অবস্থা প্রতিক্রিয়া পদ্ধতি
কাঁচামাল: উচ্চ বিশুদ্ধতা (99.99%) Ga, Nb, Se, Ge
প্রক্রিয়া প্রবাহ:
1. 900°C-এ 72 ঘন্টা গরম করা
2. পুনরায় পিষে এবং ব্লকে চাপ দেওয়া
3. 1000°C-এ আবার 72 ঘন্টা গরম করা
সুরক্ষা ব্যবস্থা: সম্পূর্ণ প্রক্রিয়া জুড়ে উচ্চ বিশুদ্ধতা Ar গ্যাস গ্লোভবক্সে পরিচালিত, দূষণ এড়ানোর জন্য

বৈশিষ্ট্য নির্ধারণ পদ্ধতি

কাঠামোগত বৈশিষ্ট্য: পাউডার এক্স-রে বিচ্ছুরণ (XRD), Cu-Kα বিকিরণ ব্যবহার করে
বৈদ্যুতিক পরিমাপ: চার-প্রোব পদ্ধতি দ্বারা প্রতিরোধ-তাপমাত্রা সম্পর্ক পরিমাপ
চৌম্বক পরিমাপ: সরাসরি চৌম্বক সংবেদনশীলতা পরিমাপ

প্রযুক্তিগত উদ্ভাবন বিন্দু

ডোপিং কৌশল: উদ্বায়ী ক্ষতি ক্ষতিপূরণের জন্য অতিরিক্ত Ge ব্যবহার করা হয়েছে
নমুনা প্রস্তুতি: নিষ্ক্রিয় গ্যাস পরিবেশে পরিচালিত, নমুনা বিশুদ্ধতা নিশ্চিত করা হয়েছে
বৈশিষ্ট্য নির্ধারণ পদ্ধতি: বৈদ্যুতিক এবং চৌম্বক পরিমাপ একত্রিত করে সুপারকন্ডাক্টিং বৈশিষ্ট্য যাচাই করা হয়েছে

পরীক্ষামূলক সেটআপ

নমুনা প্রস্তুতি

নামমাত্র রচনা: Ga0.9Ge0.2Nb4Se8
ডোপিং কৌশল: উদ্বায়ী ক্ষতি ক্ষতিপূরণের জন্য অতিরিক্ত Ge যোগ করা হয়েছে
নমুনা বৈশিষ্ট্য: কালো, বায়ুতে তুলনামূলকভাবে স্থিতিশীল

পরিমাপ শর্তাবলী

প্রতিরোধ পরিমাপ: PPMS সিস্টেম, চার-প্রোব পদ্ধতি, পরীক্ষা বর্তমান 1 mA
নমুনা আকার: দৈর্ঘ্য প্রায় 5 mm, ক্রস-বিভাগীয় ক্ষেত্র 1-2 mm²
চৌম্বক পরিমাপ: প্রয়োগকৃত চৌম্বক ক্ষেত্র 100 Oe

তুলনামূলক নমুনা

বিশুদ্ধ GaNb4Se8 নিয়ন্ত্রণ হিসাবে
W5Si3-xPx, KxMo6Se8, Ba(FeCo)2As2 এবং অন্যান্য পরিচিত সুপারকন্ডাক্টর রেফারেন্স হিসাবে

পরীক্ষামূলক ফলাফল

প্রধান ফলাফল

সুপারকন্ডাক্টিং রূপান্তর:
- নমুনা #1: অনসেট Tc = 45 K, শূন্য প্রতিরোধ তাপমাত্রা প্রায় 34 K
- নমুনা #2: অনসেট Tc = 40 K
- উভয় নমুনা সম্পূর্ণ শূন্য প্রতিরোধ অবস্থা অর্জন করেছে
প্রতিরোধ আচরণ:
- 60-80 K পরিসরে প্রতিরোধ অস্বাভাবিকতা পর্যবেক্ষণ করা হয়েছে, অন্য একটি পর্যায় রূপান্তর নির্দেশ করে
- নমুনা #1 34 K-এর কাছাকাছি নেতিবাচক প্রতিরোধ প্রদর্শন করে, যা সুপারকন্ডাক্টিং পারকোলেশন পথের জন্য দায়ী
স্থিতিশীলতার সমস্যা:
- নমুনা গ্লোভবক্সে কয়েক দিন সংরক্ষণের পরে সুপারকন্ডাক্টিং সংকেত অদৃশ্য হয়ে যায়
- অনুমান করা হয় যে Ge-ডোপড নমুনা অস্থিতিশীল, ধীরে ধীরে মাতৃ যৌগে বিয়োজিত হয়

