Passivierungsfreie Ga-polare AlGaN/GaN Recessed-Gate HEMTs auf Saphir mit 2,8 W/mm POUT und 26,8% PAE bei 94 GHz

Grundinformationen

• Paper-ID: 2510.08933
• Titel: Passivierungsfreie Ga-polare AlGaN/GaN Recessed-Gate HEMTs auf Saphir mit 2,8 W/mm POUT und 26,8% PAE bei 94 GHz
• Autoren: Ruixin Bai, Swarnav Mukhopadhyay, Michael Elliott, Ryan Gilbert, Jiahao Chen, Rafael A. Choudhury, Kyudong Kim, Yu-Chun Wang, Ahmad E. Islam, Andrew J. Green, Shubhra S. Pasayat, Chirag Gupta
• Institutionen: University of Wisconsin-Madison, KBR, Air Force Research Laboratory
• Klassifizierung: physics.app-ph
• Paper-Link: https://arxiv.org/abs/2510.08933

Zusammenfassung

Diese Studie präsentiert ein passivierungsfreies Ga-polares Recessed-Gate AlGaN/GaN HEMT-Bauelement auf Saphirsubstrat, das speziell für W-Band-Anwendungen entwickelt wurde. Das Bauelement weist eine 5,5 nm Al₀,₃₅Ga₀,₆₅N-Barriere unter dem Gate und eine 31 nm Al₀,₃₅Ga₀,₆₅N-Barriere im Gate-Zugangsbereich auf. Das Bauelement erreicht eine Drain-Stromdichte von 1,8 A/mm, eine Spitzentransconductanz von 750 mS/mm und ein hohes Schaltungsverhältnis von 10⁷. Die Kleinspannungsmessungen zeigen eine Stromverstärkungsgrenzfrequenz von 127 GHz und eine maximale Oszillationsfrequenz von 203 GHz. Bei 94 GHz Dauerstrich-Lastziehungsmessungen demonstriert das Bauelement eine Ausgangsleistungsdichte von 2,8 W/mm und eine Leistungszusatzeffizienz (PAE) von 26,8%, wobei beide Kennwerte die höchsten berichteten Werte für Ga-polare GaN HEMTs auf Saphirsubstrat darstellen und mit fortgeschrittenen Ga-polaren GaN HEMTs auf SiC-Substraten vergleichbar sind.

Forschungshintergrund und Motivation

Problemdefinition

Das W-Band (75–110 GHz) spielt eine wichtige Rolle in hochauflösenden Radarsystemen, Satellitenkommunikation und aufstrebenden drahtlosen Systemen. Herkömmliche GaN HEMT-Bauelemente sehen sich bei der gleichzeitigen Realisierung von Hochfrequenzbetrieb und effektiver Dispersionssteuerung vor Herausforderungen, deren Hauptprobleme sind:

1. Parasitäre Kapazitätsprobleme durch dicke Passivierungsschichten: Die dicken Passivierungsschichten herkömmlicher GaN HEMTs führen zu hohen parasitären Kapazitäten, die den gleichzeitigen Hochfrequenzbetrieb und die effektive Dispersionssteuerung behindern
2. Substratkosten: SiC-Substrate sind kostspielig und begrenzen die großflächige Anwendung
3. Komplexität von N-polaren Bauelementen: Obwohl N-polare GaN HEMTs hervorragende Leistung bieten, sind ihre Wachstums- und Herstellungsverfahren komplexer als bei herkömmlichen Ga-polaren Bauelementen

Forschungsmotivation

1. Kostensenkung: Verwendung kostengünstiger Saphirsubstrate anstelle teurer SiC-Substrate
2. Prozessvereinfachung: Ga-polare Strukturen bieten gegenüber N-polaren Strukturen einfachere Epitaxie-Design und Herstellungsverfahren
3. Leistungsdurchbruch: Realisierung von W-Band-Leistung auf Saphirsubstraten, die mit SiC-Substraten vergleichbar ist

Kernbeiträge

1. Erstmalige Demonstration von passivierungsfreien Ga-polaren Recessed-Gate AlGaN/GaN HEMTs auf Saphirsubstrat mit hervorragender W-Band-Leistung
2. Innovative Epitaxie-Strukturgestaltung: Verwendung einer 31 nm dicken Al₀,₃₅Ga₀,₆₅N-Barrierenschicht zur Realisierung einer tieferen Recessed-Gate-Struktur ohne Erhöhung des Schichtwiderstandswertes
3. Rekordleistungskennwerte: Realisierung einer Ausgangsleistungsdichte von 2,8 W/mm und PAE von 26,8% bei 94 GHz, die höchsten Werte für Ga-polare GaN HEMTs auf Saphirsubstrat
4. Passivierungsfreies Design: Durch tiefe Recessed-Gate-Struktur wird angemessene Dispersionssteuerung erreicht, wodurch parasitäre Kapazitäten zusätzlicher dielektrischer Schichten vermieden werden

