2025-11-20T06:58:14.569326

Magnetically controllable nonlinear valley Hall effect in centrosymmetric ferromagnets

Fang, Zhang, Zhou et al.
Valley Hall effect is fundamental to valleytronics and provides a promising avenue for advancing information technology. While conventional valley Hall effect requires the inversion symmetry breaking, the recently proposed nonlinear valley Hall (NVH) effect removes the symmetry constraint, and broaden material choices. However, existing studies are limited to nonmagnetic materials without spin involvement and rely on external strain to break rotational symmetry. Here, to address these limitations, we design a magnetically controllable NVH effect in centrosymmetric ferromagnets, by the tight-binding model and first-principles calculations. The model calculations demonstrate nonvanishing NVH conductivities can emerge in pristine hexagonal lattice without external strain, with the magnitude, sign, and spin polarization of the conductivities being all dependent on the magnetization orientation. The effect thus generates various spin-polarized valley Hall currents, characterized by distinct combinations of current direction and spin polarization. First-principle results on a ferromagnetic VSi$_2$N$_4$ bilayer confirm considerable NVH conductivities and their dependence on the magnetization. The magnetically controllable NVH effect unlocks the potential of centrosymmetric magnets for valleytronics, and offer opportunities for novel spintronic and valleytronic devices.
academic

কেন্দ্রসমরূপ ফেরোম্যাগনেটে চৌম্বকীয়ভাবে নিয়ন্ত্রণযোগ্য অরৈখিক উপত্যকা হল প্রভাব

মৌলিক তথ্য

  • পত্র আইডি: 2510.13457
  • শিরোনাম: কেন্দ্রসমরূপ ফেরোম্যাগনেটে চৌম্বকীয়ভাবে নিয়ন্ত্রণযোগ্য অরৈখিক উপত্যকা হল প্রভাব
  • লেখক: রুইজিং ফ্যাং, জি ঝাং, ঝিচাও ঝু, জিয়াও লি (নানজিং নরমাল বিশ্ববিদ্যালয়)
  • শ্রেণীবিভাগ: cond-mat.mes-hall, cond-mat.mtrl-sci
  • প্রকাশনার সময়: ২০২৪ সালের ১৫ অক্টোবর (arXiv প্রাক-প্রিন্ট)
  • পত্র লিঙ্ক: https://arxiv.org/abs/2510.13457

সারসংক্ষেপ

উপত্যকা হল প্রভাব উপত্যকা ইলেকট্রনিক্সের ভিত্তি, যা তথ্য প্রযুক্তি অগ্রগতির জন্য প্রতিশ্রুতিশীল পথ প্রদান করে। প্রথাগত উপত্যকা হল প্রভাব বিপরীত প্রতিসাম্য ভাঙার প্রয়োজন, যখন সম্প্রতি প্রস্তাবিত অরৈখিক উপত্যকা হল (NVH) প্রভাব প্রতিসাম্য সীমাবদ্ধতা দূর করে, উপকরণ নির্বাচন প্রসারিত করে। তবে, বিদ্যমান গবেষণা স্পিন অংশগ্রহণ ছাড়াই অ-চৌম্বকীয় উপকরণে সীমাবদ্ধ এবং ঘূর্ণন প্রতিসাম্য ভাঙার জন্য বাহ্যিক স্ট্রেইনের উপর নির্ভর করে। এই সীমাবদ্ধতা সমাধানের জন্য, এই পত্রটি টাইট-বাইন্ডিং মডেল এবং প্রথম নীতি গণনার মাধ্যমে কেন্দ্রসমরূপ ফেরোম্যাগনেটে চৌম্বকীয়ভাবে নিয়ন্ত্রিত NVH প্রভাব ডিজাইন করে। মডেল গণনা দেখায় যে বাহ্যিক স্ট্রেইন ছাড়াই মূল ষড়ভুজ জালিতে অ-শূন্য NVH পরিবাহিতা উপস্থিত হতে পারে, যার প্রশস্ততা, চিহ্ন এবং স্পিন পোলারাইজেশন সবই চৌম্বকীকরণের দিকের উপর নির্ভর করে। এই প্রভাব বিভিন্ন স্পিন পোলারাইজেশন সহ উপত্যকা হল স্রোত তৈরি করে, বিভিন্ন স্রোত দিক এবং স্পিন পোলারাইজেশন সমন্বয় বৈশিষ্ট্য সহ। ফেরোম্যাগনেটিক VSi₂N₄ দ্বিস্তরের প্রথম নীতি গণনা উল্লেখযোগ্য NVH পরিবাহিতা এবং চৌম্বকীকরণের প্রতি এর নির্ভরতা নিশ্চিত করে।

