2025-11-18T16:43:13.560269

Statistical Structure of Charge Disorder in Si/SiGe Quantum Dots

Samadi, Cywiński, Krzywda
Properties of quantum dot based spin qubits have significant inter-device variability due to unavoidable presence of various types of disorder in semiconductor nanostructures. A significant source of this variability is charge disorder at the semiconductor-oxide interface, which causes unpredictable, yet, as we show here, correlated fluctuations in such essential properties of quantum dots like their mutual tunnel couplings, and electronic confinement energies. This study presents a systematic approach to characterize and mitigate the effects of such disorder. We utilize finite element modeling of a Si/SiGe double quantum dot to generate a large statistical ensemble of devices, simulating the impact of trapped interface charges. This work results in a predictive statistical model capable of generating realistic artificial data for training machine learning algorithms. By applying Principal Component Analysis to this dataset, we identify the dominant modes through which disorder affects the multi-dimensional parameter space of the device. Our findings show that the parameter variations are not arbitrary, but are concentrated along a few principal axes - i.e.there are significant correlations between many properties of the devices. We finally compare that against control modes generated by sweeping the gate voltages, revealing limitations of the plunger-only control. This work provides a framework for enhancing the controllability and operational yield of spin qubit devices, by systematically addressing the nature of electrostatic disorder that leads to statistical correlations in properties of double quantum dots.
academic

Si/SiGe কোয়ান্টাম ডটে চার্জ ডিসঅর্ডারের পরিসংখ্যানগত কাঠামো

মৌলিক তথ্য

  • পেপার আইডি: 2510.13578
  • শিরোনাম: Si/SiGe কোয়ান্টাম ডটে চার্জ ডিসঅর্ডারের পরিসংখ্যানগত কাঠামো
  • লেখক: Saeed Samadi, Łukasz Cywiński, Jan A. Krzywda
  • শ্রেণীবিভাগ: cond-mat.mes-hall, quant-ph
  • প্রকাশনার সময়: ২০২৫ সালের ১৫ অক্টোবর
  • পেপার লিঙ্ক: https://arxiv.org/abs/2510.13578

সারসংক্ষেপ

এই গবেষণা Si/SiGe কোয়ান্টাম ডটে চার্জ ডিসঅর্ডার স্পিন কিউবিট ডিভাইসের মধ্যে পরিবর্তনশীলতার প্রভাব সম্পর্কে একটি পদ্ধতিগত বিশ্লেষণ পরিচালনা করে। সীমিত উপাদান মডেলিংয়ের মাধ্যমে বৃহৎ পরিসংখ্যানগত নমুনা তৈরি করে, গবেষণা দেখায় যে পরামিতি পরিবর্তন এলোমেলো নয়, বরং কয়েকটি প্রধান দিকে কেন্দ্রীভূত। প্রধান উপাদান বিশ্লেষণ (PCA) ব্যবহার করে তিনটি প্রধান ডিসঅর্ডার প্যাটার্ন চিহ্নিত করা হয়েছে এবং পূর্বাভাসমূলক পরিসংখ্যানগত মডেল তৈরি করা হয়েছে। গবেষণা শুধুমাত্র গেট নিয়ন্ত্রণ স্কিমের সীমাবদ্ধতা প্রকাশ করে এবং স্পিন কিউবিট ডিভাইসের নিয়ন্ত্রণযোগ্যতা এবং অপারেশনাল ফলন উন্নত করার জন্য একটি কাঠামো প্রদান করে।

গবেষণা পটভূমি এবং প্রেরণা

মূল সমস্যা

Si/SiGe কোয়ান্টাম ডট স্পিন কিউবিট ডিভাইসগুলি উল্লেখযোগ্য ডিভাইস-থেকে-ডিভাইস পরিবর্তনশীলতা প্রদর্শন করে, যা প্রধানত অর্ধপরিবাহী ন্যানোস্ট্রাকচারে অনিবার্য বিভিন্ন ডিসঅর্ডার দ্বারা সৃষ্ট। এর মধ্যে, অর্ধপরিবাহী-অক্সাইড ইন্টারফেসের চার্জ ডিসঅর্ডার পরিবর্তনশীলতার একটি গুরুত্বপূর্ণ উৎস।