Methodische Details

Bauelementstrukturgestaltung

Epitaxie-Schichtstruktur

• Substrat: Eisendotierter halbisolerender GaN-Pufferlayer auf Saphirsubstrat
• Kanalschicht: 1 μm unbeabsichtig dotiertes (UID) GaN
• Zwischenschicht: 0,7 nm AlN
• Barrierenschicht: 31 nm Al₀,₃₅Ga₀,₆₅N

Bauelementgeometrische Parameter

• Drain-Source-Abstand (Lsd): 0,5 μm
• Gate-Source-Abstand (Lsg): 100 nm
• Gate-Länge (Lg): 90 nm
• Barrieredicke nach Recessing: ~5,5 nm

Herstellungsprozessablauf

1. n⁺-Ohmscher Bereich Rückwachstum: Bildung von niedrigohmigen Ohmschen Kontakten
2. Mesa-Isolation: Verwendung von BCl₃/Cl₂ reaktivem Ionenätzen (RIE)
3. Hartmaske-Abscheidung: 200 nm SiO₂ als Hartmaske
4. Gate-Definition: Elektronenstrahllithographie (EBL) zur Gate-Definition
5. Barriere-Recessing: Niederleistungs-BCl₃/Cl₂ RIE bis zur Dicke von 5,5 nm
6. Gate-Dielektrikum: 4 nm HfO₂ Atomlagenabscheidung (ALD) bei 250°C
7. Gate-Metall: 50 nm TiN, ALD-Abscheidung bei 275°C
8. T-förmiger Gate-Kopf: Cr/Au Elektronenstrahlverdampfung
9. Hartmaske-Entfernung: Gepufferte Oxidätzung (BOE)
10. Ohmscher Kontakt: Ti/Au Elektronenstrahlverdampfung

Technische Innovationspunkte

Tiefe Recessed-Gate-Strukturgestaltung

Durch Ätzen der ursprünglichen 31 nm Barrierenschicht auf 5,5 nm wird erreicht:

• Verbesserung des Seitenverhältnisses zwischen Gate-Länge und Gate-Kanal-Abstand
• Verbesserung der Gate-Kontrollfähigkeit
• Erzeugung einer Schwellspannungsdifferenz zwischen dem Gate-Bereich und dem Gate-Zugangsbereich, um den virtuellen Gate-Effekt auszugleichen

Vorteile des passivierungsfreien Designs

• Beseitigung parasitärer Kapazitäten zusätzlicher dielektrischer Schichten
• Realisierung höherer Grenzfrequenzen bei gegebener Gate-Länge
• Vereinfachung des Herstellungsverfahrens

Experimentelle Anordnung

Testbedingungen

• DC-Charakterisierungstests: Standardmäßige I-V-Charakterisierungsmessungen
• Puls-I-V-Tests: Pulsbreite 50 μs, Tastverhältnis 1%, statische Vorspannung Vgsq = -3V, Vdsq = 5V
• S-Parameter-Tests: 100 MHz bis 43,5 GHz, SOLT-Kalibrierung
• Lastziehungstests: 94 GHz Dauerstrich, TRL-Kalibrierung

Bewertungskennwerte

• Drain-Stromdichte (ID)
• Spitzentransconductanz (gm)
• Schaltungsverhältnis (Ion/Ioff)
• Stromverstärkungsgrenzfrequenz (ft)
• Maximale Oszillationsfrequenz (fmax)
• Ausgangsleistungsdichte (POUT)
• Leistungszusatzeffizienz (PAE)

Experimentelle Ergebnisse

DC-Charakterisierungsleistung

• Maximale Drain-Stromdichte: ~1,8 A/mm
• Durchlasswiderstand: 0,41 Ω·mm
• Kontaktwiderstand: ~0,1 Ω·mm (durch Rückwachstum des Ohmschen Kontakts erreicht)
• Spitzentransconductanz: 0,75 S/mm
• Schaltungsverhältnis: ~10⁷

Schichtwiderstandsanalyse

Der Schichtwiderstand im Recessed-Bereich nimmt von ~250 Ω/□ auf ~320 Ω/□ zu, mit moderatem Anstieg im akzeptablen Bereich.

Dispersionssteuerungsleistung

Puls-I-V-Tests zeigen:

• Nur geringfügige Knie-Verschiebung beobachtet
• Kein signifikanter Stromkollaps
• Leichte Stromverschlechterung bei niedriger Drain-Vorspannung (~15%), die mit zunehmendem Vds abnimmt

Hochfrequenzcharakteristiken

Unter den Bedingungen Vgs = -3V, Vds = 6V:

• Stromverstärkungsgrenzfrequenz (ft): 127 GHz
• Maximale Oszillationsfrequenz (fmax): 203 GHz

W-Band-Leistungsleistung

Ergebnisse der 94 GHz Dauerstrich-Lastziehungstests:

Leistungsvergleichsanalyse

Vergleich mit berichteten GaN HEMT-Bauelementen im Bereich 83–95 GHz:

• Übertreffung früher N-polarer Bauelemente auf Saphirsubstrat
• Vergleichbar mit einigen Ga-polaren Bauelementen auf SiC-Substrat
• Höchste Leistung für Ga-polare GaN HEMTs auf Saphirsubstrat

