Grabado de capa atómica de SiO$_2$ utilizando SF$_6$ gaseoso secuencial y plasma de Ar

Información Básica

• ID del Artículo: 2412.20653
• Título: Atomic layer etching of SiO$_2$ using sequential SF$_6$ gas and Ar plasma
• Autores: Jun Peng, Rakshith Venugopal, Robert Blick, Robert Zierold
• Clasificación: cond-mat.mtrl-sci (Física de la Materia Condensada - Ciencia de Materiales)
• Instituciones: Centro de Nanoestructuras Híbridas de la Universidad de Hamburgo, Instituto Alemán de Aceleradores de Electrones Síncronos (DESY)
• Enlace del Artículo: https://arxiv.org/abs/2412.20653

Resumen

Con el continuo desarrollo de la tecnología de semiconductores, la demanda de procesos de capa atómica ha impulsado innovaciones que desempeñan un papel crucial en la miniaturización continua de dispositivos. Entre estos, el grabado de capa atómica (ALE) ha recibido una atención cada vez mayor debido a su control preciso de la eliminación de material a nivel atómico. Aunque algunos procesos ALE térmicos han logrado controlabilidad de grabado subnano, los procesos ALE prácticos actuales que implican pasos de plasma sufren de tasas de grabado excesivas debido a la falta de semirreacciones ALE altamente sinérgicas. Para superar esta limitación, este estudio desarrolló un proceso ALE para grabar dióxido de silicio (SiO$_2$) en obleas de silicio utilizando exposición secuencial de hexafluoruro de azufre (SF$_6$) gaseoso y grabado con plasma de argón (Ar) cerca de temperatura ambiente, logrando una tasa de grabado estable y consistente de aproximadamente 1,4 Å/ciclo. En este proceso, ninguna de las dos semirreacciones produce grabado por sí sola; el grabado solo ocurre cuando ambas se repiten secuencialmente, lo que significa un efecto sinérgico del 100%.

Antecedentes de Investigación y Motivación

Definición del Problema

1. Problema Central: Los procesos ALE asistidos por plasma existentes sufren de tasas de grabado excesivas y sinergia insuficiente, lo que dificulta el logro del control preciso a nivel atómico.
2. Importancia:
   • A medida que la Ley de Moore se acerca a sus límites, la fabricación de semiconductores requiere técnicas de procesamiento más precisas a nivel atómico
   • ALE ya se ha aplicado en dispositivos lógicos de nodo tecnológico de 10 nm
   • Los dispositivos nanoelectrónicos emergentes, como los dispositivos cuánticos, tienen una demanda creciente de grabado preciso
3. Limitaciones de Métodos Existentes:
   • Aunque ALE térmico puede lograr control subnano, sus características de grabado isotrópico limitan las aplicaciones
   • Aunque ALE de plasma tiene buena directividad, su efecto sinérgico es débil (~80%) y la tasa de grabado es excesiva
   • Falta de semirreacciones ALE altamente sinérgicas
4. Motivación de la Investigación: Desarrollar un proceso de grabado de SiO$_2$ que combine la precisión de ALE térmico con la directividad de ALE de plasma, logrando un efecto sinérgico del 100% y control a nivel atómico.

Contribuciones Principales

1. Desarrollo de un Nuevo Proceso ALE: Se propone un método de grabado de capa atómica de SiO$_2$ utilizando SF$_6$ gaseoso secuencial y plasma de Ar, logrando una tasa de grabado estable de 1,4 Å/ciclo
2. Logro de Sinergia del 100%: Se demuestra que las semirreacciones individuales no producen grabado, siendo efectivo solo cuando se combinan secuencialmente, alcanzando sinergia perfecta
3. Determinación de la Ventana de Proceso: Se identifican la ventana de temperatura (temperatura ambiente ~40°C) y la ventana de potencia de plasma (50-100 W), proporcionando orientación para la optimización del proceso
4. Verificación de Grabado Direccional: Mediante caracterización morfológica de microcolumnas y estructuras de poros, se demuestra que el proceso posee excelentes características de grabado anisotrópico
5. Provisión de Solución Escalable: Utilizando equipos RIE comerciales y gases comunes, el proceso posee buena escalabilidad y practicidad

Explicación Detallada de Métodos

Definición del Proceso

Entrada: Oblea de SiO$_2$/Si Salida: Superficie de SiO$_2$ grabada con precisión a nivel atómico Restricciones: Operación a temperatura ambiente, control de grabado a nivel subnano

Arquitectura del Proceso

Proceso de Ciclo de Cuatro Pasos

1. Paso de Modificación de Superficie: Las moléculas de SF$_6$ se adsorben de manera autolimitante en la superficie del sustrato expuesto
2. Paso de Purga: Se eliminan moléculas excesivas, dejando una capa delgada de SF$_6$ en la superficie de SiO$_2$
3. Paso de Eliminación: El plasma de Ar se activa, produciendo iones Ar$^+$ y electrones libres
4. Paso de Purga: Se purga nuevamente la cámara de reacción, dejando una nueva superficie de SiO$_2$

