ন্যানোস্কেল হটস্পটের কাছে উন্নত তাপীয় প্রতিরোধের উৎস: সিলিকনে সম্পূর্ণ-বিচ্ছুরণ-সমাধানকৃত ফোনন পরিবহনের অন্তর্দৃষ্টি

মৌলিক তথ্য

• পেপার আইডি: 2510.12530
• শিরোনাম: Origin of Enhanced Thermal Resistance Near Nanoscale Hotspots: Insights from Full-Dispersion-Resolved Phonon Transport in Silicon
• লেখক: জে সিক জিন (চোসেন বিজ্ঞান ও প্রযুক্তি বিশ্ববিদ্যালয়, যান্ত্রিক ডিজাইন বিভাগ)
• শ্রেণীবিভাগ: cond-mat.mes-hall (ঘনীভূত পদার্থ পদার্থবিজ্ঞান - মেসোস্কোপিক এবং ন্যানো পদার্থবিজ্ঞান)
• প্রকাশনার সময়: ২০২৫
• পেপার লিঙ্ক: https://arxiv.org/abs/2510.12530

সারসংক্ষেপ

এই গবেষণা বোলৎজম্যান পরিবহন সমীকরণ (BTE) এবং সম্পূর্ণ ফোনন বিচ্ছুরণ মডেল (FPDM) প্রয়োগ করে ন্যানোস্কেল হটস্পটের কাছে ফোনন পরিবহনের ভৌত বিষয়বস্তু পুনর্বিবেচনা করে। গবেষণা দেখায় যে ন্যানো হটস্পটের কাছে তাপীয় প্রতিরোধ বৃদ্ধির মূল কারণ ঐতিহ্যবাহী ধারণা অনুযায়ী দীর্ঘ গড় মুক্ত পথ (MFP) ফোনন নয় যা হটস্পট কার্যকরভাবে চিহ্নিত করতে পারে না, বরং এই দীর্ঘ MFP ফোননগুলির কম নির্দিষ্ট তাপ ক্ষমতা এবং অপটিক্যাল মোডের সাথে সরাসরি বিচ্ছুরণ না হওয়ার কারণে। শক্তি সরবরাহ করা হলে, এই ফোননগুলি দ্রুত তাপমাত্রা বৃদ্ধি পায়, যার ফলে হটস্পটের কাছে খাড়া তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট তৈরি হয় এবং তাপীয় প্রতিরোধ বৃদ্ধি পায়।

গবেষণা পটভূমি এবং প্রেরণা

সমস্যার সংজ্ঞা

ন্যানোস্কেল হটস্পটের কাছে ফোনন পরিবহন উন্নত ইলেকট্রনিক ডিভাইসের তাপ অপচয় দক্ষতা নির্ধারণের একটি মূল উপাদান। ঐতিহ্যবাহী বোঝাপড়া অনুযায়ী, ন্যানো হটস্পট (NH) এর কাছে পর্যবেক্ষণ করা তাপীয় প্রতিরোধ বৃদ্ধি দীর্ঘ গড় মুক্ত পথ ফোনন থেকে উদ্ভূত হয়, যাদের MFP হটস্পটের আকারের চেয়ে অনেক বেশি, যা তাদের হটস্পট চিহ্নিত করা এবং কার্যকর তাপ স্থানান্তরের ক্ষমতা সীমিত করে।

গবেষণার গুরুত্ব

১. ব্যবহারিক প্রয়োগের চাহিদা: উন্নত ইলেকট্রনিক্স, ফটোইলেকট্রনিক্স এবং কোয়ান্টাম ন্যানো ডিভাইসে, হটস্পটের কাছে ফোনন পরিবহন সরাসরি ডিভাইসের কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা প্রভাবিত করে २. তাত্ত্বিক বোঝাপড়ার ত্রুটি: ফুরিয়ার বিস্তার মডেলের উপর ভিত্তি করে বিদ্যমান তাত্ত্বিক পূর্বাভাস এবং পরীক্ষামূলক পর্যবেক্ষণ করা তাপীয় প্রতিরোধ মানের মধ্যে উল্লেখযোগ্য পার্থক্য রয়েছে ३. তাপ অপচয় অপ্টিমাইজেশনের চাহিদা: ন্যানোস্কেল তাপ পরিবহন প্রক্রিয়া বোঝা ফোনন প্রকৌশল কৌশল উন্নয়নের জন্য গুরুত্বপূর্ণ

