2025-11-21T19:34:15.443279

Quantum thermal diode with additional control by auxiliary atomic states

Zhang, Zhang, Yang et al.
A quantum thermal diode, similar to an electronic diode, allows for unidirectional heat transmission. In this paper, we study a quantum thermal diode composed of two two-level atoms coupled to auxiliary two-level atoms. We find that the excited auxiliary atoms can weaken heat current and enhance the rectification effect, but the ground-state auxiliary atoms can enhance heat current and weaken the rectification effect. The more auxiliary atoms are coupled, the stronger the enhancing or weakening impact is. If the auxiliary atom is in a superposition state, we find that only the fraction that projects onto the excited state plays a significant role. In particular, if we properly design the coupling of the auxiliary atoms, the rectification effect can be eliminated. This provides the potential to control the heat current and the rectification performance by the states of the auxiliary atoms.
academic

Diodo térmico cuántico con control adicional mediante estados atómicos auxiliares

Información Básica

  • ID del Artículo: 2510.13489
  • Título: Quantum thermal diode with additional control by auxiliary atomic states
  • Autores: Qin Zhang, Zi-chen Zhang, Yi-jia Yang, Zheng Liu, Chang-shui Yu (Facultad de Física, Universidad Tecnológica de Dalian)
  • Clasificación: quant-ph (Física Cuántica)
  • Fecha de Publicación: 16 de octubre de 2025
  • Enlace del Artículo: https://arxiv.org/abs/2510.13489

Resumen

Este artículo investiga un diodo térmico cuántico compuesto por dos átomos de dos niveles acoplados a un átomo auxiliar de dos niveles. Se descubre que los átomos auxiliares en estado excitado debilitan el flujo de calor y mejoran el efecto rectificador, mientras que los átomos auxiliares en estado fundamental fortalecen el flujo de calor y debilitan el efecto rectificador. Cuanto mayor sea el número de átomos auxiliares acoplados, más fuerte será el efecto de mejora o debilitamiento. Cuando los átomos auxiliares se encuentran en un estado de superposición, solo la componente proyectada al estado excitado juega un papel importante. Mediante el diseño apropiado del acoplamiento de átomos auxiliares, es posible eliminar completamente el efecto rectificador, lo que proporciona la posibilidad de controlar el flujo de calor y el rendimiento rectificador a través del estado de los átomos auxiliares.

Antecedentes de Investigación y Motivación

Contexto del Problema

  1. Necesidad de desarrollo de dispositivos termodinámicos cuánticos: En años recientes, la termodinámica cuántica ha atraído creciente atención, y se han propuesto diversos dispositivos térmicos microscópicos innovadores, incluyendo motores Otto cuánticos, termómetros cuánticos, refrigeradores cuánticos, transistores cuánticos e interruptores cuánticos.
  2. Importancia del diodo térmico cuántico: El diodo térmico cuántico, análogo al diodo electrónico, permite únicamente la transmisión de calor unidireccional, lo que afecta significativamente la eficiencia de conversión de energía, la rectificación térmica y el rendimiento de la gestión térmica.
  3. Limitaciones de métodos existentes:
    • Los diodos térmicos cuánticos existentes mejoran principalmente el rendimiento rectificador ajustando las frecuencias naturales de vibración de los átomos, aumentando la intensidad del acoplamiento o modificando el tipo de interacción entre átomos
    • Carecen de métodos para control dinámico mediante el estado del sistema auxiliar

Motivación de la Investigación

Este artículo tiene como objetivo diseñar un diodo térmico cuántico basado en un sistema de dos átomos, mediante la introducción de átomos auxiliares de dos niveles para lograr control activo del flujo de calor y el rendimiento rectificador, proporcionando nuevas posibilidades para el diseño de dispositivos de transmisión de energía eficiente y rectificación.

Contribuciones Principales

  1. Propuesta de una nueva arquitectura de diodo térmico cuántico: Se diseña una nueva estructura compuesta por un sistema de dos átomos acoplados, donde uno de los átomos se acopla además a múltiples átomos auxiliares.
  2. Revelación de las leyes que rigen la influencia del estado de átomos auxiliares en el rendimiento rectificador:
    • Los átomos auxiliares en estado excitado debilitan el flujo de calor y mejoran el efecto rectificador
    • Los átomos auxiliares en estado fundamental fortalecen el flujo de calor y debilitan el efecto rectificador
    • Cuanto mayor sea el número de átomos auxiliares, más fuerte será el efecto
  3. Establecimiento de un marco completo de análisis teórico: Se derivan expresiones analíticas para el flujo de calor en estado estacionario y el factor rectificador basadas en la ecuación maestra global.
  4. Provisión de esquemas de gestión térmica controlables: Mediante el ajuste de la intensidad del acoplamiento y la distribución de estados de los átomos auxiliares se puede optimizar el rendimiento rectificador del sistema, e incluso eliminar completamente el efecto rectificador.

