Atomares Schichtätzen von SiO$_2$ unter Verwendung von sequenziellem SF$_6$-Gas und Ar-Plasma

Grundinformationen

• Papier-ID: 2412.20653
• Titel: Atomic layer etching of SiO$_2$ using sequential SF$_6$ gas and Ar plasma
• Autoren: Jun Peng, Rakshith Venugopal, Robert Blick, Robert Zierold
• Klassifizierung: cond-mat.mtrl-sci (Kondensierte Materie – Materialwissenschaften)
• Institutionen: Zentrum für Hybrid-Nanostrukturen der Universität Hamburg, Deutsches Elektronen-Synchrotron (DESY)
• Papierlink: https://arxiv.org/abs/2412.20653

Zusammenfassung

Mit der kontinuierlichen Entwicklung der Halbleitertechnologie hat die Nachfrage nach Atomschicht-Verfahren innovative Prozesse hervorgebracht, die eine wichtige Rolle bei der fortlaufenden Miniaturisierung von Bauelementen spielen. Unter diesen hat das atomare Schichtätzen (ALE) aufgrund seiner präzisen Kontrolle der Materialentfernung auf atomarer Ebene zunehmend Aufmerksamkeit erhalten. Obwohl einige thermische ALE-Verfahren eine subnanometer-Ätzgenauigkeit erreicht haben, weisen praktische ALE-Verfahren mit Plasma-Schritten derzeit aufgrund fehlender hochgradig synergistischer ALE-Halbreaktion ein Problem mit übermäßigen Ätzraten auf. Um diese Einschränkung zu überwinden, wurde in dieser Studie ein ALE-Verfahren entwickelt, das bei Raumtemperatur unter Verwendung von sequenziellem Schwefelhexafluorid (SF$_6$)-Gas und Argon (Ar)-Plasma zum Ätzen von Siliziumdioxid (SiO$_2$) auf Siliziumwafern verwendet wird und eine stabile, konsistente Ätzrate von etwa 1,4 Å/Zyklus erreicht. Bei diesem Verfahren erzeugen die beiden Halbzyklus-Reaktionen einzeln keinen Ätzeffekt; Ätzen tritt nur auf, wenn beide sequenziell wiederholt werden, was eine 100%ige Synergie bedeutet.

Forschungshintergrund und Motivation

Problemdefinition

1. Kernproblem: Bestehende plasmagestützte Atomschicht-Ätzverfahren (ALE) weisen übermäßige Ätzraten und unzureichende Synergie auf, was es schwierig macht, atomare Präzisionskontrolle zu erreichen.
2. Bedeutung:
   • Da sich das Mooresche Gesetz seinem Limit nähert, erfordert die Halbleiterherstellung präzisere Verarbeitungstechniken auf atomarer Ebene
   • ALE wird bereits in logischen Bauelementen mit 10-nm-Technologieknoten eingesetzt
   • Aufstrebende Nanoelektronik-Bauelemente wie Quantengeräte haben zunehmend Bedarf an präzisem Ätzen
3. Einschränkungen bestehender Methoden:
   • Obwohl thermisches ALE subnanometer-Kontrolle erreichen kann, begrenzen isotrope Ätzcharakteristiken die Anwendung
   • Plasma-ALE hat gute Direktionalität, aber schwache Synergie (~80%) und übermäßige Ätzraten
   • Mangel an hochgradig synergistischen ALE-Halbreaktion
4. Forschungsmotivation: Entwicklung eines SiO$_2$-Ätzverfahrens, das die Präzision von thermischem ALE und die Direktionalität von Plasma-ALE kombiniert, um 100%ige Synergie und atomare Kontrolle zu erreichen.

