The quest for robust, intrinsically magnetic topological materials exhibiting the quantum anomalous Hall (QAH) effect is a central challenge in condensed matter physics and the application of revolutionary electronics. However, progress has been hampered by the limited number of candidate materials, which often suffer from poor stability and complex synthesis. Here, we introduce a new paradigm by exploring the emergent magnetism and nontrivial band topology in the largely overlooked family of two-dimensional (2D) pentagonal MN$_8$ monolayers. Employing first-principles calculations, we reveal that these systems host out-of-plane ferromagnetic ground states, a key feature that unlocks nontrivial topological properties driven by the localized $d$-orbitals of the embedded transition metals. Remarkably, we identify TiN$_8$ as a QAH insulator characterized by a Chern number of $C=-1$. Even more strikingly, MoN$_8$ is predicted to be a rare high-Chern-number QAH insulator, boasting a Chern number of $C=2$. Our findings establish the penta-MN$_8$ family as a fertile and versatile platform for realizing exotic topological quantum states. This work not only significantly expands the material landscape for magnetic topological insulators but also provides a solid theoretical foundation for designing next-generation spintronic and quantum computing devices.
- Papier-ID: 2510.13107
- Titel: First-Principles Exploration of Pentagonal TiN8 and MoN8 Monolayers as New Magnetic Topological Insulator
- Autoren: Zheng Wang, Beichen Ruan, Zhuoheng Li, Shu-Shen Lyu, Kaixuan Chen
- Institution: Fakultät für Materialwissenschaften, Shenzhen-Campus der Sun Yat-sen-Universität
- Klassifizierung: cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
- Veröffentlichungsdatum: 16. Oktober 2025
- Papierlink: https://arxiv.org/abs/2510.13107
Die Suche nach robusten intrinsischen magnetischen topologischen Materialien mit dem Quantenanomalien-Hall-Effekt (QAH) stellt eine zentrale Herausforderung in der Festkörperphysik und für revolutionäre elektronische Anwendungen dar. Der Fortschritt wurde jedoch durch die begrenzte Anzahl von Kandidatenmaterialien, schlechte Stabilität und komplexe Synthese behindert. Diese Arbeit führt ein neues Forschungsparadigma ein, indem sie die vernachlässigten neuen magnetischen und nichttrivialen Bandtopologien in zweidimensionalen pentagonalen MN8-Monolagen erforscht. Durch Erste-Prinzipien-Berechnungen werden nichtriviale topologische Eigenschaften mit außerplanaren ferromagnetischen Grundzuständen offenbart, die durch lokalisierte d-Orbitale der eingebetteten Übergangsmetalle angetrieben werden. TiN8 wird als QAH-Isolator mit Chern-Zahl C=−1 identifiziert, während MoN8 bemerkenswert als seltener QAH-Isolator mit hoher Chern-Zahl mit C=2 vorhergesagt wird.
- Kernherausforderung: Knappheit und praktische Probleme von QAH-Effekt-Materialien
- Einschränkungen bestehender Materialien:
- Experimentell realisierte 2D-magnetische topologische Isolatoren wie Cr-dotierte (Bi,Sb)2Te3-Dünnschichten weisen Syntheseschwierigkeiten und schlechte Stabilität auf
- Begrenzte Anzahl von Kandidatenmaterialien schränkt praktische Anwendungen ein
- Der QAH-Effekt bietet eine vielversprechende Plattform für stromsparende elektronische Geräte und topologisches Quantencomputing
- Die schnelle Entwicklung von 2D-van-der-Waals-Materialien bietet einen Weg zur Überwindung der Herausforderungen, denen sich traditionelle magnetische topologische Isolatoren gegenübersehen
- Pentagonale Strukturmaterialien zeigen hervorragende mechanische und elektronische Eigenschaften
- Frühere Untersuchungen der penta-MN8-Struktur konzentrierten sich nur auf Kristallstruktur und allgemeine physikalische Eigenschaften und vernachlässigten die Lokalität der d-Orbitale von Übergangsmetallen
- Mangel an systematischer Untersuchung neuer magnetischer und nichttrivialer Bandtopologien
- Notwendigkeit, die Kandidatenmaterialbibliothek für magnetische topologische Materialien zu erweitern
