We report persistent photoconductivity in $p$-type Sb$_2$Se$_3$ single crystals doped with Cd or Zn, where enhanced conductivity remains for hours after illumination ceases at temperatures below $\sim$25~K. Comparative transport and infrared absorption measurements, including on $n$-type Cl-doped counterparts, reveal strong indications that hole transport in Sb$_2$Se$_3$ is more strongly affected by intrinsic carrier scattering than electron transport. These results point to a fundamental asymmetry in charge carrier dynamics and highlight the potential role of polaronic effects in limiting hole mobility in this quasi-one-dimensional semiconductor.
- Papier-ID: 2510.14554
- Titel: Kontrastierende Eigenschaften von freien Ladungsträgern in n- und p-Typ Sb2Se3
- Autoren: F. Herklotz, E. V. Lavrov, T. D. C. Hobson, T. P. Shalvey, J. D. Major, K. Durose
- Klassifizierung: cond-mat.mtrl-sci (Kondensierte Materie – Materialwissenschaften)
- Veröffentlichungsdatum: 17. Oktober 2025
- Papierlink: https://arxiv.org/abs/2510.14554
Dieses Papier berichtet über persistente Photoleitfähigkeit, die in mit Cd oder Zn dotierten p-Typ Sb2Se3-Einkristallen beobachtet wurde. Bei Temperaturen unterhalb von etwa 25 K bleibt die erhöhte Leitfähigkeit mehrere Stunden nach Beendigung der Beleuchtung bestehen. Durch vergleichende Transport- und Infrarotabsorptionsmessungen mit n-Typ Cl-dotierten Proben wird festgestellt, dass der Lochtransport in Sb2Se3 wesentlich stärker durch intrinsische Ladungsträgerstreuung beeinflusst wird als der Elektronentransport. Diese Ergebnisse deuten auf eine grundlegende Asymmetrie in der Ladungsträgerdynamik hin und unterstreichen die potenzielle Rolle von Polaroneneffekten bei der Begrenzung der Lochmobilität in diesem quasi-eindimensionalen Halbleiter.
Diese Studie befasst sich hauptsächlich mit der Asymmetrie der Elektron- und Lochtransportmechanismen im Halbleiter Sb2Se3, insbesondere mit dem Einfluss von Polaroneneffekten auf die Ladungsträgermobilität.
- Breite Anwendungsperspektiven: Sb2Se3 zeigt großes Potenzial in Photovoltaik, photoelektrochemischen Geräten, Photodetektoren und thermoelektrischen Geräten
- Besondere Struktureigenschaften: Seine quasi-eindimensionale Kristallstruktur besteht aus kovalent gebundenen Sb4Se6n-Nanobändern, die durch Van-der-Waals-Kräfte verbunden sind, was zu starker Anisotropie führt
- Leistungsengpässe: Die niedrige Leerlaufspannung von Photovoltaikgeräten wird hauptsächlich auf niedrige Ladungsträgerkonzentration und Rekombinationsverluste zurückgeführt
- Die tatsächliche Auswirkung von Polaroneneffekten in Sb2Se3 ist noch umstritten
- Es fehlt ein systematischer Vergleich der Ladungsträgertransportmechanismen zwischen p-Typ und n-Typ Proben
- Die Selbsteinfangung von Polaronen ist grundsätzlich schwer zu beseitigen und erfordert ein tieferes Verständnis des Mechanismus
Durch vergleichende Untersuchung der Photoleitfähigkeit und Infrarotabsorptionseigenschaften von p-Typ und n-Typ Sb2Se3-Einkristallen sollen die Asymmetrien des Elektron-Loch-Transports aufgedeckt und eine theoretische Grundlage für die Geräteoptimierung geschaffen werden.