Explicación Detallada de Métodos

Definición de la Tarea

Se estudia un sistema de diodo térmico cuántico compuesto por dos átomos de dos niveles acoplados (átomo L y átomo R), conectados respectivamente a baños térmicos a temperaturas TLT_L y TRT_R, donde el átomo L interactúa además con N átomos auxiliares de dos niveles. El objetivo es analizar la influencia del estado de los átomos auxiliares en el flujo de calor y el rendimiento rectificador del sistema.

Arquitectura del Modelo

Hamiltoniano del Sistema

El Hamiltoniano total del sistema es: HS=HS0+HSIH_S = H_{S0} + H_{SI}

donde el Hamiltoniano libre es: HS0=12ωLσLz+12ωRσRz+a=1N12ωaσazH_{S0} = \frac{1}{2}\omega_L\sigma^z_L + \frac{1}{2}\omega_R\sigma^z_R + \sum_{a=1}^N \frac{1}{2}\omega_a\sigma^z_a

y el Hamiltoniano de interacción es: HSI=gLRσLzσRz+a=1NgLaσLzσazH_{SI} = g_{LR}\sigma^z_L\sigma^z_R + \sum_{a=1}^N g_{La}\sigma^z_L\sigma^z_a

Modelo del Entorno

  • Hamiltoniano del baño térmico: HE=kωLkbLkbLk+kωRkbRkbRkH_E = \sum_k \omega_{Lk}b^\dagger_{Lk}b_{Lk} + \sum_k \omega_{Rk}b^\dagger_{Rk}b_{Rk}
  • Interacción sistema-entorno: HSE=kfLkσLbLk+kfRkσRbRk+h.c.H_{SE} = \sum_k f_{Lk}\sigma^-_L b_{Lk} + \sum_k f_{Rk}\sigma^-_R b_{Rk} + h.c.

Métodos de Análisis Teórico

Derivación de la Ecuación Maestra

Basándose en la aproximación Born-Markov-secular, se deriva la ecuación maestra del sistema: ρ˙(t)=i[HS,ρ(t)]+LL[ρ(t)]+LR[ρ(t)]\dot{\rho}(t) = -i[H_S, \rho(t)] + \mathcal{L}_L[\rho(t)] + \mathcal{L}_R[\rho(t)]

donde los operadores de disipación de Lindblad son: Lμ[ρ(t)]=lJμ(ωμl)[2Vμlρ(t)Vμl{VμlVμl,ρ(t)}]+Jμ(+ωμl)[2Vμlρ(t)Vμl{VμlVμl,ρ(t)}]\mathcal{L}_\mu[\rho(t)] = \sum_l J_\mu(-\omega_{\mu l})[2V_{\mu l}\rho(t)V_{\mu l}^\dagger - \{V_{\mu l}^\dagger V_{\mu l}, \rho(t)\}] + J_\mu(+\omega_{\mu l})[2V_{\mu l}^\dagger\rho(t)V_{\mu l} - \{V_{\mu l}V_{\mu l}^\dagger, \rho(t)\}]

Descomposición de Subespacios Independientes

Debido a la naturaleza especial del acoplamiento z-z, el sistema puede descomponerse en 2N2^N subespacios independientes de cuatro dimensiones, cada uno correspondiente a una configuración de estado específica de los átomos auxiliares.

