2025-11-13T05:52:10.792263

Weak-anti-localization-to-spin-dependent scattering at a proximity-magnetized heavy metal interface

Matsuki, Yang, Xu et al.
A change in a materials electrical resistance with magnetic field (magnetoresistance) results from quantum interference effects and, or spin-dependent transport, depending on materials properties and dimensionality. In disordered conductors, electron interference leads to weak localization or anti-localization; in contrast, ferromagnetic conductors support spin-dependent scattering, leading to giant magnetoresistance (GMR). By varying the thickness of Au between 4 and 28 nm in a EuS/Au/EuS spin-switches, we observe a crossover from weak anti-localization to interfacial GMR. The crossover is related to a magnetic proximity effect in Au due to electron scattering at the insulating EuS interface. The proximity-induced exchange field in Au suppresses weak anti-localization, consistent with Maekawa-Fukuyama theory. With increasing Au thickness, GMR emerges along with spin Hall magnetoresistance. These findings demonstrate spin transport governed by interfacial exchange fields, building a framework for spintronic functionality without metallic magnetism.
academic

Schwache Anti-Lokalisierung zu spinabhängiger Streuung an einer magnetisierten Grenzfläche aus Schwermetall

Grundinformationen

  • Papier-ID: 2510.10595
  • Titel: Weak-anti-localization-to-spin-dependent scattering at a proximity-magnetized heavy metal interface
  • Autoren: Hisakazu Matsuki, Guang Yang, Jiahui Xu, Vitaly N. Golovach, Yu He, Jiaxu Li, Alberto Hijano, Niladri Banerjee, Iuliia Alekhina, Nadia Stelmashenko, F. Sebastian Bergeret, Jason W. A. Robinson
  • Klassifizierung: cond-mat.mtrl-sci cond-mat.mes-hall
  • Veröffentlichungsdatum: 12. Oktober 2025 (arXiv-Preprint)
  • Papierlink: https://arxiv.org/abs/2510.10595

Zusammenfassung

Die Änderung des Materialwiderstands mit dem Magnetfeld (Magnetowiderstand) stammt von Quanteninterferenzeffekten und/oder spinabhängigem Transport, abhängig von den Materialeigenschaften und der Dimensionalität. In ungeordneten Leitern führt Elektroneninterferenz zu schwacher Lokalisierung oder Anti-Lokalisierung; ferromagnetische Leiter unterstützen spinabhängige Streuung und erzeugen Riesenmagnetowiderstand (GMR). Durch Variation der Au-Dicke (4-28 nm) in einem EuS/Au/EuS-Spinschalter beobachteten die Forscher einen Übergangsprozess von schwacher Anti-Lokalisierung zu Grenzflächen-GMR. Dieser Übergang ist mit dem magnetischen Näherungseffekt in Au verbunden, der von der Elektronenstreuung an der isolierenden EuS-Grenzfläche herrührt. Das durch Näherung induzierte Austauschfeld unterdrückt die schwache Anti-Lokalisierung in Au, was mit der Maekawa-Fukuyama-Theorie übereinstimmt. Mit zunehmender Au-Dicke erscheint GMR zusammen mit dem spinabhängigen Hallmagnetowiderstand. Diese Ergebnisse demonstrieren spinabhängigen Transport, der durch das Grenzflächenaustauchfeld kontrolliert wird, und etablieren einen Rahmen für Spinelektronik-Funktionen ohne metallische Magnetik.

Forschungshintergrund und Motivation

Forschungsfrage

Die Kernfrage dieser Forschung ist das Verständnis des Mechanismus des elektronischen Spintransports an der Grenzfläche zwischen magnetischem Isolator und nichtmagnetischem Metall (MI/N), insbesondere der Übergangsmechanismus von Quanteninterferenzeffekten zu spinabhängiger Streuung unter verschiedenen Dickenbedingungen.

Bedeutung

  1. Entwicklung von Spinelektronik-Geräten: MI/N-Grenzflächen sind zentral für die Entwicklung von Spinelektronik- und Magnon-Gerätetechnologie
  2. Grundlegendes physikalisches Verständnis: Der Konkurrenzmechanismus zwischen Quanteninterferenzeffekten und spinabhängigem Transport ist noch nicht vollständig verstanden
  3. Gerätenanwendung: Bietet neue Wege für Spinelektronik-Funktionen ohne metallische Ferromagnete

