Ciencia abierta y colaborativa para la elaboración de un banco automatizado de caracterización de pérdidas en conmutación por oposición

Información Básica

• ID del Artículo: 2510.09725
• Título: Ciencia abierta y colaborativa para la elaboración de un banco automatizado de caracterización de pérdidas en conmutación por oposición
• Autores: Nicolas Rouger, Luiz Villa, Matthieu Masson, Pauline Kergus, Joseph Kemdeng, Lorenzo Leijnen, Jean Alinei, Adrien Colomb, Ayoub Farah-Hassan, Arnauld Biganzoli
• Clasificación: physics.ed-ph cs.SY eess.SY
• Conferencia de Publicación: SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2025), 1-3 JULIO 2025, TOULOUSE, FRANCIA
• Enlace del Artículo: https://arxiv.org/abs/2510.09725

Resumen

Las pérdidas de conmutación en transistores de potencia se miden convencionalmente mediante el método de doble pulso. La medición por oposición de dos unidades de conmutación es un método complementario más preciso pero indirecto. Sin embargo, la implementación de este método puede ser más compleja, requiriendo pasos de calibración y control exhaustivo, además de problemas de gestión térmica. En este contexto, los autores proponen abordar este problema mediante ciencia abierta y colaborativa, iniciando con un hackathon de dos días, seguido de reuniones mensuales abiertas. Más de 20 participantes contribuyeron al hackathon de dos días, con reuniones mensuales posteriores para aquellos que deseaban continuar colaborando. Esto permitió establecer un banco de pruebas automatizado, adoptando un enfoque de ciencia abierta, que incluye generación de comandos de conmutación, configuración y control de instrumentos de medición, así como componentes de hardware.

Antecedentes y Motivación de la Investigación

Problema Central

La medición precisa de las pérdidas de conmutación en transistores de potencia es un desafío técnico clave en el campo de la electrónica de potencia. Aunque el método tradicional de doble pulso se utiliza ampliamente, presenta limitaciones en precisión. El método de oposición, como método de medición más preciso, mide las pérdidas de potencia promedio mediante el funcionamiento opuesto de dos unidades de conmutación.

Importancia del Problema

1. Requisitos de Precisión: Con el desarrollo de dispositivos semiconductores de banda prohibida ancha como SiC y GaN, las velocidades de conmutación aumentan continuamente, requiriendo mayor precisión en la medición y resolución temporal, necesitando control de temporización a nivel de nanosegundos.
2. Desafíos de Gestión Térmica: El método de oposición requiere que los dispositivos funcionen continuamente en el punto de potencia nominal, generando autocalentamiento, siendo necesario completar las mediciones rápidamente para evitar derivas de temperatura.
3. Complejidad Técnica: La implementación de un banco de pruebas automatizado por oposición requiere integrar control de instrumentos, generación de señales y hardware de potencia en múltiples dominios técnicos.

Limitaciones de Métodos Existentes

• El método de doble pulso tiene precisión limitada, especialmente para dispositivos de conmutación rápida.
• Aunque el método de oposición es preciso, su implementación es compleja, careciendo de soluciones de prueba automatizada estandarizadas.
• Las implementaciones existentes típicamente requieren conocimiento profundo de múltiples disciplinas especializadas, presentando desafíos particulares para investigadores, especialmente estudiantes de doctorado.

Motivación de la Investigación

Los autores adoptan un enfoque innovador de ciencia abierta y colaborativa, utilizando hackathones y reuniones mensuales para reunir expertos multidisciplinarios en la resolución de este complejo problema técnico, compartiendo todos los resultados en forma de código abierto.

Contribuciones Principales

1. Desarrollo de un banco de pruebas completo automatizado por oposición: Incluyendo solución integral de diseño de hardware, control de instrumentos y generación de señales.
2. Implementación de sistema de control supervisado en Python: Controlando automáticamente múltiples instrumentos de medición mediante protocolo SCPI, logrando mediciones sincronizadas.
3. Construcción de sistema de generación de señales de alta precisión: Basado en controlador OwnTech SPIN, logrando control de temporización a nivel de nanosegundos con reloj de hasta 5.4GHz.
4. Provisión de solución de código abierto completa: Todo el código y diseños se publican bajo licencia GPL v3.
5. Validación del modelo de ciencia colaborativa: Exitosa implementación de desarrollo de sistema técnico complejo con más de 20 participantes en hackathon.