- Erstmalige Berichterstattung über persistente Photoleitfähigkeit in p-Typ Sb2Se3: Beobachtung des persistenten Photoleitfähigkeitseffekts bei niedriger Temperatur in mit Cd und Zn dotierten p-Typ-Einkristallen
- Aufdeckung der Asymmetrie des Ladungsträgertransports: Systematischer Vergleich zeigt, dass der Lochtransport stärker durch intrinsische Streumechanismen beeinflusst wird als der Elektronentransport
- Experimentelle Evidenz für Polaroneneffekte: Infrarotabsorptionsspektren zeigen stärkere Polaronenmerkmale in p-Typ Proben
- Etablierung von Struktur-Eigenschafts-Beziehungen: Verbindung der quasi-eindimensionalen Kristallstruktur mit der Asymmetrie der Ladungsträgerdynamik
- Wachstumsmethode: Vertikale Bridgman-Schmelzwachstumsmethode
- Dotierungstypen:
- n-Typ: Cl-Dotierung
- p-Typ: Cd-, Zn-Dotierung
- Kontrolle: undotiert, O-dotiert, Sn-dotiert
- Probenspezifikationen: Ingots mit 4 mm Durchmesser und 1–3 cm Länge, geschnitten zu 3×3 mm² b-orientierten Scheiben
- I-V-Charakteristiken: Messung mit Keithley 2601A in Zwei-Punkt-Sonden-Konfiguration
- Kontaktpräparation:
- n-Typ Proben: In-Kontakte (ohmsche Kontakte)
- p-Typ Proben: Au-Kontakte
- Hall-Effekt: Bestimmung des Ladungsträgertyps und der Konzentration
- Temperaturbereich: 18–200 K
- Infrarotabsorption: Bomem DA3.01 Fourier-Transform-Infrarotspektrometer
- Polarisationsauflösung: Verwendung von Liniengittern zur Polarisationsmessung entlang der a- und c-Achse
- Anregungslichtquelle: 150-W-Xenon-Bogenlampe, Leistungsdichte etwa 10 mW/cm²
- Detektorkonfiguration: Lichtstrahl propagiert entlang der b-Achse
- Temperaturkontrolle: Durchfluss-Helium-Kryostat, Temperaturbereich 18–200 K
- Optische Fenster: KBr-Außenfenster und ZnSe-Innenfenster für breitbandige Transmission
- Spektrale Auflösung: 1–2 cm⁻¹
- Heizrate: etwa 2 K/min
- p-Typ Cd-dotiert: Raumloch-Konzentration ~4×10¹⁵ cm⁻³, Mobilität 1–2 cm²/Vs
- n-Typ Cl-dotiert: Elektronenkonzentration und Mobilität etwa eine Größenordnung höher als p-Typ
- Temperaturabhängigkeit: Signifikante persistente Photoleitfähigkeit unterhalb von 25 K beobachtet
- Zeitliche Charakteristiken: Erhöhte Leitfähigkeit kann mehrere Stunden nach Beendigung der Beleuchtung anhalten
- Dotierungsabhängigkeit: Nur in Cl-, Cd- und Zn-dotierten Proben beobachtet, nicht in undotierten Proben
Aktivierungsenergien aus Arrhenius-Diagrammen:
- Cl-dotiert (n-Typ): ~170 meV (ClSe-Donator-Ionisierungsenergie)
- Cd-dotiert (p-Typ): ~350 meV
- Zn-dotiert (p-Typ): ~360 meV
- Undotiert: ~500 meV
- Zeigen typische Freiladeträger-Absorption: α ∝ ω⁻²·⁸
- Starke Polarisationsanisotropie: c-Achsen-Polarisationsabsorption etwa 4-mal stärker als a-Achse
- Konsistent mit Fermi-Flächen-Anisotropie der quasi-eindimensionalen Struktur
- Zeigen breites Plateau-Merkmal unterhalb von 420 cm⁻¹
- Fehlen ausgeprägter ω⁻ⁿ-Abhängigkeit
- Umgekehrte Polarisationsanisotropie: a-Achsen-Polarisation leicht stärker als c-Achse
- Gesamtabsorptionsintensität deutlich höher als n-Typ Proben
- Asymmetrie der Ladungsträgerdynamik: Qualitative Unterschiede im Photoleitfähigkeitsverhalten zwischen p-Typ und n-Typ Proben
- Unterschiede in Streumechanismen: Lochtransport zeigt stärkere intrinsische Streucharakteristiken
- Evidenz für Polaroneneffekte: Spektrale Merkmale von p-Typ Proben deuten auf Polaronenbildung hin
- Holstein-Modell und Emin-Theorie bieten Grundlagen zum Verständnis von Polaroneneffekten
- In polaren Halbleitern kann starke Elektron-Phonon-Wechselwirkung zur Bildung von kleinen und großen Polaronen führen
- Neuere theoretische und experimentelle Studien haben die Möglichkeit von Polaroneneffekten vorgeschlagen