বিদ্যমান পদ্ধতির সীমাবদ্ধতা

१. সরলীকৃত অনুমান: ঐতিহ্যবাহী মডেলগুলি প্রধানত পোলারাইজেশন প্রভাবের উপর ভিত্তি করে, সম্পূর্ণ ফোনন বিচ্ছুরণ সম্পর্ক উপেক্ষা করে २. মোড-সমাধানের অভাব: বিদ্যমান গবেষণা বিভিন্ন ফ্রিকোয়েন্সি ফোনন মোডের অবদানের নির্ভুল বিশ্লেষণের অভাব রাখে ३. অসম্পূর্ণ বিচ্ছুরণ প্রক্রিয়া: ফোনন মধ্যে পারস্পরিক ক্রিয়া এবং অ-সামঞ্জস্যপূর্ণ অবস্থার ফোনন বিতরণ যথাযথভাবে বিবেচনা করা হয়নি

গবেষণার প্রেরণা

V. Chiloyan এবং অন্যদের আবিষ্কারের উপর ভিত্তি করে, ৩০০K সিলিকনে, অ-তাপীয় সামঞ্জস্যপূর্ণ অবস্থায় দীর্ঘ MFP ফোনন প্রকৃতপক্ষে ফুরিয়ার বিশ্লেষণ দ্বারা পূর্বাভাসকৃত তুলনায় উচ্চতর তাপ স্থানান্তর হার উৎপন্ন করতে পারে, যা "ফোনন বিচ্ছুরণ হ্রাস অপরিহার্যভাবে তাপীয় প্রতিরোধ বৃদ্ধির দিকে পরিচালিত করে" এই ঐতিহ্যবাহী অনুমান পুনর্বিবেচনার প্রয়োজনীয়তা প্রকাশ করে।

মূল অবদান

१. নতুন ভৌত প্রক্রিয়া প্রকাশ: প্রমাণ করে যে ন্যানো হটস্পটের কাছে তাপীয় প্রতিরোধ বৃদ্ধির প্রকৃত কারণ দীর্ঘ MFP ফোননের কম নির্দিষ্ট তাপ ক্ষমতা, দীর্ঘ MFP নিজে নয় २. সম্পূর্ণ তাত্ত্বিক কাঠামো প্রতিষ্ঠা: BTE এবং FPDM সংমিশ্রণ ব্যবহার করে, অনুদৈর্ঘ্য, অনুপ্রস্থ এবং অপটিক্যাল শাখা অন্তর্ভুক্ত করে, শাখার মধ্যে এবং শাখার মধ্যে বিচ্ছুরণ বিশ্লেষণ করে ३. নতুন বিশ্লেষণ পরামিতি প্রবর্তন: -∇T/λ বর্ণালী পরামিতি প্রস্তাব করে যা বিভিন্ন ফোনন মোডের অ-স্থানীয় প্রভাবের প্রতি সংবেদনশীলতার পার্থক্য ক্যাপচার করতে পারে ४. পরিমাণগত বিশ্লেষণ প্রদান: মোড-সমাধানকৃত বেগ, বিচ্ছুরণ প্রক্রিয়া এবং অ-সামঞ্জস্যপূর্ণ ফোনন বিতরণ গণনার মাধ্যমে বর্ণালী অবদান পরিমাণ করে ५. এক-মাত্রিক পরিবহন অনুমান যাচাই: বহু-স্তর পুরুত্ব তুলনার মাধ্যমে সিলিকন স্তরে প্রধানত x-অক্ষ বরাবর ফোনন পরিবহন অনুমান যাচাই করে

পদ্ধতি বিস্তারিত

কাজের সংজ্ঞা

ইনপুট: ১০×१० nm² ন্যানো হটস্পট, আয়তন তাপ উৎস qvol = १०¹⁸ W/m³ আউটপুট: মোড-সমাধানকৃত তাপীয় প্রতিরোধ বিতরণ, তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট এবং ফোনন পরিবহন বৈশিষ্ট্য সীমাবদ্ধতা: সিলিকন অন্তরক (SOI) ট্রানজিস্টর জ্যামিতি, সীমানা বিচ্ছুরণ এবং ত্রি-ফোনন প্রক্রিয়া বিবেচনা করে

মডেল স্থাপত্য

१. বোলৎজম্যান পরিবহন সমীকরণ কাঠামো

শব্দ মোডের জন্য স্থির-অবস্থা BTE-FPDM (AM):