গবেষণা পটভূমি এবং প্রেরণা

সমস্যার পটভূমি

১. প্রথাগত উপত্যকা হল প্রভাবের সীমাবদ্ধতা: প্রথাগত রৈখিক উপত্যকা হল প্রভাব স্ফটিক বিপরীত প্রতিসাম্য ভাঙার প্রয়োজন, যা উপত্যকা ইলেকট্রনিক্সে বিশাল সংখ্যক কেন্দ্রসমরূপ উপকরণের প্রয়োগ বাদ দেয়।

२. বিদ্যমান NVH প্রভাবের সীমাবদ্ধতা:

  • শুধুমাত্র অ-চৌম্বকীয় উপকরণে সীমাবদ্ধ, স্পিন স্বাধীনতার অংশগ্রহণের অভাব
  • ঘূর্ণন প্রতিসাম্য ভাঙার জন্য বাহ্যিক স্ট্রেইনের উপর নির্ভর করে, স্ট্রেইন স্থানান্তর দক্ষতা কম এবং বিতরণ অসমান সমস্যা সহ
  • নির্ভুলতা এবং পুনরুৎপাদনযোগ্যতা সীমাবদ্ধ

३. গবেষণার চাহিদা: স্পিন এবং উন্নত নিয়ন্ত্রণযোগ্যতা কার্যকরভাবে প্রবর্তন করতে পারে এমন নতুন প্রক্রিয়া বিকাশের প্রয়োজন, একাধিক ইলেকট্রনিক স্বাধীনতার সমন্বিত অপারেশন অর্জন করে।

গবেষণার প্রেরণা

এই পত্রটি বিদ্যমান NVH প্রভাব গবেষণায় স্পিন স্বাধীনতার অভাব এবং বাহ্যিক স্ট্রেইনের প্রয়োজনীয়তার ত্রুটি অতিক্রম করার লক্ষ্য রাখে, ফেরোম্যাগনেটিক ক্রম প্রবর্তনের মাধ্যমে একযোগে অর্জন করতে:

  • সময় বিপরীত প্রতিসাম্য ভাঙা এবং স্পিন পোলারাইজেশন প্রবর্তন
  • স্পিন-অরবিটাল কাপলিং এর মাধ্যমে স্ফটিক ঘূর্ণন প্রতিসাম্য ভাঙা
  • চৌম্বক ক্ষেত্র নিয়ন্ত্রিত উপত্যকা ইলেকট্রনিক্স প্রভাব অর্জন

মূল অবদান

१. চৌম্বকীয়ভাবে নিয়ন্ত্রিত NVH প্রভাব প্রস্তাব: প্রথমবারের মতো কেন্দ্রসমরূপ ফেরোম্যাগনেটে বাহ্যিক স্ট্রেইন ছাড়াই অরৈখিক উপত্যকা হল প্রভাব অর্জন

२. তাত্ত্বিক মডেল নির্মাণ: স্পিন-অরবিটাল কাপলিং এবং ফেরোম্যাগনেটিক বিনিময় মিথস্ক্রিয়া সহ তিন-অরবিটাল টাইট-বাইন্ডিং মডেল স্থাপন

३. বহুগুণ সামঞ্জস্যযোগ্যতা অর্জন: চৌম্বকীকরণ দিক দ্বারা NVH পরিবাহিতার প্রশস্ততা, চিহ্ন এবং স্পিন পোলারাইজেশন দিক নিয়ন্ত্রণ