Explicación Detallada de Métodos

Definición de Tareas

Desarrollar un sistema completamente automatizado de medición de pérdidas de conmutación en transistores de potencia, capaz de:

• Configurar y controlar automáticamente instrumentos de medición
• Generar señales de control de conmutación sincronizadas con precisión
• Implementar medición rápida y precisa de pérdidas de potencia
• Minimizar tiempo de medición para reducir efectos térmicos

Arquitectura del Sistema

El sistema contiene tres componentes principales:

1. Control Supervisado y Gestión de Instrumentos

• Programa Supervisado en Python: Responsable del control automatizado de todo el proceso de prueba.
• Configuración de Instrumentos: Control mediante PyVISA y protocolo SCPI:
  • Fuente de CC: Aumento progresivo de voltaje, estabilización y apagado
  • Multímetro Digital: Medición de corriente y voltaje CC promedio
  • Osciloscopio: Adquisición rápida de formas de onda usando almacenamiento segmentado
• Mecanismo de Sincronización: Uso de señales de sincronización por hardware para disparar todas las mediciones, evitando retrasos de comunicación.

2. Sistema de Generación de Señales

Basado en controlador OwnTech SPIN implementando dos modos de prueba:

• Modo de Diferencia de Fase: Ciclo de trabajo fijo, variando diferencia de fase entre dos unidades.
• Modo de Diferencia de Ciclo de Trabajo: Diferencia de fase cero, variando diferencia de ciclo de trabajo entre dos unidades.

3. Plataforma de Hardware de Potencia

• Utiliza placa de evaluación Infineon EVAL-1ED3122Mx12H
• Contiene unidades de conmutación de medio puente con controladores aislados
• Soporta nivel de potencia de 600V/20A
• Verificación realizada con MOSFET de silicio de 200V/20A

Puntos de Innovación Técnica

1. Medición Sincronizada Multiinstrumento: Implementación de sincronización precisa de múltiples instrumentos de medición mediante señales de sincronización por hardware, eliminando efectos de retrasos de comunicación.
2. Control Adaptativo de Tiempo de Medición: Encontrar equilibrio óptimo entre precisión de medición y efectos térmicos.
3. Sistema de Configuración de Archivo JSON: Implementación de configuración flexible de parámetros de prueba y diseño experimental.
4. Control de Temporización a Nivel de Nanosegundos: Utilización de reloj de 5.4GHz para control de tiempo muerto de alta precisión.

Configuración Experimental

Configuración de Hardware

• Dispositivo de Potencia: MOSFET de silicio 200V/20A (encapsulado TO-247-3)
• Placa de Evaluación: Infineon EVAL-1ED3122Mx12H
• Inductancia: 50μH
• Controlador: OwnTech SPIN (reloj de 5.4GHz)

Rango de Parámetros de Prueba

• Voltaje del Bus CC: 30V - 60V
• Frecuencia de Conmutación: 50kHz - 80kHz
• Corriente Pico: 0.5A - 3A
• Tiempo Muerto: 300ns
• Tiempo de Medición: 1ms - 20ms

Métricas de Evaluación

• Energía de pérdida de conmutación (E_off, E_on)
• Pérdida de potencia promedio
• Precisión y repetibilidad de medición
• Grado de automatización del sistema

Resultados Experimentales

Resultados Principales

1. Verificación de Funcionalidad del Sistema

Implementación exitosa de proceso de prueba completamente automatizado:

• Generación automática de archivos de configuración de prueba
• Control automático de todos los instrumentos de medición
• Ejecución automática de pruebas de barrido multiparámetro
• Adquisición automática de datos y procesamiento preliminar

2. Resultados de Medición de Pérdidas de Conmutación

Extracción exitosa de energía de pérdida de apagado en rango de voltaje de bus de 30V-50V:

• Relación E_off vs I_peak: En rango de corriente de 0.5A-1.5A, pérdida de apagado crece de 0.2μJ a 1.0μJ
• Dependencia de Voltaje: Pérdidas de conmutación aumentan significativamente con voltaje de bus más alto
• Consistencia de Medición: Múltiples resultados de medición muestran buena repetibilidad

3. Análisis de Calidad de Forma de Onda

Obtención de formas de onda de voltaje-corriente de alta calidad:

• Procesos transitorios de conmutación claros
• Control preciso de tiempo muerto
• Buena sincronización de señales

