2025-11-15T22:22:12.185809

Current-induced re-entrant superconductivity and extreme nonreciprocal superconducting diode effect in valley-polarized systems

Zhuang, Sun
The superconducting diode effect (SDE) refers to the nonreciprocity of superconducting critical currents for the metal-superconductor transition. Generally, the SDE has a positive and a negative critical current $j_{c\pm}$ corresponding to two opposite directions whose amplitudes are unequal. It is demonstrated that an extreme nonreciprocity where two critical currents can become both positive (or negative) has been observed in a recent experiment. In this work, we theoretically propose a possible mechanism to realize an extreme nonreciprocal SDE. Based on a microscopic theory and a simple valley-polarized model, we demonstrate that depairing currents required to dissolve Cooper pairs can be remodulated under the interplay between the valley polarization and the applied current. Near the disappearance of the superconductivity, the remodulation is shown to induce the extreme nonreciprocity and also the current-induced re-entrant superconductivity where the system has two different critical current intervals. Our study may provide new horizons for understanding the coexistence of superconductivity and spontaneous ferromagnetism and pave a new way to designing the SDE with 100% efficiency.
academic

Strominduzierte Wiedereintrittssupraleitfähigkeit und extremer nichtreziproker supraleitender Diodeneffekt in talleypolarizierten Systemen

Grundinformationen

  • Paper-ID: 2501.00835
  • Titel: Current-induced re-entrant superconductivity and extreme nonreciprocal superconducting diode effect in valley-polarized systems
  • Autoren: Yu-Chen Zhuang, Qing-Feng Sun
  • Klassifizierung: cond-mat.supr-con
  • Veröffentlichungsdatum: 1. Januar 2025
  • Paper-Link: https://arxiv.org/abs/2501.00835

Zusammenfassung

Der supraleitende Diodeneffekt (SDE) bezieht sich auf die Nichtreziprozität des supraleitenden kritischen Stroms beim Metall-Supraleiter-Übergang. Typischerweise weist der SDE zwei entgegengesetzte kritische Ströme jc±j_{c\pm} mit ungleichen Amplituden auf. Kürzliche Experimente haben eine extreme Nichtreziprozität beobachtet, bei der beide kritischen Ströme gleichzeitig positiv (oder negativ) sein können. Diese Arbeit schlägt theoretisch einen möglichen Mechanismus zur Realisierung des extremen nichtreziproken SDE vor. Basierend auf mikroskopischer Theorie und einem einfachen Talleypolari­sierungsmodell zeigen die Autoren, dass der zur Zerstörung von Cooper-Paaren erforderliche Paarungsstrom durch die Wechselwirkung zwischen Talleypolarisierung und angelegtem Strom neu moduliert werden kann. In der Nähe des Verschwindens der Supraleitfähigkeit wird diese Neumodulation gezeigt, um extreme Nichtreziprozität sowie strominduzierte Wiedereintrittssupraleitfähigkeit zu induzieren, wobei das System zwei unterschiedliche kritische Stromintervalle aufweist.

Forschungshintergrund und Motivation

  1. Kernproblem: Der supraleitende Diodeneffekt (SDE) ist ein neu entdecktes supraleitendes Phänomen, das sich als Nichtreziprozität des verlustfreien Superstroms manifestiert. Die Effizienz η des traditionellen SDE beträgt normalerweise nur einige Dutzend Prozent, während kürzlich in verdrehtem dreischichtigem Graphen extreme Nichtreziprozität mit 100% Effizienz beobachtet wurde.
  2. Bedeutung des Problems: Der SDE kann nicht nur potenzielle Merkmale exotischer Supraleitungssysteme offenbaren, sondern auch als verlustfreie Schaltung verwendet werden und hat wichtige Anwendungsperspektiven in supraleitender Elektronik, supraleitender Spintronik, Quanteninformation und Kommunikationstechnologie.
  3. Bestehende Einschränkungen: Obwohl extreme Nichtreziprozität beobachtet wurde, ist ihr physikalischer Mechanismus noch unklar. Bestehende theoretische Studien deuten darauf hin, dass diese bemerkenswerte Verstärkung von der Kopplung zwischen symmetriebrechenden Ordnungsparametern und Superstrom oder von außerplanaren elektrischen Feldern induzierten Verlusten stammen könnte.
  4. Forschungsmotivation: In verdrehten Graphen-Systemen kann Gleichstrom die Talleypolarisierung modulieren oder sogar umschalten. Angesichts der wichtigen Rolle der spontanen Talleypolarisierung im SDE von verdrehtem dreischichtigem Graphen ist es notwendig, die Verbindung zwischen extremer nichtreziproker SDE und strominduzierter Talleypolarisierungsmodulation zu untersuchen.