४. উপকরণ যাচাইকরণ: VSi₂N₄ দ্বিস্তরে তাত্ত্বিক পূর্বাভাস যাচাই, উল্লেখযোগ্য NVH পরিবাহিতা নিশ্চিত করে

५. ডিভাইস প্রয়োগের সম্ভাবনা: উপত্যকা এবং স্পিন স্বাধীনতা অপারেশন নিয়ন্ত্রণের উপর ভিত্তি করে নতুন স্পিনট্রনিক্স এবং উপত্যকা ইলেকট্রনিক্স ডিভাইস ডিজাইনের জন্য প্ল্যাটফর্ম প্রদান

পদ্ধতি বিস্তারিত

কাজের সংজ্ঞা

কেন্দ্রসমরূপ ফেরোম্যাগনেটে অরৈখিক উপত্যকা হল প্রভাব গবেষণা, যেখানে:

  • ইনপুট: সমতল ইলেকট্রিক ক্ষেত্র E_b, E_c
  • আউটপুট: অনুপ্রস্থ উপত্যকা হল স্রোত J^NVH_a = J^v1_a - J^v2_a ∝ E_b E_c
  • সীমাবদ্ধতা: কেন্দ্রসাম্য বজায় রাখা, চৌম্বকীকরণ দিক দ্বারা নিয়ন্ত্রণ

তাত্ত্বিক কাঠামো

१. টাইট-বাইন্ডিং মডেল

স্থান গ্রুপ P3̄m1 সহ কেন্দ্রসমরূপ ফেরোম্যাগনেট মডেল নির্মাণ, অন্তর্ভুক্ত:

  • তিনটি d অরবিটাল: d_z², d_xz, d_yz
  • অন-সাইট স্পিন-অরবিটাল কাপলিং
  • সামঞ্জস্যযোগ্য চৌম্বকীকরণ দিক সহ ফেরোম্যাগনেটিক বিনিময় মিথস্ক্রিয়া

२. NVH পরিবাহিতা গণনা

বেরি সংযোগ পোলারাইজেশন হার (BCP) এর অন্তর্নিহিত অবদানের উপর ভিত্তি করে:

χabcNVH=e3∫BZτdk(2π)2Λabc(k)\chi^{NVH}_{abc} = e^3 \int_{BZ} \tau \frac{dk}{(2\pi)^2} \Lambda_{abc}(k)

যেখানে: Λabc(k)=∑nλabcn(k)∂f(εnk)∂εnk\Lambda_{abc}(k) = \sum_n \lambda^n_{abc}(k) \frac{\partial f(\varepsilon_{nk})}{\partial \varepsilon_{nk}}

λabcn(k)=vanGbcn(k)−vbnGacn(k)\lambda^n_{abc}(k) = v^n_a G^n_{bc}(k) - v^n_b G^n_{ac}(k)

३. বেরি সংযোগ পোলারাইজেশন হার

Gabn(k)=2Re∑m≠nAanm(k)Abmn(k)εnk−εmkG^n_{ab}(k) = 2Re \sum_{m \neq n} \frac{A^{nm}_a(k) A^{mn}_b(k)}{\varepsilon_{nk} - \varepsilon_{mk}}

Aanm(k)=iℏ⟨unk∣v^a∣umk⟩εmk−εnkA^{nm}_a(k) = \frac{i\hbar \langle u_{nk}|\hat{v}_a|u_{mk}\rangle}{\varepsilon_{mk} - \varepsilon_{nk}}

প্রযুক্তিগত উদ্ভাবন পয়েন্ট

१. প্রতিসাম্য বিশ্লেষণ:

  • K± বিন্দু শক্তি অবক্ষয় নিশ্চিত করতে P প্রতিসাম্য ব্যবহার
  • সমতল চৌম্বকীকরণ উপাদান দ্বারা C₃ প্রতিসাম্য ভাঙা
  • C₂ₓ এবং Mₓ প্রতিসাম্য অ-শূন্য NVH পরিবাহিতা উপাদান নির্ধারণ করে

