Design und Simulation einer 4H-SiC-Lawinenlaufdiode mit niedriger Verstärkung und Grabenisolation

Grundinformationen

• Papier-ID: 2510.14531
• Titel: Design and simulation of a 4H-SiC low gain avalanche diode with trench-isolation
• Autoren: Sebastian Onder, Philipp Gaggl, Jürgen Burin, Andreas Gsponer, Matthias Knopf, Simon Waid, Neil Moffat, Giulio Pellegrini, Thomas Bergauer
• Klassifizierung: physics.ins-det
• Veröffentlichungsdatum: 16. Oktober 2025
• Papierlink: https://arxiv.org/abs/2510.14531v1

Zusammenfassung

In diesem Artikel wird das Design und die Simulation einer 30 μm dicken 4H-SiC-Lawinenlaufdiode mit niedriger Verstärkung (LGAD) vorgestellt, die für den Hochspannungsbetrieb optimiert wurde. Eine 2,4 μm dicke epitaktisch gezüchtete Verstärkungsschicht ermöglicht eine kontrollierte interne Verstärkung bei bis zu 1 kV Sperrspannung, während sie unter 500 V vollständig verarmt bleibt. Die I-V-, C-V- und Verstärkungseigenschaften wurden mit der Synopsys Sentaurus TCAD-Software in quasi-eindimensionaler Geometrie simuliert und im Bereich prozessbedingter Schwankungen der Verstärkungsschichtparameter validiert. Zum Schutz bei hoher Spannung und zur Gewährleistung einer angemessenen Kantenabschlussstruktur wurde eine Schutzstruktur mit tiefen geätzten Gräben und tiefem p+-Übergangsterminations-Injektions-(JTE)-Eindiffusion entwickelt. Durch TCAD-Simulationen mit variierenden Schutzstrukturabmessungen wurde ein optimiertes Design mit einer Durchbruchspannung von über 2,4 kV erreicht. Die entsprechende Waferfertigung läuft derzeit am IMB-CNM in Barcelona.

Forschungshintergrund und Motivation

Problemdefinition

1. Einschränkungen herkömmlicher Siliziumdetektoren: Siliziumbasierte Detektoren zeigen schwere Leistungseinbußen in hochbestrahlten Umgebungen und weisen bei hohen Temperaturen große Dunkelströme auf
2. Anwendungsherausforderungen von SiC-Material: Obwohl 4H-SiC hervorragende Strahlungsbeständigkeit und niedrige Dunkelströme aufweist, führt die höhere Energie zur Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren (~7,8 eV gegenüber 3,6 eV bei Si) zu kleineren Signalen und begrenzt die Anwendung in Hochenergiephysik-Experimenten
3. Anforderungen für Hochspannungsbetrieb: Bestehende epitaktische Züchtungstechniken führen typischerweise zu hohen Dotierungskonzentrationen (≥10¹⁴ cm⁻³), was zu großen Verarmungsspannungen führt und die Realisierung dicker aktiver Bereiche begrenzt

Forschungsbedeutung

• Dringender Bedarf an schnellen Zeitdetektoren in Hochenergiephysik-Experimenten
• Verbesserung der Materialverfügbarkeit und Herstellungstechniken durch die Entwicklung von SiC in der Leistungselektronik und Automobilindustrie
• Die erfolgreiche Anwendung der LGAD-Technologie in siliziumbasierten Detektoren bietet eine technische Grundlage für die Entwicklung von SiC-LGAD

Einschränkungen bestehender Methoden

• Das SICAR-Projekt nutzt Schrägkantenisolation mit nur 2-3facher Verstärkung
• Die Produktion von LBNL und NCSU erreicht zwar 7-8fache Verstärkung, aber die Isolationsmethoden sind immer noch begrenzt
• Herkömmliche flache p-Typ-Injektionsschutzstrukturen können Geräte mit dicken Verstärkungsschichten nicht wirksam isolieren