Mecanismo de Reacción

• El plasma de SF$_6$ genera especies reactivas: SF$_5^+$, SF$_4^{2+}$, radicales F
• Los radicales F reaccionan con SiO$_2$ generando subproductos volátiles SiF$_4$
• La adsorción autolimitante de SF$_6$ asegura que solo se grabe una monocapa de superficie

Puntos de Innovación Técnica

1. Combinación Única de Gases: Primera vez que se utiliza la combinación de gas SF$_6$ puro y plasma de Ar, evitando la complejidad de los compuestos fluorocarbonados tradicionales
2. Diseño de Sinergia Perfecta:
   • α (contribución única de SF$_6$) = 0
   • β (contribución única de plasma de Ar) = 0
   • Efecto sinérgico S = 100%
3. Operación a Temperatura Ambiente: En comparación con otros procesos ALE que requieren alta temperatura, este método funciona efectivamente cerca de temperatura ambiente
4. Característica Autolimitante: La dosis de SF$_6$ alcanza saturación a 25 sccm·s, demostrando la característica de adsorción autolimitante

Configuración Experimental

Preparación de Muestras

• Sustrato: Obleas de SiO$_2$(300 nm)/Si de 4 pulgadas, cortadas en muestras de 1×1 cm
• Limpieza: Limpieza con acetona, isopropanol y agua desionizada
• Equipo: Sistema comercial de grabado por iones reactivos (SenTech SI 500)

Parámetros Estándar del Proceso

• Temperatura: 23°C constante
• Presión: Presión de trabajo de 1 Pa
• Flujo de Gas: Flujo continuo de 100 sccm de Ar, pulso de 20 sccm de SF$_6$ durante 5 segundos
• Plasma: Potencia ICP de 100 W, 60 segundos
• Tiempo de Purga: 30 segundos

Métodos de Caracterización

• Medición de Espesor: Elipsometría (SenTech), utilizando modelo de Cauchy
• Caracterización Morfológica: Microscopía Electrónica de Barrido (Zeiss Crossbeam 550)
• Medición de Rugosidad: Microscopía de Fuerza Atómica (AFM, Dimension)
• Fabricación de Patrones: Sistema de litografía de haz de electrones (Raith)

Indicadores de Evaluación

• Grabado por Ciclo (EPC): Å/ciclo
• Efecto Sinérgico: S = (EPC-(α+β))/EPC × 100%
• Rugosidad de Superficie: Valor Ra
• Uniformidad: Desviación estándar dentro de la oblea

Resultados Experimentales

Resultados Principales

Rendimiento de Grabado

• EPC: 1,4 Å/ciclo, ajuste lineal R² ≈ 0,999
• Efecto Sinérgico: S = 100% (α = 0, β = 0)
• Uniformidad: Desviación estándar ~0,5 nm en región de 4×4 cm
• Calidad de Superficie: Ra ≈ 0,7 nm, manteniendo baja rugosidad

Comparación con Tecnología Existente

El EPC de este proceso (1,4 Å/ciclo) es significativamente superior a los métodos ALE de plasma reportados en la última década:

• Plasma de C$_4$F$_8$/Ar: 1,9-20 Å/ciclo
• Plasma de CHF$_3$/Ar: 4,0-15 Å/ciclo
• La precisión de este proceso es comparable a la de ALE térmico (0,027-0,52 Å/ciclo)

Caracterización de la Ventana de Proceso

Ventana de Temperatura

• Intervalo Estable: Temperatura ambiente ~40°C, EPC se mantiene estable
• Decaimiento de Alta Temperatura: >40°C, EPC disminuye gradualmente, posiblemente debido a desorción térmica de moléculas de SF$_6$

Ventana de Potencia

• Intervalo Efectivo: Potencia ICP de 50-100 W
• Baja Potencia: <50 W, energía insuficiente, EPC disminuye
• Alta Potencia: >100 W, EPC disminuye anómalamente, posiblemente debido a dilución de concentración de radicales F y dispersión elástica

Verificación de Grabado Direccional

Experimento de Microcolumnas

• Diámetro de Columna: 600 nm, altura ~91 nm
• Resultado de Grabado: Después de 450 ciclos, la altura de la columna se mantiene sin cambios (89,6±1,00 nm), sin cambio de diámetro
• Grabado Vertical: Espesor total grabado de 62 nm, relación anisotrópica >27:1

Experimento de Estructuras de Poros

• Diámetro de Poro: 0,6 μm y 1,2 μm
• Resultado: El diámetro del poro se mantiene sin cambios durante el proceso de grabado, confirmando características direccionales

Experimentos de Ablación

Prueba de Paso Único

1. Solo Exposición a SF$_6$: EPC ≈ 0, sin efecto de grabado
2. Solo Plasma de Ar: EPC ≈ 0, sin pulverización física
3. Proceso Combinado: EPC = 1,4 Å/ciclo

