HEMTs AlGaN/GaN con Compuerta Recesada Polaridad Ga sin Pasivación en Zafiro con 2.8 W/mm POUT y 26.8% PAE a 94 GHz

Información Básica

• ID del Artículo: 2510.08933
• Título: HEMTs AlGaN/GaN con Compuerta Recesada Polaridad Ga sin Pasivación en Zafiro con 2.8 W/mm POUT y 26.8% PAE a 94 GHz
• Autores: Ruixin Bai, Swarnav Mukhopadhyay, Michael Elliott, Ryan Gilbert, Jiahao Chen, Rafael A. Choudhury, Kyudong Kim, Yu-Chun Wang, Ahmad E. Islam, Andrew J. Green, Shubhra S. Pasayat, Chirag Gupta
• Instituciones: Universidad de Wisconsin-Madison, KBR, Laboratorio de Investigación de la Fuerza Aérea
• Clasificación: physics.app-ph
• Enlace del Artículo: https://arxiv.org/abs/2510.08933

Resumen

Este estudio presenta un dispositivo HEMT AlGaN/GaN de compuerta recesada sin pasivación con polaridad Ga basado en sustrato de zafiro, diseñado específicamente para aplicaciones en banda W. El dispositivo emplea una barrera de Al₀.₃₅Ga₀.₆₅N de 5.5 nm bajo la compuerta y una barrera de Al₀.₃₅Ga₀.₆₅N de 31 nm en la región de acceso de compuerta. El dispositivo logra una densidad de corriente de drenaje de 1.8 A/mm, una transconductancia máxima de 750 mS/mm y una relación de conmutación superior a 10⁷. La caracterización de pequeña señal revela una frecuencia de corte de ganancia de corriente de 127 GHz y una frecuencia máxima de oscilación de 203 GHz. En pruebas de extracción de carga a 94 GHz en onda continua, el dispositivo demuestra una densidad de potencia de salida de 2.8 W/mm y una eficiencia de potencia añadida (PAE) del 26.8%, siendo ambos valores los más altos reportados para HEMTs GaN con polaridad Ga en sustrato de zafiro, equiparables al desempeño de HEMTs GaN con polaridad Ga avanzados en sustrato de SiC.

Antecedentes de Investigación y Motivación

Definición del Problema

La banda W (75-110 GHz) es crucial en sistemas de radar de alta resolución, comunicaciones satelitales y sistemas inalámbricos emergentes. Los dispositivos HEMT GaN convencionales enfrentan desafíos al intentar lograr operación de alta frecuencia y control efectivo de dispersión simultáneamente, siendo los problemas principales:

1. Problema de capacitancia parásita inducida por capa de pasivación gruesa: La capa de pasivación gruesa de los HEMTs GaN convencionales genera alta capacitancia parásita, obstaculizando la consecución simultánea de frecuencia de operación elevada y control efectivo de dispersión
2. Problema de costo del sustrato: El costo elevado del sustrato de SiC limita las aplicaciones a gran escala
3. Complejidad de dispositivos con polaridad N: Aunque los HEMTs GaN con polaridad N presentan desempeño superior, su crecimiento epitaxial y procesos de fabricación son más complejos que los dispositivos convencionales con polaridad Ga

Motivación de la Investigación

1. Reducción de costos: Utilizar sustrato de zafiro de bajo costo en lugar del costoso sustrato de SiC
2. Simplificación del proceso: Adoptar estructura con polaridad Ga presenta diseño epitaxial y procesos de fabricación más simples comparado con polaridad N
3. Avance en desempeño: Lograr desempeño en banda W comparable al sustrato de SiC en sustrato de zafiro

Contribuciones Principales

1. Primera demostración de desempeño excepcional en banda W de HEMT AlGaN/GaN con compuerta recesada sin pasivación con polaridad Ga basado en sustrato de zafiro
2. Diseño innovador de estructura epitaxial: Emplea capa barrera Al₀.₃₅Ga₀.₆₅N de 31 nm de espesor, logrando estructura de compuerta profundamente recesada sin incrementar la resistencia de lámina
3. Indicadores de desempeño récord: Logra densidad de potencia de salida de 2.8 W/mm y PAE del 26.8% a 94 GHz, siendo los valores más altos para HEMTs GaN con polaridad Ga en sustrato de zafiro
4. Diseño sin pasivación: Mediante estructura profundamente recesada logra control razonable de dispersión, evitando capacitancia parásita de capas dieléctricas adicionales