- Entdeckung einer neuen QAH-Materialienfamilie: Erstmalige Vorhersage, dass die penta-MN8-Familie intrinsische magnetische topologische Isolator-Eigenschaften besitzt
- Identifizierung von topologischen Isolatoren mit hoher Chern-Zahl: MoN8 mit seltener hoher Chern-Zahl C=2
- Aufklärung des magnetischen Mechanismus: Erläuterung des Entstehungsmechanismus des außerplanaren ferromagnetischen Grundzustands durch d-Orbital-Lokalisierung
- Etablierung eines theoretischen Rahmens: Konstruktion eines vereinfachten Tight-Binding-Modells zur Erklärung des Ursprungs topologischer Eigenschaften
- Erweiterung des Materialdesign-Raums: Bereitstellung einer theoretischen Grundlage für die Geräteentwicklung der nächsten Generation in Spintronik und Quantencomputing
Erste-Prinzipien-Berechnungen:
- Dichtefunktionaltheorie (DFT)-Berechnungen mit dem VASP-Softwarepaket
- Projector Augmented Wave (PAW)-Methode zur Behandlung von Elektron-Ion-Wechselwirkungen
- PBE-Funktional für Austausch-Korrelationspotential
- Ebene-Wellen-Basis-Abschneidenenergie: 600 eV
- k-Punkt-Gitter: 11×11×1 Gamma-zentrierte Abtastung
Kritische technische Parameter:
- DFT+U-Methode zur Behandlung der Coulomb-Wechselwirkung von d-Orbitalen: U(Ti)=3,0 eV, U(Mo)=2,0 eV
- DFT-D3-Methode zur Korrektur van-der-Waals-Wechselwirkungen
- Vakuumschichtdicke: 15 Å
Wannier-Funktions-Methode:
- Verwendung der Softwarepakete Wannier90 und WannierTools
- Chern-Zahl-Berechnungsformel:
C=2π1∑n∫BZd2kΩn
Berry-Krümmungsberechnung:
Ωn(k)=−∑n′=n(εn′−εn)22Im⟨ψnk∣vx∣ψn′k⟩⟨ψn′k∣vy∣ψnk⟩
Heisenberg-Modell:
H=H0−∑⟨i,j⟩J1Si⋅Sj−∑⟨⟨i,j⟩⟩J2Si⋅Sj−∑iASi2
wobei J1 und J2 die Austausch-Wechselwirkungsparameter für nächste und übernächste Nachbarn sind und A die magnetische Anisotropieenergie darstellt.
- TiN8: γ-Phase-Struktur, reine ebene Geometrie, Raumgruppe P6/m, Gitterkonstante a=5,47 Å
- MoN8: β-Phase-Struktur, gefaltete Morphologie, Raumgruppe P3, Gitterkonstante a=5,28 Å
- Jede Einheitszelle enthält 1 Übergangsmetallatom und 8 Stickstoffatome (6 N1-Plätze + 2 N2-Plätze)
- Phononendispersionsberechnung: Verwendung der Dichtefunktional-Störungstheorie (DFPT)
- Molekulardynamik-Simulation: AIMD-Simulation zur Verifikation der Thermostabilität
- Bestimmung des magnetischen Grundzustands: Vergleich von FM-, AFM-Streifen- und AFM-Zickzack-Konfigurationen
- Bandstruktur und Bandlückengröße
- Chern-Zahl und topologische Randzustände
- Magnetische Austauschparameter und Curie-Temperatur
- Strukturstabilität (Phononenfrequenzen, AIMD)
- TiN8: Zeigt Thermostabilität bei 300 K, keine imaginären Frequenzen in der Phononendispersion
- MoN8: Schwierig, die Strukturintegrität bei 50 K zu bewahren (innerhalb von 3 ps), aber topologische Eigenschaften sind bemerkenswert
Magnetische Momentverteilung:
- TiN8: 1,92 μB/Einheitszelle, Elektronenkonfiguration 3d2↑
- MoN8: 2,00 μB/Einheitszelle, Elektronenkonfiguration 3d3↑d1↓
Bindungseigenschaften:
- Bader-Ladungsanalyse zeigt signifikante Kovalenz in Ti-N- und Mo-N-Bindungen
- Elektronenlokalisierungsfunktion (ELF) bestätigt starke kovalente Bindung zwischen Metall- und Stickstoffatomen
| System | J1 (meV) | J2 (meV) | MAE | Magnetischer Grundzustand |
|---|
| TiN8 | -25,85 | 0,57 | 50,4 μeV | AFM (U>2,5eV) |
| MoN8 | 46,27 | -14,41 | 1,60 meV | FM |
TiN8-Topologische Merkmale:
- Chern-Zahl: C=−1
- SOC-Bandlücke: K-Punkt 1020 meV, Γ-Punkt 932 meV
- Globale Bandlücke: 223 meV (indirekt)
- Chirale Randzustände verbinden Fermi-Niveau
MoN8-Topologische Merkmale:
- Chern-Zahl: C=2 (hohe Chern-Zahl)
- SOC-Bandlücke: K-Punkt 41 meV, Γ-Punkt 63 meV
- Globale Bandlücke: 12 meV
- Zwei gleichgerichtete chirale Randzustände durchqueren das Fermi-Niveau
Konstruktion eines vereinfachten Zwei-Band-Modells basierend auf (dxz,dyz)-Orbitalen:
- K-Punkt: Lineare Dispersion, Chern-Zahl-Beitrag C=−1/2
- Γ-Punkt: Parabolische Dispersion, Chern-Zahl-Beitrag C=1
- Modell erklärt erfolgreich die topologischen Merkmale der Erste-Prinzipien-Berechnungen
- Traditionelle 3D-topologische Isolatoren: Bi2Se3, Bi2Te3 usw.