Dependencia de Dosis

• Dosis de SF$_6$: Saturación a 25 sccm·s, demostrando característica autolimitante
• Tiempo de Plasma: 60 segundos como parámetro óptimo

Trabajos Relacionados

Desarrollo de Tecnología ALE

1. Historia: Concepto de ALE propuesto por primera vez en 1988 para grabado de diamante
2. ALE Térmico: Lee y George reportaron el primer ALE de Al$_2$O$_3$ térmico en 2015
3. ALE de Plasma: Ampliamente aplicado pero con efecto sinérgico no ideal

Estado Actual de la Investigación de ALE de SiO$_2$

1. Métodos ALE Térmicos: Utilizando trimetilaluminio como precursor, EPC <1 Å/ciclo
2. Métodos de Plasma: Utilizando compuestos fluorocarbonados para modificar superficie, EPC 2-20 Å/ciclo
3. Grabado Térmico Infrarrojo: Método ALE que combina efectos térmicos

Ventajas de Este Trabajo

1. Mayor Precisión: Alcanzar precisión de nivel ALE térmico en ALE de plasma
2. Mejor Sinergia: 100% vs ~80% tradicional
3. Proceso Más Simple: Evitar química fluorocarbonada compleja
4. Operación a Temperatura Ambiente: Reducir complejidad del proceso

Conclusiones y Discusión

Conclusiones Principales

1. Se desarrolló exitosamente un proceso ALE de SF$_6$/Ar plasma para SiO$_2$, logrando grabado estable de 1,4 Å/ciclo
2. Se logró un efecto sinérgico del 100%, demostrando la alta pureza del proceso
3. Se determinó la ventana de temperatura cerca de temperatura ambiente y ventana de potencia de 50-100 W
4. Se verificaron excelentes características de grabado direccional y calidad de superficie

Limitaciones

1. Limitación de Materiales: Actualmente solo se ha verificado en SiO$_2$, se requiere investigación adicional en otros materiales
2. Dependencia de Equipos: Se requiere sistema RIE con control preciso
3. Tasa de Grabado: Comparado con RIE tradicional, la tasa de ALE es más baja, afectando la eficiencia de producción
4. Consideración de Costos: El control preciso aumenta el costo del proceso

Direcciones Futuras

1. Expansión de Materiales: Explorar la aplicación de este método en otros materiales dieléctricos
2. Optimización del Proceso: Mejorar aún más la tasa de grabado y selectividad
3. Investigación de Mecanismos: Comprender profundamente el mecanismo de reacción del plasma de SF$_6$/Ar
4. Industrialización: Desarrollar parámetros de proceso adecuados para producción a gran escala

Evaluación Profunda

Fortalezas

1. Fuerte Innovación Técnica: Primera realización de ALE sinérgico del 100% con SF$_6$/Ar plasma
2. Diseño Experimental Riguroso: Verificación sistemática de efecto sinérgico y caracterización de ventana de proceso
3. Resultados Convincentes: Relación lineal R²≈0,999, buena reproducibilidad
4. Alto Valor Práctico: Utilizando equipos comerciales y gases comunes, fácil de promover

Deficiencias

1. Explicación de Mecanismo Insuficiente: La explicación para la disminución de EPC a alta potencia es relativamente especulativa
2. Falta de Investigación de Selectividad: No se aborda el grabado selectivo de diferentes materiales
3. Estabilidad a Largo Plazo: Falta de datos de estabilidad de ciclos a largo plazo
4. Rango de Temperatura Limitado: La ventana de proceso es relativamente estrecha

Impacto

1. Contribución Académica: Proporciona una nueva ruta de proceso para el campo de ALE
2. Valor Industrial: Proporciona una solución de grabado preciso para fabricación de semiconductores avanzada
3. Reproducibilidad: Los parámetros experimentales detallados facilitan la reproducción por otros grupos de investigación

Escenarios Aplicables

1. Fabricación de Dispositivos Cuánticos: Grabado preciso a nivel atómico de estructuras cuánticas
2. Dispositivos Lógicos Avanzados: Procesamiento de precisión de nodos tecnológicos por debajo de 10 nm
3. Dispositivos MEMS: Tratamiento de superficie de alta precisión para sistemas microelectromecánicos
4. Dispositivos Optoelectrónicos: Componentes ópticos con requisitos extremadamente altos de calidad de superficie

Referencias

Este artículo cita 37 referencias relacionadas, abarcando el historial de desarrollo de tecnología ALE, métodos de grabado de SiO$_2$ y química de plasma, proporcionando una base teórica sólida para la investigación.

Evaluación General: Este es un artículo de investigación de alta calidad en ciencia de materiales que realiza una contribución importante al campo del grabado de capa atómica. Este trabajo no solo logra un avance tecnológico, sino que también posee excelente valor práctico y perspectivas de industrialización.