Kernbeiträge

1. Innovatives Gerätestrukturdesign: Vorschlag eines auf epitaktischer Züchtung basierenden 2,4 μm dicken Verstärkungsschicht-Designs, das die technischen Einschränkungen des Tiefeninjektionsprozesses vermeidet
2. Neuartige Schutzstruktur: Entwicklung einer Schutzstruktur, die tiefe geätzte Gräben und tiefe p+-JTE-Injektionen kombiniert und eine Durchbruchspannung von über 2,4 kV erreicht
3. Umfassende TCAD-Simulationsoptimierung: Systematische Parameteroptimierung der Gerätestruktur unter Berücksichtigung von Herstellungstoleranzen
4. Hochleistungsgeräte-Realisierung: Vollständige Verarmung unter 500 V mit 1-10facher Signalverstärkung bei 1 kV Sperrspannung

Methodische Details

Gerätestrukturdesign

Epitaktische Struktur

Das Gerät weist folgende Schichtstruktur auf (von unten nach oben):

• n+-Substrat: Dotierungskonzentration ~10¹⁷ cm⁻³, bietet mechanische Unterstützung
• n++-Pufferschicht: Dicke 1 μm, Dotierungskonzentration ~10¹⁸ cm⁻³, fungiert als Feldblockierungsschicht
• n-Typ aktiver Bereich: Dicke 27,6 μm, Dotierungskonzentration 1,5×10¹⁴ cm⁻³, hochohmige Epitaxieschicht
• n+-Verstärkungsschicht: Dicke 2,4 μm, Dotierungskonzentration 7,5×10¹⁶ cm⁻³, durch epitaktische Züchtung realisiert
• p++-Injektionsschicht: Bildet pn-Übergang und bietet ohmsche Kontakte

Designparameteroptimierung

Umfangreiche Parameterscans mit Synopsys Sentaurus TCAD mit Optimierungszielen:

• Vollständige Verarmungsspannung < 500 V
• Stabiler Betrieb bis 1 kV Sperrspannung
• Signalverstärkung 2-10fach (relativ zu PIN-Dioden gleicher Dicke)

Schutzstrukturdesign

Grabenisolation

• Tiefe: 7 μm, überschreitet die Verstärkungsschichtdicke
• Breite: 5/10/15 μm (durch Herstellerbeschränkungen begrenzt)
• Passivierung: SiO₂/Si₃N₄-Mehrschicht-Passivierung
• Geometrie: Umgibt eine kreisförmige Diode mit 500 μm Durchmesser

JTE-Injektion

• Tiefe: 4 μm, durchdringt die Verstärkungsschicht
• Breite: 30 μm
• Dotierungskonzentration: 10¹⁷ cm⁻³
• Funktion: Umverteilt das Kantenelektrofeld und verhindert vorzeitigen Durchbruch

Technische Innovationen

1. Nicht vergrabene Verstärkungsschicht: Nutzt epitaktische Züchtung statt Ionenimplantation und vermeidet technische Einschränkungen hochenergetischer Implantation
2. Kombinierte Schutzstruktur: Kombination von Grabenisolation und tiefem JTE-Eindiffusion erhöht die Durchbruchspannung erheblich
3. Berücksichtigung von Prozesstoleranzen: Design berücksichtigt vollständig Herstellungsprozessvariationen (Dicke ±0,2 μm, Dotierung ±10%)

Simulationsaufbau

Simulationswerkzeuge und Modelle

• Software: Synopsys Sentaurus TCAD SDevice
• Geometrie: Quasi-eindimensionale Struktur (Verstärkungsschicht-Design), zweidimensionale Struktur (Schutzstruktur)
• Physikalische Modelle: Okuto-Stoßionisierungsparametersatz, HeavyIon-Modell zur Simulation von Partikeleinschlag
• Materialparameter: Benutzerdefinierte 4H-SiC-Parameter unter Berücksichtigung von Anisotropie

Simulationsmethoden

Verstärkungsschicht-Design-Simulation

• Geometrie: Quasi-eindimensionale Struktur mit 1 μm Breite
• Netzwerk: Feines Netzwerk in vertikaler Richtung, 4 Netzlinien in lateraler Richtung
• Simulationstypen:
  • Quasi-statische I-V- und C-V-Charakteristiken (bis 1 kV)
  • Transiente Signalreaktion (HeavyIon-Modell)
• Referenz: PIN-Diode gleicher Dicke als Basis für Verstärkungsberechnung