Kernbeiträge

  1. Theoretischer Mechanismus: Vorschlag eines theoretischen Mechanismus zur Realisierung extremer Nichtreziprozität basierend auf strominduzierter Talleypolarisierungsmodulation
  2. Modellkonstruktion: Aufbau eines einfachen Talleypolari­sierungssystemmodells mit s-Wellen-Supraleitfähigkeit zwischen Talleyen
  3. Entdeckung neuer Phänomene: Vorhersage strominduzierter Wiedereintrittssupraleitfähigkeit mit zwei unterschiedlichen kritischen Stromintervallen
  4. 100% Effizienz-SDE: Bereitstellung eines neuen Weges zur Gestaltung von 100% Effizienz-SDE
  5. Physikalisches Bild: Aufklärung des physikalischen Mechanismus, wie der innere Paarungsstrom zur tatsächlichen kritischen Stromstärke neu moduliert wird

Methodische Details

Aufgabendefinition

Untersuchung, wie angelegter Strom in talleypolarizierten Systemen durch Modulation der Talleypolarisierung den supraleitenden kritischen Strom beeinflusst, um damit extremen nichtreziproken supraleitenden Diodeneffekt zu realisieren.

Modellarchitektur

1. Wechselwirkungsinduziertes Talleypolari­sierungsmodell

Konstruktion eines Zwei-Band-Hamiltonians mit Talley-Wechselwirkung: Hv=k,τ(ϵk,τμ)ck,τck,τ+UvVk,kck,+ck,+ck,ck,H_v = \sum_{k,\tau} (\epsilon_{k,\tau} - \mu)c^\dagger_{k,\tau} c_{k,\tau} + \frac{U_v}{V}\sum_{k,k'} c^\dagger_{k,+}c_{k,+}c^\dagger_{k',-}c_{k',-}

wobei τ = ± die Talleyindizes K, K' kennzeichnet und Uv>0U_v > 0 die abstoßende Talley-Wechselwirkung darstellt.

2. Strominduzierte Talleypolari­sierungsmodulation

Im Rahmen des nichtgleichgewichtigen ballistischen Quantentransports werden unter angelegter Spannung V die Fermi-Niveaus von Elektronen mit positiver (negativer) Geschwindigkeit relativ zum Gleichgewichts-Fermi-Niveau um eV/2eV/2 erhöht (gesenkt). Aufgrund der Brechung der Inversionssymmetrie innerhalb des Talleys ändern sich die Besetzungszahlen der Talley-Elektronen zu: nτ=nτ0+ατjextn_\tau = n^0_\tau + \alpha_\tau j_{ext}

wobei ατ\alpha_\tau ein Koeffizient ist, der von dem modifizierten chemischen Potential und dem Talley-Aufspaltungsfeld abhängt.

3. BdG-Hamiltonians

Mit Hinzufügung eines s-Wellen-Talley-Paarungsterms: H(q)=k,τEk,τck,τck,τ+kΔ(q)ck+q,+ck+q,+H.c.H(q) = \sum_{k,\tau} E_{k,\tau} c^\dagger_{k,\tau} c_{k,\tau} + \sum_k \Delta(q)c^\dagger_{k+q,+}c^\dagger_{-k+q,-} + H.c.

wobei 2q den Schwerpunktimpuls des Cooper-Paares darstellt und einen helikalen Zustand oder FFLO-Zustand widerspiegelt.