কাঠামো এবং চৌম্বক বৈশিষ্ট্য নির্ধারণ

XRD ফলাফল:
- প্রধান পর্যায় GaNb4Se8, অ-ডোপড নমুনার সাথে প্রায় একই জালি ধ্রুবক
- NbSe2 পর্যায় এবং অন্যান্য সামান্য অপদ্রব্য সনাক্ত করা হয়েছে
চৌম্বক আচরণ:
- সুপারকন্ডাক্টিং সংকেত অদৃশ্যের পরে চৌম্বক সংবেদনশীলতা আচরণ বিশুদ্ধ GaNb4Se8-এর অনুরূপ
- নমুনা মাতৃ যৌগ অবস্থায় ফিরে গেছে তা নিশ্চিত করে

পুনরাবৃত্তিযোগ্যতার সমস্যা

শত শত নমুনা প্রস্তুতিতে, শুধুমাত্র একটি ব্যাচ শূন্য প্রতিরোধ রূপান্তর প্রদর্শন করেছে
একই ব্যাচের মধ্যে বিভিন্ন ব্লকের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যে অসমতা বিদ্যমান
ডোপিং প্রক্রিয়ার নিয়ন্ত্রণযোগ্যতা এবং পুনরাবৃত্তিযোগ্যতায় চ্যালেঞ্জ নির্দেশ করে

উপসংহার এবং আলোচনা

প্রধান উপসংহার

Ge-ডোপড GaNb4Se8-তে প্রথমবারের মতো 45 K-এ উচ্চ-তাপমাত্রা সুপারকন্ডাক্টিভিটা পর্যবেক্ষণ করা হয়েছে
এটি ক্লাস্টার মট ইনসুলেটরের উপর ভিত্তি করে একটি নতুন শ্রেণীর Nb-ভিত্তিক উচ্চ-তাপমাত্রা সুপারকন্ডাক্টর প্রতিনিধিত্ব করতে পারে
এই সিস্টেমে বাহক ডোপিং কৌশলের কার্যকারিতা প্রমাণ করা হয়েছে

সীমাবদ্ধতা

পুনরাবৃত্তিযোগ্যতার সমস্যা: শুধুমাত্র একটি ব্যাচ নমুনায় সুপারকন্ডাক্টিভিটা পর্যবেক্ষণ করা হয়েছে
স্থিতিশীলতার সমস্যা: সুপারকন্ডাক্টিং পর্যায় অস্থিতিশীল, সহজেই বিয়োজিত হয়
ডোপিং নিয়ন্ত্রণ: Ge-এর উদ্বায়িতা ডোপিং ঘনত্বের নির্ভুল নিয়ন্ত্রণ কঠিন করে তোলে
পর্যায় বিশুদ্ধতা: নমুনায় অপদ্রব্য পর্যায় উপস্থিত, অন্তর্নিহিত সুপারকন্ডাক্টিং বৈশিষ্ট্যের বিচারে প্রভাব ফেলে

ভবিষ্যত গবেষণা দিকনির্দেশনা

সংশ্লেষণ প্রক্রিয়া উন্নত করা, পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা এবং স্থিতিশীলতা বৃদ্ধি করা
ডোপিং কৌশল অপ্টিমাইজ করা, নির্ভুল বাহক ঘনত্ব নিয়ন্ত্রণ অর্জন করা
সুপারকন্ডাক্টিং প্রক্রিয়া এবং পর্যায় চিত্র গভীরভাবে গবেষণা করা
অন্যান্য ডোপিং উপাদানের সম্ভাবনা অন্বেষণ করা