সমস্যার গুরুত্ব

  1. কোয়ান্টাম কম্পিউটিং স্কেলেবিলিটি চ্যালেঞ্জ: ডিভাইস পরিবর্তনশীলতা মাল্টি-কিউবিট সিস্টেমের টিউনিংকে জটিল করে তোলে, কিউবিট সংখ্যা N বৃদ্ধির সাথে ম্যানুয়াল টিউনিং অপ্রশাসনীয় হয়ে ওঠে
  2. শিল্প উৎপাদন চাহিদা: Si/SiGe কোয়ান্টাম ডটের দীর্ঘমেয়াদী সুবিধা শিল্প উৎপাদন প্রযুক্তি ব্যবহার করে লক্ষ লক্ষ কিউবিট সহ চিপ তৈরি করার ক্ষমতায় নিহিত, কিন্তু পরিবর্তনশীলতা সমস্যা অবশ্যই সমাধান করতে হবে
  3. স্বয়ংক্রিয় টিউনিং অ্যালগরিদম প্রশিক্ষণ: মেশিন লার্নিং অ্যালগরিদমগুলিকে সিমুলেটেড ডিসঅর্ডার মাল্টি-ডট ডিভাইস প্রতিক্রিয়া ডেটায় প্রশিক্ষণ দিতে হবে

বিদ্যমান পদ্ধতির সীমাবদ্ধতা

  • ডিসঅর্ডার দ্বারা সৃষ্ট পরামিতি সম্পর্কের সম্পর্কে পদ্ধতিগত বোঝার অভাব
  • বিদ্যমান গেট নিয়ন্ত্রণ স্কিম (বিশেষত শুধুমাত্র প্লাঞ্জার গেট ব্যবহার করা) নির্দিষ্ট ধরনের ডিসঅর্ডার ক্ষতিপূরণে মৌলিক সীমাবদ্ধতা রয়েছে
  • বাস্তবসম্মত প্রশিক্ষণ ডেটা তৈরি করতে পারে এমন পূর্বাভাসমূলক পরিসংখ্যানগত মডেলের অভাব

মূল অবদান

  1. পূর্বাভাসমূলক পরিসংখ্যানগত মডেল প্রতিষ্ঠা: সীমিত উপাদান মডেলিং এবং মাল্টিভেরিয়েট গাউসিয়ান বিতরণের উপর ভিত্তি করে, মেশিন লার্নিং অ্যালগরিদম প্রশিক্ষণের জন্য বাস্তবসম্মত কৃত্রিম ডেটা তৈরি করতে পারে
  2. তিনটি প্রধান ডিসঅর্ডার প্যাটার্ন চিহ্নিত করা: PCA বিশ্লেষণের মাধ্যমে 90% এর বেশি পরামিতি পরিবর্তনশীলতা তিনটি প্রধান দিকে কেন্দ্রীভূত আবিষ্কার করা হয়েছে
  3. নিয়ন্ত্রণ স্কিমের সীমাবদ্ধতা পরিমাণ করা: 2-গেট এবং 3-গেট নিয়ন্ত্রণ স্কিম পদ্ধতিগতভাবে তুলনা করা হয়েছে, শুধুমাত্র প্লাঞ্জার গেট ব্যবহার করে প্রায় 50% ডিসঅর্ডার পরিবর্তনশীলতা ব্যাখ্যা করতে পারে
  4. ভৌত ব্যাখ্যা কাঠামো প্রদান করা: পরিসংখ্যানগত প্যাটার্নগুলিকে নির্দিষ্ট ভৌত প্রক্রিয়ার সাথে সংযুক্ত করা (যেমন ডট-মধ্যে চার্জ বিতরণ)
  5. PCA বিশ্লেষণ প্যারাডাইম প্রতিষ্ঠা করা: কোয়ান্টাম ডট নিয়ন্ত্রণ ক্ষেত্রে মাল্টিভেরিয়েট ডেটা বিশ্লেষণের জন্য একটি শক্তিশালী কাঠামো হিসাবে PCA প্রতিষ্ঠা করা

পদ্ধতির বিস্তারিত বিবরণ

কাজের সংজ্ঞা

Si/SiGe ডুয়াল কোয়ান্টাম ডট (DQD) পরামিতিতে চার্জ ডিসঅর্ডারের পরিসংখ্যানগত প্রভাব অধ্যয়ন করা, যার মধ্যে রয়েছে:

  • ইনপুট: ইন্টারফেস ট্র্যাপ চার্জ ঘনত্ব ρ এবং স্থানিক বিতরণ
  • আউটপুট: DQD পরামিতি ভেক্টর X = d, tc, Lx, ΔLx, Fz, ΔFz, εᵀ
  • সীমাবদ্ধতা: ডিভাইস কার্যকারিতা প্রয়োজনীয়তা পূরণ করতে হবে (কক্ষপথ শক্তি > 1 meV, টানেলিং কাপলিং 10-250 μeV ইত্যাদি)

মডেল আর্কিটেকচার

1. ডিভাইস মডেলিং

COMSOL Multiphysics ব্যবহার করে সীমিত উপাদান মডেলিং:

  • কাঠামোগত পরামিতি: Si কোয়ান্টাম ওয়েল পুরুত্ব hSi = 10 nm, ডিভাইস আকার 660×582 nm²
  • উপাদান পরামিতি: Si₀.₇Ge₀.₃ বাধা, পরিবাহী ব্যান্ড অফসেট U₀ = 150 meV
  • গেট কনফিগারেশন: দুটি প্লাঞ্জার গেট (VL, VR) এবং একটি বাধা গেট (VB)

2. পরিসংখ্যানগত মডেলিং

পরামিতি ভেক্টর মাল্টিভেরিয়েট সাধারণ বিতরণ হিসাবে মডেল করা হয়:

P(X) = 1/√((2π)^k|Σ|) exp(-1/2(X-μ)^T Σ^(-1)(X-μ))

যেখানে μ হল গড় ভেক্টর এবং Σ হল সহপ্রসরণ ম্যাট্রিক্স।

3. প্রধান উপাদান বিশ্লেষণ

অ-মাত্রাবিহীন সম্পর্ক ম্যাট্রিক্সে আইগেনভ্যালু বিয়োজন:

Cij = Σij/√(ΣiiΣjj)

প্রধান উপাদান di এবং সংশ্লিষ্ট ভেরিয়েন্স λi পেতে আইগেনভ্যালু সমস্যা Cdi = λidi সমাধান করা।

প্রযুক্তিগত উদ্ভাবন পয়েন্ট

  1. মাল্টি-স্কেল মডেলিং পদ্ধতি: ম্যাক্রোস্কোপিক সীমিত উপাদান মডেলিং এবং মাইক্রোস্কোপিক কোয়ান্টাম মেকানিক্স গণনা একত্রিত করা
  2. পরিসংখ্যানগত-ভৌত সংযোগ: PCA প্যাটার্নগুলিকে নির্দিষ্ট চার্জ বিতরণ ভৌত প্রক্রিয়ার সাথে সংযুক্ত করা
  3. নিয়ন্ত্রণ স্থান বিশ্লেষণ: গেট নিয়ন্ত্রণ ক্ষমতা পরিমাণ করার জন্য PCA এর উদ্ভাবনী প্রয়োগ
  4. পূর্বাভাসমূলক মডেল যাচাইকরণ: সিন্থেটিক ডেটা এবং মূল ডেটার তুলনার মাধ্যমে মডেল নির্ভুলতা যাচাই করা

পরীক্ষামূলক সেটআপ

ডেটাসেট

  • চার্জ ঘনত্ব পরিসীমা: ρ = 5×10⁹ থেকে 5×10¹⁰ cm⁻²
  • নমুনা আকার: প্রতিটি ঘনত্বের জন্য বৃহৎ সংখ্যক পরিসংখ্যানগত নমুনা তৈরি করা হয়েছে
  • পরামিতি স্থান: 7-মাত্রিক পরামিতি ভেক্টর টানেলিং কাপলিং, ডট-মধ্যে দূরত্ব, বাধা উচ্চতা ইত্যাদি মূল পরামিতি অন্তর্ভুক্ত করে

মূল্যায়ন মেট্রিক্স

  1. ডিভাইস ফলন: কার্যকারিতা প্রয়োজনীয়তা পূরণকারী ডিভাইসের শতাংশ
  2. পরামিতি পরিবর্তনশীলতা সহগ: σ/|μ| আপেক্ষিক পরিবর্তনশীলতা পরিমাণ করে
  3. নিয়ন্ত্রণযোগ্যতা সূচক: ηK = নিয়ন্ত্রণ মোড দ্বারা ব্যাখ্যাকৃত ডিসঅর্ডার ভেরিয়েন্সের অনুপাত
  4. পুনর্নির্মাণ গুণমান: R² সহগ ডিসঅর্ডার প্যাটার্নের নিয়ন্ত্রণযোগ্য ডিগ্রি পরিমাপ করে

