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Effect of the Lattice-distortion on the Electronic Structure, Magnetic Anisotropy, and Hall Conductivities of the CoFeCrGa Spin Gapless Semiconductor: A First-Principles Study

Kumar, Chaudhary, Chandra
Spin gapless semiconductors (SGSs), novel quantum materials, are notable for their tunable spin-transport properties. Considering that the SGS materials might have an invariably deformed lattice upon integration into devices, and given that the SGS nature is highly sensitive to external factors, the impact of lattice distortions on the different physical properties of CoFeCrGa SGS alloy has been investigated using density functional theory calculations. For lattice distortions, the uniform strain corresponding to $-6\% \leq ΔV / V_0 \leq 6\% \quad (a: 5.60\text{-}5.83~\textÅ)$, and the tetragonal distortion corresponding to $0.8 \leq c/a \leq 1.2 \quad (a: 5.38\text{-}6.16~\textÅ,~c: 4.92\text{-}6.45~\textÅ)$ are modelled. All uniformly strained CoFeCrGa structures are found to display SGS character, magnetic isotropy, small anomalous Hall conductivity (AHC), and small spin Hall conductivity (SHC) - closely resembling those of the ideal CoFeCrGa structure. In contrast, the tetragonally deformed structures display nearly half-metallic behavior with very high spin polarization, very large magnetic anisotropy ($ \sim 10^6~\mathrm{J/m^3}$), and very large AHC ranging from ($ -215 \text{ to } 250~\mathrm{S/cm} $) depending on the axial ratio of the distorted structure. The SHC, however, does not change significantly under tetragonal distortion and remains nearly of the same order as that of the Y-I ordered structure. In summary, these findings demonstrate that CoFeCrGa displays favorable spintronic properties even under lattice distortions, underscoring its potential for next-generation spintronic applications.
academic

Efecto de la Distorsión de la Red en la Estructura Electrónica, Anisotropía Magnética y Conductividades de Hall del Semiconductor sin Brecha de Espín CoFeCrGa: Un Estudio de Primeros Principios

Información Básica

  • ID del Artículo: 2411.06520
  • Título: Effect of the Lattice-distortion on the Electronic Structure, Magnetic Anisotropy, and Hall Conductivities of the CoFeCrGa Spin Gapless Semiconductor: A First-Principles Study
  • Autores: Amar Kumar (IIT Delhi), Sujeet Chaudhary (IIT Delhi), Sharat Chandra (IGCAR)
  • Clasificación: cond-mat.mtrl-sci (Física de la Materia Condensada - Ciencia de Materiales)
  • Fecha de Publicación: Noviembre de 2024
  • Enlace del Artículo: https://arxiv.org/abs/2411.06520

Resumen

Este estudio investiga sistemáticamente mediante cálculos de teoría del funcional de la densidad (DFT) el efecto de la distorsión de la red en la estructura electrónica, anisotropía magnética y conductividades de Hall del semiconductor sin brecha de espín (SGS) CoFeCrGa. La investigación considera dos modos de distorsión de la red: deformación uniforme (-6% ≤ ΔV/V₀ ≤ 6%) y distorsión tetragonal (0.8 ≤ c/a ≤ 1.2). Los resultados demuestran que la estructura CoFeCrGa bajo deformación uniforme mantiene sus características SGS, isotropía magnética y conductividades de Hall anómala (AHC) y de Hall de espín (SHC) reducidas. En contraste, las estructuras con distorsión tetragonal exhiben comportamiento casi semimetálico, con polarización de espín extremadamente alta, anisotropía magnética gigante (~10⁶ J/m³) y AHC significativamente mejorada (-215 a 250 S/cm).

Antecedentes de Investigación y Motivación

Contexto del Problema

  1. Demanda de Materiales de Espintrónica: Los dispositivos de espintrónica modernos requieren materiales magnéticos con alta polarización de espín, temperatura de Curie elevada, gran anisotropía magnética y conductividades de Hall grandes.
  2. Limitaciones de Materiales Existentes:
    • Las aleaciones CoFeB presentan débil anisotropía magnética perpendicular en interfaces con barreras de túnel
    • Las aleaciones Heusler tetragonales muestran magnetorresistencia de túnel reducida
    • Los materiales de perovskita son estructuralmente inestables en forma de película delgada
    • Las aleaciones Heusler cúbicas presentan baja polarización de espín experimental e isotropía magnética
  3. Ventajas de Materiales SGS:
    • Temperatura de Curie más alta que semiconductores magnéticos
    • Pueden proporcionar simultáneamente portadores de electrones y huecos con polarización de espín del 100%
    • Energía de excitación baja para transporte de alta eficiencia
    • Longitud de difusión de portadores larga, permitiendo transporte de espín eficiente

Motivación de la Investigación

CoFeCrGa, como material SGS de aleación Heusler cuaternaria recientemente descubierto, posee temperatura de Curie elevada (>600 K) y momento magnético (~2.0 μB/f.u.). Sin embargo, durante la integración en dispositivos inevitablemente experimenta distorsión de la red, y las propiedades SGS son altamente sensibles a factores externos. Por lo tanto, el estudio sistemático del efecto de la distorsión de la red en sus propiedades físicas es crucial para el diseño de dispositivos.