२. চৌম্বক নিয়ন্ত্রণ প্রক্রিয়া:

  • চৌম্বকীকরণ দিক আজিমুথ কোণ φ এবং ঝোঁক কোণ θ দ্বারা প্যারামিটারাইজ করা
  • χ^NVH_xyy এবং χ^NVH_yxx যথাক্রমে কোসাইন এবং সাইন ফাংশন নির্ভরতা অনুসরণ করে
  • পরিবাহিতা প্রশস্ততা, চিহ্ন এবং স্পিন পোলারাইজেশনের স্বাধীন নিয়ন্ত্রণ অর্জন

३. স্পিন পোলারাইজেশন বৈশিষ্ট্য:

  • বিভিন্ন চৌম্বকীকরণ দিক বিভিন্ন স্পিন পোলারাইজেশন সমন্বয় তৈরি করে
  • স্পিন দিক সময়কাল ২π, পরিবাহিতা সময়কাল π
  • স্পিন সমান্তরাল এবং স্রোতের লম্ব বিভিন্ন মোড অর্জন করা যায়

পরীক্ষামূলক সেটআপ

গণনা পদ্ধতি

१. টাইট-বাইন্ডিং গণনা: MagneticTB সফটওয়্যার প্যাকেজ ব্যবহার করে মডেল নির্মাণ २. প্রথম নীতি গণনা: ঘনত্ব কার্যকরী তত্ত্বের উপর ভিত্তি করে ३. ওয়ানিয়ার ফাংশন: Wannier90 সফটওয়্যার প্যাকেজ ব্যবহার করে টাইট-বাইন্ডিং হ্যামিলটোনিয়ান তৈরি

উপকরণ সিস্টেম

  • মডেল উপকরণ: P3̄m1 স্থান গ্রুপের ষড়ভুজ জালি ফেরোম্যাগনেট
  • প্রকৃত উপকরণ: AA' স্ট্যাকিং সহ VSi₂N₄ দ্বিস্তর
    • জালি ধ্রুবক: ২.८९ Å
    • একক স্তর পুরুত্ব: ६.८७ Å
    • স্তর ব্যবধান: २.८० Å
    • চৌম্বক মুহূর্ত: २ μ_B/ইউনিট সেল

পরামিতি সেটিংস

  • রাসায়নিক সম্ভাবনা μ স্ক্যান পরিসীমা: পরিবাহী এবং যোজনা ব্যান্ড প্রান্তের কাছাকাছি
  • চৌম্বকীকরণ কোণ: φ ∈ 0, π, θ ∈ -π/2, π/2
  • শক্তি উইন্ডো: ছোট ব্যান্ড গ্যাপ অঞ্চলের অরৈখিক প্রতিক্রিয়ায় ফোকাস

পরীক্ষামূলক ফলাফল

প্রধান ফলাফল

१. টাইট-বাইন্ডিং মডেল ফলাফল

  • পরিবাহিতা বৈশিষ্ট্য: χ^NVH_xyy দ্বিমুখী শিখর উপস্থাপন করে, χ^NVH_yxx সর্বদা শূন্য (Mx দিক চৌম্বকীকরণে)
  • শিখর অবস্থান: K± উপত্যকা পরিবাহী ব্যান্ড ছোট ব্যান্ড গ্যাপ শক্তির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ
  • প্রশস্ততা: ~१ (e³/ℏ)Å eV⁻¹

२. VSi₂N₄ দ্বিস্তর ফলাফল

  • পরিবাহিতা প্রশস্ততা:
    • পরিবাহী ব্যান্ড: ~१०¹ (e³/ℏ)Å eV⁻¹
    • যোজনা ব্যান্ড: ~१०² (e³/ℏ)Å eV⁻¹
  • বিদ্যমান গবেষণা অতিক্রম করা: সংখ্যা স্ট্রেইন গ্রাফিন এবং CuMnAs পাতলা ফিল্মের অরৈখিক হল পরিবাহিতা অতিক্রম করে