Análisis de Casos

Prueba de Punto de Operación Típico

• Parámetros: Voltaje de bus 60V, frecuencia de conmutación 80kHz, corriente pico 3A
• Resultado: Captura exitosa de proceso transitorio de conmutación completo, verificando efectividad del método de oposición

Prueba de Barrido Automático

Implementación de barrido automático en espacio de parámetros multidimensional:

• Barrido de Voltaje: 30V, 40V, 50V
• Barrido de Corriente: 0.5A - 1.5A (5 puntos)
• Extracción automática de pérdida de conmutación para cada punto de operación

Hallazgos Experimentales

1. Impacto de Efectos Térmicos: Simulación electrotérmica en LTspice revela que tiempo de prueba de 200ms causa aumento significativo de temperatura de unión.
2. Equilibrio de Precisión de Medición: Necesidad de encontrar equilibrio óptimo entre precisión de medición y tiempo de prueba.
3. Estabilidad del Sistema: Sistema automatizado muestra desempeño estable y confiable en operación de larga duración.

Trabajo Relacionado

Evolución del Método de Oposición

1. Forest et al. (2006): Primera presentación sistemática del método de oposición para prueba de convertidores de potencia de gran escala.
2. Brandelero et al. (2013): Aplicación del método de oposición a medición no invasiva de pérdidas de conmutación en transistores de potencia GaN.
3. Sathler & Cougo (2017): Mejora del método de oposición para aumentar precisión de estimación de energía de conmutación en transistores de banda prohibida ancha.
4. Nguyen Tien et al. (2023): Desarrollo de instrumento de estimación de pérdidas de semiconductores basado en método de oposición.

Ventajas del Presente Trabajo Comparado con Trabajo Relacionado

1. Automatización Completa: Primera implementación de automatización de flujo completo desde generación de señales hasta procesamiento de datos.
2. Apertura y Acceso Abierto: Todos los diseños y códigos completamente de código abierto, promoviendo difusión tecnológica.
3. Optimización Multiparámetro: Consideración simultánea de precisión de medición, velocidad y gestión térmica.
4. Innovación en Modelo Colaborativo: Implementación de integración técnica interdisciplinaria mediante modelo de hackathon.

Conclusiones y Discusión

Conclusiones Principales

1. Desarrollo exitoso de banco de pruebas completo automatizado por oposición, validando efectividad del modelo de ciencia abierta y colaborativa.
2. Implementación de control de temporización a nivel de nanosegundos y medición sincronizada multiinstrumento, satisfaciendo requisitos de prueba de dispositivos de potencia modernos.
3. Provisión de solución estandarizada de código abierto para campo de prueba de electrónica de potencia.

Limitaciones

1. Gestión Térmica: Versión actual no resuelve completamente impacto de efectos de autocalentamiento en precisión de medición.
2. Limitación de Nivel de Potencia: Verificación realizada solo en nivel de potencia medio (200V/20A), requiriendo verificación adicional para aplicaciones de alta potencia.
3. Automatización de Calibración: Falta de funcionalidad de calibración automática de parámetros de circuito (inductancia, resistencia).
4. Mecanismos de Seguridad: Falta de protección automática de seguridad para situaciones anormales como fallos de comunicación.

Direcciones Futuras

1. Secuencia de Prueba Optimizada Térmicamente: Desarrollo de secuencia de prueba inteligente considerando efectos térmicos.
2. Sistema de Calibración Automática: Implementación de identificación y calibración automática de parámetros de circuito.
3. Extensión de Rango de Potencia: Adaptación a niveles de potencia más altos y dispositivos de diferentes encapsulados.
4. Construcción de Base de Datos: Establecimiento de base de datos abierta de características de dispositivos.
5. Análisis de Precisión: Comparación sistemática de precisión con otros métodos de medición.

Evaluación Profunda

Fortalezas

Innovación Técnica

1. Innovación de Integración de Sistema: Primera integración completa de control de instrumentos, generación de señales y hardware de potencia en sistema automatizado.
2. Precisión de Control de Temporización: Control a nivel de nanosegundos implementado con reloj de 5.4GHz representa nivel avanzado en este campo.
3. Esquema de Medición Sincronizada: Disparo sincronizado por hardware resuelve problema de consistencia temporal de medición multiinstrumento.

Contribuciones Metodológicas

1. Práctica de Ciencia Abierta: Demostración de nuevo modelo para desarrollo de sistemas técnicos complejos.
2. Colaboración Interdisciplinaria: Integración exitosa de múltiples disciplinas profesionales incluyendo instrumentación, control y electrónica de potencia.
3. Difusión de Conocimiento: Reducción de barreras técnicas mediante enfoque de código abierto, favoreciendo adopción y aplicación.