Explicación Detallada de Métodos

Diseño de Estructura de Dispositivo

Estructura de Capas Epitaxiales

• Sustrato: Capa amortiguadora GaN semi-aislante dopada con Fe en sustrato de zafiro
• Capa de canal: GaN no intencionalmente dopado (UID) de 1 μm
• Capa intermedia: AlN de 0.7 nm
• Capa barrera: Al₀.₃₅Ga₀.₆₅N de 31 nm

Parámetros Geométricos del Dispositivo

• Distancia fuente-drenaje (Lsd): 0.5 μm
• Distancia fuente-compuerta (Lsg): 100 nm
• Longitud de compuerta (Lg): 90 nm
• Espesor de barrera después de recesado: ~5.5 nm

Flujo de Proceso de Fabricación

1. Recrecimiento de región óhmica n+: Formación de contacto óhmico de baja resistencia
2. Aislamiento de mesa: Grabado reactivo iónico (RIE) con BCl₃/Cl₂
3. Deposición de máscara dura: SiO₂ de 200 nm como máscara dura
4. Definición de compuerta: Litografía de haz de electrones (EBL) para definir compuerta
5. Recesado de barrera: Grabado RIE con BCl₃/Cl₂ de baja potencia hasta espesor de 5.5 nm
6. Capa dieléctrica de compuerta: HfO₂ de 4 nm mediante deposición atómica de capas (ALD) a 250°C
7. Metal de compuerta: TiN de 50 nm, depositado mediante ALD a 275°C
8. Cabeza de compuerta en forma de T: Evaporación por haz de electrones de Cr/Au
9. Remoción de máscara dura: Grabado de óxido amortiguador (BOE)
10. Contacto óhmico: Evaporación por haz de electrones de Ti/Au

Puntos de Innovación Técnica

Diseño de Estructura Profundamente Recesada

Mediante grabado de la capa barrera original de 31 nm a 5.5 nm, se logra:

• Incremento de la relación de aspecto entre longitud de compuerta y distancia compuerta-canal
• Mejora de la capacidad de control de compuerta
• Creación de diferencia de voltaje de umbral entre región de compuerta y región de acceso de compuerta, compensando el efecto de compuerta virtual

Ventajas del Diseño sin Pasivación

• Eliminación de capacitancia parásita de capas dieléctricas adicionales
• Logro de frecuencia de corte más alta en longitud de compuerta dada
• Simplificación del proceso de fabricación

Configuración Experimental

Condiciones de Prueba

• Prueba de características DC: Medición estándar de características I-V
• Prueba de I-V pulsada: Ancho de pulso de 50 μs, ciclo de trabajo del 1%, polarización estática Vgsq=-3V, Vdsq=5V
• Prueba de parámetros S: De 100 MHz a 43.5 GHz, calibración SOLT
• Prueba de extracción de carga: 94 GHz en onda continua, calibración TRL

Indicadores de Evaluación

• Densidad de corriente de drenaje (ID)
• Transconductancia máxima (gm)
• Relación de conmutación (Ion/Ioff)
• Frecuencia de corte de ganancia de corriente (ft)
• Frecuencia máxima de oscilación (fmax)
• Densidad de potencia de salida (POUT)
• Eficiencia de potencia añadida (PAE)

Resultados Experimentales

Desempeño de Características DC

• Densidad de corriente de drenaje máxima: ~1.8 A/mm
• Resistencia de conducción: 0.41 Ω·mm
• Resistencia de contacto: ~0.1 Ω·mm (lograda mediante contacto óhmico recrecido)
• Transconductancia máxima: 0.75 S/mm
• Relación de conmutación: ~10⁷

Análisis de Resistencia de Lámina

La resistencia de lámina en la región recesada aumenta de ~250 Ω/□ a ~320 Ω/□, con incremento moderado dentro del rango aceptable.

Desempeño de Control de Dispersión

Las pruebas de I-V pulsada muestran:

• Solo ligero desplazamiento del punto de rodilla observado
• Sin colapso de corriente significativo
• Ligera degradación de corriente a bajo voltaje de drenaje (~15%), pero disminuye con aumento de Vds

Características de Alta Frecuencia

Bajo condiciones Vgs=-3V, Vds=6V:

• Frecuencia de corte de ganancia de corriente (ft): 127 GHz
• Frecuencia máxima de oscilación (fmax): 203 GHz

Desempeño de Potencia en Banda W

Resultados de prueba de extracción de carga a 94 GHz en onda continua:

Análisis Comparativo de Desempeño

Comparación con dispositivos HEMT GaN reportados en rango de 83-95 GHz:

• Superación de dispositivos N-polares tempranos en sustrato de zafiro
• Desempeño comparable a algunos dispositivos Ga-polares en sustrato de SiC
• Desempeño más alto para HEMTs GaN Ga-polares en sustrato de zafiro