३. চৌম্বকীকরণ দিক নির্ভরতা

  • সমতল ঘূর্ণন: χ^NVH_xyy ~ -cos(2φ), χ^NVH_yxx ~ sin(2φ)
  • সমতল বাইরে ঝোঁক: χ^NVH_xyy θ=0 সম্পর্কে সমান প্রতিসাম্য, χ^NVH_yxx বিজোড় প্রতিসাম্য
  • শিখর কোণ: θ = ११° এ সর্বাধিক প্রতিক্রিয়া উপস্থিত

প্রতিসাম্য বিশ্লেষণ যাচাইকরণ

१. গতিবেগ-সমাধান করা BCP: Λ_xyy(k) K± উপত্যকার কাছাকাছি সবচেয়ে উল্লেখযোগ্য २. প্রতিসাম্য সুরক্ষা: C₂ₓ প্রতিসাম্য Λ_xyy সম্পর্কে q_y=0 প্রতিসাম্য নিশ্চিত করে ३. উপত্যকা অবদান: P এবং Mₓ প্রতিসাম্য দুটি উপত্যকা অবদান বিপরীত চিহ্ন নিশ্চিত করে

স্পিন পোলারাইজেশন মোড

চৌম্বকীকরণ দিক নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে অর্জন:

  • একই স্রোত দিক, বিপরীত স্পিন পোলারাইজেশন
  • বিপরীত স্রোত দিক, লম্ব স্পিন পোলারাইজেশন
  • বহুগুণ স্পিন-স্রোত সমন্বয় মোড

সম্পর্কিত কাজ

NVH প্রভাব গবেষণা

१. তাত্ত্বিক প্রস্তাব: Das এবং অন্যরা এবং Zhou এবং অন্যরা যথাক্রমে স্ট্রেইন গ্রাফিন এবং MoS₂ দ্বিস্তরে NVH প্রভাব প্রস্তাব করেন २. প্রতিসাম্য প্রয়োজনীয়তা: তিনগুণ ঘূর্ণন প্রতিসাম্য ভাঙার প্রয়োজন, কিন্তু বিপরীত প্রতিসাম্য দ্বারা সীমাবদ্ধ নয় ३. এই কাজের উদ্ভাবন: প্রথমবারের মতো চৌম্বকীয়তা এবং স্পিন স্বাধীনতা প্রবর্তন

চৌম্বকীয় উপত্যকা উপকরণ

१. স্পিন-উপত্যকা কাপলিং: শত শত চৌম্বকীয় উপত্যকা উপকরণে ইতিমধ্যে অর্জিত २. উপত্যকা বিভাজন প্রভাব: চৌম্বক ক্রম দ্বারা সৃষ্ট উপত্যকা শক্তি স্তর বিভাজন ३. অস্বাভাবিক উপত্যকা হল প্রভাব: রৈখিক চৌম্বকীয় উপত্যকা হল প্রভাব

অরৈখিক পরিবহন

१. অরৈখিক হল প্রভাব: সময় বিপরীত প্রতিসাম্য ভাঙা সিস্টেমে গবেষণা २. বেরি বক্রতা দ্বিমুখী: অরৈখিক প্রতিক্রিয়ার মাইক্রোস্কোপিক প্রক্রিয়া ३. পরীক্ষামূলক পর্যবেক্ষণ: বিভিন্ন উপকরণে পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ অর্জিত

উপসংহার এবং আলোচনা

প্রধান উপসংহার

१. নীতি যাচাইকরণ: কেন্দ্রসমরূপ ফেরোম্যাগনেটে বাহ্যিক স্ট্রেইন ছাড়াই NVH প্রভাব সফলভাবে অর্জন २. চৌম্বক নিয়ন্ত্রণ বৈশিষ্ট্য: চৌম্বকীকরণ দিক পরিবাহিতা প্রশস্ততা, চিহ্ন এবং স্পিন পোলারাইজেশন কার্যকরভাবে নিয়ন্ত্রণ করতে পারে ३. উপকরণ বাস্তবায়ন: VSi₂N₄ দ্বিস্তর উল্লেখযোগ্য NVH প্রতিক্রিয়া প্রদর্শন করে ४. ডিভাইস সম্ভাবনা: স্পিন-উপত্যকা ইলেকট্রনিক্স ডিভাইসের জন্য নতুন প্ল্যাটফর্ম প্রদান করে

