2025-11-18T19:37:13.758605

Ambient-Stable Transfer-Free Graphdiyne Wafers with Superhigh Hole Mobility at Room Temperature

Ma, Qi, Shen
Graphdiyne (GDY) is recognized as a compelling candidate for the fabrication of next-generation high-speed low-energy electronic devices due to its inherent p-type semiconductor characteristics. However, the development of GDY for applications in field-effect transistors (FETs), complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS), and logic devices remains constrained by the relatively low carrier mobility reported in current experimental studies. Herein, the synthesis of layer-controlled hydrogen-substituted graphdiyne (HsGDY) films directly on silicon substrates under a supercritical CO2 atmosphere is reported, along with the fabrication of these films into HsGDY-based FETs. The transfer-free growth strategy eliminates performance degradation caused by post-synthesis transfer processes. The resulting HsGDY FETs exhibit a remarkable hole mobility of up to 3800 cm2 V-1 s-1 at room-temperature, which is an order of magnitude higher than that of most p-type semiconductors. The synthesis of transfer-free HsGDY wafers provides a new strategy for resolving the carrier mobility mismatch between p-channel and n-channel two-dimensional metal-oxide-semiconductor devices.
academic

Umgebungsstabile, transferfreie Graphdiyn-Wafer mit superhohler Lochmobilität bei Raumtemperatur

Grundlegende Informationen

  • Paper-ID: 2510.09998
  • Titel: Ambient-Stable Transfer-Free Graphdiyne Wafers with Superhigh Hole Mobility at Room Temperature
  • Autoren: Beining Ma, Jianyuan Qi, Xinghai Shen (Peking-Universität)
  • Klassifizierung: cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
  • Korrespondierender Autor: Prof. X. H. Shen (xshen@pku.edu.cn)
  • Paper-Link: https://arxiv.org/abs/2510.09998

Zusammenfassung

Graphdiyn (GDY) wird aufgrund seiner inhärenten p-Typ-Halbleitereigenschaften als vielversprechender Kandidat für die Herstellung von Hochgeschwindigkeits-Niederleistungs-Elektronikgeräten der nächsten Generation angesehen. Allerdings wird die Anwendungsentwicklung von GDY in Feldeffekttransistoren (FETs), komplementären Metall-Oxid-Halbleitern (CMOS) und Logikgeräten durch die relativ niedrigen Ladungsträgermobbilitäten begrenzt, die in aktuellen experimentellen Studien berichtet werden. Diese Arbeit berichtet über die Synthese von schichtenkontrolliertem wasserstoffsubstituiertem Graphdiyn (HsGDY) direkt auf Siliziumsubstraten unter überkritischer CO₂-Atmosphäre und die Herstellung von HsGDY-basierten Feldeffekttransistoren. Die transferfreie Wachstumsstrategie eliminiert die Leistungsbeeinträchtigung durch den Transferprozess nach der Synthese. Die resultierenden HsGDY-FETs zeigen bei Raumtemperatur eine Lochmobilität von bis zu 3800 cm² V⁻¹ s⁻¹, was eine Größenordnung höher ist als bei den meisten p-Typ-Halbleitern.

Forschungshintergrund und Motivation

1. Kernproblem

In der Post-Moore-Ära steht die siliziumbasierte Halbleitertechnologie bei Knoten unter 10 Nanometern vor kritischen Herausforderungen, einschließlich Kurzkanal-Effekten, verminderter Ladungsträgermobbilität und erhöhtem Stromverbrauch. Zweidimensionale (2D) Halbleiter werden aufgrund ihrer atomaren Dicke, ultraebenen Oberfläche, ultrahohlen Ladungsträgermobbilität und hervorragenden Abstimmbarkeit der elektrischen Eigenschaften als einer der vielversprechendsten Kandidaten zur Fortsetzung des Moore'schen Gesetzes angesehen.