Contribuciones Principales

  1. Marco de Investigación Sistemática: Primera investigación integral del efecto de la deformación uniforme y distorsión tetragonal en múltiples propiedades físicas de la aleación SGS CoFeCrGa
  2. Verificación del Funcional de Correlación-Intercambio: Mediante comparación de métodos GGA y GGA+U, se determina que GGA es más apropiado para estudiar las propiedades físicas de CoFeCrGa
  3. Descubrimiento de Estabilidad de Estructura Electrónica: Se demuestra que la característica SGS de CoFeCrGa es robusta bajo deformación uniforme, pero se transforma a semimetalicidad bajo distorsión tetragonal
  4. Mecanismo de Control de Anisotropía Magnética: Se revela la anisotropía magnética gigante inducida por distorsión tetragonal (~10⁶ J/m³) y su carácter bipolar
  5. Control de Propiedades de Transporte de Hall: Se descubre que la distorsión tetragonal puede mejorar significativamente la conductividad de Hall anómala, proporcionando nuevos medios de control para aplicaciones de espintrónica

Detalles de Metodología

Método de Cálculo

Este estudio emplea cálculos de teoría del funcional de la densidad (DFT) basados en ondas planas y pseudopotenciales, utilizando el paquete de software QUANTUM ESPRESSO.

Parámetros Técnicos

  • Funcional de Correlación-Intercambio: Aproximación de Gradiente Generalizado (GGA) - parametrización PBE
  • Corte de Energía: 350 Ry
  • Malla de Puntos k: 15×15×15 (celda cúbica ordenada Y-I de 16 átomos)
  • Criterios de Convergencia:
    • Fuerzas atómicas < 10⁻³ Ry/Bohr
    • Cambio de energía total < 10⁻⁶ Ry

Modelado de Distorsión de la Red

Deformación Uniforme

  • Rango de Deformación: -6% ≤ ΔV/V₀ ≤ 6%
  • Parámetros de Red: 5.60-5.83 Å
  • Significado Físico: Simula efectos de estrés isótropo durante integración en dispositivos

Distorsión Tetragonal

  • Rango de Relación Axial: 0.8 ≤ c/a ≤ 1.2
  • Restricción de Volumen: Se mantiene el volumen V₀ de la fase cúbica optimizada
  • Parámetros de Red: a = 5.38-6.16 Å, c = 4.92-6.45 Å

Cálculo de Propiedades Físicas

Energía de Anisotropía Magnética Cristalina (MCA)

Se calcula utilizando el teorema de fuerzas magnéticas:

MCA = E_band[100] - E_band[001]
K_MCA = MCA/V

Anisotropía Magnética de Forma (MSA)

Se calcula mediante método de suma directa de interacciones dipolo-dipolo:

MSA = E_dip[100] - E_dip[001]

Conductividades de Hall

Se utilizan funciones de Wannier maximalmente localizadas (MLWF) y la fórmula de Kubo para calcular conductividad de Hall anómala (AHC) y conductividad de Hall de espín (SHC).

Resultados Experimentales

Verificación del Funcional de Correlación-Intercambio

MétodoParámetro de Red (Å)Momento Magnético (μB/f.u.)Característica SGSPolarización de Espín
GGA5.722.00Sí92.33%
GGA+U6.489.33No33.14%
Valor Experimental5.792.01Sí-

Los resultados de cálculo del método GGA concuerdan altamente con valores experimentales, por lo que se selecciona GGA como funcional de correlación-intercambio para cálculos posteriores.

Efectos de Deformación Uniforme

Estabilidad de Estructura Electrónica

  • Mantenimiento de Característica SGS: Todas las estructuras con deformación uniforme (-6% ≤ ΔV/V₀ ≤ 6%) mantienen la característica SGS
  • Estabilidad del Momento Magnético: El momento magnético total se mantiene en 2.00 μB/f.u.
  • Polarización de Espín: ~100% bajo deformación negativa, ~50% bajo deformación positiva (1-5%), recuperándose a ~100% bajo máxima deformación positiva (6%)

Energía de Formación Relativa

La energía de formación relativa de estructuras con deformación uniforme es muy pequeña (≲ 0.1 eV/f.u.), indicando que estas estructuras se forman fácilmente experimentalmente.

