Double-layer Thin-film LiNbO3 Longitudinally Excited Shear Wave Resonators with Ultra-large Electromechanical Coupling Coefficient and Spurious-Free Performance
Qin, Wu, Hao et al.
This work proposes a double-layer thin-film lithium niobate (LiNbO3) longitudinally excited shear wave resonator with a theoretical electromechanical coupling coefficient exceeding 60%, RaR close to 28%, and no spurious modes. This ultra-large electromechanical coupling coefficient, which is close to the upper limit of LiNbO3, is much larger than all microwave acoustic resonators reported so far. Based on X-cut thin-film LiNbO3, when the film thickness is in the order of hundreds of nanometers, the frequency of the fundamental mode of the resonator can cover 1GHz to10GHz. The resonator design is convenient and flexible. The resonant frequency can be modulated monotonically by changing either the electrode or the thickness of the thin-film LiNbO3 without introducing additional spurious modes. This ideal resonator architecture is also applicable to LiTaO3. With the development of the new generation of mobile communications, this resonator is expected to become a key solution for future high-performance, ultra-wide-bandwidth acoustic filters.
academic
Doppelschicht-Dünnfilm-LiNbO3-Längserregte Scherwellenresonatoren mit ultragroßem elektromechanischem Kopplungskoeffizient und spuriousfreier Leistung
Institution: Staatliches Schlüssellabor für Festkörpermikrostrukturphysik, Universität Nanjing; Fakultät für Ingenieurwissenschaften und angewandte Wissenschaften, Universität Nanjing
Diese Forschung präsentiert einen Doppelschicht-Dünnfilm-Lithiumniobat-(LiNbO3)-Längserregten-Scherwellenresonator mit einem theoretischen elektromechanischen Kopplungskoeffizient von über 60%, einem Resonanz-Antiresonanz-(RaR)-Verhältnis nahe 28% und spuriousfreier Leistung. Dieser ultragroße elektromechanische Kopplungskoeffizient nähert sich der theoretischen Obergrenze von LiNbO3 an und übersteigt bei weitem alle bisher gemeldeten Mikrowellen-Akustikresonatoren. Basierend auf X-geschnittenem Dünnfilm-LiNbO3 kann die Grundfrequenz des Resonators bei Filmdicken im Bereich von Hunderten von Nanometern 1 GHz bis 10 GHz abdecken. Das Resonatordesign ist bequem und flexibel und ermöglicht eine monotone Frequenzabstimmung durch Änderung der Elektroden oder der Dünnfilm-LiNbO3-Dicke ohne Einführung zusätzlicher spuriouser Modi.
Mit der Entwicklung von 5G/6G-Mobilfunkkommunikation und Sensorindustrie werden höhere Anforderungen an HF-Filter gestellt, einschließlich hoher Frequenz, großer Bandbreite, niedriger Einfügungsdämpfung, hoher Außenbandsperrung, hoher Leistungstoleranz, Temperaturstabilität, mechanischer Stabilität und Portabilität. Die Schlüsselherausforderung, der sich Mikrowellen-Akustikfilter derzeit gegenübersehen, ist die Erreichung großer Bandbreiten bei niedriger Einfügungsdämpfung.
Entwicklung eines Resonators mit ultragroßem elektromechanischem Kopplungskoeffizient, der sich der theoretischen Obergrenze von LiNbO3 nähert, während gleichzeitig das Problem spuriouser Modi gelöst wird, um eine Schlüssellösung für zukünftige ultrabreitbandige Mobilfunkkommunikation bereitzustellen.
Vorschlag eines Doppelschicht-Dünnfilm-LiNbO3-Längserregten-Scherwellenresonators, der einen elektromechanischen Kopplungskoeffizient von 60,5% und ein RaR von 27,9% erreicht
Lösung des spuriousen Modsproblems durch perfekte Unterdrückung spuriouser Modi innerhalb des Hauptmoduspassbands
Realisierung flexibler Frequenzmodulation, die eine monotone Frequenzabstimmung durch Änderung von Elektroden oder Filmdicke ohne Einführung spuriouser Modi ermöglicht
Bereitstellung eines theoretischen Analyserahmens, der den physikalischen Mechanismus der spuriousen Modsunterdrückung durch die Doppelschichtstruktur erklärt
Validierung der Designpraktikabilität, die hohe Toleranz des Designs gegenüber Geräteherstellungsgenauigkeit demonstriert
Durch Analyse der piezoelektrischen Koeffizienten e34 verschiedener geschnittener LiNbO3-Orientierungen wurde festgestellt, dass X-geschnittenes LiNbO3 bei längserregten Scherwellen erhebliche Vorteile bietet, daher wurde X-geschnittenes Dünnfilm-LiNbO3 für den Resonatoraufbau gewählt.
Hauptmodus SH2: Entspricht dem piezoelektrischen Koeffizient e34, der in X-geschnittenem und -X-geschnittenem LiNbO3 gleich groß, aber entgegengesetzt gerichtet ist, gehört zu Fall zwei
Spuriouser Modus A1: Entspricht dem piezoelektrischen Koeffizient e35, der in X-geschnittenem und -X-geschnittenem LiNbO3 gleich groß und gleich gerichtet ist, gehört zu Fall eins
Ergebnis: Die spuriose A1-Modusfrequenz liegt weit außerhalb des Hauptmodus-SH2-Passbands, wodurch spuriose Unterdrückung erreicht wird
Synchrone Modulation: Quasi-lineares inverses Verhältnis zwischen Dicke und Frequenz, Kopplungskoeffizient bleibt grundsätzlich unverändert
Einfachschicht-Modulation: Bei Änderung nur der oberen Schichtdicke kann die Frequenz immer noch quasi-linear abgestimmt werden, Kopplungskoeffizient >56%
Im Vergleich zu bestehenden Arbeiten realisiert diese Forschung erstmals einen elektromechanischen Kopplungskoeffizient, der sich der theoretischen Obergrenze von LiNbO3 nähert, und löst das spuriose Modsproblem perfekt.
Durchbruch bei Leistungsindikatoren: Realisierung eines elektromechanischen Kopplungskoeffizients von 60,5%, RaR 27,9%, nähert sich der theoretischen Obergrenze von LiNbO3
Das Papier zitiert 24 wichtige Referenzen, die die Entwicklungsgeschichte von LiNbO3-Akustikgeräten, verwandte theoretische Grundlagen und neueste technische Fortschritte abdecken und eine solide theoretische Grundlage und technische Vergleichsmaßstäbe für die Forschung bieten.
Gesamtbewertung: Dies ist ein hochqualitatives Forschungspapier in angewandter Physik, das einen innovativen Doppelschicht-Dünnfilm-LiNbO3-Resonatordesign vorschlägt und theoretisch beispiellose Leistungsindikatoren erreicht. Obwohl experimentelle Validierung fehlt, ist die theoretische Analyse rigoros, der Designansatz neuartig und hat wichtige Bedeutung für die Förderung der Entwicklung nächster Generation Mobilfunkkommunikationstechnologie.