Puntos de Innovación Técnica

  1. Concepto de frecuencia efectiva: Se introduce la frecuencia efectiva ωL=ωL±a=1N2gLa\omega'_L = \omega_L \pm \sum_{a=1}^N 2g_{La} para describir la influencia colectiva de los átomos auxiliares en la frecuencia del átomo izquierdo.
  2. Método de análisis de subespacios: Se descompone el complejo sistema de dimensión 2N+22^{N+2} en 2N2^N subespacios independientes de 4 dimensiones para análisis.
  3. Expresión analítica del factor rectificador: Se deriva la forma analítica del factor rectificador: R=1A(TL,TR)A(TR,TL)R = 1 - \frac{A(T_L, T_R)}{A(T_R, T_L)}

Configuración Experimental

Parámetros de Simulación Numérica

  • Frecuencias atómicas: ωL,ωR[1,5]\omega_L, \omega_R \in [1, 5]
  • Frecuencias de átomos auxiliares: ωa=2\omega_a = 2
  • Intensidad de acoplamiento principal: gLR=0.10.2g_{LR} = 0.1 \sim 0.2
  • Intensidad de acoplamiento auxiliar: gLa=0.020.1g_{La} = 0.02 \sim 0.1
  • Tasa de disipación: γ=0.001\gamma = 0.001
  • Rango de temperaturas: TL[0.1,1],TR=0.5T_L \in [0.1, 1], T_R = 0.5

Indicadores de Evaluación

  1. Flujo de calor: Q˙L=m=12NQ˙L,m=m=12Npm4gLRΓm,m+2N+1L\dot{Q}_L = \sum_{m=1}^{2^N} \dot{Q}_{L,m} = -\sum_{m=1}^{2^N} p_m 4g_{LR}\Gamma^L_{m,m+2^N+1}
  2. Factor rectificador: R=Q˙Lf+Q˙Lrmax[Q˙Lf,Q˙Lr]R = \frac{|\dot{Q}^f_L + \dot{Q}^r_L|}{\max[|\dot{Q}^f_L|, |\dot{Q}^r_L|]}
    • R=1R = 1: diodo perfecto
    • 0<R<10 < R < 1: buen efecto rectificador
    • R=0R = 0: sin efecto rectificador

Esquemas de Comparación

  • Sistema básico de dos átomos sin átomos auxiliares
  • Sistemas con diferentes números de átomos auxiliares (N = 1 a 10)
  • Sistemas con átomos auxiliares en diferentes estados (estado excitado, estado fundamental, estado de superposición)

Resultados Experimentales

Resultados Principales

Efectos de Control del Flujo de Calor

  1. Influencia de átomos auxiliares en estado excitado:
    • El flujo de calor disminuye con el aumento del número de átomos auxiliares en estado excitado
    • Mejora el efecto rectificador cuando ωL>ωR\omega_L > \omega_R
    • Debilita el efecto rectificador cuando ωL<ωR\omega_L < \omega_R
  2. Influencia de átomos auxiliares en estado fundamental:
    • El flujo de calor aumenta con el aumento del número de átomos auxiliares en estado fundamental
    • El efecto es opuesto al de los átomos auxiliares en estado excitado

Análisis del Rendimiento Rectificador

  1. Caso de frecuencias iguales (ωL=ωR\omega_L = \omega_R):
    • Sin átomos auxiliares no hay efecto rectificador (R=0R = 0)
    • Después de añadir átomos auxiliares se mejora significativamente el efecto rectificador
    • Cuanto mayor sea el número de átomos auxiliares, más fuerte será el efecto rectificador
  2. Caso de frecuencias desiguales:
    • Cuando ωL>ωR\omega_L > \omega_R: los átomos auxiliares en estado excitado mejoran la rectificación, los del estado fundamental la debilitan
    • Cuando ωL<ωR\omega_L < \omega_R: los efectos son opuestos

Hallazgos Clave

  1. Efecto de fracción crítica: Para átomos auxiliares en estado de superposición ψ=αe+βg|\psi\rangle = \alpha|e\rangle + \beta|g\rangle, solo la componente del estado excitado α2|\alpha|^2 juega un papel crucial.
  2. Condiciones para eliminar la rectificación: Cuando ωL=ωR\omega'_L = \omega_R, es posible eliminar completamente el efecto rectificador (R=0R = 0).
  3. Robustez en disipación débil: Incluso con disipación débil en los átomos auxiliares, el sistema mantiene buenas características rectificadoras.