Schutzstruktur-Simulation

• Geometrie: Zweidimensionale Struktur mit lokalem Bereich mit JTE und Gräben
• Randbedingungen: Gewährleistung, dass keine Restfeldstärke an den Grenzen beim Durchbruch vorhanden ist
• Parameterscan: Systematische Variation von JTE-Breite, Grabenbreite und -tiefe
• Durchbruchbestimmung: Durchbruchspannungsextraktion basierend auf Stromschwellenwert

Wichtige Simulationsparameter

• Ladungsträger-Erzeugung: Künstliche Ladungsträger-Erzeugung zur Simulation einer 1 pA Rauschgrundlinie
• Partikelsimulation: LET-Faktor 9,15 pC μm⁻¹, Gaußsche laterale Breite 0,15 μm
• Konvergenzeinstellungen: Konvergenz- und Fehlereinstellungen optimiert für niedrige intrinsische Ladungsträgerkonzentration von 4H-SiC

Simulationsergebnisse

Elektrische Eigenschaften

I-V- und C-V-Charakteristiken

• Verarmungsverhalten: Verstärkungsschicht unter 400 V verarmt, Gerät unter 500 V vollständig verarmt
• Dunkelstrom: Bleibt unter 30 pA
• Prozesstoleranzen: Alle Konfigurationen außer maximaler Dicke + höchster Dotierungskombination zeigen keinen Durchbruch der Verstärkungsschicht

Verstärkungseigenschaften

• Verstärkungsbereich: 1-10fach (ausgenommen Durchbruchfälle)
• Verstärkungskurve: Glatte Zunahme mit Sperrspannung
• Parameterabhängigkeit: Dickere/höher dotierte Verstärkungsschichten zeigen steilere Verstärkungsgradienten

Durchbruchverhalten-Optimierung

JTE-Breiten-Optimierung

• Sättigungsphänomen: Durchbruchspannung sättigt sich bei JTE-Breiten über 30 μm
• Optimaler Wert: 30 μm wird als finaler Designparameter gewählt

Grabenparameter-Optimierung

• Tiefeneinfluss:
  • 5 μm Tiefe führt zu frühestem Durchbruch
  • 7 μm Tiefe ist optimal
  • Leistung nimmt über 7 μm hinaus graduell ab
• Breiteneinfluss: Breite verbessert kontinuierlich die Durchbruchspannung über den gesamten Simulationsbereich
• Optimale Konfiguration: 7 μm tiefe × 16 μm breite Gräben kombiniert mit 30 μm × 4 μm JTE

Endleistung

• Maximale Durchbruchspannung: 2450 V (optimale Konfiguration)
• Designreserve: Weit über 1 kV Betriebsspannungsanforderung
• Herstellungsbeschränkungen: Finales Design nutzt schmalere Gräben zur Reduktion von Ätzrisiken

Verwandte Arbeiten

Entwicklungsgeschichte von SiC-Detektoren

1. Frühe Forschung: Grundlagenforschung zu SiC als Strahlungsdetektormaterial
2. SICAR-Projekt: Erste Realisierung von SiC-LGAD mit 2-3facher Verstärkung
3. LBNL/NCSU-Zusammenarbeit: Verbesserte Isolationsprozesse, 7-8fache Verstärkung erreicht, Zeitauflösung <35 ps
4. FNSPE CTU/FZU CAS: JTE-Isolation genutzt, epitaktische Schichtdotierung auf 5×10¹³ cm⁻³ reduziert, 10-100fache Verstärkung

Technische Entwicklungstrends

• Entwicklung von Schrägkantenprozessen zu JTE-Isolation
• Kontinuierliche Reduktion der epitaktischen Schichtdotierungskonzentration
• Ständige Verbesserung der Verstärkungsleistung
• Zunehmend ausgereifte Herstellungsprozesse