ভৌত প্রক্রিয়া

१. প্রতিসাম্য ভাঙা: সমতল চৌম্বকীকরণ C₃ প্রতিসাম্য ভাঙে, NVH প্রভাব সক্রিয় করে २. স্পিন-অরবিটাল কাপলিং: ছোট ব্যান্ড গ্যাপ তৈরি করে, অরৈখিক প্রতিক্রিয়া বৃদ্ধি করে ३. বেরি জ্যামিতি: বেরি সংযোগ পোলারাইজেশন হার পরিবহন বৈশিষ্ট্য নির্ধারণ করে

সীমাবদ্ধতা

१. উপকরণ সীমাবদ্ধতা: নির্দিষ্ট স্থান গ্রুপ এবং চৌম্বক কাঠামো সহ উপকরণের প্রয়োজন २. তাপমাত্রা প্রভাব: চৌম্বক ক্রম এবং পরিবহনে সীমিত তাপমাত্রার প্রভাব বিবেচনা করা হয়নি ३. ব্যাধি প্রভাব: তাত্ত্বিক গণনা নিখুঁত স্ফটিকের উপর ভিত্তি করে, প্রকৃত উপকরণে ত্রুটির প্রভাব মূল্যায়ন করা হয়নি

ভবিষ্যত দিকনির্দেশনা

१. উপকরণ অন্বেষণ: অনুরূপ বৈশিষ্ট্য সহ আরও বেশি চৌম্বকীয় উপত্যকা উপকরণ খুঁজে বের করা २. পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ: অ-স্থানীয় প্রতিরোধ পরিমাপ ইত্যাদি মাধ্যমে তাত্ত্বিক পূর্বাভাস যাচাই করা ३. ডিভাইস ডিজাইন: চৌম্বক নিয়ন্ত্রিত NVH প্রভাবের উপর ভিত্তি করে স্পিন-উপত্যকা ইলেকট্রনিক্স ডিভাইস উন্নয়ন ४. বহু-স্তর সিস্টেম: আরও জটিল বহু-স্তর এবং হেটেরোস্ট্রাকচারে সম্প্রসারণ

গভীর মূল্যায়ন

সুবিধা

१. তাত্ত্বিক উদ্ভাবন: প্রথমবারের মতো NVH প্রভাবে চৌম্বকীয়তা প্রবর্তন, স্পিন স্বাধীনতা অংশগ্রহণ অর্জন २. পদ্ধতি সম্পূর্ণতা: টাইট-বাইন্ডিং মডেল এবং প্রথম নীতি গণনা সমন্বয়, তত্ত্ব এবং প্রকৃত উপকরণ সংযোগ ३. ভৌত চিত্র স্পষ্ট: প্রতিসাম্য বিশ্লেষণের মাধ্যমে NVH প্রভাবের মাইক্রোস্কোপিক প্রক্রিয়া গভীরভাবে বোঝা ४. প্রয়োগ সম্ভাবনা: উপত্যকা ইলেকট্রনিক্স এবং স্পিনট্রনিক্স ক্রস-ডোমেইনে নতুন দিকনির্দেশনা খোলে

