Diseño y simulación de un fotodiodo de avalancha de bajo ganancia 4H-SiC con aislamiento de trinchera

Información Básica

• ID del Artículo: 2510.14531
• Título: Design and simulation of a 4H-SiC low gain avalanche diode with trench-isolation
• Autores: Sebastian Onder, Philipp Gaggl, Jürgen Burin, Andreas Gsponer, Matthias Knopf, Simon Waid, Neil Moffat, Giulio Pellegrini, Thomas Bergauer
• Clasificación: physics.ins-det
• Fecha de Publicación: 16 de octubre de 2025
• Enlace del Artículo: https://arxiv.org/abs/2510.14531v1

Resumen

Este artículo presenta el diseño y simulación de un fotodiodo de avalancha de bajo ganancia (LGAD) de 4H-SiC de 30 μm de espesor optimizado para operación a alto voltaje. Una capa de ganancia epitaxial de 2,4 μm de espesor logra amplificación interna controlada bajo polarización inversa de hasta 1 kV, mientras mantiene agotamiento completo por debajo de 500 V. Se simularon características I-V, C-V y de ganancia en geometría cuasi-unidimensional utilizando software TCAD Synopsys Sentaurus, verificadas dentro del rango de variaciones relacionadas con procesos en los parámetros de la capa de ganancia. Se diseñaron estructuras de protección que combinan trincheras profundas grabadas y extensión de terminación de unión profunda p+ (JTE) para garantizar estabilidad a alto voltaje y terminación de borde apropiada. Mediante simulaciones TCAD variando las dimensiones de la estructura de protección, se obtuvo un diseño optimizado con voltaje de ruptura superior a 2,4 kV. La fabricación correspondiente de obleas está en curso en IMB-CNM Barcelona.

Antecedentes y Motivación de la Investigación

Definición del Problema

1. Limitaciones de los detectores de silicio tradicionales: Los detectores basados en silicio sufren degradación severa de rendimiento en entornos de alta radiación y presentan corriente oscura considerable a altas temperaturas
2. Desafíos en la aplicación de material SiC: Aunque el 4H-SiC posee excelentes propiedades de resistencia a la radiación y baja corriente oscura, su mayor energía de generación de pares electrón-hueco (~7,8 eV frente a 3,6 eV del Si) resulta en amplitudes de señal reducidas, limitando su aplicación en experimentos de física de altas energías
3. Requisitos de operación a alto voltaje: Las tecnologías de crecimiento epitaxial existentes típicamente producen concentraciones de dopaje elevadas (≥10¹⁴ cm⁻³), conduciendo a voltajes de agotamiento mayores que limitan la realización de regiones activas gruesas

Importancia de la Investigación

• Necesidad urgente de detectores de tiempo rápido en experimentos de física de altas energías
• Mejora en disponibilidad de materiales y técnicas de fabricación de SiC impulsada por desarrollo en electrónica de potencia e industria automotriz
• Aplicación exitosa de tecnología LGAD en detectores basados en silicio proporciona base técnica para desarrollo de SiC-LGAD

Limitaciones de Métodos Existentes

• Proyecto SICAR utiliza aislamiento con borde biselado, logrando solo ganancia de 2-3
• Producción de LBNL y NCSU, aunque alcanza ganancia de 7-8, aún presenta limitaciones en métodos de aislamiento
• Estructuras de protección de inyección p superficial tradicionales no pueden aislar efectivamente dispositivos con capas de ganancia gruesas

Contribuciones Principales

1. Diseño innovador de estructura de dispositivo: Se propone diseño de capa de ganancia de 2,4 μm de espesor basado en crecimiento epitaxial, evitando limitaciones técnicas de procesos de inyección profunda
2. Estructura de protección novedosa: Se desarrolla estructura de protección combinando trincheras profundas grabadas e inyección JTE p+ profunda, logrando voltaje de ruptura superior a 2,4 kV
3. Optimización integral de simulación TCAD: Se optimizó sistemáticamente la estructura del dispositivo mediante barrido de parámetros, considerando tolerancias de procesos de fabricación
4. Realización de dispositivo de alto rendimiento: Se logra agotamiento completo por debajo de 500 V, proporcionando amplificación de señal de 1-10 veces bajo polarización inversa de 1 kV