2. Bedeutung des Problems

  • Nichtübereinstimmung der Ladungsträgermobbilität: Die Ladungsträgermobbilität der meisten p-Typ-Halbleiter liegt typischerweise zwischen 10⁻² und 10² cm² V⁻¹ s⁻¹, wobei nur Schwarzphosphor (BP) eine Raumtemperatur-Lochmobilität über 10³ cm² V⁻¹ s⁻¹ aufweist
  • Leistungsunterschiede zwischen PMOS und NMOS: Die Nichtübereinstimmung der Ladungsträgermobbilität zwischen p-Kanal- und n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Geräten beeinträchtigt die Datenverarbeitungsgeschwindigkeit erheblich, erhöht den Stromverbrauch und verringert die Leistung

3. Einschränkungen bestehender Methoden

  • Transferprozess-Probleme: Herkömmliche GDY-Dünnschichten müssen auf Siliziumwafer transferiert werden, was unvermeidlich zu Verunreinigungskontamination und Strukturschäden führt und die Lochmobilität verringert
  • Lithographische Verarbeitungsschwierigkeiten: GDY-Dünnschichten, die auf Siliziumwafer transferiert wurden, lassen sich schwer durch Lithographie zu FET-Arrays verarbeiten
  • Mangelnde katalytische Aktivität: Siliziumsubstrate mangelt es an katalytischer Aktivität für die GDY-Monomer-Kopplung

Kernbeiträge

  1. Entwicklung einer transferfreien HsGDY-Wafer-Synthesemethode: Erstmalige Realisierung des ortsspezifischen Wachstums von 2D-GDY-Dünnschichten auf Siliziumsubstratoberflächen
  2. Erreichung superhohler Lochmobilität: HsGDY-FETs zeigen eine Raumtemperatur-Lochmobilität von bis zu 3,8×10³ cm² V⁻¹ s⁻¹, eine Größenordnung höher als bei den meisten p-Typ-Halbleitern
  3. Lösung des Ladungsträgermobbilitäts-Nichtübereinstimmungsproblems: Bereitstellung einer neuen Strategie zur Lösung der Ladungsträgermobbilitäts-Nichtübereinstimmung zwischen p-Kanal- und n-Kanal-2D-Metall-Oxid-Halbleiter-Geräten
  4. Erreichung der Kompatibilität mit Standard-Lithographieverfahren: Transferfreie HsGDY-Wafer können in Standard-Lithographie-Arbeitsabläufe integriert werden

Methodische Details

Synthesemechanismus

Verwendung einer räumlich begrenzten Synthesestrategie in einer überkritischen CO₂-Umgebung durch Zusammenpressen von Kupferfolie und Siliziumwafer:

  1. Katalysatorquelle: Von der Kupferfolie freigesetzte Kupferionen wandern und adsorbieren auf der Siliziumoberfläche
  2. Katalytische Reaktion: Kupferionen katalysieren die Kopplungsreaktion von GDY-Monomeren
  3. Direktes epitaktisches Wachstum: Realisierung des direkten epitaktischen Wachstums auf dem Substrat

Technische Innovationspunkte

1. Räumlich begrenzte Strategie

  • Realisierung großflächiger, gleichmäßiger Dünnschichten aus wenigen Schichten HsGDY durch einfaches Zusammenpressen (Siliziumwafer und Kupferfolie zusammengepresst)
  • Überkritische CO₂-Umgebung bietet ideale Reaktionsbedingungen

2. Schichtenzahlkontrolle

Durch präzise Einstellung der Konzentration von Triethinylenbenzen (TEB) wurden erfolgreich HsGDY-Wafer mit unterschiedlichen Schichtenzahlen hergestellt:

  • Dünnste Schichtdicke etwa 2,2 nm, entsprechend 6-Schicht-HsGDY-Wafer
  • Dickbereich: 2,2–22 nm