Kernbeiträge

1. Entwicklung eines neuen ALE-Verfahrens: Vorschlag einer SiO$_2$-Atomschicht-Ätzmethod unter Verwendung von sequenziellem SF$_6$-Gas und Ar-Plasma mit stabiler Ätzrate von 1,4 Å/Zyklus
2. Erreichen von 100%iger Synergie: Nachweis, dass einzelne Halbreaktion keinen Ätzeffekt erzeugt, nur die sequenzielle Kombination wirksam ist, was perfekte Synergie erreicht
3. Bestimmung des Prozessfensters: Identifikation des Temperaturfensters (Raumtemperatur bis 40°C) und des Plasma-Leistungsfensters (50–100 W) zur Prozessoptimierung
4. Verifikation des direktionalen Ätzens: Durch Morphologiecharakterisierung von Mikro-Nano-Säulen und Lochstrukturen wurde die gute Direktionalität des Ätzens nachgewiesen
5. Bereitstellung einer skalierbaren Lösung: Verwendung kommerzieller RIE-Ausrüstung und gängiger Gase mit guter Skalierbarkeit und Praktikabilität

Methodische Details

Prozessdefinition

Eingabe: SiO$_2$/Si-Wafer Ausgabe: Atomare präzise geätzte SiO$_2$-Oberfläche Einschränkungen: Raumtemperaturbetrieb, subnanometer-Ätzgenauigkeit

Prozessarchitektur

Vierschritt-Zyklus-Verfahren

1. Oberflächenmodifizierungsschritt: SF$_6$-Moleküle adsorbieren auf selbstbegrenzende Weise auf der exponierten Substratoberfläche
2. Reinigungsschritt: Entfernung überschüssiger Moleküle, Hinterlassung einer dünnen SF$_6$-Schicht auf der SiO$_2$-Oberfläche
3. Entfernungsschritt: Ar-Plasma-Aktivierung erzeugt Ar$^+$-Ionen und freie Elektronen
4. Reinigungsschritt: Erneute Reinigung der Reaktionskammer, Hinterlassung einer neuen SiO$_2$-Oberfläche

Reaktionsmechanismus

• SF$_6$-Plasma erzeugt reaktive Spezies: SF$_5^+$, SF$_4^{2+}$, F-Radikale
• F-Radikale reagieren mit SiO$_2$ und erzeugen flüchtige Nebenprodukte SiF$_4$
• Selbstbegrenzende Adsorption von SF$_6$ stellt sicher, dass nur eine einzelne Oberflächenschicht geätzt wird

Technische Innovationspunkte

1. Einzigartige Gaskombination: Erstmalige Verwendung der Kombination von reinem SF$_6$-Gas und Ar-Plasma, vermeidung der Komplexität traditioneller Fluorkohlenwasserstoffe
2. Perfektes Synergiedesign:
   • α (Einzelbeitrag von SF$_6$) = 0
   • β (Einzelbeitrag von Ar-Plasma) = 0
   • Synergie S = 100%
3. Raumtemperaturbetrieb: Im Vergleich zu anderen ALE-Verfahren, die hohe Temperaturen erfordern, funktioniert diese Methode effektiv bei Raumtemperatur
4. Selbstbegrenzende Charakteristik: SF$_6$-Dosis erreicht Sättigung bei 25 sccm·s, was selbstbegrenzende Adsorption nachweist

Experimentelle Einrichtung

Probenvorbereitung

• Substrat: 4-Zoll-SiO$_2$(300 nm)/Si-Wafer, geschnitten in 1×1 cm Proben
• Reinigung: Reinigung mit Aceton, Isopropanol und deionisiertem Wasser
• Ausrüstung: Kommerzielles Reaktives-Ionen-Ätz-System (SenTech SI 500)

Standardprozessparameter

• Temperatur: Konstante 23°C
• Druck: 1 Pa Arbeitsdruck
• Gasfluss: 100 sccm Ar kontinuierlicher Fluss, 20 sccm SF$_6$ Puls 5 Sekunden
• Plasma: ICP-Leistung 100 W, 60 Sekunden
• Reinigungszeit: 30 Sekunden

Charakterisierungsmethoden

• Dickenmessung: Ellipsometrie (SenTech), Verwendung des Cauchy-Modells
• Morphologiecharakterisierung: Rasterelektronenmikroskopie (Zeiss Crossbeam 550)
• Rauhheitsmessung: Rasterkraftmikroskopie (AFM, Dimension)
• Mustererstellung: Elektronenstrahl-Lithographiesystem (Raith)