Ejemplos de Resultados Numéricos

  • En la configuración ωL=4,ωR=2\omega_L = 4, \omega_R = 2, 10 átomos auxiliares en estado excitado pueden elevar el factor rectificador de aproximadamente 0.3 a cerca de 1.0
  • En la misma configuración, 10 átomos auxiliares en estado fundamental reducen el factor rectificador a cerca de 0

Trabajos Relacionados

Estado Actual de la Investigación en Diodos Térmicos Cuánticos

  1. Métodos tradicionales:
    • Ajuste de frecuencias naturales de vibración de átomos
    • Aumento de la intensidad del acoplamiento del sistema
    • Cambio del tipo de interacción entre átomos
  2. Trabajos teóricos relacionados:
    • Investigación de Werlang et al. sobre transmisión de calor en sistemas de dos espines bajo acoplamiento fuerte
    • Investigación de la influencia de baños térmicos comunes
    • Realización de diodos térmicos en circuitos superconductores

Puntos de Innovación de Este Artículo

En comparación con trabajos existentes, este artículo es el primero en estudiar sistemáticamente el mecanismo de regulación del rendimiento del diodo térmico cuántico mediante el estado de átomos auxiliares, proporcionando un nuevo método de control activo.

Conclusiones y Discusión

Conclusiones Principales

  1. Relación estrecha entre el estado de átomos auxiliares y el rendimiento rectificador: Los átomos auxiliares en estado excitado y fundamental producen efectos opuestos en el sistema.
  2. Control fuerte: Mediante el ajuste del número, estado e intensidad de acoplamiento de los átomos auxiliares, es posible controlar con precisión el flujo de calor y el rendimiento rectificador del sistema.
  3. Completitud teórica: Se establece un marco completo de análisis teórico, proporcionando expresiones analíticas para el flujo de calor y el factor rectificador.

Limitaciones

  1. Suposiciones idealizadas: Se adoptan la aproximación de espectro plano y la aproximación Born-Markov-secular
  2. Restricción del acoplamiento z-z: Solo se considera un tipo específico de interacción entre átomos
  3. Suposición de disipación débil: La disipación de los átomos auxiliares debe ser suficientemente pequeña

Direcciones Futuras

  1. Verificación experimental: Implementación del esquema en plataformas como circuitos superconductores
  2. Extensión a otros tipos de acoplamiento: Investigación de otras formas de interacción como acoplamiento xy
  3. Efectos no-Markovianos: Consideración de efectos de memoria ambiental más complejos
  4. Correlaciones de muchos cuerpos: Investigación de la influencia de interacciones entre átomos auxiliares

Evaluación Profunda

Ventajas

  1. Rigor teórico: Basado en la teoría de sistemas cuánticos abiertos, con derivaciones completas y tratamiento matemático normativo
  2. Imagen física clara: El concepto de frecuencia efectiva explica bien el mecanismo de acción de los átomos auxiliares
  3. Resultados sistemáticos: Análisis completo del comportamiento del sistema bajo diferentes configuraciones de parámetros
  4. Alto valor práctico: Proporciona nuevas ideas para el diseño de dispositivos de gestión térmica cuántica

Insuficiencias

  1. Viabilidad experimental: El artículo carece de discusión detallada sobre la implementación experimental práctica
  2. Sensibilidad de parámetros: Análisis insuficiente de la sensibilidad del sistema a cambios de parámetros
  3. Coherencia cuántica: Discusión insuficiente sobre el papel de la coherencia cuántica en la transmisión de calor

Impacto

  1. Contribución académica: Proporciona nuevas herramientas teóricas y métodos de análisis para el campo de la termodinámica cuántica
  2. Perspectivas de aplicación: Valor potencial de aplicación en computación cuántica y gestión térmica a nanoescala
  3. Reproducibilidad: Las derivaciones teóricas son claras y los resultados numéricos son fáciles de reproducir

Escenarios Aplicables

  1. Circuitos cuánticos superconductores: Puede implementarse en sistemas de qubits superconductores
  2. Sistemas de átomos fríos: Aplicable a experimentos de átomos fríos en redes ópticas
  3. Gestión térmica a nanoescala: Proporciona orientación para el diseño de dispositivos de gestión térmica a escala nanométrica

Referencias Bibliográficas

Este artículo cita 82 referencias relacionadas, que abarcan múltiples direcciones incluyendo termodinámica cuántica, teoría de sistemas cuánticos abiertos, máquinas térmicas cuánticas, etc., proporcionando una base teórica sólida para la investigación.


Evaluación General: Este es un trabajo de importante significado teórico en el campo de la termodinámica cuántica. Mediante la introducción del concepto innovador de átomos auxiliares, proporciona una nueva vía para el control activo del diodo térmico cuántico. El análisis teórico es riguroso, y los resultados poseen importante significado físico y valor potencial de aplicación.