তুলনামূলক স্কিম

  • 2-গেট নিয়ন্ত্রণ: শুধুমাত্র প্লাঞ্জার গেট (VL, VR) ব্যবহার করা
  • 3-গেট নিয়ন্ত্রণ: বাধা গেট (VB) অন্তর্ভুক্ত সম্পূর্ণ নিয়ন্ত্রণ
  • আদর্শ ডিভাইস: চার্জ ডিসঅর্ডার ছাড়া রেফারেন্স কেস

পরীক্ষামূলক ফলাফল

প্রধান ফলাফল

1. ডিভাইস ফলন বিশ্লেষণ

  • ρ = 5×10⁹ cm⁻²: ফলন প্রায় 72%
  • ρ = 1×10¹⁰ cm⁻²: ফলন 48% এ হ্রাস পায়
  • ρ = 5×10¹⁰ cm⁻²: ফলন আরও 20% এ হ্রাস পায়

2. পরামিতি পরিবর্তনশীলতা পরিসংখ্যান

টানেলিং কাপলিং tc সবচেয়ে শক্তিশালী অ-গাউসিয়ান বৈশিষ্ট্য প্রদর্শন করে:

  • নিম্ন ঘনত্ব (ρ₁): μ = 60.96 μeV, σ = 31.70 μeV, CV = 0.52
  • উচ্চ ঘনত্ব (ρ₂): μ = 87.01 μeV, σ = 53.33 μeV, CV = 0.60

3. PCA বিশ্লেষণ ফলাফল

প্রথম তিনটি প্রধান উপাদান মোট ভেরিয়েন্সের >90% ব্যাখ্যা করে:

  • PC1 (≈50% ভেরিয়েন্স): d এবং tc বিপরীত সম্পর্কিত, Lx এবং Fz ইতিবাচক অবদান
  • PC2 (≈25% ভেরিয়েন্স): প্রধানত ε এবং ΔFz দ্বারা নিয়ন্ত্রিত
  • PC3 (≈15% ভেরিয়েন্স): প্রায় সম্পূর্ণভাবে Fz দ্বারা গঠিত

নিয়ন্ত্রণ ক্ষমতা পরিমাণ

  • 3-গেট নিয়ন্ত্রণ: ডিসঅর্ডার ভেরিয়েন্সের >90% ব্যাখ্যা করতে পারে
  • 2-গেট নিয়ন্ত্রণ: শুধুমাত্র ডিসঅর্ডার ভেরিয়েন্সের প্রায় 50% ব্যাখ্যা করতে পারে
  • মূল সীমাবদ্ধতা: 2-গেট নিয়ন্ত্রণ PC1 (সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ প্যাটার্ন) এর জন্য R² = 0.30, যখন 3-গেট নিয়ন্ত্রণ 1.00 অর্জন করে

ভৌত প্রক্রিয়া ব্যাখ্যা

  1. সমরূপ সংকোচন/প্রসারণ প্যাটার্ন (PC1): ডট-মধ্যে নেতিবাচক চার্জ ডট বিচ্ছেদ বৃদ্ধি করে, tc হ্রাস করে
  2. অসমরূপ ঝোঁক প্যাটার্ন (PC2): একটি ডটের দিকে পক্ষপাতী চার্জ মিসটিউনিং সৃষ্টি করে
  3. সাধারণ মোড স্থানান্তর প্যাটার্ন (PC3): গড় উল্লম্ব বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র প্রভাবিত করে, উপত্যকা বিভাজনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ

সম্পর্কিত কাজ

কোয়ান্টাম ডট ডিসঅর্ডার গবেষণা

  • ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক ডিসঅর্ডার: Klos ইত্যাদির টানেলিং কাপলিং গণনা, Martinez ইত্যাদির গেট লেআউট অপ্টিমাইজেশন
  • পরমাণু ডিসঅর্ডার: ইন্টারফেস রুক্ষতা এবং মিশ্র ডিসঅর্ডার উপত্যকা বিভাজনে প্রভাব
  • স্ট্রেন প্রভাব: অ-সমান স্ট্রেন ডিভাইস পরিবর্তনশীলতায় অবদান