Technische Innovationen

  1. Physikalische Mechanismusinnovation: Erstmaliger Vorschlag, dass strominduzierte Talleypolari­sierungsmodulation den Paarungsstrom neu modulieren kann
  2. Modellvereinfachung: Verwendung eines einfachen Stoner-Modells zur Erfassung der wesentlichen Merkmale der Talleypolarisierung
  3. Selbstkonsistente Berechnung: Vollständige Phasendiagramme durch selbstkonsistente Lösung der Gap-Gleichung und Talleypolari­sierungsgleichung
  4. Wiedereintrittsphenomen: Vorhersage neuer strominduzierter Wiedereintrittssupraleitfähigkeitsphänomene

Experimentelle Einrichtung

Datensatz

Numerische Berechnungen mit eindimensionalem Modell:

  • Systemgröße: V = Na, periodische Randbedingungen, N = 2000
  • Energieeinheit: t = 1
  • Stromeinheit: e/ℏ·t = 1
  • Längeneinheit: a = 1
  • Parametereinstellung: Uv=2,8U_v = 2,8, Us=1,86U_s = 1,86, Temperatur T = 0,1

Bewertungsindikatoren

  1. Diodeneffizienz: η=jc+jcjc++jc\eta = \frac{j_{c+} - |j_{c-}|}{j_{c+} + |j_{c-}|}
  2. Kritischer Strom: jc±j_{c\pm} entsprechend dem kritischen Wert des Metall-Supraleiter-Übergangs
  3. Talley-Aufspaltungsfeld: hv=Uv2Vmh_v = \frac{U_v}{2V}m, wobei m die Talleypolarisierung ist

Vergleichsmethoden

  • Traditionelle SDE-Theorie (ohne strominduzierte Talleypolari­sierungsmodulation)
  • Rashba-Zeeman-Supraleiter-Modell
  • Analogie zum Stoner-Wohlfarth-Magnetisierungsmodell

Experimentelle Ergebnisse

Hauptergebnisse

1. Phasendiagramm mit vier verschiedenen Regionen

  • Region I: Kein SDE, da hv0=0h^0_v = 0
  • Region II: Traditioneller SDE, jc+jcj_{c+} \neq |j_{c-}|
  • Region III: Wiedereintrittssupraleitfähigkeit mit vier kritischen Strömen
  • Region IV: Extreme Nichtreziprozität mit nur zwei positiven kritischen Strömen

2. Numerische Ergebnisse für kritische Ströme

Bei Schätzung einer schmalen Bandbreite von 4t = 10 meV:

  • Energieeinheit: t = 2,5 meV
  • Stromeinheit: ≈ 96,6 nA
  • Kritische Stromamplituden: 0-34 nA Bereich
  • Temperatur: etwa 2,9 K

3. Magnetfeldmodulationseffekt

Ein äußeres Magnetfeld B kann durch den Zeeman-Effekt an das Talley gekoppelt werden und erzeugt ein zusätzliches Talley-Aufspaltungsfeld hBBh_B \propto B, wodurch der SDE-Typ und die Polarität moduliert werden.

Ablationsexperimente

  1. Bandasymetrie-Auswirkungen: Asymmetrischere Energiebänder führen zu größeren Koeffizienten α+α\alpha_+ - \alpha_- und ermöglichen leichter extreme Nichtreziprozität
  2. Systemgrößenkonvergenz: Bei festem Füllfaktor konvergieren kritische Ströme mit der Systemgröße N
  3. Temperatureffekte: Effekte sind bei niedriger Temperatur ausgeprägter

Fallstudien

Abbildung 3 zeigt die Entwicklung kritischer Ströme unter vier verschiedenen Elektronenbesetzungszahlen n:

  • n = 640: Kein SDE
  • n = 560: Traditioneller SDE
  • n = 510: Wiedereintrittssupraleitfähigkeit
  • n = 480: Extreme Nichtreziprozität

Verwandte Arbeiten

Hauptforschungsrichtungen

  1. SDE-Experimentelle Beobachtung: Künstliche Übergitter Nb/V/Tan, Volummaterialien, Josephson-Übergänge usw.
  2. Theoretische Mechanismen: Magnetische chirale Anisotropie, Cooper-Paarung mit endlichem Impuls
  3. Verdrehtes Graphen: Talleypolarisierung, Spin-Bahn-Kopplung, Korrelationseffekte