3. Vorteile des transferfreien Wachstums

  • Eliminierung von PMMA-Restverunreinigungen
  • Vermeidung von Strukturschäden
  • Erhöhung der Ladungsträgermobbilität
  • Kompatibilität mit Standard-Lithographieverfahren

Experimentelle Einrichtung

Synthesebedingungen

  • Reaktionstemperatur: 50°C
  • Druck: 100 bar (überkritisches CO₂)
  • Reaktionszeit: 24 Stunden
  • Monomerkonzentration: 0,20–0,32 mg mL⁻¹ (TEB in Aceton)
  • Lösungsmittelsystem: 70% TMEDA + 30% Pyridin

Geräteherstellung

  1. Hall-Bar-Struktur: Länge 110 μm, Breite 20 μm
  2. Elektrodenmaterial: Au/Ti (50 nm/5 nm)
  3. Gate-Dielektrikum: SiO₂ (Dicke 4,8 nm, Kapazität 719,4 nF cm⁻²)
  4. Geräte-Architektur: Hall-Bar-Konfiguration mit 8 Elektroden

Charakterisierungsmethoden

  • Raman-Spektroskopie: Bestätigung charakteristischer HsGDY-Peaks (1357, 1573, 1934, 2212 cm⁻¹)
  • XPS: Analyse des chemischen Zustands
  • REM-EDS: Bestätigung der Schichtgleichmäßigkeit
  • AFM: Dickenmessung
  • TEM: Analyse der Kristallstruktur

Experimentelle Ergebnisse

Hauptergebnisse

1. Ladungsträgermobbilitätsleistung

  • Durchschnittliche Lochmobilität von 6-Schicht-HsGDY-FET: 3,8×10³ cm² V⁻¹ s⁻¹
  • Dickabhängigkeit: Mit abnehmender Schichtdicke von 22 nm auf 2,2 nm steigt die Lochmobilität von 7,3×10² cm² V⁻¹ s⁻¹ auf 3,8×10³ cm² V⁻¹ s⁻¹
  • Schaltquotient: Ion/Ioff = 1×10⁴

2. Elektrische Leistung

  • Leitfähigkeit: 2,3×10³ S m⁻¹ (298 K)
  • Kontakttyp: Ohmsche Kontakte
  • Gate-Kontrolle: Ausgeprägte Gate-Kontrolleigenschaften
  • p-Typ-Charakteristik: Scharfer Stromanstieg bei Vg ≈ -5 V

3. Stabilität

Nach 60 Tagen in Umgebungsluft ohne Verkapselung bleiben die Geräteeigenschaften konstant und zeigen hervorragende Umgebungsstabilität.

Vergleich mit anderen p-Typ-Halbleitern

Die Lochmobilität von HsGDY (3800 cm² V⁻¹ s⁻¹) übertrifft andere p-Typ-2D-Materialien deutlich:

  • Schwarzphosphor: 1350 cm² V⁻¹ s⁻¹
  • Te: 700 cm² V⁻¹ s⁻¹
  • WSe₂: 250 cm² V⁻¹ s⁻¹
  • MoS₂: 68 cm² V⁻¹ s⁻¹

Mechanistische Analyse

Durch Elektronenspinresonanz-Messungen (EPR) wurde der Mechanismus des p-Typ-Halbleiterverhaltens offenbart:

  • HsGDY zeigt ein symmetrisches EPR-Signal mit g-Wert von 2,002, charakteristisch für Sauerstoffleerstellen
  • Die Entfernung von Sauerstoffatomen zerstört die lokale Konjugation und erzeugt hängende Kohlenstoffbindungen
  • Hängende Bindungen fungieren als starke Elektronenakzeptoren, fangen Elektronen aus dem Valenzband ein und erzeugen bewegliche Löcher

