2025-11-13T05:16:11.075915

Enhanced Secondary Electron Detection of Single Ion Implants in Silicon Through Thin SiO2 Layers

Schneider, Lloyd-Willard, Stockbridge et al.
Deterministic placement of single dopants is essential for scalable quantum devices based on group-V donors in silicon. We demonstrate a non-destructive, high-efficiency method for detecting individual ion implantation events using secondary electrons (SEs) in a focused ion beam (FIB) system. Using low-energy Sb ions implanted into undoped silicon, we achieve up to 98% single-ion detection efficiency, verified by calibrated ion-current measurements before and after implantation. The technique attains ~30 nm spatial resolution without requiring electrical contacts or device fabrication, in contrast to ion-beam-induced-current (IBIC) methods. We find that introducing a controlled SiO2 capping layer significantly enhances SE yield, consistent with an increased electron mean free path in the oxide, while maintaining high probability of successful ion deposition in the underlying substrate. The yield appears to scale with ion velocity, so higher projectile mass (e.g. Yb, Bi etc) requires increased energy to maintain detection efficiency. Our approach provides a robust and scalable route to precise donor placement and extends deterministic implantation strategies to a broad range of material systems and quantum device architectures.
academic

সিলিকনে পাতলা SiO₂ স্তরের মাধ্যমে একক আয়ন প্রবেশের উন্নত গৌণ ইলেকট্রন সনাক্তকরণ

মৌলিক তথ্য

  • পত্র ID: 2510.14495
  • শিরোনাম: Enhanced Secondary Electron Detection of Single Ion Implants in Silicon Through Thin SiO₂ Layers
  • লেখক: E. B. Schneider, O. G. Lloyd-Willard, K. Stockbridge, M. Ludlow, S. Eserin, L. Antwis, D. C. Cox, R. P. Webb, B. N. Murdin, S. K. Clowes
  • শ্রেণীবিভাগ: cond-mat.mtrl-sci quant-ph
  • প্রকাশনার সময়: ১৭ অক্টোবর, ২০২৫
  • পত্র লিঙ্ক: https://arxiv.org/abs/2510.14495v1

সারসংক্ষেপ

এই গবেষণা ফোকাসড আয়ন বিম (FIB) সিস্টেমে গৌণ ইলেকট্রন (SE) সনাক্তকরণের মাধ্যমে একক আয়ন প্রবেশ ঘটনা সনাক্ত করার একটি অ-ধ্বংসাত্মক, উচ্চ দক্ষতার পদ্ধতি প্রদর্শন করে। কম শক্তির Sb আয়ন অপ্রশমিত সিলিকনে প্রবেশ করিয়ে ৯৮% পর্যন্ত একক আয়ন সনাক্তকরণ দক্ষতা অর্জন করা হয়েছে এবং প্রবেশের আগে এবং পরে ক্যালিব্রেশন আয়ন প্রবাহ পরিমাপের মাধ্যমে যাচাই করা হয়েছে। এই প্রযুক্তি বিদ্যুৎ সংযোগ বা ডিভাইস তৈরির প্রয়োজন ছাড়াই প্রায় ৩০ nm এর স্থানিক রেজোলিউশন অর্জন করে। নিয়ন্ত্রিত SiO₂ আবরণ স্তর প্রবর্তন গৌণ ইলেকট্রন ফলন উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে, যা অক্সাইডে ইলেকট্রন গড় মুক্ত পথ বৃদ্ধির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, একই সাথে অন্তর্নিহিত সাবস্ট্রেটে আয়ন সফলভাবে জমা দেওয়ার উচ্চ সম্ভাবনা বজায় রাখে।