Einschränkungen bestehender Methoden

  1. GMR-Forschungsbeschränkungen: Traditioneller GMR wird hauptsächlich an Metall-Ferromagnet/nichtmagnetischen Metall-Grenzflächen beobachtet; GMR-Berichte in MI/N-Systemen sind selten
  2. Unzureichende theoretische Validierung: Experimentelle Validierung der von der Maekawa-Fukuyama-Theorie vorhergesagten Magnetowiderstandseffekte durch magnetisches Austauschfeld in der schwachen Lokalisierungsregion fehlt
  3. Unzureichendes Verständnis von Grenzflächeneffekten: Das Verständnis dafür, wie das Grenzflächenaustauchfeld Quantentransport reguliert, ist nicht ausreichend

Forschungsmotivation

Durch systematische Untersuchung des Einflusses der Au-Dicke auf die magnetischen Transporteigenschaften in der EuS/Au/EuS-Struktur wird der Mechanismus der Rolle des Grenzflächenaustauchfelds bei der Regulierung von Quanteninterferenzeffekten und spinabhängiger Streuung aufgeklärt.

Kernbeiträge

  1. Erstmalige Beobachtung des GMR-Effekts in MI/N/MI-Strukturen, was eine experimentelle Lücke in diesem Bereich schließt
  2. Experimentelle Validierung der Maekawa-Fukuyama-Theorie, die beweist, dass das Grenzflächenaustauchfeld die schwache Anti-Lokalisierung unterdrücken kann
  3. Entdeckung der dickheitsabhängigen Magnetowiderstandsvorzeichenumkehrung, die den Übergangsmechanismus von schwacher Anti-Lokalisierung zu GMR aufdeckt
  4. Beobachtung eines signifikanten anomalen Hall-Effekts, der die Existenz eines starken Austauschfelds an der EuS/Au-Grenzfläche bestätigt
  5. Etablierung eines theoretischen Rahmens für die Regulierung des Spintransports durch Grenzflächenaustauchfeld, der Richtlinien für das Design von Spinelektronik-Geräten ohne metallische Magnetik bietet

Methodische Details

Probenpräparation

Die Forschung verwendet eine Mehrschichtstruktur von Au(3 nm)/EuS(20 nm)/Au(d)/EuS(10 nm)/SiO₂//Si, wobei d eine variable Au-Dicke von 4-28 nm ist. Die Proben wurden durch Elektronenstrahlverdampfung bei Raumtemperatur mit einem Basisdruck von 1×10⁻⁸ mbar hergestellt.

Messtechniken

  1. Magnetowiderstandsmessung: Messung der Widerstandsänderung mit dem Magnetfeld unter in-plane und out-of-plane Magnetfeldern
  2. Magnetisierungsmessung: Messung von Hystereseschleifen mit einem Vibrationsmuster-Magnetometer
  3. Hall-Effekt-Messung: Messung des transversalen Widerstands unter senkrechtem Magnetfeld

Theoretischer Analyserahmen

Schwache Lokalisierungstheorie

Für dünne Au-Schichten (d ≤ 6 nm) wird die Maekawa-Fukuyama-Theorie verwendet, um den Magnetowiderstand im in-plane Magnetfeld zu beschreiben:

Unter den Bedingungen isotroper Spin-Bahn-Kopplung und elastischer Streuzeit kürzer als Spin-Bahn-Streuzeit (τ₀ ≪ τₛₒ) sagt die MF-Theorie einen positiven Magnetowiderstand im in-plane Magnetfeld voraus.

Grenzflächenaustauchfeld

Die imaginäre Spinmischungsleitfähigkeit Gᵢ erzeugt ein magnetisches Näherungsaustauchfeld (MEF):

Gi≈gπG0NFμBμ0HexdG_i \approx g\pi G_0 N_F \mu_B \mu_0 H_{ex} d

wobei g der Landé-g-Faktor ist, G₀ die Quantenleitfähigkeit, Nₓ die Zustandsdichte einer einzelnen Spinart auf der Fermi-Ebene und μᵦ das Bohr-Magneton.

Spinabhängiger Hall-Magnetowiderstand

Für FI/HM/FI-Strukturen ist die anomale Hall-Widerstandsrate:

Δρyx=−θSH2dGiGi2+[Gr+σ02λcoth⁡(d2λ)]2\Delta\rho_{yx} = -\theta_{SH}^2 \frac{d G_i}{G_i^2 + [G_r + \frac{\sigma_0}{2\lambda}\coth(\frac{d}{2\lambda})]^2}

wobei θₛₕ der Spin-Hall-Winkel ist und λ die Spin-Diffusionslänge.

