Electron-electron scattering processes in quantum wells in a quantizing magnetic field: II. Scattering in the case of two subbands
Telenkov, Mityagin
Electron-electron scattering processes involving Landau levels of two subband are considered. A matrix of electron-electron scattering rates containing all tipes of transitions between Landau levels is calculated/ This matrix is analized, and the relative rates of transitions of different types are determined. The effect of the quantizing magnetic field orientation on electron-electron scattering processes is ectablished.
academic
Elektron-Elektron-Streuprozesse in Quantentöpfen in einem quantisierenden Magnetfeld: II. Streuung im Fall zweier Subbänder
Die vorliegende Arbeit untersucht Elektron-Elektron-Streuprozesse, die Landau-Niveaus zweier Subbänder betreffen. Es wurde eine Streuratrix für Elektron-Elektron-Wechselwirkungen berechnet, die alle Arten von Übergängen zwischen Landau-Niveaus enthält. Die Matrix wurde analysiert und die relativen Raten verschiedener Übergangstypen bestimmt. Der Einfluss der Ausrichtung des quantisierenden Magnetfeldes auf Elektron-Elektron-Streuprozesse wurde etabliert.
Diese Untersuchung ist eine Fortsetzung früherer Arbeiten der Autoren 1 und zielt darauf ab, Elektron-Elektron-Streuprozesse in Quantentöpfen unter Einwirkung eines quantisierenden Magnetfeldes zu analysieren. Frühere Arbeiten konzentrierten sich hauptsächlich auf Übergänge zwischen Landau-Niveaus innerhalb eines einzelnen Subbandes, während die vorliegende Arbeit auf Mehrsubbänder-Systeme ausgedehnt wird, insbesondere auf Zwei-Subbänder-Systeme.
Grundlegende physikalische Bedeutung: Bei niedrigen Temperaturen und starken Magnetfeldern werden Elektronen in Landau-Niveaus lokalisiert, wobei Elektron-Elektron-Streuung zum Hauptrelaxationsmechanismus wird
Technische Anwendungen: Für Halbleiter-Heterostrukturen wie GaAs/Al₀.₃Ga₀.₇As-Quantentöpfe ist das Verständnis von Elektronenstreumechanismen für die Geräteentwicklung entscheidend
Energierelaxation: Wenn sich beide Subbänder unterhalb des optischen Phonon-Niveaus befinden, ist Elektron-Elektron-Streuung der Hauptmechanismus für die Subbänder-Relaxation
Konstruktion einer vollständigen Streuratrix: Berechnung einer vierdimensionalen Elektron-Elektron-Streuratrix, die alle Arten von Übergängen zwischen Landau-Niveaus zweier Subbänder enthält
Klassifizierung von Übergangstypen: Systematische Klassifizierung verschiedener Übergangstypen innerhalb und zwischen Subbändern sowie Analyse ihrer relativen Intensitäten
Magnetfeldausrichtungseffekte: Etablierung der Auswirkungen geneigter Magnetfelder auf verschiedene Streutypen
Auswahlregeln: Entdeckung von Auswahlregeln für Typ-II-Subbänder-Übergänge in symmetrischen Quantentopfstrukturen
Relaxationsdynamik: Aufdeckung der Schlüsselrolle von Typ-II-Subbänder-Übergängen im Energierelaxationsprozess
Am Beispiel eines GaAs/Al₀.₃Ga₀.₇As-Quantentopfes mit einer Topfbreite von 25 nm, in dem sich beide Subbänder unterhalb des optischen Phonon-Niveaus befinden.
Abbildung 5 zeigt, dass das Ignorieren von Typ-II-Übergängen die Relaxationszeit um mehr als das Dreifache verlängert, was die Schlüsselrolle in der Energierelaxation beweist.
Symmetrische Potentialtöpfe: Auswahlregeln für Typ-II-Übergänge zwischen Subbändern existieren; Übergänge sind verboten, wenn die Summe der Subbänder-Indizes ungerade ist
Asymmetrische Potentialtöpfe: Auswahlregeln entfallen; alle Übergänge sind erlaubt
Diese Arbeit baut auf früheren Untersuchungen der Autoren zu Einfach-Subbänder-Systemen 1 auf und erweitert den theoretischen Rahmen der Elektron-Elektron-Streuung. Verwandte Forschungen umfassen:
Elektron-Phonon-Streumechanismen in Quantentöpfen 2
Auswirkungen elektrischer Felder auf Streuprozesse 3