কোয়ান্টাম ডট নিয়ন্ত্রণে মেশিন লার্নিং প্রয়োগ

  • স্বয়ংক্রিয় টিউনিং: Zwolak ইত্যাদির ডুয়াল-ডট ডিভাইস স্বয়ংক্রিয় টিউনিং
  • PCA প্রয়োগ: প্রধানত সিগন্যাল প্রি-প্রসেসিংয়ে সীমাবদ্ধ, এই পেপার প্রথমবার ভৌত ব্যাখ্যা এবং নিয়ন্ত্রণ বিশ্লেষণে ব্যবহার করে

উপসংহার এবং আলোচনা

প্রধান উপসংহার

  1. কাঠামোগত পরিবর্তনশীলতা: চার্জ ডিসঅর্ডার দ্বারা সৃষ্ট পরামিতি পরিবর্তন অত্যন্ত কাঠামোগত, কয়েকটি প্যাটার্নে কেন্দ্রীভূত
  2. শক্তিশালী সম্পর্ক: tc এবং d মধ্যে শক্তিশালী সম্পর্ক, tc পরিমাপের মাধ্যমে সরাসরি ডট-মধ্যে দূরত্ব অন্বেষণ করা যায়
  3. নিয়ন্ত্রণ সীমাবদ্ধতা: শুধুমাত্র প্লাঞ্জার গেট ব্যবহার করে প্রধান ডিসঅর্ডার প্যাটার্ন কার্যকরভাবে ক্ষতিপূরণ করা যায় না
  4. পূর্বাভাসমূলক ক্ষমতা: মাল্টিভেরিয়েট গাউসিয়ান মডেল বাস্তবসম্মত কৃত্রিম প্রশিক্ষণ ডেটা সঠিকভাবে তৈরি করতে পারে

সীমাবদ্ধতা

  1. ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক ডিসঅর্ডার সীমাবদ্ধতা: Si/SiGe ইন্টারফেসের পরমাণু ডিসঅর্ডার এবং উপত্যকা কাপলিং র্যান্ডমনেস বিবেচনা করা হয়নি
  2. মডেল অনুমান: মাল্টিভেরিয়েট সাধারণ বিতরণ অনুমান কিছু পরামিতি (যেমন tc) এর অ-গাউসিয়ান বৈশিষ্ট্যের জন্য নিখুঁত ফিটিং নয়
  3. ডিভাইস বিশেষত্ব: ফলাফল প্রধানত নির্দিষ্ট Si/SiGe কাঠামো পরামিতির জন্য প্রযোজ্য

ভবিষ্যত দিকনির্দেশনা

  1. মাল্টি-ফিজিক্স কাপলিং: ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক ডিসঅর্ডার এবং পরমাণু-স্তরের ইন্টারফেস ডিসঅর্ডার একত্রিত করা
  2. অ-রৈখিক নিয়ন্ত্রণ: 2-গেট নিয়ন্ত্রণ কার্যকারিতা উন্নত করতে অ-রৈখিক নিয়ন্ত্রণ ম্যানিফোল্ড অন্বেষণ করা
  3. ক্রস-ডিভাইস ক্রসটক: সন্নিহিত গেটের ক্রসটক প্রভাব ব্যবহার করে নিয়ন্ত্রণ ক্ষমতা বৃদ্ধি করা
  4. পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ: প্রকৃত ডিভাইস অ্যারেতে পরিসংখ্যানগত পূর্বাভাস যাচাই করা

গভীর মূল্যায়ন

শক্তি

  1. পদ্ধতি উদ্ভাবনী: প্রথমবার PCA পদ্ধতিগতভাবে কোয়ান্টাম ডট ডিসঅর্ডার বিশ্লেষণে প্রয়োগ করা, নতুন বিশ্লেষণ প্যারাডাইম প্রতিষ্ঠা করা
  2. ভৌত অন্তর্দৃষ্টি গভীর: পরিসংখ্যানগত প্যাটার্নগুলিকে নির্দিষ্ট ভৌত প্রক্রিয়ার সাথে সফলভাবে সংযুক্ত করা, স্পষ্ট ভৌত চিত্র প্রদান করা
  3. ব্যবহারিক মূল্য উচ্চ: পূর্বাভাসমূলক মডেল স্বয়ংক্রিয় টিউনিং অ্যালগরিদম প্রশিক্ষণে সরাসরি ব্যবহার করা যায়, বাস্তব প্রকৌশল সমস্যা সমাধান করে
  4. বিশ্লেষণ ব্যাপক: ডিভাইস ফলন থেকে নিয়ন্ত্রণ ক্ষমতা পর্যন্ত বহু-স্তরীয় বিশ্লেষণ, বাস্তব প্রয়োগের মূল দিক কভার করে

