2025-11-14T18:19:11.520419

High Bandwidth and Ultra-low Dark Current Ge Photodetector Enabled by Frequency Domain Equalization

Deng, Yue, Liu et al.
High bandwidth and low dark current germanium (Ge) photodetectors are crucial in silicon photonic integrated circuits. The bandwidth of Ge photodetectors is restricted by carrier transit time and parasitic parameters. And thermal generation of carriers within the Ge P-N junction results in an inherent dark current, typically in nA-μA range. Here, we propose an equalization photodetector (EqPD) utilizing the frequency response of a high-bandwidth photodetector PDA to subtract the frequency response of a low-bandwidth photodetector PDB. With the response of PDB attenuating more severely than PDA at high frequency, the differential response (the response of EqPD) can get higher values at high-frequency than at low-frequency. The dark current of EqPD can also be significantly reduced with PDB balancing the dark current of PDA. Experimental results show that the bandwidth of our proposed photodetector can be expanded to over 110 GHz with a dark current of 1 pA simultaneously, and its Non-Return-to-Zero (NRZ) transmission speed can reach 100 Gbaud without digital signal processing. To the best of our knowledge, this represents the highest bandwidth and lowest dark current in a vertical Ge photodetector. The high-performance EqPD provides a promising solution for high-speed and ultra-low noise photodetection in next-generation optical communication.
academic

Hochbandbreiten- und ultraniedriger Dunkelstrom-Ge-Fotodetektor ermöglicht durch Frequenzbereichs-Entzerrung

Grundinformationen

  • Paper-ID: 2510.13478
  • Titel: High Bandwidth and Ultra-low Dark Current Ge Photodetector Enabled by Frequency Domain Equalization
  • Autoren: Wenxin Deng, Hengsong Yue, Xiaoyan Liu, Jianhong Liang, Jianbin Fu, Shilong Pan, Tao Chu
  • Klassifizierung: physics.optics
  • Veröffentlichungsinstitution: Schule für Informations- und Elektrotechnik der Zhejiang-Universität, Staatliches Schlüssellabor für Extremphotonics und Instrumentierung, Nationales Schlüssellabor für Mikrowellenphotonics der Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
  • Paper-Link: https://arxiv.org/abs/2510.13478

Zusammenfassung

In diesem Artikel wird ein auf Frequenzbereichs-Entzerrung basierender Germanium-(Ge-)Fotodetektor vorgestellt, der durch Subtraktion der Frequenzantwort eines Niederband-Fotodetektors (PDB) von der eines Hochband-Fotodetektors (PDA) entwickelt wurde. Da PDB bei hohen Frequenzen stärker gedämpft wird als PDA, erreicht die differentielle Antwort bei hohen Frequenzen höhere Werte als bei niedrigen Frequenzen. Experimentelle Ergebnisse zeigen, dass der entzerrte Fotodetektor (EqPD) eine Bandbreite von über 110 GHz erreicht, während der Dunkelstrom auf 1 pA reduziert wird und eine NRZ-Übertragungsgeschwindigkeit (Non-Return-to-Zero) von 100 Gbaud ohne digitale Signalverarbeitung ermöglicht wird.

Forschungshintergrund und Motivation

Problemdefinition

  1. Bandbreitenbeschränkungsproblem: Die Bandbreite von Ge-Fotodetektoren wird hauptsächlich durch zwei Faktoren begrenzt: die Trägerübergangszeit und parasitäre Parameter (RC). Der Transport von Trägern aus der intrinsischen Region in die dotierte Region benötigt Zeit, die mit der Länge der intrinsischen Region der P-N-Diode korreliert; parasitäre Parameter umfassen hauptsächlich Siliziumwiderstand und Sperrschichtkapazität.
  2. Dunkelstromproblem: Die thermische Erzeugung von Trägern in der Ge-P-N-Diode führt zu inhärentem Dunkelstrom, typischerweise im Bereich nA-μA, bestehend aus Diffusionsstrom, Generations-Rekombinationsstrom, Band-zu-Band-Tunnelstrom und trappassistierten Tunnelstrom.

Forschungsbedeutung

Die enormen Anforderungen von künstlicher Intelligenz und Cloud-Computing an die Datenverarbeitung stellen große Herausforderungen für die Datenkommunikation dar. Die Siliziumphotonik bietet mit ihrer CMOS-kompatiblen Fertigungstechnologie, hohen Integrationsdichte, niedrigem Stromverbrauch und niedrigen Kosten eine vielversprechende Lösung für dieses Problem.