গবেষণা পটভূমি এবং প্রেরণা

সমস্যা সংজ্ঞা

১. মূল সমস্যা: সিলিকন-ভিত্তিক কোয়ান্টাম ডিভাইসে একক ডোপিং পরমাণুর নির্ভুল অবস্থান এবং সনাক্তকরণ অর্জন করা, যা V গ্রুপ দাতা-ভিত্তিক স্কেলেবল কোয়ান্টাম ডিভাইসের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ ২. প্রযুক্তিগত চ্যালেঞ্জ: ঐতিহ্যবাহী আয়ন প্রবেশ এলোমেলো (পয়সন প্রক্রিয়া), আদর্শ পরিস্থিতিতে প্রতি পালসে একটি আয়ন প্রবেশের সম্ভাবনা মাত্র ৩৭% সীমাবদ্ধ ३. বিদ্যমান পদ্ধতির সীমাবদ্ধতা:

  • আয়ন বিম-প্ররোচিত প্রবাহ (IBIC) পদ্ধতির জন্য প্রাক-নির্মিত ডিভাইস কাঠামো এবং বিদ্যুৎ সংযোগ প্রয়োজন, যা প্রবাহ এবং উপকরণ নমনীয়তা সীমিত করে
  • ঐতিহ্যবাহী গৌণ ইলেকট্রন সনাক্তকরণ স্কিম কম সংকেত-থেকে-শব্দ অনুপাত রয়েছে, IBIC এর চেয়ে কম দক্ষ

গবেষণার তাৎপর্য

  • কোয়ান্টাম প্রযুক্তি উন্নয়নের জন্য কার্যকরী ইউনিট হিসাবে পরমাণু-স্তরের নির্ভুলতার একক ডোপিং পরমাণু বা ত্রুটি প্রয়োজন
  • আয়ন প্রবেশ অর্ধপরিবাহী ডিভাইস প্রক্রিয়াকরণের ভিত্তি, একক-আয়ন স্তরে সম্প্রসারণ কোয়ান্টাম ডিভাইস উৎপাদনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ
  • যোগাযোগ-মুক্ত সনাক্তকরণ পদ্ধতি উৎপাদন থ্রুপুট এবং উপকরণ প্রযোজ্যতা বৃদ্ধি করতে পারে

মূল অবদান

१. উচ্চ দক্ষতার সনাক্তকরণ পদ্ধতি: গৌণ ইলেকট্রন-ভিত্তিক একক আয়ন সনাক্তকরণ প্রযুক্তি বিকশিত করা হয়েছে, ৯৮% পর্যন্ত সনাক্তকরণ দক্ষতা এবং অত্যন্ত ছোট অনিশ্চয়তা সহ २. SiO₂ বর্ধন প্রক্রিয়া: অতি-পাতলা SiO₂ আবরণ স্তর গৌণ ইলেকট্রন ফলন উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে এবং প্রবেশ সনাক্তকরণ সাফল্যের সম্ভাবনা সর্বাধিক করার জন্য সর্বোত্তম অক্সাইড পুরুত্ব নির্ধারণ করা হয়েছে ३. তাত্ত্বিক ব্যাখ্যা: Lindhard-Scharff ইলেকট্রন থামার তত্ত্ব ব্যবহার করে বিভিন্ন আয়ন প্রজাতি এবং শক্তির প্রবণতা ব্যাখ্যা করা হয়েছে ४. নির্ভুল ক্যালিব্রেশন: প্রবেশের আগে এবং পরে আয়ন প্রবাহ ক্যালিব্রেশনের মাধ্যমে পরিমাণগত সনাক্তকরণ দক্ষতা পরিমাপ অর্জন করা হয়েছে ५. ব্যাপক প্রযোজ্যতা: এই পদ্ধতি একাধিক হোস্ট উপকরণের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ প্রমাণিত হয়েছে, নির্ধারণমূলক একক-আয়ন প্রবেশের জন্য একটি স্কেলেবল পথ প্রদান করে

পদ্ধতি বিস্তারিত

তাত্ত্বিক ভিত্তি

সনাক্তকরণ দক্ষতার পরিমাণগত বিশ্লেষণ পয়সন বিতরণ মডেলের উপর ভিত্তি করে:

  • মোট সনাক্তকরণ ঘটনা: N = ηL (η সনাক্তকরণ দক্ষতা, L আয়ন প্রবাহ)
  • খালি পালস সম্ভাবনা: p₀ = e^(-ηLt)
  • λ = Lt এর বিপরীতে ν = -ln(p₀) এর রৈখিক রিগ্রেশনের মাধ্যমে দক্ষতা η অর্জন করা হয়

পরীক্ষামূলক সেটআপ

१. নমুনা প্রস্তুতি:

  • উচ্চ প্রতিরোধী সিলিকন নমুনা, SiO₂ স্তর পুরুত্ব ২-१०.४ nm
  • পরমাণু স্তর জমা (ALD) দ্বারা অভিন্ন অক্সাইড স্তর প্রস্তুতি
  • এলিপসোমেট্রি দ্বারা অক্সাইড স্তর পুরুত্ব পরিমাপ

२. আয়ন প্রবেশ সিস্টেম:

  • SIMPLE সরঞ্জাম ব্যবহার (Ionoptika QOne)
  • Sb আয়ন, ২५ keV এবং ५० keV শক্তি
  • দ্বি-চ্যানেল ইলেকট্রন গুণক (CEM) সনাক্তকারী

३. সনাক্তকরণ প্রোটোকল:

  • চার পিক্সেল অ্যারে, গড় ডোজ ०.२५, ०.५, ०.७५, १ আয়ন/পালস
  • পিক্সেল ব্যবধান १ μm পার্শ্বীয় ওভারল্যাপ এড়াতে
  • সংকেত সনাক্ত হওয়ার পরে সেই পিক্সেলের পালস বন্ধ করা হয়

ডেটা বিশ্লেষণ পদ্ধতি

পালস সময়কাল t এর সাথে T = -१/L·ln(p₀) এর সম্পর্ক বিশ্লেষণ করতে রৈখিক রিগ্রেশন ব্যবহার করা হয়:

T = η(t - t₀) = ηt + c

যেখানে η এবং c মুক্ত পরামিতি, t₀ ব্ল্যাঙ্কিং বিলম্ব সময়।

পরীক্ষামূলক সেটআপ

নমুনা পরামিতি

  • সাবস্ট্রেট: উচ্চ প্রতিরোধী সিলিকন
  • আবরণ স্তর: २-१०.४ nm পুরু SiO₂, ALD দ্বারা জমা দেওয়া
  • আয়ন প্রজাতি: প্রধানত Sb ব্যবহার, সম্প্রসারিত গবেষণা Si, Sn, Er, Yb, Au, Bi অন্তর্ভুক্ত
  • শক্তি পরিসীমা: ८-५० keV

মূল্যায়ন সূচক

  • সনাক্তকরণ দক্ষতা η: প্রকৃত ইতিবাচক সনাক্তকরণ সংখ্যা এবং মোট প্রকৃত ইতিবাচক সংখ্যার অনুপাত
  • প্রবেশ সাফল্যের সম্ভাবনা P_S(τ): P_I(τ)·η(τ), যেখানে P_I(τ) আয়ন অক্সাইড স্তর অনুপ্রবেশ সম্ভাবনা
  • স্থানিক রেজোলিউশন: ~३० nm

ক্যালিব্রেশন পদ্ধতি

  • ফ্যারাডে কাপ কেলভিন পিকোঅ্যামপিয়ার মিটারের সাথে সংযুক্ত বিম প্রবাহ পরিমাপ
  • १० সেকেন্ড ব্যবধানে বিম চালু/বন্ধ করে গড় বর্তমান পরিবর্তন পরিমাপ
  • প্রতিটি চার-অ্যারে গ্রুপের আগে এবং পরে ক্যালিব্রেশন সম্পাদন

পরীক্ষামূলক ফলাফল

প্রধান ফলাফল

१. সনাক্তকরণ দক্ষতা:

  • २५ keV Sb⁺: সর্বোচ্চ ९८% সনাক্তকরণ দক্ষতা
  • ५० keV Sb²⁺: অনুরূপ উচ্চ দক্ষতা কর্মক্ষমতা
  • দক্ষতা SiO₂ পুরুত্ব বৃদ্ধির সাথে বৃদ্ধি পায় এবং স্যাচুরেশনের দিকে প্রবণ হয়

२. সর্বোত্তম পুরুত্ব নির্ধারণ:

  • P_S(τ) = P_I(τ)·η(τ) এর মাধ্যমে সর্বোত্তম SiO₂ পুরুত্ব নির্ধারণ
  • সর্বোত্তম পুরুত্ব পরিসীমা অপেক্ষাকৃত বিস্তৃত, জমা ত্রুটির জন্য শক্তিশালী
  • २५ keV: ±१ nm ত্রুটি পরিসীমার মধ্যে কাছাকাছি সর্বোত্তম বজায় রাখা
  • ५० keV: ±२ nm ত্রুটি পরিসীমার মধ্যে কাছাকাছি সর্বোত্তম বজায় রাখা

३. আয়ন প্রজাতি নির্ভরতা:

  • সনাক্তকরণ দক্ষতা আয়ন ভর হালকা হওয়ার সাথে সামান্য হ্রাস পায় (Si→Bi)
  • Lindhard-Scharff তত্ত্ব পূর্বাভাসের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ
  • দক্ষতা আয়ন গতি বৃদ্ধির সাথে বৃদ্ধি পায়

TRIM সিমুলেশন ফলাফল

  • Si সাবস্ট্রেটে Sb এর গভীরতা বিতরণ SiO₂ পুরুত্বের সাথে প্রায় রৈখিক সম্পর্ক
  • ५०,००० প্রবেশের মন্টে কার্লো সিমুলেশন অনুপ্রবেশ সম্ভাবনা P_I(τ) যাচাই করে
  • দ্বি-মাত্রিক বিতরণ Si সাবস্ট্রেটে আয়ন থামার অবস্থান দেখায়

ব্ল্যাঙ্কিং বিলম্ব সময়

२५ keV Sb আয়নের ११টি বিভিন্ন নমুনা পরিমাপ থেকে প্রাপ্ত:

  • t₀ = ५१ ± ५ ns
  • প্রায় १० mm দীর্ঘ কার্যকর ব্ল্যাঙ্কিং অঞ্চলের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, SIMPLE জ্যামিতি কাঠামোর সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ

সম্পর্কিত কাজ

বিদ্যমান সনাক্তকরণ পদ্ধতি

१. IBIC পদ্ধতি: প্রাক-নির্মিত ডিভাইস কাঠামো প্রয়োজন, প্রবাহ এবং নমনীয়তা সীমিত করে २. ঐতিহ্যবাহী SE সনাক্তকরণ: কম সংকেত-থেকে-শব্দ অনুপাত, IBIC এর চেয়ে কম দক্ষ ३. অন্যান্য প্রযুক্তি: বড় ত্বরণকারী অবকাঠামোর উপর নির্ভর করে, এখনও উচ্চ আত্মবিশ্বাস এবং উচ্চ থ্রুপুট একযোগে অর্জন করেনি

তাত্ত্বিক মডেল তুলনা

  • Ohya এবং Ishitani এর Ga⁺ আয়ন গবেষণা Si এর চেয়ে কম SiO₂ ফলন পূর্বাভাস দেয়
  • Ullah এবং অন্যদের বিরল গ্যাস আয়ন গবেষণা বিপরীত সিদ্ধান্তে পৌঁছায়
  • এই গবেষণার পরীক্ষামূলক ডেটা এই মডেল পরামিতিগুলিতে সীমাবদ্ধতা প্রদান করে