Trabajo Relacionado

Desarrollo de HEMTs GaN con Polaridad N

• Sustrato de SiC: 8.84 W/mm potencia de salida, 27% PAE
• Sustrato de zafiro: 5.8 W/mm potencia de salida, 38% PAE
• Pero complejidad de fabricación elevada, fuerte afinidad por oxígeno

Estado Actual de HEMTs GaN con Polaridad Ga

• Desempeño excepcional en sustrato de SiC:
  • HEMT de canal de gradiente pre-emparejado: 2.94 W/mm, 37% PAE
  • HEMT de barrera ScAlN: 3.57 W/mm, 24.3% PAE
• Falta de resultados comparables en sustrato de zafiro

Desafíos de Estructura de Compuerta Recesada

En dispositivos Ga-polares convencionales, la capa de tapa GaN incrementa la resistencia de lámina, afectando desempeño RF; este trabajo resuelve este problema mediante diseño de capa barrera gruesa.

Conclusiones y Discusión

Conclusiones Principales

1. Demostración exitosa de HEMT AlGaN/GaN con compuerta recesada sin pasivación con polaridad Ga basado en sustrato de zafiro
2. Logro de desempeño récord de 2.8 W/mm densidad de potencia de salida y 26.8% PAE a 94 GHz
3. Demostración de capacidad efectiva de control de dispersión de estructura profundamente recesada bajo condiciones sin pasivación

Limitaciones

1. Brecha de desempeño con dispositivos N-polares más recientes: El desempeño de dispositivos N-polares más recientes en sustrato de zafiro sigue siendo superior
2. Efectos de auto-calentamiento: Las limitaciones de conductividad térmica del sustrato de zafiro requieren control de corriente de drenaje estática para mitigar auto-calentamiento
3. Efectos de canal corto: El dispositivo presenta algunos efectos de canal corto que afectan el desempeño

Direcciones Futuras

1. Optimización de proceso de fabricación: Optimización adicional de procesos de fabricación para reducir brecha de desempeño con dispositivos en sustrato de SiC
2. Mejora de gestión térmica: Desarrollo de técnicas mejoradas de gestión térmica para aprovechar plenamente el potencial del dispositivo
3. Optimización de estructura: Optimización continua de estructura epitaxial y parámetros geométricos del dispositivo

Evaluación Profunda

Fortalezas

1. Fuerte innovación técnica: Primera vez logrando tan alto desempeño en banda W de HEMT GaN Ga-polar en sustrato de zafiro
2. Alto valor práctico: Sustrato de bajo costo + proceso simplificado, con fuerte perspectiva de industrialización
3. Diseño experimental completo: Caracterización integral desde DC hasta alta frecuencia, de pequeña a gran señal
4. Análisis comparativo suficiente: Análisis detallado de comparación con tecnología existente

Insuficiencias

1. Profundidad limitada de análisis teórico: El análisis teórico del mecanismo de control de dispersión de estructura profundamente recesada podría ser más profundo
2. Ausencia de confiabilidad a largo plazo: Falta de datos de confiabilidad y estabilidad a largo plazo del dispositivo
3. Detalles de proceso insuficientes: Descripción de algunos parámetros críticos de proceso de fabricación no suficientemente detallada

Impacto

1. Contribución académica: Abre nuevo camino para dispositivos de onda milimétrica de alto desempeño y bajo costo
2. Valor industrial: Proporciona solución más rentable para aplicaciones comerciales de onda milimétrica
3. Inspiración técnica: Demuestra que diseño razonable puede lograr alto desempeño en sustrato de bajo costo

Escenarios Aplicables

1. Sistemas comerciales de comunicación en onda milimétrica: Aplicaciones a gran escala sensibles al costo
2. Sistemas de radar: Aplicaciones que requieren densidad de potencia elevada
3. Comunicaciones satelitales: Aplicaciones de amplificador de potencia en banda W

Referencias

El artículo cita 29 referencias relacionadas, cubriendo principalmente:

• Investigación fundamental de HEMTs GaN 1
• Desarrollo de tecnología GaN con polaridad N 2-8
• Dispositivos de potencia en banda W 9-29
• Investigación relacionada con física de dispositivos y procesos de fabricación

Evaluación General: Este es un artículo de investigación de física aplicada de alta calidad con contribuciones importantes tanto en innovación técnica como en valor práctico. Mediante diseño ingenioso de estructura y optimización de proceso, logra desempeño comparable al sustrato de alto costo en sustrato de bajo costo, proporcionando referencia importante para desarrollo de industrialización de dispositivos de onda milimétrica.