Einschränkungen bestehender Methoden

  • Methode der Verengung der intrinsischen Region: Obwohl eine Bandbreite von bis zu 265 GHz erreicht werden kann, beträgt der Dunkelstrom etwa 200 nA, und die Herstellung einer 100 nm breiten intrinsischen Region ist äußerst anspruchsvoll
  • RC-Parameteroptimierung: Durch Anpassung der Ge-Regionsgröße und Siliziumdotierung optimiert, aber immer noch durch Trägerübergangszeit begrenzt
  • Induktor-Methode: Nutzt Induktoren zur Verringerung der Sperrschichtkapazitätseffekte, weist aber Herstellungskomplexität und Parameterabstimmungsschwierigkeiten auf

Kernbeiträge

  1. Vorschlag einer innovativen entzerrten Fotodetektor-Architektur (EqPD): Nutzt differentielle Struktur zur Frequenzbereichs-Entzerrung und überwindet traditionelle Bandbreitenbeschränkungen
  2. Realisierung der höchsten Leistungskennwerte für vertikale Ge-Fotodetektoren: Bandbreite über 110 GHz, Dunkelstrom nur 1 pA
  3. Verifizierung der 100-Gbaud-NRZ-Übertragungsfähigkeit: Ermöglicht Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung ohne digitale Signalverarbeitung
  4. Bereitstellung von theoretischer Analyse und experimenteller Verifizierung: Etablierung eines vollständigen Ersatzschaltbildmodells und einer Übertragungsfunktionsanalyse

Methodische Details

GeräteArchitektur-Design

Der EqPD besteht aus zwei differentiellen Fotodetektoren:

  • PDA: Kleinere Ge-Region mit niedrigerer Kapazität und höherer Bandbreite
  • PDB: Größere Ge-Region mit höherer Kapazität und niedrigerer Bandbreite
  • Gemeinsame Elektrode: Verbindet N++Ge von PDA und P++Silizium von PDB mit entgegengesetzter Dotierungspolarität zur Stromsubtraktion
  • Thermisch abstimmbarer MZI: Steuert das Lichtkraftverteilungsverhältnis zwischen den beiden Ge-Regionen

Theoretisches Modell

Übertragungsfunktion

Die Übertragungsfunktion des EqPD ist:

H_Eq(f) = H_t(f)[(1-m)H_a(f) - mH_b(f)]

wobei:

  • m: Verhältnis der auf PDB verteilten einfallenden Lichtleistung
  • H_t(f): Träger-gesteuerte Übertragungsfunktion
  • H_a(f), H_b(f): RC-parasitäre Parameter-gesteuerte Übertragungsfunktionen von PDA und PDB

Träger-Übertragungsfunktion

H_t(f) = 1/(1 + 2πjfR_tC_t)

RC-Übertragungsfunktion

H_i(f) = X_j/[(1 + 2πjfC_p R_load)(X_i + X_j) + 2πjfC_i R_load X_j + X_i + X_j]

Dunkelstrom-Unterdrückungsmechanismus

Der Dunkelstrom besteht hauptsächlich aus vier Komponenten:

  1. Diffusionsstrom: I_Diff = (qD_n n_p^0)/L_n + (qD_p p_n^0)/L_p × e^(qV_d/KT) - 1
  2. Generations-Rekombinationsstrom: I_GR = (Aqd_i n_i)/(2τ) × e^(qV_d/2KT) - 1
  3. Band-zu-Band-Tunnelstrom: I_BBT
  4. Trappassistierter Tunnelstrom: I_TAT

Durch Anwendung unterschiedlicher Vorspannungsspannungen auf PDA und PDB können deren Dunkelströme gegenseitig aufgehoben werden, um ultraniedriger Dunkelstrom zu erreichen.

Experimentelle Einrichtung

Geräteherstellung

  • Substrat: SOI-Wafer mit 220 nm dicker Silizium-Oberflächenschicht und 2 μm dicker Vergrabungsoxidschicht
  • Ge-Schicht: 500 nm epitaktisch gewachsen, obere 50 nm stark dotiert auf N++-Konzentration
  • Dotierungskonzentration: P++Si etwa 10^20 cm^-3, P+Si etwa 10^19 cm^-3
  • Gerätegröße: PDA 8×6 μm, PDB 17×6 μm