Efectos de Distorsión Tetragonal

Transición de Estructura Electrónica

  • Transición SGS→Semimetálica: Incluso pequeñas distorsiones tetragonales destruyen la característica SGS
  • Alta Polarización de Espín: Estructuras con pequeña distorsión (0.90 ≤ c/a ≤ 1.10) muestran ~90% de polarización de espín
  • Aumento de Metalicidad: Distorsiones grandes (|Δc/a| ≥ 0.10) conducen a propiedades metálicas dominantes

Anisotropía Magnética

La distorsión tetragonal induce anisotropía magnética cristalina gigante:

  • Estructuras Comprimidas (c/a < 1.0): Anisotropía magnética en el plano, MCA = -0.17 a -2.07×10⁶ J/m³
  • Estructuras Estiradas (c/a > 1.0): Anisotropía magnética perpendicular, MCA = 0.10 a 1.64×10⁶ J/m³
  • Característica Bipolar: MCA muestra cambio bipolar claro con la relación axial

Control de Conductividades de Hall

  • Mejora Significativa de AHC: Bajo distorsión tetragonal, el rango de AHC es -215 a 250 S/cm, mucho más alto que los -30 S/cm de la estructura cúbica
  • Estabilidad de SHC: El cambio de SHC bajo distorsión tetragonal es pequeño, manteniéndose a nivel comparable con la estructura ordenada Y-I

Análisis de Contribuciones Atómicas y Orbitales

  • Contribución Principal a MCA: Orbitales d de metales de transición y orbitales p de Ga
  • Especificidad Orbital: En diferentes estructuras distorsionadas, orbitales específicos (como Co-d_z², Fe-d_xy, etc.) contribuyen significativamente a MCA
  • Redistribución Electrónica: La redistribución de estados electrónicos cerca del nivel de Fermi es el mecanismo microscópico del cambio de MCA

Trabajos Relacionados

Estado Actual de Investigación de Materiales SGS

  • Predicción Teórica: En la última década se han predicho mediante cálculos de primeros principios numerosos materiales SGS
  • Verificación Experimental: Múltiples materiales SGS han sido verificados experimentalmente, incluyendo Cr₃Al, V₃Al, FeMnGa, etc.
  • Ventaja Cuaternaria: Las aleaciones Heusler cuaternarias SGS tienen mayor capacidad de ajuste que las binarias o ternarias

Historial de Investigación de CoFeCrGa

  • Primera Predicción: Predicción teórica inicial por Gao et al.
  • Verificación Experimental: Primera síntesis experimental y confirmación de característica SGS por Bainsla et al.
  • Estabilidad de Película Delgada: Mishra et al. demostraron que mantiene característica SGS en forma de película delgada

Investigación de Distorsión de la Red

Las investigaciones existentes se concentran principalmente en efectos de distorsión en otras aleaciones Heusler; este es el primer estudio sistemático de CoFeCrGa.

Conclusiones y Discusión

Conclusiones Principales

  1. Estabilidad bajo Deformación: La característica SGS de CoFeCrGa muestra buena robustez bajo deformación uniforme, lo cual es muy favorable para aplicaciones prácticas en dispositivos
  2. Control por Distorsión: La distorsión tetragonal puede transformar SGS a semimetálica e inducir anisotropía magnética gigante y conductividades de Hall mejoradas
  3. Anisotropía Magnética Bipolar: Mediante control de la relación c/a se puede lograr ajuste preciso de anisotropía magnética en el plano o perpendicular
  4. Guía para Diseño de Dispositivos: La investigación proporciona orientación teórica importante para el diseño y aplicación de dispositivos de espintrónica basados en CoFeCrGa

Perspectivas de Aplicación Práctica

Estrategias de Integración en Dispositivos

  • Sustrato GaAs: Puede inducir anisotropía magnética perpendicular (PMA)
  • Sustrato MgO: Puede inducir anisotropía magnética en el plano (IMA)
  • Ingeniería de Deformación: Mediante control de condiciones de crecimiento se logra la orientación magnética deseada

Ventajas de Desempeño

  • Alta Estabilidad Térmica: La anisotropía magnética gigante asegura alta estabilidad térmica del dispositivo
  • Alta Densidad de Almacenamiento: La anisotropía magnética perpendicular favorece almacenamiento de datos de alta densidad
  • Bajo Consumo de Energía: La característica SGS favorece transporte de espín de bajo consumo