$\hat{v}_g \cdot \nabla e_i = \frac{1}{4\pi} \sum_{j=1}^{N_{bands}} \Gamma_{ij} \left[ \int_{T_{ref}}^{T_{ij}} C_i dT + e_i^0 - e_i \right]$

অপটিক্যাল মোডের জন্য (OM):

$\frac{\partial e_o}{\partial t} = \sum_{j=1}^{N_{bands}} \Gamma_{oj} \left[ \int_{T_{ref}}^{T_{oj}} C_o dT + e_o^0 - e_o \right] + q_{vol}$

२. বর্ণালী তাপ প্রবাহ গণনা

Majumdar এর বর্ণালী তাপ প্রবাহ মডেল ব্যবহার করে:

$q_x^{(i)} = \int_0^{\infty} v_g^{(i)} f_{Eq}^{(i)}(x,\omega) D(\omega) d\omega$

যেখানে: $f_{Eq}^{(i)}(x,\omega) = f_0^{(i)} + \left(\frac{df_0}{dT}\right) v_g^{(i)} \frac{\partial T}{\partial x}$

३. পারস্পরিক ক্রিয়া তাপমাত্রা সংজ্ঞা

$T_{ij} = T_{ref} + \int_{T_{ref}}^T \frac{C_i + C_j}{C_i C_j} \frac{dC_j}{dT} dT$

প্রযুক্তিগত উদ্ভাবন পয়েন্ট

१. সম্পূর্ণ বিচ্ছুরণ-সমাধান: অতীতের গবেষণা প্রধানত পোলারাইজেশনের উপর ফোকাস করার বিপরীতে, এই কাজ একযোগে বিচ্ছুরণ এবং পোলারাইজেশন প্রভাব বিবেচনা করে २. মোড-নির্দিষ্ট বিশ্লেষণ: নিম্ন-ফ্রিকোয়েন্সি (LF) এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি (HF) ফোনন মোডের বিভিন্ন আচরণ পার্থক্য করে ३. নির্দিষ্ট তাপ ক্ষমতা প্রভাব সনাক্তকরণ: প্রথমবারের মতো স্পষ্টভাবে অ-স্থানীয় ফোনন পরিবহনে মোড নির্দিষ্ট তাপ ক্ষমতার গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা নির্দেশ করে ४. বহু-স্কেল যাচাইকরণ: বিভিন্ন সিলিকন স্তর পুরুত্ব (४१ nm, ७८ nm, १७७ nm) মাধ্যমে তাত্ত্বিক পূর্বাভাস যাচাই করে

পরীক্ষামূলক সেটআপ

গণনা ডোমেইন সেটআপ

• জ্যামিতিক কাঠামো: Goodson এবং অন্যদের পরীক্ষামূলক জ্যামিতির উপর ভিত্তি করে নির্মিত SOI ট্রানজিস্টর কাঠামো
• হটস্পট আকার: १०×१० nm², শক্তিশালী সীমাবদ্ধতার অধীনে অ-সামঞ্জস্যপূর্ণ ফোনন গতিশীলতা ক্যাপচার করার জন্য স্থির
• গ্রিড রেজোলিউশন:
  • L=४१nm: १३०×६४
  • L=७८nm: १३०×७०
  • L=१७७nm: १३०×७६
• কোণ রেজোলিউশন: অষ্টাংশের মধ্যে ६×६, সংমিশ্রণ নির্ভুলতা ०.१%

ভৌত পরামিতি

• রেফারেন্স তাপমাত্রা: Tref = ३०३ K
• শক্তি বরাদ্দ: qa = २०% (শব্দ মোড), ८०% (অপটিক্যাল মোড)
• ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ড সংখ্যা: NLA = NTA = ६, Noptical = १
• সীমানা শর্ত: সম্পূর্ণ বিচ্ছুরিত (আয়না প্রতিফলন পরামিতি = ०)

যাচাইকরণ পদ্ধতি

Narumanchi এবং অন্যদের সংখ্যাগত ফলাফলের সাথে তাপমাত্রা বিতরণ তুলনা করে যাচাই করে, ত্রুটি পরিসীমা মধ্যে ভালভাবে সামঞ্জস্যপূর্ণ।

পরীক্ষামূলক ফলাফল

প্রধান ফলাফল

१. তাপীয় প্রতিরোধ অনুপাত বিশ্লেষণ

চিত্র ३ qa=२०% এর তুলনায় qa=०% এর তাপীয় প্রতিরোধ অনুপাত দেখায়:

• নিম্ন-ফ্রিকোয়েন্সি মোড (LA१, TA१-TA३): হটস্পটের কাছে তাপীয় প্রতিরোধ তীব্রভাবে বৃদ্ধি পায়
• উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি মোড (LA४-LA६, TA४-TA६): তাপীয় প্রতিরোধ পরিবর্তন তুলনামূলকভাবে ছোট
• পুরুত্ব প্রভাব: সিলিকন স্তর পুরুত্ব বৃদ্ধির সাথে, দীর্ঘ MFP ফোননের পৃষ্ঠ সীমাবদ্ধতা দুর্বল হয়

२. তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট বিতরণ

-∇T/λ পরামিতি বিশ্লেষণের মাধ্যমে আবিষ্কৃত:

• qa=०% সময়: LF মোড x*=० এ -∇T/λ কম, প্রচার দূরত্বের সাথে প্রথমে বৃদ্ধি তারপর হ্রাস পায়
• qa=२०% সময়: LF মোড হটস্পটে -∇T/λ উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি পায়, তারপর দূরত্বের সাথে হ্রাস পায়

३. এক-মাত্রিক পরিবহন যাচাইকরণ

চিত্র ४ এক-মাত্রিক ফোনন পরিবহন অনুমান যাচাই করে:

• সিলিকন স্তরের শীর্ষ এবং নীচের সর্বোচ্চ তাপমাত্রা পার্থক্য <१.६% (L=१७७nm, qa=०% সময়)
• প্রমাণ করে যে যদিও হটস্পটের ঠিক নীচে স্থানীয় y-দিক পরিবহন বৃদ্ধি রয়েছে, সামগ্রিকভাবে এখনও x-দিক পরিবহন প্রধান

বিলোপন পরীক্ষা

বিভিন্ন qa মানের প্রভাব

চিত্র ७-९ বিভিন্ন qa মান (०%, ५%, १०%, १५%, २०%) এর LF মোডে প্রভাব দেখায়:

• প্রবণতা সামঞ্জস্য: সমস্ত LF মোডের -∇T/λ এবং তাপীয় প্রতিরোধ qa বৃদ্ধির সাথে বৃদ্ধি পায়
• ক্ষয় বৈশিষ্ট্য: বৃহত্তর qa মান দ্রুত দূরত্ব ক্ষয় প্রবণতা দেখায়
• পুরুত্ব নির্ভরশীলতা: পুরু সিলিকন স্তর আরও স্পষ্ট প্রভাব প্রদর্শন করে

TA३ এর বিশেষ আচরণ

L=१७७nm সময়, TA३ অনন্য প্রবণতা প্রদর্শন করে:

• সংযোগ প্রক্রিয়া: TA३ শক্তিশালী বিচ্ছুরণ OM এর LA মোডের সাথে সংযোগের মাধ্যমে (LA३: ६६.७%, LA४: ५२.२%, LA६: ५७.१%)
• শক্তি স্থানান্তর: দীর্ঘ MFP এর LA३ (~१८७nm) এবং LA४ (~१३१nm) পুরু স্তরে কার্যকরভাবে TA३ এ শক্তি স্থানান্তর করতে পারে

মূল আবিষ্কার

१. নির্দিষ্ট তাপ ক্ষমতা প্রভাবশালী প্রভাব: কম নির্দিষ্ট তাপ ক্ষমতা LF ফোননকে শক্তি পেলে দ্রুত তাপমাত্রা বৃদ্ধি করতে দেয়, খাড়া তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট উৎপন্ন করে २. বিচ্ছুরণ নির্বাচনীতা: অপটিক্যাল মোডের সাথে সরাসরি বিচ্ছুরিত না হওয়া দীর্ঘ MFP ফোনন তাপীয় প্রতিরোধ বৃদ্ধির প্রধান কারণ ३. আকার প্রভাব: সিলিকন স্তর পুরুত্ব পৃষ্ঠ সীমাবদ্ধতা শক্তি প্রভাবিত করে, যা পরবর্তীতে দীর্ঘ MFP ফোননের পরিবহন দক্ষতা প্রভাবিত করে