- Theoretische Vorhersagen und experimentelle Realisierung von 2D-Chern-Isolatoren und QAH-Effekt
- Seltenheit von topologischen Isolatoren mit hoher Chern-Zahl
- Theoretische Vorhersagen und experimentelle Synthese von penta-Graphen, penta-MX2 usw.
- Entdeckung von N18-Makrozyklen bietet Grundlage für penta-MN8-Struktur
- Frühere Untersuchungen vernachlässigten magnetische und topologische Eigenschaften
- Schnelle Entwicklung von van-der-Waals-Magnetmaterialien
- Topologische Eigenschaften der MnBi2Te4-Materialienfamilie
- Kopplungsmechanismen zwischen magnetischen und topologischen Eigenschaften in 2D-Materialien
- Neue Materialienfamilie: Die penta-MN8-Familie bietet eine neue Materialplattform für magnetische topologische Isolatoren
- Topologische Vielfalt: TiN8 (C=-1) und MoN8 (C=2) zeigen reiche topologische Phasen
- Physikalischer Mechanismus: d-Orbital-Lokalisierung und Spinpolarisierung sind Schlüsseltriebkräfte topologischer Eigenschaften
- Theoretischer Rahmen: Das Tight-Binding-Modell offenbart unterschiedliche Beiträge der Γ- und K-Punkte zur Chern-Zahl
- Strukturstabilität: Schlechte Thermostabilität von MoN8 schränkt praktische Anwendungen ein
- Syntheseherausforderungen: Erfordert Hochtemperatur-Hochdruck-Bedingungen, experimentelle Synthese bleibt zu verifizieren
- Parameterabhängigkeit: Topologische Eigenschaften sind empfindlich gegenüber Hubbard-U-Parametern
- Bandlückengröße: Kleine Bandlücke von MoN8 (12 meV) kann Raumtemperaturanwendungen beeinträchtigen
- Materialoptimierung: Verbesserung der Strukturstabilität durch Dehnung, Dotierung usw.
- Experimentelle Verifikation: Erforschung von Synthesewegen und Charakterisierung topologischer Eigenschaften
- Gerätenanwendungen: Entwurf von Spintronik-Geräten basierend auf dem QAH-Effekt
- Theoretische Erweiterung: Untersuchung von penta-MN8-Verbindungen anderer Übergangsmetalle
- Starke Innovativität: Erste systematische Untersuchung der magnetischen topologischen Eigenschaften von penta-MN8, Entdeckung von Materialien mit hoher Chern-Zahl
- Umfassende Methoden: Kombination von Erste-Prinzipien-Berechnungen, Tight-Binding-Modell und Monte-Carlo-Simulation
- Tiefe physikalischer Einsichten: Klare Erläuterung der Assoziationsmechanismen zwischen d-Orbitalen, Magnetismus und topologischen Eigenschaften
- Theoretische Strenge: Standardisierte Methoden zur Berechnung von Berry-Krümmung und Chern-Zahl, vertrauenswürdige Ergebnisse
- Praktische Einschränkungen: Schlechte Stabilität von MoN8, TiN8 erfordert großes U-Wert für AFM-Grundzustand
- Fehlende Experimente: Rein theoretische Untersuchung, mangelnde experimentelle Verifikation und Synthesierbarkeitsanalyse
- Parameterempfindlichkeit: Starke Abhängigkeit von der Wahl der DFT+U-Parameter
- Anwendungsaussichten: Kleine Bandlücke und Stabilitätsprobleme können praktische Gerätenanwendungen einschränken
- Akademischer Beitrag: Signifikante Erweiterung der Kandidatenmaterialbibliothek für magnetische topologische Isolatoren
- Theoretischer Wert: Neue Perspektive zum Verständnis der Magnetismus-Topologie-Kopplung in 2D-Materialien
- Anwendungspotential: Theoretische Anleitung für Geräteentwicklung in Spintronik und Quantencomputing
- Reproduzierbarkeit: Detaillierte Berechnungsmethoden und klare Parameter erleichtern die Verifikation durch andere Forschungsgruppen
- Grundlagenforschung: Theoretische Untersuchung von topologischer Physik und Magnetmaterialien
- Materialdesign: Rechnergestützte Screening neuer 2D-magnetischer topologischer Materialien
- Gerätekonzepte: Konzeptdesign und Optimierung von QAH-Effekt-Geräten
- Lehranwendungen: Typische Fallstudien für Erste-Prinzipien-Berechnungen und topologische Eigenschaftsanalyse
Diese Arbeit zitiert 40 verwandte Literaturquellen, die Theorie topologischer Isolatoren, 2D-Materialien, magnetische Wechselwirkungen und Berechnungsmethoden abdecken und eine solide theoretische Grundlage für die Forschung bieten.
Gesamtbewertung: Dies ist eine hochwertige theoretische Forschungsarbeit, die einen wichtigen Beitrag im Bereich der 2D-magnetischen topologischen Materialien leistet. Obwohl es Herausforderungen in Bezug auf experimentelle Machbarkeit gibt, sind die theoretische Innovativität und die treibende Wirkung auf die Entwicklung des Feldes bemerkenswert.