সিদ্ধান্ত এবং আলোচনা

প্রধান সিদ্ধান্ত

१. ९८% পর্যন্ত একক আয়ন সনাক্তকরণ দক্ষতা অর্জন করা হয়েছে, নির্ভুল আয়ন প্রবাহ ক্যালিব্রেশনের মাধ্যমে যাচাই করা হয়েছে २. SiO₂ আবরণ স্তর গৌণ ইলেকট্রন ফলন উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে, অক্সাইডে বর্ধিত অ-স্থিতিস্থাপক গড় মুক্ত পথ এবং পলায়ন সম্ভাবনার জন্য দায়ী ३. সর্বোত্তম সনাক্তকরণ অক্সাইড পুরুত্বের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ যা এখনও প্রায় ১০০% প্রবেশ সম্ভাবনা অনুমতি দেয় ४. এই পদ্ধতি ন্যানোমিটার-স্তরের স্থানিক নির্ভুলতা অর্জন করে, বিদ্যুৎ সংযোগ বা প্রাক-নির্মিত ডিভাইস কাঠামোর প্রয়োজন ছাড়াই

শারীরিক প্রক্রিয়া ব্যাখ্যা

গৌণ ইলেকট্রন ফলন তত্ত্ব অনুযায়ী:

γ_KE = (P·ℓ_e·S_e)/(2J)

যেখানে:

  • S_e: ইলেকট্রন থামার শক্তি
  • ℓ_e: ইলেকট্রন গড় মুক্ত পথ
  • P: গড় পলায়ন সম্ভাবনা
  • J: মুক্ত ইলেকট্রন উৎপাদনের জন্য প্রয়োজনীয় গড় শক্তি

Si এর তুলনায় SiO₂ এর বর্ধন প্রধানত P·ℓ_e পদের উল্লেখযোগ্য বৃদ্ধি থেকে আসে, S_e হ্রাস এবং J বৃদ্ধির প্রভাব ক্ষতিপূরণ করে।

সীমাবদ্ধতা

१. সনাক্তকরণ দক্ষতা বড় ফলনে স্যাচুরেট হয়, যা ফলনের পরিমাণগত সিদ্ধান্তকে চ্যালেঞ্জিং করে তোলে २. বিভিন্ন তাত্ত্বিক মডেল SiO₂/Si আপেক্ষিক ফলনের পূর্বাভাসে মতবিরোধ করে ३. বিভিন্ন আয়ন প্রজাতির আচরণ পার্থক্য সম্পূর্ণভাবে বোঝার জন্য আরও গবেষণা প্রয়োজন

ভবিষ্যত দিকনির্দেশনা

१. আরও বিস্তৃত উপকরণ সিস্টেম এবং আয়ন প্রজাতিতে সম্প্রসারণ २. SiO₂ আবরণ স্তরের পরবর্তী রাসায়নিক অপসারণ প্রক্রিয়া অপ্টিমাইজ করা ३. সম্পূর্ণ ডিভাইস একীকরণ অর্জনের জন্য অন্যান্য কোয়ান্টাম ডিভাইস উৎপাদন প্রযুক্তির সাথে একত্রিত করা

গভীর মূল্যায়ন

সুবিধা

१. প্রযুক্তিগত উদ্ভাবন: প্রথমবারের মতো সিস্টেমেটিকভাবে একক আয়ন সনাক্তকরণে SiO₂ আবরণ স্তরের উল্লেখযোগ্য বর্ধন প্রভাব প্রমাণ করা হয়েছে २. পরীক্ষামূলক কঠোরতা: নির্ভুল আয়ন প্রবাহ ক্যালিব্রেশন এবং বিস্তৃত পরিসংখ্যানগত ডেটার মাধ্যমে ফলাফলের নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করা হয়েছে ३. তাত্ত্বিক সংমিশ্রণ: পরীক্ষামূলক পর্যবেক্ষণকে Lindhard-Scharff তত্ত্বের সাথে একত্রিত করে শারীরিক প্রক্রিয়ার গভীর বোঝাপড়া প্রদান করা হয়েছে ४. ব্যবহারিক মূল্য: বিদ্যুৎ সংযোগ ছাড়াই অ-ধ্বংসাত্মক সনাক্তকরণ পদ্ধতি প্রদান করে, উৎপাদন নমনীয়তা উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে

অপূর্ণতা

१. প্রক্রিয়া বোঝাপড়া: SiO₂ বর্ধন প্রক্রিয়ার বোঝাপড়া এখনও অসম্পূর্ণ, বিশেষ করে P এবং ℓ_e এর নির্দিষ্ট অবদান २. প্রজাতি সীমাবদ্ধতা: প্রধানত Sb আয়নে কেন্দ্রীভূত, অন্যান্য গুরুত্বপূর্ণ কোয়ান্টাম ডিভাইস আয়ন (যেমন P, As) এর গবেষণা সীমিত ३. দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীলতা: প্রকৃত ডিভাইস উৎপাদন প্রক্রিয়ায় SiO₂ স্তরের স্থিতিশীলতা এবং সামঞ্জস্যতা আলোচনা করা হয়নি

প্রভাব

१. একাডেমিক অবদান: একক আয়ন সনাক্তকরণ ক্ষেত্রে গুরুত্বপূর্ণ পরীক্ষামূলক ডেটা এবং তাত্ত্বিক অন্তর্দৃষ্টি প্রদান করে २. প্রযুক্তিগত প্রয়োগ: কোয়ান্টাম ডিভাইস উৎপাদনের জন্য স্কেলেবল নির্ভুল ডোপিং পদ্ধতি প্রদান করে ३. শিল্প মূল্য: সিলিকন-ভিত্তিক কোয়ান্টাম কম্পিউটিং এবং সেন্সর প্রযুক্তির উন্নয়ন চালিত করার সম্ভাবনা রয়েছে

প্রযোজ্য পরিস্থিতি

१. কোয়ান্টাম ডিভাইস উৎপাদন: সিলিকন-ভিত্তিক কোয়ান্টাম বিট, একক-ইলেকট্রন ট্রানজিস্টর ইত্যাদি २. নির্ভুল ডোপিং: পরমাণু-স্তরের নির্ভুলতা প্রয়োজন এমন অর্ধপরিবাহী ডিভাইস ३. উপকরণ গবেষণা: একক-পরমাণু ডোপিং প্রভাবের মৌলিক গবেষণা ४. সেন্সর প্রয়োগ: একক ডোপিং পরমাণু-ভিত্তিক অতি-সংবেদনশীল সেন্সর

তথ্যসূত্র

পত্রটি সম্পর্কিত ক্ষেত্রের গুরুত্বপূর্ণ সাহিত্য উদ্ধৃত করে, যার মধ্যে রয়েছে:

  • কোয়ান্টাম ডিভাইস মৌলিক তত্ত্ব সাহিত্য
  • আয়ন বিম প্রযুক্তি এবং IBIC পদ্ধতির ক্লাসিক পত্র
  • গৌণ ইলেকট্রন নির্গমনের তাত্ত্বিক এবং পরীক্ষামূলক গবেষণা
  • TRIM সিমুলেশন এবং আয়ন থামার তত্ত্বের মান সাহিত্য

এই গবেষণা একক আয়ন সনাক্তকরণ প্রযুক্তিতে একটি গুরুত্বপূর্ণ অগ্রগতি প্রদান করে, বিশেষ করে SiO₂ আবরণ স্তর বর্ধন প্রভাবের মাধ্যমে উচ্চ দক্ষতা, অ-ধ্বংসাত্মক সনাক্তকরণ পদ্ধতি অর্জন করে। এই ফলাফল সিলিকন-ভিত্তিক কোয়ান্টাম প্রযুক্তির উন্নয়ন চালিত করার জন্য গুরুত্বপূর্ণ, স্কেলেবল কোয়ান্টাম ডিভাইস উৎপাদনের জন্য প্রযুক্তিগত ভিত্তি স্থাপন করে।