সম্পর্কিত কাজ

প্রধান গবেষণা দিকনির্দেশনা

१. ব্যালিস্টিক পরিবহন তত্ত্ব: Mahan & Claro, Minnich এবং অন্যদের দ্বারা প্রতিষ্ঠিত ব্যালিস্টিক পরিবহন ভিত্তি তত্ত্ব २. ফোনন প্রকৌশল: Vermeersch & Mingo, Xu এবং অন্যদের ফোনন প্রকৌশল কৌশলে অবদান ३. নির্বাচনী উত্তেজনা: ইলেকট্রন-ফোনন বিচ্ছুরণ দ্বারা সৃষ্ট নির্বাচনী ফোনন উত্তেজনা প্রক্রিয়া গবেষণা

এই পেপারের সুবিধা

१. প্রক্রিয়া উদ্ভাবন: প্রথমবারের মতো স্পষ্টভাবে নির্দিষ্ট তাপ ক্ষমতা নয় MFP কে মূল উপাদান হিসাবে নির্দেশ করে २. পদ্ধতি সম্পূর্ণতা: সম্পূর্ণ ফোনন বিচ্ছুরণ মডেল ব্যবহার করে, সমস্ত বিচ্ছুরণ প্রক্রিয়া অন্তর্ভুক্ত করে ३. পরিমাণগত বিশ্লেষণ: মোড-সমাধানকৃত পরিমাণগত ফলাফল প্রদান করে, গুণগত বর্ণনা অতিক্রম করে

উপসংহার এবং আলোচনা

প্রধান উপসংহার

१. ঐতিহ্যবাহী জ্ঞান চ্যালেঞ্জ: ন্যানো হটস্পটের কাছে তাপীয় প্রতিরোধ বৃদ্ধির প্রকৃত কারণ দীর্ঘ MFP ফোননের কম নির্দিষ্ট তাপ ক্ষমতা, দীর্ঘ MFP নিজে নয় २. ভৌত প্রক্রিয়া স্পষ্ট: কম নির্দিষ্ট তাপ ক্ষমতা ফোনন শক্তি পেলে দ্রুত তাপমাত্রা বৃদ্ধি পায়, অন্যান্য শব্দ মোডের সাথে বিচ্ছুরণের মাধ্যমে হটস্পটের কাছে খাড়া তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট উৎপন্ন করে ३. মোড নির্ভরশীলতা: LF মোড এবং HF মোড সম্পূর্ণ ভিন্ন আচরণ প্রদর্শন করে, LF মোড তাপীয় প্রতিরোধ বৃদ্ধি প্রভাব প্রভাবশালী

সীমাবদ্ধতা

१. কার্যকর সামঞ্জস্য অনুমান: প্রতিটি ফোনন মোডকে মোডাল তাপমাত্রা সহ সামঞ্জস্যপূর্ণ অবস্থা হিসাবে বিবেচনা করা, প্রকৃত অ-সামঞ্জস্যপূর্ণ গতিশীলতা সরলীকরণ করতে পারে २. জ্যামিতি সীমাবদ্ধতা: গবেষণা নির্দিষ্ট SOI কাঠামোতে সীমাবদ্ধ, অন্যান্য জ্যামিতিক আকারের প্রযোজ্যতা যাচাইকরণের প্রয়োজন ३. উপাদান বিশেষত্ব: উপসংহার প্রধানত সিলিকন উপাদানের উপর ভিত্তি করে, অন্যান্য অর্ধপরিবাহী উপাদানের আচরণ ভিন্ন হতে পারে

ভবিষ্যত দিকনির্দেশনা

१. বহু-উপাদান যাচাইকরণ: অন্যান্য অর্ধপরিবাহী উপাদান সিস্টেমে সম্প্রসারণ २. অ-সামঞ্জস্যপূর্ণ গতিশীলতা: আরও নির্ভুল অ-সামঞ্জস্যপূর্ণ ফোনন বিতরণ মডেল উন্নয়ন ३. পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ: তাত্ত্বিক পূর্বাভাস যাচাই করার জন্য সংশ্লিষ্ট পরীক্ষামূলক পরিমাপের প্রয়োজন