Vorteile dieser Arbeit

  1. Erstmalige Verbindung strominduzierter Talleypolari­sierungsmodulation mit SDE
  2. Vorhersage neuer Wiedereintrittssupraleitfähigkeitsphänomene
  3. Bereitstellung eines theoretischen Weges zu 100% Effizienz-SDE
  4. Quantitative numerische Ergebnisse und Parameterschätzungen

Schlussfolgerungen und Diskussion

Hauptschlussfolgerungen

  1. Strominduzierte Talleypolari­sierungsmodulation kann den Paarungsstrom neu modulieren und extremen nichtreziproken SDE realisieren
  2. Extreme Nichtreziprozität tritt leicht in der Nähe des Verschwindens der Supraleitfähigkeit auf
  3. Das System kann strominduzierte Wiedereintrittssupraleitfähigkeit zeigen
  4. Äußere Magnetfelder können den SDE-Typ und die Polarität modulieren

Einschränkungen

  1. Lineare Approximation ist nur in kleinem Strombereich gültig
  2. Vernachlässigung der Spannungsabschirmungseffekte im supraleitenden Zustand
  3. Mögliche Hysterese-Effekte nicht vollständig berücksichtigt
  4. Modell ist relativ vereinfacht; reale Systeme sind komplexer

Zukünftige Richtungen

  1. Präzisere selbstkonsistente Berechnungen mit nichtlinearen Effekten
  2. Berücksichtigung der Talleypolari­sierungsdynamik im supraleitenden Zustand
  3. Experimentelle Verifikation theoretischer Vorhersagen
  4. Erweiterung auf andere zweidimensionale Materialsysteme

Tiefgreifende Bewertung

Stärken

  1. Starke theoretische Innovativität: Erstmaliger Vorschlag des SDE-Mechanismus durch strominduzierte Talleypolari­sierungsmodulation
  2. Klares physikalisches Bild: Aufklärung der Essenz komplexer Phänomene durch einfache Modelle
  3. Umfassende numerische Berechnungen: Systematische Untersuchung des Parameterraums und äußerer Feldeffekte
  4. Hohe experimentelle Relevanz: Hohe Korrelation mit Experimenten an verdrehtem Graphen
  5. Großer Vorhersagewert: Vorhersage neuer Wiedereintrittssupraleitfähigkeitsphänomene

Schwächen

  1. Übermäßige Modellvereinfachung: Vernachlässigung von Spinfreiheitsgraden und komplexeren Paarungsmechanismen
  2. Unzureichende Selbstkonsistenz: Begrenzte Anwendbarkeit der linearen Approximation
  3. Fehlende experimentelle Verifikation: Mangel an direkten experimentellen Belegen zur Unterstützung
  4. Begrenzte quantitative Genauigkeit: Relativ grobe Parameterschätzungen

Auswirkungen

  1. Akademische Auswirkungen: Bereitstellung eines neuen theoretischen Rahmens zum Verständnis extremer SDE
  2. Anwendungsperspektiven: Anleitung zur Gestaltung hocheffizienter supraleitender Dioden
  3. Inspirativer Wert: Übertragbarkeit auf andere Talley-Elektronik-Systeme

Anwendungsszenarien

  1. Verdrehte Graphen-Supraleitungssysteme
  2. Andere zweidimensionale Materialien mit Talleyfreiheitsgraden
  3. Systeme mit koexistierender Talleypolarisierung und Supraleitfähigkeit
  4. Gerätenanwendungen, die hocheffiziente supraleitende Dioden erfordern

Literaturverzeichnis

Diese Arbeit zitiert 66 relevante Literaturquellen, die experimentelle Beobachtungen des SDE, theoretische Mechanismen, Physik verdrehten Graphens und andere Aspekte abdecken und eine solide Grundlage für die Forschung bieten. Wichtige Referenzen umfassen die erste Beobachtung des SDE 7, Experimente zur extremen Nichtreziprozität in verdrehtem Graphen 12 sowie verwandte theoretische Arbeiten 33,34 usw.