- Der tatsächliche Ausmaß ihres Einflusses bleibt jedoch umstritten
- Diese Arbeit liefert neue experimentelle Evidenz für die Ladungsträgertyp-Abhängigkeit
- Ladungsträgertransport-Anisotropie aufgrund von Strukturanisotropie wurde in vielen Materialien beobachtet
- Diese Arbeit offenbart grundlegende Unterschiede zwischen Elektron- und Lochtransportmechanismen
- Persistente Photoleitfähigkeit in p-Typ Sb₂Se₃: Erstmalige Beobachtung dieses Phänomens in Cd/Zn-dotierten Proben
- Asymmetrie des Ladungsträgertransports: Lochtransport wird stärker durch intrinsische Streumechanismen beeinflusst als Elektronentransport
- Rolle von Polaroneneffekten: Infrarotspektren-Evidenz unterstützt die wichtige Rolle von Polaroneneffekten bei der Begrenzung der Lochmobilität
- Mechanismuserklärung: Weitere theoretische Berechnungen zur Unterstützung des Polaronen-Modells erforderlich
- Temperaturbereich: Hauptsächlich auf Niedertemperaturbereich konzentriert, Hochtemperaturverhalten erfordert weitere Untersuchung
- Quantitative Analyse: Fehlende quantitative Bewertung der Polaronen-Kopplungsstärke
- Tieferes Verständnis des Elektron-Phonon-Kopplungsmechanismus durch Kombination mit Berechnungen aus ersten Prinzipien
- Erforschung von Materialengineering-Methoden zur Verringerung von Polaroneneffekten
- Untersuchung des spezifischen Einflusses von Polaroneneffekten auf die Geräteleistung
- Strenge Experimentaldesign: Systematischer Vergleich von Proben verschiedener Dotierungstypen mit klarer Variablenkontrolle
- Umfassende technische Methoden: Kombination von elektrischen und optischen Messungen mit gegenseitiger Validierung
- Wichtige Entdeckungen: Aufdeckung der Asymmetrie des Ladungsträgertransports mit wichtiger Bedeutung für das Verständnis der intrinsischen Materialeigenschaften
- Hohe Datenqualität: Hochwertige Einkristallproben und hohe Messgenauigkeit
- Begrenzte theoretische Analyse: Mangel an tiefgreifenden theoretischen Modellen zur Erklärung der beobachteten Phänomene
- Unzureichende Mechanismusdiskussion: Weniger Diskussion über Mikromechanismen der Polaronenbildung
- Begrenzte Anwendungsorientierung: Unzureichende Diskussion über die Nutzung dieser Erkenntnisse zur Verbesserung der Geräteleistung
- Akademischer Wert: Bietet wichtige experimentelle Grundlagen zum Verständnis der Ladungsträgerdynamik in quasi-eindimensionalen Halbleitern
- Anwendungsperspektiven: Bietet Orientierung zur Optimierung von Sb₂Se₃-basierten Geräten
- Methodologischer Beitrag: Stellt experimentelle Methoden zur Untersuchung der Asymmetrie des Ladungsträgertransports bereit
- Grundlagenforschung in Halbleiterphysik
- Optimierung von Photovoltaikgeräten
- Ladungsträgertransportforschung in quasi-eindimensionalen Materialien
- Experimentelle Validierung von Polaroneneffekten
Das Papier zitiert 29 relevante Referenzen, die Anwendungen von Sb₂Se₃, Polaronentheorie, Ladungsträgertransport und andere Schlüsselbereiche abdecken und eine solide theoretische Grundlage und experimentelle Vergleiche für die Forschung bieten.
Gesamtbewertung: Dies ist ein hochqualitatives experimentelles Physik-Papier, das durch sorgfältig gestaltete Vergleichsexperimente eine wichtige Asymmetrie des Ladungsträgertransports in Sb₂Se₃$ aufdeckt und einen wichtigen Beitrag zum Verständnis der intrinsischen Eigenschaften dieses quasi-eindimensionalen Halbleiters leistet. Obwohl es Raum für Verbesserungen in der theoretischen Erklärung gibt, haben die experimentellen Erkenntnisse selbst wichtigen wissenschaftlichen Wert und Anwendungsbedeutung.