গভীর মূল্যায়ন

সুবিধা

१. তাত্ত্বিক অগ্রগতি: ক্ষেত্রে দীর্ঘস্থায়ী জ্ঞান চ্যালেঞ্জ করে, নতুন ভৌত প্রক্রিয়া প্রস্তাব করে २. পদ্ধতি কঠোরতা: সম্পূর্ণ BTE-FPDM কাঠামো ব্যবহার করে, সমস্ত গুরুত্বপূর্ণ বিচ্ছুরণ প্রক্রিয়া বিবেচনা করে ३. গভীর বিশ্লেষণ: মোড-সমাধানকৃত বিশ্লেষণের মাধ্যমে, বিভিন্ন ফোনন মোডের নির্দিষ্ট অবদান প্রকাশ করে ४. পর্যাপ্ত যাচাইকরণ: বিভিন্ন পুরুত্ব এবং পরামিতি সমন্বয়ের মাধ্যমে তাত্ত্বিক পূর্বাভাসের সামঞ্জস্য যাচাই করে

অপূর্ণতা

१. পরীক্ষামূলক অভাব: সরাসরি পরীক্ষামূলক যাচাইকরণের অভাব, প্রধানত সংখ্যাগত অনুকরণের উপর নির্ভর করে २. মডেল সরলীকরণ: কার্যকর সামঞ্জস্য অনুমান অ-সামঞ্জস্যপূর্ণ প্রভাবের জটিলতা কম মূল্যায়ন করতে পারে ३. পরামিতি সংবেদনশীলতা: কিছু মূল পরামিতির (যেমন বিচ্ছুরণ হার) সংবেদনশীলতা বিশ্লেষণ অপর্যাপ্ত

প্রভাব

१. একাডেমিক মূল্য: ন্যানোস্কেল তাপ পরিবহন তত্ত্বের জন্য নতুন বোঝাপড়া কাঠামো প্রদান করে २. প্রয়োগ সম্ভাবনা: ন্যানো ইলেকট্রনিক ডিভাইসের তাপ ব্যবস্থাপনা ডিজাইনে গুরুত্বপূর্ণ নির্দেশনা প্রদান করে ३. পদ্ধতি অবদান: FPDM পদ্ধতি অন্যান্য ন্যানোস্কেল তাপ পরিবহন সমস্যায় সম্প্রসারণ করা যায়

প্রযোজ্য পরিস্থিতি

१. ন্যানো ইলেকট্রনিক ডিভাইস: SOI ট্রানজিস্টর, FinFET এবং অন্যান্য উন্নত ডিভাইস কাঠামো २. হটস্পট ব্যবস্থাপনা: শক্তি ডিভাইসে স্থানীয় হটস্পট তাপ অপচয় অপ্টিমাইজেশন ३. ফোনন প্রকৌশল: ফোনন মোড নিয়ন্ত্রণের উপর ভিত্তি করে তাপ ব্যবস্থাপনা কৌশল ডিজাইন

রেফারেন্স

এই পেপার ১७টি গুরুত্বপূর্ণ রেফারেন্স উদ্ধৃত করে, যা ফোনন পরিবহন তত্ত্ব, পরীক্ষামূলক পদ্ধতি এবং সংখ্যাগত অনুকরণ সহ একাধিক দিক কভার করে, গবেষণার জন্য দৃঢ় তাত্ত্বিক ভিত্তি প্রদান করে। মূল রেফারেন্সগুলির মধ্যে রয়েছে Majumdar এর বর্ণালী তাপ প্রবাহ তত্ত্ব, Narumanchi এবং অন্যদের BTE সংখ্যাগত পদ্ধতি, এবং ন্যানোস্কেল তাপ পরিবহন সম্পর্কিত সাম্প্রতিক গুরুত্বপূর্ণ অগ্রগতি।

সামগ্রিক মূল্যায়ন: এটি ন্যানোস্কেল তাপ পরিবহন ক্ষেত্রে গুরুত্বপূর্ণ তাত্ত্বিক অগ্রগতি সহ একটি উচ্চ-মানের পেপার। লেখক কঠোর তাত্ত্বিক বিশ্লেষণ এবং সংখ্যাগত যাচাইকরণের মাধ্যমে সফলভাবে ঐতিহ্যবাহী জ্ঞান চ্যালেঞ্জ করে, এই ক্ষেত্রের জন্য নতুন ভৌত অন্তর্দৃষ্টি প্রদান করে। যদিও কিছু তাত্ত্বিক অনুমানের সীমাবদ্ধতা রয়েছে, তবে এর উদ্ভাবনী এবং বৈজ্ঞানিক মূল্য উল্লেখযোগ্য, ন্যানো তাপ ব্যবস্থাপনা প্রযুক্তি উন্নয়ন প্রচারে গুরুত্বপূর্ণ অর্থ রাখে।