প্রযুক্তিগত হাইলাইট

१. স্ট্রেইন-মুক্ত বাস্তবায়ন: অভ্যন্তরীণ চৌম্বকীয়তার মাধ্যমে বাহ্যিক স্ট্রেইনের প্রযুক্তিগত সমস্যা এড়ানো २. বহুগুণ নিয়ন্ত্রণ: পরিবাহিতা এবং স্পিন পোলারাইজেশনের একাধিক মাত্রা একযোগে নিয়ন্ত্রণ ३. পরিমাপযোগ্য সংখ্যা: গণনা করা পরিবাহিতা সংখ্যা পরীক্ষামূলকভাবে পরিমাপযোগ্য ४. উপকরণ যাচাইকরণ: প্রকৃত উপকরণে তাত্ত্বিক পূর্বাভাসের নির্ভরযোগ্যতা প্রমাণ করে

অপূর্ণতা

१. উপকরণ পরিসীমা: বর্তমানে শুধুমাত্র নির্দিষ্ট উপকরণ সিস্টেমে যাচাই, সর্বজনীনতা সম্প্রসারণের অপেক্ষায় २. পরীক্ষা অভাব: বিশুদ্ধ তাত্ত্বিক কাজ, পরীক্ষামূলক যাচাইকরণের অভাব ३. পরিবেশগত কারণ: তাপমাত্রা, ডোপিং ইত্যাদি প্রকৃত কারণের প্রভাব পর্যাপ্তভাবে বিবেচনা করা হয়নি ४. ডিভাইস বাস্তবায়ন: মৌলিক প্রভাব থেকে প্রকৃত ডিভাইস পর্যন্ত পথ যথেষ্ট স্পষ্ট নয়

প্রভাব মূল্যায়ন

१. একাডেমিক মূল্য: অরৈখিক উপত্যকা পরিবহন তত্ত্বে গুরুত্বপূর্ণ অবদান, সম্পর্কিত ক্ষেত্র উন্নয়ন প্রচার করে २. প্রযুক্তিগত সম্ভাবনা: পরবর্তী প্রজন্মের স্পিন-উপত্যকা ইলেকট্রনিক্স ডিভাইসের জন্য তাত্ত্বিক ভিত্তি প্রদান করে ३. ক্রস-ডোমেইন অর্থ: ঘনীভূত পদার্থ পদার্থবিজ্ঞান, উপকরণ বিজ্ঞান এবং ডিভাইস প্রকৌশল একাধিক ক্ষেত্র সংযোগ করে

প্রযোজ্য পরিস্থিতি

१. মৌলিক গবেষণা: উপত্যকা ইলেকট্রনিক্স এবং স্পিনট্রনিক্সের মৌলিক ভৌত গবেষণা २. উপকরণ ডিজাইন: নতুন চৌম্বকীয় উপত্যকা উপকরণের তাত্ত্বিক ডিজাইন নির্দেশনা ३. ডিভাইস উন্নয়ন: কম শক্তি, বহু-কার্যকরী ইলেকট্রনিক ডিভাইসের ধারণা যাচাইকরণ ४. তথ্য প্রযুক্তি: উপত্যকা এবং স্পিন এনকোডিং উপর ভিত্তি করে নতুন তথ্য প্রক্রিয়াকরণ সমাধান

রেফারেন্স

এই পত্রটি ৪০টি গুরুত্বপূর্ণ রেফারেন্স উদ্ধৃত করে, যা উপত্যকা ইলেকট্রনিক্স মৌলিক তত্ত্ব, অরৈখিক পরিবহন ঘটনা, চৌম্বকীয় উপকরণ এবং প্রথম নীতি গণনা পদ্ধতি সহ একাধিক দিক কভার করে, গবেষণার জন্য দৃঢ় তাত্ত্বিক ভিত্তি এবং প্রযুক্তিগত সহায়তা প্রদান করে।

এই পত্রটি তাত্ত্বিকভাবে গুরুত্বপূর্ণ উদ্ভাবনী, কেন্দ্রসমরূপ চৌম্বকীয় উপকরণের উপত্যকা ইলেকট্রনিক্সে প্রয়োগের জন্য নতুন পথ খোলে, স্পিন-উপত্যকা ইলেকট্রনিক্স এই উদীয়মান ক্রস-ডোমেইন ক্ষেত্রের উন্নয়ন প্রচার করার প্রত্যাশা করা হয়।