গভীর মূল্যায়ন

সুবিধা

গুরুত্বপূর্ণ আবিষ্কার: নতুন উপাদান সিস্টেমে আপেক্ষিক উচ্চ-তাপমাত্রা সুপারকন্ডাক্টিভিটা আবিষ্কার
তাত্ত্বিক তাৎপর্য: মট ইনসুলেটর সুপারকন্ডাক্টিভিটা গবেষণায় নতুন পরীক্ষামূলক কেস প্রদান করা
প্রযুক্তিগত পথ: ক্লাস্টার যৌগে বাহক ডোপিং এর সম্ভাব্যতা যাচাই করা
ডেটা গুণমান: প্রতিরোধ পরিমাপ ডেটা স্পষ্ট, শূন্য প্রতিরোধ ঘটনা সুস্পষ্ট

অপূর্ণতা

দুর্বল পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা: সাফল্যের হার অত্যন্ত কম, শুধুমাত্র একটি ব্যাচ নমুনা সুপারকন্ডাক্টিভিটা প্রদর্শন করেছে
স্থিতিশীলতার সমস্যা: সুপারকন্ডাক্টিং পর্যায় অস্থিতিশীল, গভীর গবেষণা সীমিত করে
প্রক্রিয়া অস্পষ্ট: সুপারকন্ডাক্টিং প্রক্রিয়ার গভীর বিশ্লেষণের অভাব
বৈশিষ্ট্য নির্ধারণ অপূর্ণ: চৌম্বক সংবেদনশীলতা, নির্দিষ্ট তাপ ইত্যাদি মূল সুপারকন্ডাক্টিং বৈশিষ্ট্য ডেটার অভাব
অপদ্রব্য প্রভাব: নমুনায় অপদ্রব্য পর্যায় ফলাফলের নির্ভরযোগ্যতা প্রভাবিত করতে পারে

প্রভাব

একাডেমিক মূল্য: উচ্চ-তাপমাত্রা সুপারকন্ডাক্টিভিটা গবেষণায় নতুন উপাদান প্ল্যাটফর্ম প্রদান করা
প্রযুক্তিগত চ্যালেঞ্জ: পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা এবং স্থিতিশীলতার সমস্যা সমাধান করতে হবে ব্যবহারিক প্রয়োগের জন্য
অনুপ্রেরণামূলক তাৎপর্য: অন্যান্য ক্লাস্টার যৌগের সুপারকন্ডাক্টিভিটা গবেষণায় অনুপ্রেরণা দিতে পারে

প্রযোজ্য পরিস্থিতি

বর্তমানে প্রধানত মৌলিক বৈজ্ঞানিক গবেষণার জন্য প্রযোজ্য, বিশেষত:

শক্তিশালী সম্পর্কিত ইলেকট্রন সিস্টেম পদার্থবিজ্ঞান গবেষণা
নতুন সুপারকন্ডাক্টর উপাদান অন্বেষণ
মট ইনসুলেটর ডোপিং প্রক্রিয়া গবেষণা

তথ্যসূত্র

পেপারটি 24টি গুরুত্বপূর্ণ তথ্যসূত্র উদ্ধৃত করেছে, যা উচ্চ-তাপমাত্রা সুপারকন্ডাক্টিভিটা আবিষ্কারের ইতিহাস, GaNb4Se8 মৌলিক গবেষণা এবং লেখকদের দলের সম্পর্কিত কাজ অন্তর্ভুক্ত করে, গবেষণার জন্য দৃঢ় তাত্ত্বিক ভিত্তি এবং প্রযুক্তিগত সহায়তা প্রদান করে।

সামগ্রিক মূল্যায়ন: এটি একটি গুরুত্বপূর্ণ বৈজ্ঞানিক তাৎপর্যের আবিষ্কার, নতুন উপাদান সিস্টেমে আপেক্ষিক উচ্চ-তাপমাত্রা সুপারকন্ডাক্টিভিটা পর্যবেক্ষণ করা হয়েছে। তবে, পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা এবং স্থিতিশীলতার সমস্যা এর বর্তমান বৈজ্ঞানিক মূল্য সীমিত করে, এই ঘটনা যাচাই এবং বোঝার জন্য আরও প্রক্রিয়া অপ্টিমাইজেশন এবং গভীর গবেষণা প্রয়োজন।