Testkonfiguration

  • Kleinsignal-Charakterisierung: Verwendung eines Vektornetzwerk-Analysators (Keysight N5245B) und eines 110-GHz-Optikkomponenten-Analysators
  • Augenmuster-Test: Vollständige Kette mit Laser, Polarisationsregler, MZ-Modulator, EDFA-Verstärker usw.
  • Dunkelstrom-Test: Verwendung einer Spannungsquelle (Keysight B2901A)

Experimentelle Ergebnisse

Hauptleistungskennwerte

Bandbreitenleistung

  • Ohne Entzerrung (m=0): 3-dB-Bandbreite nur 17 GHz
  • Nach Entzerrungsoptimierung:
    • m=0,1: 25 GHz
    • m=0,2: 33 GHz
    • m=0,3: 55 GHz
    • m=0,35: 65 GHz
    • m=0,4: 73 GHz
    • m=0,45: >110 GHz (RF-Antwort-Verlust nur -0,53 dB)

Dunkelstrom-Unterdrückung

  • Traditioneller einzelner PD: 2,5 nA (bei VB=-1V)
  • EqPD nach Optimierung: 1 pA (Reduktion um 3 Größenordnungen)
  • Unterdrückungseffekt bei verschiedenen Vorspannungen:
    • VB=0V: Von 156 pA auf 3 pA reduziert
    • VB=-1V: Von 2,5 nA auf 1 pA reduziert
    • VB=-2V: Von 3,5 nA auf 20 pA reduziert (175-fache Reduktion)

Hochgeschwindigkeits-Übertragungsfähigkeit

  • 100-Gbaud-NRZ-Übertragung: Klares Augenmuster ohne DSP erreichbar
  • Übertragungsgeschwindigkeit bei verschiedenen m-Werten:
    • m=0,2: 70 Gbaud
    • m=0,35: 90 Gbaud
    • m=0,4: 100 Gbaud

Leistungsvergleich

Der Vergleich mit bestehender Technologie zeigt, dass diese Arbeit zum ersten Mal bei vertikalen Ge-Fotodetektoren realisiert hat:

  • Höchste Bandbreite: >110 GHz
  • Niedrigster Dunkelstrom: 1 pA
  • Beste Gesamtleistung: Gleichzeitige Realisierung von ultrahoherbandbreite und ultraniedriger Dunkelstrom

Ablationsexperimente

Einfluss des Lichtkraftverteilungsverhältnisses m

Systematische Untersuchung des Einflusses verschiedener m-Werte auf die Leistung:

  1. Bandbreite vs. Empfindlichkeits-Kompromiss: Mit zunehmendem m steigt die Bandbreite, aber die Empfindlichkeit sinkt
  2. Optimaler Arbeitspunkt: m=0,45 erreicht beste Bandbreitenleistung
  3. Physikalische Grenzen: m sollte kleiner als 0,5 sein, sonst verschlechtert sich der Entzerrungseffekt

Vorspannungsoptimierung

Durch präzise Steuerung der Vorspannungsspannungen von PDA und PDB wird die genaue Aufhebung des Dunkelstroms erreicht, was die Genauigkeit der theoretischen Vorhersagen verifiziert.

Verwandte Arbeiten

Hauptforschungsrichtungen

  1. Verengung der intrinsischen Region: Bandbreiteverbesserung durch Verringerung der Trägerübergangszeit
  2. RC-Parameteroptimierung: Anpassung der Gerätegeometrie und Dotierungskonzentration
  3. Induktor-Kompensation: Verwendung von Induktoren zur Aufhebung von Kapazitätseffekten
  4. Neuartige Strukturen: Wie Fin-Strukturen, Ringstrukturen usw.

Einzigartigkeit dieser Arbeit

  • Erstmalige Einführung des Frequenzbereichs-Entzerrungskonzepts: Bandbreitenerweiterung durch differentielle Struktur
  • Überwindung physikalischer Grenzen: Überwindung von Trägerübergangszeit- und RC-Begrenzungen
  • Einfache Fertigungstechnologie: Keine komplexe Nanofertigung erforderlich
  • Starke Universalität: Anwendbar auf verschiedene Arten von Fotodetektoren

Schlussfolgerungen und Diskussion

Hauptschlussfolgerungen

  1. Technologischer Durchbruch: Erstmalige Realisierung von >110-GHz-Bandbreite bei vertikalen Ge-Fotodetektoren
  2. Dunkelstrom-Unterdrückung: Realisierung von 1-pA-Dunkelstrom, 3 Größenordnungen niedriger als traditionelle Strukturen
  3. Praktischer Wert: 100-Gbaud-NRZ-Übertragungsverifizierung demonstriert praktisches Anwendungspotenzial
  4. Theoretischer Beitrag: Etablierung eines vollständigen theoretischen Rahmens für Frequenzbereichs-Entzerrung