Limitaciones

  1. Precisión de Cálculo: Los cálculos DFT contienen aproximaciones inherentes; los valores reales pueden diferir de los calculados
  2. Efectos de Temperatura: El estudio solo considera propiedades a 0K, sin incluir efectos de temperatura finita
  3. Efectos de Interfaz: No se consideran efectos de interfaz y defectos en dispositivos reales
  4. Estabilidad Dinámica: No se realizaron cálculos de fonones para verificar estabilidad dinámica de estructuras distorsionadas

Direcciones Futuras

  1. Verificación Experimental: Se requiere investigación experimental para verificar predicciones teóricas de efectos de distorsión
  2. Ingeniería de Interfaz: Investigar propiedades de interfaz de CoFeCrGa con diferentes materiales
  3. Efectos de Defectos: Considerar influencia de defectos puntuales en propiedades SGS
  4. Simulación de Dispositivos: Realizar simulación de desempeño a nivel de dispositivo basada en propiedades de materiales

Evaluación Profunda

Fortalezas

  1. Completitud de Investigación: Estudio sistemático de dos modos principales de distorsión en múltiples propiedades físicas, contenido de investigación completo y profundo
  2. Rigor Metodológico:
    • Verificación previa de confiabilidad del método de cálculo
    • Adopción de pruebas de convergencia apropiadas
    • Configuración razonable de modelos físicos
  3. Credibilidad de Resultados:
    • Resultados de cálculo altamente concordantes con datos experimentales existentes
    • Explicación clara y razonable de mecanismos físicos
    • Resultados numéricos con significancia estadística
  4. Valor Práctico: Proporciona orientación teórica importante para diseño de dispositivos de espintrónica basados en CoFeCrGa
  5. Innovación Técnica:
    • Primer estudio sistemático de efectos de distorsión en CoFeCrGa
    • Revelación de mecanismo de control de anisotropía magnética inducida por distorsión
    • Descubrimiento de capacidad de ajuste de conductividades de Hall

Insuficiencias

  1. Limitaciones Teóricas:
    • Solo considera magnetismo colineal, sin incluir estructuras magnéticas no colineales
    • Cálculos a 0K, carencia de efectos de temperatura finita
    • No se consideran efectos de acoplamiento magnón-fonón
  2. Ausencia Experimental:
    • Falta de verificación experimental, especialmente síntesis de estructuras distorsionadas
    • Sin comparación experimental con otros materiales SGS
  3. Limitaciones de Aplicación:
    • No se consideran efectos de interfaz en dispositivos reales
    • Carencia de evaluación de desempeño a nivel de dispositivo
    • Sin discusión de viabilidad de procesos de fabricación
  4. Detalles de Cálculo:
    • El cálculo de MSA mediante método de suma directa puede tener problemas de precisión
    • No se realizaron cálculos de fonones para verificar estabilidad dinámica

Evaluación de Impacto

  1. Contribución Académica:
    • Proporciona base teórica importante para ingeniería de deformación de materiales SGS
    • Enriquece teoría de control magnético de aleaciones Heusler
    • Ofrece nuevas perspectivas para diseño de materiales de espintrónica
  2. Valor Práctico:
    • Guía diseño y síntesis de dispositivos basados en CoFeCrGa
    • Proporciona base de materiales para desarrollo de dispositivos de espintrónica de alto desempeño
    • Contribuye a realización de dispositivos de almacenamiento magnético de alto desempeño
  3. Reproducibilidad:
    • Descripción detallada de método de cálculo y parámetros
    • Uso de paquete de software de código abierto
    • Resultados con buena reproducibilidad

Escenarios de Aplicación

  1. Dispositivos de Almacenamiento Magnético: Utilización de anisotropía magnética ajustable para almacenamiento de alta densidad y bajo consumo
  2. Dispositivos de Lógica de Espín: Utilización de característica SGS para transporte y manipulación de espín eficiente
  3. Sensores Magnéticos: Utilización de efecto de Hall mejorado para detección de campo magnético de alta sensibilidad
  4. Emisores de Terahertz: Utilización de conductividad de Hall anómala grande para emisión de ondas de terahertz

Referencias

Este artículo cita 75 referencias relacionadas, abarcando múltiples campos de investigación incluyendo materiales SGS, aleaciones Heusler, anisotropía magnética y efecto de Hall, proporcionando base teórica sólida para la investigación.

Evaluación General: Este es un artículo de investigación teórica de alta calidad que sistemáticamente revela los mecanismos del efecto de la distorsión de la red en las propiedades del material SGS CoFeCrGa, proporcionando orientación teórica importante para diseño y aplicación de dispositivos relacionados. La metodología de investigación es rigurosa, los resultados son confiables, y posee importante valor académico y perspectivas de aplicación.