Valor Práctico

1. Usabilidad Inmediata: Provisión de solución de prueba completa y utilizable.
2. Escalabilidad: Diseño modular facilita adaptación a diferentes requisitos de aplicación.
3. Valor Educativo: Provisión de recursos de alta calidad para enseñanza y capacitación en campos relacionados.

Insuficiencias

Limitaciones Técnicas

1. Gestión Térmica Incompleta: Simulación electrotérmica revela efectos térmicos significativos, pero carece de estrategia efectiva de gestión térmica en tiempo real.
2. Rango de Potencia Limitado: Verificación solo en dispositivos de potencia media, aplicabilidad en aplicaciones de alta potencia pendiente de verificación.
3. Análisis de Precisión Insuficiente: Falta comparación cuantitativa de precisión con métodos estándar.

Diseño Experimental

1. Tipo de Dispositivo Único: Verificación principalmente con MOSFET de silicio, verificación insuficiente de dispositivos SiC/GaN.
2. Confiabilidad a Largo Plazo: Falta verificación de confiabilidad de operación a largo plazo.
3. Pruebas en Condiciones Extremas: Sin cobertura de pruebas en condiciones extremas como alta temperatura y alta frecuencia.

Integridad del Sistema

1. Mecanismos de Seguridad Faltantes: Carencia de mecanismos completos de detección de fallos y protección.
2. Interfaz de Usuario Simple: Funcionalidad GUI relativamente básica, experiencia de usuario requiere mejora.
3. Documentación Insuficientemente Detallada: Completitud y usabilidad de documentación técnica requieren fortalecimiento.

Impacto

Valor Académico

1. Contribución Metodológica: Proporciona referencia importante para estandarización de pruebas en electrónica de potencia.
2. Demostración de Modelo Colaborativo: Experiencia de práctica de ciencia abierta proporciona lecciones aplicables a otros campos.
3. Avance Tecnológico: Promueve aplicación de tecnología de prueba automatizada en campo de electrónica de potencia.

Impacto Práctico

1. Potencial de Aplicación Industrial: Aplicación directa en pruebas de productos de fabricantes de dispositivos de potencia.
2. Promoción Educativa: Provisión de herramienta de enseñanza e investigación de alta calidad para universidades e instituciones de investigación.
3. Promoción de Estandarización: Contribución al establecimiento de estándares y normas de prueba industrial.

Ecosistema Tecnológico

1. Construcción de Ecosistema de Código Abierto: Contribución de recursos importantes a comunidad de código abierto en electrónica de potencia.
2. Fusión Interdisciplinaria: Promoción de fusión profunda de tecnología de prueba y medición con electrónica de potencia.
3. Cultivo de Talento: Provisión de plataforma práctica para cultivo de talento en campos relacionados.

Escenarios Aplicables

1. Fabricantes de Dispositivos: Desarrollo de productos y control de calidad de dispositivos semiconductores de potencia.
2. Instituciones de Investigación: Proyectos de investigación científica y académica relacionados con electrónica de potencia.
3. Instituciones Educativas: Enseñanza experimental de cursos de electrónica de potencia y práctica de proyectos.
4. Servicios de Prueba: Servicios de prueba estandarizada de instituciones de prueba de terceros.

Referencias

1. Brandelero, J., et al. "A non-intrusive method for measuring switching losses of gan power transistors." IECON 2013.
2. Forest, F., et al. "Use of the opposition Method in the Test of High Power Electronics Converters." IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2006.
3. Sathler, H., & Cougo, B. "Improvement of the modified opposition method used for accurate switching energy estimation of wbg transistors." IEEE WiPDA, 2017.
4. Repositorio GitHub: https://github.com/owntech-foundation/test_bench_code

Evaluación General: Este es un artículo con importante valor práctico e innovación metodológica. Los autores resuelven exitosamente desafíos técnicos complejos mediante un enfoque de colaboración abierta, no solo proporcionando solución técnica completa, sino más importantemente, demostrando un nuevo modelo de colaboración científica. Aunque existen espacios de mejora en ciertos detalles técnicos, su filosofía de apertura y acceso abierto, así como la práctica de colaboración interdisciplinaria, realizan contribuciones importantes al desarrollo del campo relacionado.