Einschränkungen

  1. Empfindlichkeits-Kompromiss: Bandbreiteverbesserung auf Kosten der Empfindlichkeitsreduktion
  2. Erhöhte Komplexität: Erfordert präzise Lichtkraftverteilung und Vorspannungssteuerung
  3. Temperaturempfindlichkeit: Thermische Abstimmung des MZI kann durch Temperatur beeinflusst werden
  4. Fertigungstoleranzen: Hohe Konsistenzanforderungen zwischen den beiden PDs

Zukünftige Richtungen

  1. Weitere Bandbreiteverbesserung: Durch Verringerung der PDA-Fläche und Optimierung der Dotierungskonzentration
  2. Empfindlichkeitsoptimierung: Erkundung neuer Entzerrungsstrategien zur Verringerung des Empfindlichkeitsverlusts
  3. Integration: Monolithische Integration mit anderen Siliziumphotonik-Geräten
  4. Anwendungserweiterung: Anwendungen in kohärenter Kommunikation, Sensorik usw.

Tiefbewertung

Stärken

  1. Herausragende Innovation: Erstmalige Einführung des Frequenzbereichs-Entzerrungskonzepts eröffnet neue Designideen für Fotodetektoren
  2. Hervorragende Leistung: Signifikante Durchbrüche bei Schlüsselindikatoren, erreicht Spitzenniveau des Feldes
  3. Vollständige Theorie: Etablierung eines vollständigen theoretischen Modells und einer Ersatzschaltbildanalyse
  4. Umfassende Experimente: Von Gerätecharakterisierung bis zur Systemvalidierung, vollständiges Experimentaldesign
  5. Hoher praktischer Wert: Direkt anwendbar auf Hochgeschwindigkeits-Optokommunikationssysteme der nächsten Generation

Mängel

  1. Kompromissbeziehungen: Kompromiss zwischen Bandbreite und Empfindlichkeit erfordert weitere Optimierung
  2. Erhöhte Komplexität: Systemkomplexität nimmt im Vergleich zu einzelnem PD zu
  3. Langzeitstabilität: Mangel an Langzeitvertrauenswürdigkeits- und Temperaturstabilitätstests
  4. Kostenanalyse: Keine detaillierte Fertigungskostenvergleichung vorhanden

Einflussfähigkeit

  1. Akademischer Wert: Bietet neuen theoretischen Rahmen für Hochgeschwindigkeits-Fotodetektor-Design
  2. Industrielle Bedeutung: Direkt anwendbar auf Rechenzentren- und 5G/6G-Kommunikationssysteme
  3. Technologieverbreitung: Entzerrungsprinzipien können auf andere Arten von Optikgeräten erweitert werden
  4. Standardsetzung: Kann zukünftige Leistungsstandards für Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren beeinflussen

Anwendungsszenarien

  1. Hochgeschwindigkeits-Optokommunikation: 100G/400G/800G-Optikmodule
  2. Rechenzentrum-Verbindungen: Kurzstrecken-Hochgeschwindigkeits-Optikverbindungen
  3. 5G/6G-Fronthaul/Backhaul: Drahtlose Kommunikationsinfrastruktur
  4. Optisches Rechnen: Optisch-elektronisch integrierte Rechenchips
  5. Lidar: Hochgeschwindigkeits-Entfernungs- und Abbildungsanwendungen

Literaturverzeichnis

Das Papier zitiert 28 wichtige Referenzen, die die neuesten Entwicklungen in Siliziumphotonik, Fotodetektor-Design und Hochgeschwindigkeits-Optokommunikation abdecken und eine solide theoretische Grundlage und technischen Vergleich für diese Arbeit bieten.

Gesamtbewertung: Dies ist ein ausgezeichnetes Papier mit wichtiger Durchbruchbedeutung im Bereich der Fotodetektoren. Das von den Autoren vorgeschlagene Frequenzbereichs-Entzerrungskonzept ist neuartig und einzigartig, die experimentellen Ergebnisse sind beeindruckend und die theoretische Analyse ist tiefgreifend. Diese Arbeit realisiert nicht nur einen signifikanten technologischen Durchbruch, sondern bietet dem Feld vor allem völlig neue Designideen und hat wichtige akademische und praktische Bedeutung.