Experimentelle Einrichtung

Probenstruktur

  • Spinschalter-Struktur: EuS(20 nm)/Au(d)/EuS(10 nm), d = 4, 6, 7, 8, 10, 12, 16, 20, 28 nm
  • Kontrollproben: Au(7 nm)/SrTiO₃-Einzelschicht
  • Elektroden: AlSi-Pads durch Ultraschallbonden für elektrischen Kontakt

Messbedingungen

  • Temperaturbereich: 2-300 K
  • Magnetfeldbereich: In-plane ±20 mT, out-of-plane ±5 T
  • Messfrequenz: Niederfrequenz-Wechselstrommessung zur Vermeidung von Heizeffekten

Gerätegeometrie

  • Hall-Balken: 100×400 μm² für Hall-Effekt-Messungen
  • Unstrukturierte Proben: Für grundlegende Magnetowiderstand- und Magnetisierungsmessungen

Experimentelle Ergebnisse

Temperaturabhängiges Widerstandsverhalten

  1. Dünne Au-Schichten (d ≤ 6 nm): Widerstandsminimum bei 10-20 K, Widerstand bei niedriger Temperatur nimmt mit -ln(T) zu, zeigt Verhalten der schwachen Lokalisierungsregion (WLR)
  2. Dicke Au-Schichten (d ≥ 8 nm): Widerstand sinkt monoton mit der Temperatur, entspricht nicht den WLR-Merkmalen
  3. Normalisierter Widerstandsanstieg: Bei 3 K nimmt (R-Rₘᵢₙ)/Rₘᵢₙ linear mit Au-Dicke bis 8 nm zu

Dickheitsabhängigkeit des Magnetowiderstands

Positiver Magnetowiderstand in dünnen Au-Schichten (d = 4, 6 nm)

  • Widerstandsminimum im antiparallelen (AP) Magnetisierungszustand
  • Magnetowiderstand definiert als MR = (Rₕ₌₀-Rₐₚ)/Rₐₚ×100%
  • d = 4 nm: MR ≈ +0,01%
  • d = 6 nm: MR ≈ +0,005%
  • Entspricht der Maekawa-Fukuyama-Theorie-Vorhersage

Negativer Magnetowiderstand in dicken Au-Schichten (d ≥ 8 nm)

  • Zeigt typisches GMR-Verhalten: Rₐₚ > Rₚ
  • MR-Wert nimmt mit zunehmender Dicke ab
  • d = 8 nm: MR ≈ -0,005%
  • d = 28 nm: MR ≈ -0,002%

Anomaler Hall-Effekt

In Messungen mit senkrechtem Magnetfeld wird eine signifikante anomale Hall-Widerstandsrate beobachtet:

  • d = 4 nm: ρᵧₓ ≈ 90 pΩ·m
  • d = 8 nm: ρᵧₓ ≈ 42 pΩ·m
  • d = 16 nm: ρᵧₓ ≈ 20 pΩ·m

Diese Werte sind drei Größenordnungen höher als Au/YIG-Doppelschichten, was die Existenz eines starken Austauschfelds an der EuS/Au-Grenzfläche bestätigt.

Magnetisierungseigenschaften

  • Koerzitivfeld der EuS-Schicht: ±7 mT und ±3 mT
  • Extrapolierte Curie-Temperatur: etwa 20 K
  • Magnetisierung erreicht Sättigung bei ±1,5 T

Verwandte Arbeiten

Entwicklung der schwachen Lokalisierungstheorie

  • HLN-Theorie: Beschreibt schwache Lokalisierung unter out-of-plane Magnetfeld
  • MF-Theorie: Sagt positiven Magnetowiderstand unter in-plane Magnetfeld voraus, aber experimentelle Validierung ist selten
  • Spin-Bahn-Kopplungseffekte: Magnetowiderstandsanisotropie in Materialien mit starker Spin-Bahn-Kopplung

Aktueller Stand der GMR-Forschung

  • Metall-F/N/F-Strukturen: Hauptrealisierungsweise des traditionellen GMR
  • Verdünnte magnetische Halbleiter: Wenige Berichte über GMR in MI/N-Systemen
  • Grenzflächentechnik: Realisierung neuer Magnetowiderstandseffekte durch Grenzflächenmodulation

EuS-bezogene Forschung

  • Grenzflächenaustauchfeld: Austauschkopplung an EuS-Grenzflächen mit verschiedenen Materialien
  • Spineinspritzung: Anwendung von EuS als Spineinspritzungsquelle
  • Näherungseffekt: Magnetischer Näherungseffekt in Supraleitern und Graphen

Schlussfolgerungen und Diskussion

Hauptschlussfolgerungen

  1. Erfolgreiche Beobachtung der dickheitsgesteuerten Magnetowiderstandsvorzeichenumkehrung: Von positivem Magnetowiderstand in dünnen Au-Schichten (schwache Anti-Lokalisierung) zu negativem Magnetowiderstand in dicken Au-Schichten (GMR)
  2. Validierung der Schlüsselrolle des Grenzflächenaustauchfelds: Das starke Austauschfeld an der EuS/Au-Grenzfläche unterdrückt Quanteninterferenz und induziert spinabhängige Streuung
  3. Etablierung des GMR-Mechanismus in MI/N/MI-Strukturen: Das Grenzflächenaustauchfeld erzeugt effektive Spinpolarisierung und realisiert GMR-Effekt
  4. Bestätigung der Existenz des spinabhängigen Hall-Magnetowiderstands: Große imaginäre Spinmischungsleitfähigkeit erzeugt signifikantes anomales Hall-Signal