অপূর্ণতা

  1. মডেল সরলীকরণ: উপত্যকা পদার্থবিজ্ঞান ইত্যাদি গুরুত্বপূর্ণ প্রভাব উপেক্ষা করা, প্রকৃত পরিবর্তনশীলতা কম মূল্যায়ন করতে পারে
  2. পরামিতি পরিসীমা: শুধুমাত্র নির্দিষ্ট চার্জ ঘনত্ব এবং ডিভাইস পরামিতি পরিসীমা বিবেচনা করা হয়েছে
  3. পরীক্ষামূলক যাচাইকরণ অনুপস্থিত: প্রকৃত ডিভাইস পরিমাপ ডেটার সাথে সরাসরি তুলনার অভাব
  4. গতিশীল প্রভাব: সময়-নির্ভর চার্জ শব্দ এবং পরিবেশগত ওঠানামা বিবেচনা করা হয়নি

প্রভাব

  1. তাত্ত্বিক অবদান: কোয়ান্টাম ডট ডিভাইস পরিবর্তনশীলতা গবেষণার জন্য পদ্ধতিগত পরিসংখ্যানগত বিশ্লেষণ কাঠামো প্রতিষ্ঠা করা
  2. প্রযুক্তিগত প্রয়োগ: স্কেলেবল কোয়ান্টাম কম্পিউটিংয়ে ডিভাইস নিয়ন্ত্রণের জন্য গুরুত্বপূর্ণ নির্দেশনা প্রদান করা
  3. পদ্ধতি সম্প্রসারণ: PCA বিশ্লেষণ পদ্ধতি অন্যান্য কোয়ান্টাম ডিভাইস প্ল্যাটফর্মে প্রসারিত করা যায়
  4. শিল্প তাৎপর্য: অর্ধপরিবাহী কোয়ান্টাম ডিভাইসের শিল্প উৎপাদনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ রেফারেন্স মূল্য

প্রযোজ্য পরিস্থিতি

  1. কোয়ান্টাম কম্পিউটিং গবেষণা: বৃহৎ-স্কেল কিউবিট অ্যারের ডিজাইন এবং অপ্টিমাইজেশন
  2. স্বয়ংক্রিয় নিয়ন্ত্রণ: মেশিন লার্নিং টিউনিং অ্যালগরিদমের প্রশিক্ষণ ডেটা উৎপাদন
  3. ডিভাইস ডিজাইন: নতুন কোয়ান্টাম ডট কাঠামোর পরিবর্তনশীলতা পূর্বাভাস এবং অপ্টিমাইজেশন
  4. উৎপাদন প্রক্রিয়া: অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়া ডিভাইস কর্মক্ষমতা প্রভাব মূল্যায়ন

রেফারেন্স

পেপারটি 65টি রেফারেন্স অন্তর্ভুক্ত করে, যা Si/SiGe কোয়ান্টাম ডট, স্পিন কিউবিট, মেশিন লার্নিং নিয়ন্ত্রণ ইত্যাদি সম্পর্কিত ক্ষেত্রের গুরুত্বপূর্ণ কাজ কভার করে, গবেষণার জন্য দৃঢ় তাত্ত্বিক ভিত্তি প্রদান করে।

সামগ্রিক মূল্যায়ন: এটি কোয়ান্টাম কম্পিউটিং ডিভাইস পদার্থবিজ্ঞান ক্ষেত্রে উল্লেখযোগ্য গুরুত্বের একটি কাজ। পরিসংখ্যানগত বিশ্লেষণ পদ্ধতি উদ্ভাবনীভাবে কোয়ান্টাম ডিভাইস পরিবর্তনশীলতা গবেষণায় প্রয়োগ করে, শুধুমাত্র গভীর ভৌত অন্তর্দৃষ্টি প্রদান করে না বরং ব্যবহারিক পূর্বাভাসমূলক কাঠামোও প্রতিষ্ঠা করে। যদিও কিছু মডেল সরলীকরণের সীমাবদ্ধতা রয়েছে, এর পদ্ধতিগত অবদান এবং ব্যবহারিক প্রয়োগ মূল্য এটিকে এই ক্ষেত্রের একটি গুরুত্বপূর্ণ অগ্রগতি করে তোলে।