Explicación Detallada de Métodos

Diseño de Estructura de Dispositivo

Estructura Epitaxial

El dispositivo adopta la siguiente estructura en capas (de abajo hacia arriba):

• Sustrato n+: Concentración de dopaje ~10¹⁷ cm⁻³, proporciona soporte mecánico
• Capa amortiguadora n++: Espesor 1 μm, concentración de dopaje ~10¹⁸ cm⁻³, actúa como capa bloqueadora de campo
• Región activa tipo n: Espesor 27,6 μm, concentración de dopaje 1,5×10¹⁴ cm⁻³, capa epitaxial de alta resistividad
• Capa de ganancia n+: Espesor 2,4 μm, concentración de dopaje 7,5×10¹⁶ cm⁻³, realizada mediante crecimiento epitaxial
• Capa de inyección p++: Forma la unión pn y proporciona contacto óhmico

Optimización de Parámetros de Diseño

Se realizó barrido extenso de parámetros mediante Synopsys Sentaurus TCAD, con objetivos de optimización incluyendo:

• Voltaje de agotamiento completo < 500 V
• Operación estable hasta polarización inversa de 1 kV
• Ganancia de señal de 2-10 veces (relativa a fotodiodo PIN de espesor equivalente)

Diseño de Estructura de Protección

Aislamiento de Trinchera

• Profundidad: 7 μm, superior al espesor de capa de ganancia
• Ancho: 5/10/15 μm (limitado por capacidades del fabricante)
• Pasivación: Pasivación en capas de SiO₂/Si₃N₄
• Geometría: Rodea fotodiodo circular de diámetro 500 μm

Inyección JTE

• Profundidad: 4 μm, penetra la capa de ganancia
• Ancho: 30 μm
• Concentración de dopaje: 10¹⁷ cm⁻³
• Función: Redistribuye campo eléctrico de borde, previene ruptura prematura

Puntos de Innovación Técnica

1. Capa de ganancia no enterrada: Utiliza crecimiento epitaxial en lugar de inyección iónica, evitando limitaciones técnicas de inyección de alta energía
2. Estructura de protección compuesta: Combinación de aislamiento de trinchera e inyección JTE profunda, incrementa significativamente voltaje de ruptura
3. Consideración de tolerancia de proceso: El diseño considera plenamente rango de variación de procesos de fabricación (espesor ±0,2 μm, dopaje ±10%)

Configuración de Simulación

Herramientas y Modelos de Simulación

• Software: Synopsys Sentaurus TCAD SDevice
• Geometría: Estructura cuasi-unidimensional (diseño de capa de ganancia), estructura bidimensional (estructura de protección)
• Modelos Físicos: Conjunto de parámetros de ionización por impacto Okuto, modelo HeavyIon para simular impacto de partículas
• Parámetros de Material: Parámetros 4H-SiC personalizados, considerando anisotropía

Metodología de Simulación

Simulación de Diseño de Capa de Ganancia

• Geometría: Estructura cuasi-unidimensional de 1 μm de ancho
• Malla: Malla fina en dirección vertical, 4 líneas de malla en dirección transversal
• Tipos de Simulación:
  • Características I-V y C-V cuasi-estáticas (hasta 1 kV)
  • Respuesta de señal transitoria (modelo HeavyIon)
• Referencia: Fotodiodo PIN de espesor equivalente como referencia base para cálculo de ganancia

Simulación de Estructura de Protección

• Geometría: Estructura bidimensional, incluye región local con JTE y trinchera
• Condiciones de Frontera: Asegura ausencia de campo eléctrico residual en frontera durante ruptura
• Barrido de Parámetros: Variación sistemática de ancho JTE, ancho de trinchera y profundidad
• Determinación de Ruptura: Extracción de voltaje de ruptura basada en umbral de corriente

Parámetros Clave de Simulación

• Generación de Portadores: Generación artificial de portadores simula línea base de ruido de 1 pA
• Simulación de Partículas: Factor LET de 9,15 pC μm⁻¹, ancho transversal gaussiano de 0,15 μm
• Configuración de Convergencia: Convergencia y configuración de error optimizadas para concentración intrínseca de portadores baja de 4H-SiC