Physikalischer Mechanismus

Der Übergangsmechanismus kann als Konkurrenzeffekt verstanden werden:

  • Dünne Schicht-Grenzfall: Das Grenzflächenaustauchfeld wirkt als effektives Zeeman-Feld und unterdrückt nach der MF-Theorie die schwache Anti-Lokalisierung
  • Dicke Schicht-Grenzfall: Spinabhängige Grenzflächenstreuung und Spinakkumulationseffekte dominieren und erzeugen GMR

Einschränkungen

  1. Temperaturbeschränkung: Experimente werden hauptsächlich unterhalb der Curie-Temperatur von EuS (~20 K) durchgeführt
  2. Materialspezialisierung: Ergebnisse beziehen sich hauptsächlich auf das EuS/Au-System; andere MI/N-Kombinationen erfordern weitere Verifikation
  3. Theoretisches Modell: Der Übergangsmechanismus im mittleren Dickbereich erfordert eine vollständigere theoretische Beschreibung

Zukünftige Richtungen

  1. Erweiterung des Materialsystems: Erkundung von Kombinationen anderer hochaustauchfeld-MI-Materialien mit verschiedenen Schwermetallen
  2. Gerätenanwendung: Entwicklung von Spinelektronik-Geräten basierend auf Grenzflächenaustauchfeld-Regulierung
  3. Theoretische Verbesserung: Etablierung eines vollständigeren theoretischen Rahmens für die Regulierung des Quantentransports durch Grenzflächenaustauchfeld

Tiefgreifende Bewertung

Stärken

  1. Ausgefeiltes Experimentaldesign: Systematische Variation der Au-Dicke zeigt klar den Übergangsprozess des physikalischen Mechanismus
  2. Enge theoretische Integration: Erfolgreiche Verbindung der experimentellen Ergebnisse mit MF-Theorie und SMR-Theorie
  3. Umfassende Messungen: Kombination von Magnetowiderstand-, Hall-Effekt- und Magnetisierungsmessungen bietet ein vollständiges physikalisches Bild
  4. Neuartige Entdeckungen: Erstmalige Beobachtung von GMR in MI/N/MI-Strukturen mit wichtiger wissenschaftlicher Bedeutung

Mängel

  1. Temperaturbeschränkung: Begrenzt durch die Curie-Temperatur von EuS, Raumtemperaturanwendung ist eingeschränkt
  2. Mechanismuserklärung: Die Erklärung des Übergangsmechanismus im mittleren Dickbereich ist nicht ausreichend tiefgreifend
  3. Quantitative Analyse: Die physikalische Bedeutung einiger theoretischer Anpassungsparameter erfordert klarere Erklärung

Auswirkungen

  1. Wissenschaftlicher Beitrag: Bietet neue experimentelle Evidenz für die Regulierung des Quantentransports durch Grenzflächenaustauchfeld
  2. Technische Anwendung: Bietet Designideen für die Entwicklung neuer Spinelektronik-Geräte
  3. Feldförderung: Kann mehr Forschung zum Quantentransport an MI/N-Grenzflächen inspirieren

Anwendungsszenarien

  1. Tieftemperatur-Spinelektronik-Geräte: Geeignet für Anwendungen, die starke Grenzflächenaustauchfelder erfordern
  2. Quantentransportforschung: Bietet eine Plattform zur Untersuchung der Auswirkungen von Grenzflächeneffekten auf Quantenkohärenz
  3. Neue Materialerkundung: Bietet Referenzen für die Suche nach hocheffizienten Spineinspritzungsgrenzflächen

Literaturverzeichnis

Das Papier zitiert 59 wichtige Referenzen, die schwache Lokalisierungstheorie, GMR-Effekte, spinabhängigen Hall-Magnetowiderstand und EuS-bezogene Forschung abdecken und eine solide theoretische und experimentelle Grundlage für die Forschung bieten.

Gesamtbewertung: Dies ist ein hochqualitatives experimentelles Papier der Festkörperphysik, das durch sorgfältig gestaltete Experimente erfolgreich neue physikalische Phänomene beobachtet und angemessene theoretische Erklärungen bietet. Die Forschungsergebnisse sind von großer Bedeutung für das Verständnis der Rolle des Grenzflächenaustauchfelds im Quantentransport und eröffnen neue Richtungen für die Entwicklung von Spinelektronik-Geräten.