Verwandte Arbeiten

Entwicklung von N-polaren GaN HEMTs

• SiC-Substrat: 8,84 W/mm Ausgangsleistung, 27% PAE
• Saphirsubstrat: 5,8 W/mm Ausgangsleistung, 38% PAE
• Aber hohe Herstellungskomplexität und starke Sauerstoffaffinität

Aktueller Stand von Ga-polaren GaN HEMTs

• Hervorragende Leistung auf SiC-Substrat:
  • Vorgespannte Gradient-Kanal-HEMT: 2,94 W/mm, 37% PAE
  • ScAlN-Barriere-HEMT: 3,57 W/mm, 24,3% PAE
• Fehlende vergleichbare Ergebnisse auf Saphirsubstrat

Herausforderungen bei Recessed-Gate-Strukturen

Die GaN-Kappe in herkömmlichen Ga-polaren Bauelementen erhöht den Schichtwiderstand und beeinträchtigt die HF-Leistung. Diese Arbeit löst dieses Problem durch Dickbarrieren-Design.

Schlussfolgerungen und Diskussion

Hauptschlussfolgerungen

1. Erfolgreiche Demonstration von passivierungsfreien Ga-polaren Recessed-Gate AlGaN/GaN HEMTs auf Saphirsubstrat
2. Realisierung von Rekordleistungskennwerten mit 2,8 W/mm Ausgangsleistungsdichte und 26,8% PAE bei 94 GHz
3. Nachweis der effektiven Dispersionssteuerung durch tiefe Recessed-Gate-Struktur unter passivierungsfreien Bedingungen

Einschränkungen

1. Leistungslücke zu neuesten N-polaren Bauelementen: Neueste N-polare Bauelemente auf Saphirsubstrat zeigen immer noch überlegene Leistung
2. Selbsterwärmungseffekte: Begrenzte Wärmeleitung des Saphirsubstrats erfordert Kontrolle des statischen Drain-Stroms zur Minderung der Selbsterwärmung
3. Kurzkanal-Effekte: Bauelement weist einige Kurzkanal-Effekte auf

Zukünftige Richtungen

1. Herstellungsprozessoptimierung: Weitere Optimierung des Herstellungsprozesses zur Verringerung der Leistungslücke zu SiC-Substrat-Bauelementen
2. Wärmemanagement-Verbesserung: Entwicklung besserer Wärmemanagemententechniken zur vollständigen Ausschöpfung des Bauelementpotenzials
3. Strukturoptimierung: Kontinuierliche Optimierung der Epitaxie-Struktur und Bauelementgeometrie

Tiefgreifende Bewertung

Stärken

1. Starke technische Innovation: Erstmalige Realisierung so hoher Ga-polarer GaN HEMT W-Band-Leistung auf Saphirsubstrat
2. Hoher praktischer Wert: Kostengünstiges Substrat + vereinfachter Prozess mit starkem Industrialisierungspotenzial
3. Vollständiges Experimentaldesign: Umfassende Charakterisierung von DC bis Hochfrequenz, von Kleinspannung bis Großspannung
4. Ausreichende Vergleichsanalyse: Detaillierte Vergleichsanalyse mit bestehender Technologie

Mängel

1. Begrenzte theoretische Analysentiefe: Die theoretische Analyse des Dispersionssteuerungsmechanismus der tiefen Recessed-Gate-Struktur könnte tiefergehend sein
2. Fehlende Langzeitverlässlichkeit: Fehlende Daten zur Langzeitverlässlichkeit und Stabilität des Bauelements
3. Unzureichende Prozessdetails: Beschreibung einiger kritischer Herstellungsprozessparameter könnte detaillierter sein

Einfluss

1. Akademischer Beitrag: Eröffnet neue Wege für kostengünstige hochleistungsfähige Millimeterwellen-Bauelemente
2. Industrieller Wert: Bietet kostengünstigere Lösungen für kommerzielle Millimeterwellen-Anwendungen
3. Technische Inspiration: Beweist, dass angemessenes Design hochleistungsfähige Bauelemente auf kostengünstigen Substraten ermöglicht

Anwendungsszenarien

1. Kommerzielle Millimeterwellen-Kommunikationssysteme: Kostenempfindliche großflächige Anwendungen
2. Radarsysteme: Anwendungen mit hoher Leistungsdichte
3. Satellitenkommunikation: W-Band-Leistungsverstärker-Anwendungen

Literaturverzeichnis

Das Papier zitiert 29 relevante Referenzen, die hauptsächlich folgende Bereiche abdecken:

• GaN HEMT-Grundlagenforschung 1
• Entwicklung der N-polaren GaN-Technologie 2-8
• W-Band-Leistungsbauelemente 9-29
• Bauelementphysik und herstellungsprozessbezogene Forschung

Gesamtbewertung: Dies ist ein hochqualitatives Papier der angewandten Physik mit wichtigen Beiträgen sowohl in technischer Innovation als auch in praktischem Wert. Durch geschickte Strukturgestaltung und Prozessoptimierung wird auf kostengünstigen Substraten Leistung erreicht, die mit teuren Substraten vergleichbar ist, und bietet wichtige Referenzen für die Industrialisierung von Millimeterwellen-Bauelementen.