Schlussfolgerungen und Diskussion

Hauptschlussfolgerungen

1. Erfolgreiches Design: Vollständiges Design einer 30 μm dicken 4H-SiC LGAD mit Hochspannungsstabilitätsanforderungen realisiert
2. Hervorragende Leistung: Vollständige Verarmung unter 500 V, stabiler Betrieb bei 1 kV, 1-10fache Verstärkung
3. Wirksame Schutzstruktur: Kombinierte Graben+JTE-Schutzstruktur erreicht >2,4 kV Durchbruchspannung
4. Herstellbarkeit: Design berücksichtigt Prozesstoleranzen, Waferfertigung läuft

Technische Vorteile

• Epitaktische Verstärkungsschicht vermeidet technische Einschränkungen der Tiefenimplantation
• Kombinierte Schutzstruktur bietet hervorragende Hochspannungsstabilität
• Systematische TCAD-Optimierung gewährleistet Designzuverlässigkeit

Einschränkungen

1. Herstellungsbeschränkungen: Grabenbreite durch Herstellerprozessfähigkeiten begrenzt
2. Kostenüberlegungen: 4H-SiC-Material und Prozesskosten bleiben hoch
3. Verifikationsbedarf: Simulationsergebnisse benötigen experimentelle Validierung

Zukünftige Richtungen

1. Experimentelle Verifikation: Abschluss der Waferfertigung mit elektrischen und Bestrahlungstests
2. Leistungsoptimierung: Weitere Designparameteroptimierung basierend auf experimentellen Ergebnissen
3. Anwendungserweiterung: Erkundung von Anwendungspotentialen in verschiedenen Hochenergiephysik-Experimenten

Tiefenbewertung

Stärken

1. Hohe Systematik: Umfassende Betrachtung von Materialauswahl über Gerätedesign bis zur Schutzstruktur
2. Detaillierte Simulation: Umfassende Parameteroptimierung mit professionellen TCAD-Werkzeugen
3. Hohe Innovativität: Innovatives Design mit epitaktischer Verstärkungsschicht und kombinierter Schutzstruktur
4. Starke Praktikabilität: Design berücksichtigt vollständig praktische Herstellungsbeschränkungen und Toleranzen
5. Fortgeschrittene Technologie: Durchbruchspannung >2,4 kV übertrifft erheblich bestehende Technologieniveaus

Mängel

1. Fehlende experimentelle Verifikation: Derzeit nur Simulationsergebnisse, keine Testdaten von tatsächlichen Geräten
2. Unzureichende Kostenanalyse: Kostenvorteile gegenüber siliziumbasierten LGADs nicht detailliert diskutiert
3. Begrenzte Anwendungsszenarien: Hauptsächlich auf Hochenergiephysik-Anwendungen ausgerichtet, Eignung für andere Bereiche nicht vollständig erforscht
4. Langzeitstabilität: Langzeitverlässlichkeit und Alterungsmerkmale des Geräts nicht berücksichtigt

Einflussfähigkeit

1. Akademischer Wert: Bietet wichtige Designreferenzen für SiC-LGAD-Entwicklung
2. Technologischer Antrieb: Fördert Entwicklung von SiC-Detektoren zur Praktikabilität
3. Industrielle Auswirkungen: Kann kommerzielle Anwendungen von SiC-Detektoren fördern
4. Reproduzierbarkeit: Detaillierte Designparameter und Simulationsmethoden ermöglichen Reproduktion durch andere Forscher

Anwendungsszenarien

1. Hochenergiephysik-Experimente: Schnelle Zeitdetektoren-Anwendungen
2. Weltraumanwendungen: Partikeldetektoren in hochbestrahlten Umgebungen
3. Kernphysik-Forschung: Detektorsysteme mit hoher Zeitauflösung
4. Medizinische Bildgebung: Hochleistungs-Röntgen- oder Gammastrahldetektoren

Referenzen

Das Papier zitiert 15 relevante Referenzen, die die Hauptentwicklungsgeschichte und kritische Technologiepunkte der SiC-Detektortechnologie abdecken und eine solide theoretische Grundlage und technische Vergleichsbasis für diese Forschung bieten.