Bewertungsindikatoren

• Ätzrate pro Zyklus (EPC): Å/Zyklus
• Synergie: S = (EPC-(α+β))/EPC × 100%
• Oberflächenrauhheit: Ra-Wert
• Gleichmäßigkeit: Standardabweichung innerhalb des Wafers

Experimentelle Ergebnisse

Hauptergebnisse

Ätzleistung

• EPC: 1,4 Å/Zyklus, lineare Anpassung R² ≈ 0,999
• Synergie: S = 100% (α = 0, β = 0)
• Gleichmäßigkeit: Standardabweichung ~0,5 nm in 4×4 cm Bereich
• Oberflächenqualität: Ra ≈ 0,7 nm, niedrige Rauhheit beibehalten

Vergleich mit bestehender Technologie

Das EPC dieses Verfahrens (1,4 Å/Zyklus) ist deutlich besser als in den letzten zehn Jahren gemeldete Plasma-ALE-Methoden:

• C$_4$F$_8$/Ar-Plasma: 1,9–20 Å/Zyklus
• CHF$_3$/Ar-Plasma: 4,0–15 Å/Zyklus
• Genauigkeit dieses Verfahrens nahe thermischem ALE-Niveau (0,027–0,52 Å/Zyklus)

Prozessfenster-Charakterisierung

Temperaturfenster

• Stabiler Bereich: Raumtemperatur bis 40°C, EPC bleibt stabil
• Hochtemperatur-Abfall: >40°C, EPC nimmt allmählich ab, möglicherweise aufgrund thermischer Desorption von SF$_6$-Molekülen

Leistungsfenster

• Effektiver Bereich: 50–100 W ICP-Leistung
• Niedrige Leistung: <50 W, unzureichende Energie, EPC sinkt
• Hohe Leistung: >100 W, anomaler EPC-Rückgang, möglicherweise aufgrund von F-Radikalkonzentrationsverdünnung und elastischer Streuung

Verifikation des direktionalen Ätzens

Mikro-Nano-Säulen-Experiment

• Säulendurchmesser: 600 nm, Höhe ~91 nm
• Ätzresultat: Nach 450 Zyklen bleibt Säulenhöhe unverändert (89,6±1,00 nm), Durchmesser unverändert
• Vertikales Ätzen: Gesamtätzdicke 62 nm, Anisotropie-Verhältnis >27:1

Lochstruktur-Experiment

• Lochdurchmesser: 0,6 μm und 1,2 μm
• Ergebnis: Lochdurchmesser bleibt während des Ätzens unverändert, bestätigt Direktionalitätscharakteristiken

Ablationsexperimente

Einzelschritt-Tests

1. Nur SF$_6$-Exposition: EPC ≈ 0, kein Ätzeffekt
2. Nur Ar-Plasma: EPC ≈ 0, kein physikalisches Sputtern
3. Kombiniertes Verfahren: EPC = 1,4 Å/Zyklus

Dosisabhängigkeit

• SF$_6$-Dosis: Sättigung bei 25 sccm·s, bestätigt selbstbegrenzende Charakteristik
• Plasma-Zeit: 60 Sekunden als optimaler Parameter

Verwandte Arbeiten

ALE-Technologie-Entwicklung

1. Geschichte: ALE-Konzept erstmals 1988 für Diamantätzen vorgeschlagen
2. Thermisches ALE: 2015 berichteten Lee und George über erstes Al$_2$O$_3$-thermisches ALE
3. Plasma-ALE: Weit verbreitet, aber mit nicht idealer Synergie

Aktueller Stand der SiO$_2$-ALE-Forschung

1. Thermische ALE-Methoden: Verwendung von Trimethylaluminium als Vorläufer, EPC <1 Å/Zyklus
2. Plasma-Methoden: Verwendung von Fluorkohlenwasserstoffen zur Oberflächenmodifizierung, EPC 2–20 Å/Zyklus
3. Infrarot-Thermoätzen: ALE-Methode mit kombinierten Wärmeeffekten