Verwandte Arbeiten

Aktueller Stand der GDY-Forschung

  • GDY als aufstrebender 2D-Kohlenstoff-Allotrop mit ebener Struktur aus sp²- und sp-hybridisierten Kohlenstoffatomen
  • Theoretische Vorhersage von GDY als intrinsischer p-Typ-2D-Halbleiter mit superhohler Lochmobilität
  • Bestehende experimentelle Berichte über GDY-Feldeffekttransistoren mit relativ niedriger Lochmobilität (0,033–247,1 cm² V⁻¹ s⁻¹)

Vergleich der Synthesemethoden

  • Bestehende Methoden: Kupferfolie, Quarz, MXene-Substrate usw.
  • Diese Arbeit: Erstmaliges Erreichen des ortsspezifischen Wachstums auf Siliziumwafer-Oberfläche

Schlussfolgerungen und Diskussion

Hauptschlussfolgerungen

  1. Erfolgreiche Entwicklung einer Methode zum ortsspezifischen Wachstum von HsGDY auf Siliziumsubstraten
  2. Erreichung der bisher höchsten Lochmobilität unter p-Typ-2D-Halbleitern
  3. Lösung der Leistungsbeeinträchtigung durch den Transferprozess
  4. Bereitstellung einer Lösung für das Ladungsträgermobbilitäts-Nichtübereinstimmungsproblem in der CMOS-Technologie

Anwendungsaussichten

  • CMOS-Technologie: Kann mit hochmobbilen n-Typ-Halbleitern kombiniert werden, um heterogene integrierte CMOS herzustellen
  • Logikgeräte: Erhöhung der Schaltgeschwindigkeit von CMOS-Logikgattern
  • Niederleistungsgeräte: Erreichung erforderlicher Schaltgeschwindigkeiten bei niedrigeren Betriebsspannungen, signifikante Reduzierung des Stromverbrauchs

Einschränkungen

  1. Derzeit nur 1×1 cm Wafer-Größe realisiert
  2. Weitere Optimierung erforderlich für größere Wafer-Wachstum
  3. Langzeitstabilität erfordert detailliertere Untersuchung

Tiefgreifende Bewertung

Stärken

  1. Starke technische Innovation: Erstmalige Realisierung des ortsspezifischen GDY-Wachstums auf Siliziumsubstraten, Lösung kritischer technischer Engpässe
  2. Signifikanter Leistungsdurchbruch: Lochmobilität eine Größenordnung höher als bei bestehenden p-Typ-2D-Halbleitern
  3. Hoher praktischer Wert: Kompatibilität mit Standard-Halbleiterprozessen, gute Industrialisierungsperspektiven
  4. Umfassende Charakterisierung: Verwendung mehrerer Charakterisierungsmethoden zur vollständigen Validierung von Materialstruktur und Leistung

Mängel

  1. Wafer-Größenbeschränkung: Derzeit nur 1×1 cm Größe realisiert, noch Abstand zur industriellen Anwendung
  2. Unzureichende mechanistische Erklärung: Mikroskopischer Mechanismus der superhohlen Mobilität erfordert detailliertere theoretische Analyse
  3. Fehlende Temperaturcharakteristiken: Mangel an Leistungscharakterisierung bei verschiedenen Temperaturen

Auswirkungen

  1. Akademischer Wert: Wichtiger Fortschritt für die Elektronik von 2D-Materialien
  2. Industrielle Bedeutung: Neue Materialwahl für die Entwicklung von Halbleiterbauelementen der nächsten Generation
  3. Reproduzierbarkeit: Relativ einfache Methode mit guter Reproduzierbarkeit

Anwendungsszenarien

  • Hochleistungs-CMOS-Geräte
  • Niederleistungs-Logikschaltungen
  • Hochfrequenz-Elektronikgeräte
  • Flexible Elektronikgeräte

Literaturverzeichnis

Das Paper zitiert 49 verwandte Referenzen, die wichtige Forschungsarbeiten in den Bereichen 2D-Materialien, Graphdiyn-Synthese und Feldeffekttransistoren abdecken und eine solide theoretische Grundlage und technische Unterstützung für diese Forschung bieten.