Vorteile dieser Arbeit

1. Höhere Präzision: Erreicht thermisches ALE-Präzisionsniveau in Plasma-ALE
2. Bessere Synergie: 100% gegenüber traditionellen ~80%
3. Einfacherer Prozess: Vermeidung komplexer Fluorkohlenwasserstoff-Chemie
4. Raumtemperaturbetrieb: Reduziert Prozesskomplexität

Schlussfolgerungen und Diskussion

Hauptschlussfolgerungen

1. Erfolgreich entwickeltes SF$_6$/Ar-Plasma-SiO$_2$-ALE-Verfahren mit stabiler Ätzrate von 1,4 Å/Zyklus
2. Erreichte 100%ige Synergie, bestätigt hohe Prozessreinheit
3. Bestimmte Temperaturfenster nahe Raumtemperatur und Leistungsfenster von 50–100 W
4. Verifizierten gute Direktionalität des Ätzens und Oberflächenqualität

Einschränkungen

1. Materialbegrenzung: Derzeit nur SiO$_2$ verifiziert, weitere Materialien erfordern weitere Forschung
2. Ausrüstungsabhängigkeit: Erfordert präzise gesteuerte RIE-Systeme
3. Ätzrate: Im Vergleich zu konventionellem RIE ist ALE-Rate niedriger, beeinflusst Produktionseffizienz
4. Kostenüberlegung: Präzise Steuerung erhöht Prozesskosten

Zukünftige Richtungen

1. Materialeweiterung: Erkundung der Anwendung dieser Methode auf andere dielektrische Materialien
2. Prozessoptimierung: Weitere Verbesserung der Ätzrate und Selektivität
3. Mechanismusforschung: Tieferes Verständnis der SF$_6$/Ar-Plasma-Reaktionsmechanismen
4. Industrialisierung: Entwicklung von Prozessparametern für großflächige Produktion

Tiefenbewertung

Stärken

1. Starke technische Innovation: Erstmalige Realisierung von 100%iger synergistischer SF$_6$/Ar-Plasma-ALE
2. Strenge Experimentaldesign: Systematische Verifikation der Synergie und Prozessfenster-Charakterisierung
3. Überzeugende Ergebnisse: Lineare Beziehung R²≈0,999, gute Reproduzierbarkeit
4. Hoher praktischer Wert: Verwendung kommerzieller Ausrüstung und gängiger Gase, leicht zu verbreiten

Mängel

1. Unzureichende Mechanismuserklärung: Erklärung des EPC-Rückgangs bei hoher Leistung eher spekulativ
2. Fehlende Selektivitätsforschung: Keine Behandlung der Selektivität des Ätzens verschiedener Materialien
3. Langzeitstabilität: Mangel an Daten zur Langzeitstabilität bei wiederholten Zyklen
4. Begrenzter Temperaturbereich: Relativ enges Prozessfenster

Auswirkungen

1. Akademischer Beitrag: Bietet neue Prozessroute für ALE-Feld
2. Industrieller Wert: Bietet präzise Ätzlösung für fortgeschrittene Halbleiterherstellung
3. Reproduzierbarkeit: Detaillierte Experimentalparameter ermöglichen Reproduktion durch andere Forschungsgruppen

Anwendungsszenarien

1. Quantengeräteherstellung: Quantenstrukturen, die atomare Präzision beim Ätzen erfordern
2. Fortgeschrittene Logik-Bauelemente: Präzisionsbearbeitung bei Technologieknoten unter 10 nm
3. MEMS-Bauelemente: Mikro-Elektro-Mechanische Systeme mit hoher Oberflächenqualität
4. Optoelektronische Bauelemente: Optische Komponenten mit extremen Oberflächenqualitätsanforderungen

Referenzen

Dieses Papier zitiert 37 relevante Referenzen, die die Entwicklungsgeschichte der ALE-Technologie, SiO$_2$-Ätzverfahren und Plasma-Chemie abdecken und eine solide theoretische Grundlage für die Forschung bieten.

Gesamtbewertung: Dies ist ein hochqualitatives Forschungspapier in der Materialwissenschaft, das wichtige Beiträge zum Feld des Atomschicht-Ätzens leistet. Diese Arbeit erreicht nicht nur technische Durchbrüche, sondern hat auch guten praktischen Wert und Industrialisierungsperspektiven.