Resultados de Simulación

Características Eléctricas

Características I-V y C-V

• Comportamiento de Agotamiento: Capa de ganancia se agota por debajo de 400 V, dispositivo completamente agotado por debajo de 500 V
• Corriente Oscura: Se mantiene por debajo de 30 pA
• Tolerancia de Proceso: Todas las configuraciones excepto combinación de espesor máximo + dopaje máximo sin ruptura de capa de ganancia

Características de Ganancia

• Rango de Ganancia: 1-10 veces (excluyendo casos de ruptura)
• Curva de Ganancia: Aumenta suavemente con polarización inversa
• Dependencia de Parámetros: Capas de ganancia más gruesas/dopaje más alto muestran pendiente de ganancia más pronunciada

Optimización de Comportamiento de Ruptura

Optimización de Ancho JTE

• Fenómeno de Saturación: Voltaje de ruptura se satura cuando ancho JTE excede 30 μm
• Valor Óptimo: 30 μm seleccionado como parámetro de diseño final

Optimización de Parámetros de Trinchera

• Efecto de Profundidad:
  • Profundidad de 5 μm causa ruptura más temprana
  • Profundidad de 7 μm es valor óptimo
  • Rendimiento disminuye gradualmente por encima de 7 μm
• Efecto de Ancho: Ancho mejora continuamente voltaje de ruptura en todo rango de simulación
• Configuración Óptima: Trinchera de 7 μm profundidad × 16 μm ancho combinada con JTE de 30 μm × 4 μm

Rendimiento Final

• Voltaje de Ruptura Máximo: 2450 V (configuración óptima)
• Margen de Diseño: Significativamente superior a requisito de voltaje de operación de 1 kV
• Restricciones de Fabricación: Diseño final adopta trinchera más estrecha para reducir riesgo de grabado

Trabajo Relacionado

Evolución del Desarrollo de Detectores SiC

1. Investigación Temprana: Investigación fundamental de SiC como material de detección de radiación
2. Proyecto SICAR: Primera realización de SiC-LGAD, ganancia 2-3
3. Colaboración LBNL/NCSU: Proceso de aislamiento mejorado, ganancia alcanza 7-8, resolución temporal <35 ps
4. FNSPE CTU/FZU CAS: Utiliza aislamiento JTE, dopaje de capa epitaxial reducido a 5×10¹³ cm⁻³, ganancia 10-100

Tendencias de Desarrollo Tecnológico

• Evolución desde proceso de borde biselado hacia aislamiento JTE
• Reducción continua de concentración de dopaje de capa epitaxial
• Mejora continua de rendimiento de ganancia
• Maduración progresiva de procesos de fabricación

Conclusiones y Discusión

Conclusiones Principales

1. Diseño Exitoso: Se logró diseño completo de LGAD 4H-SiC de 30 μm de espesor, satisfaciendo requisitos de estabilidad a alto voltaje
2. Rendimiento Excelente: Agotamiento completo por debajo de 500 V, operación estable a 1 kV, ganancia de 1-10 veces
3. Estructura de Protección Efectiva: Estructura de protección compuesta trinchera + JTE logra voltaje de ruptura >2,4 kV
4. Viabilidad de Fabricación: Diseño considera tolerancias de proceso, fabricación de obleas en curso

Ventajas Técnicas

• Capa de ganancia epitaxial evita limitaciones técnicas de inyección profunda
• Estructura de protección compuesta proporciona estabilidad superior a alto voltaje
• Optimización TCAD sistemática asegura confiabilidad del diseño

Limitaciones

1. Restricciones de Fabricación: Ancho de trinchera limitado por capacidades de proceso del fabricante
2. Consideraciones de Costo: Costo de material y proceso de 4H-SiC aún relativamente alto
3. Necesidad de Verificación: Resultados de simulación requieren verificación experimental

Direcciones Futuras

1. Verificación Experimental: Completar fabricación de obleas y realizar pruebas eléctricas y de radiación
2. Optimización de Rendimiento: Optimizar parámetros de diseño basándose en resultados experimentales
3. Extensión de Aplicaciones: Explorar potencial de aplicación en diferentes experimentos de física de altas energías

Evaluación Profunda

Fortalezas

1. Enfoque Sistemático: Consideración integral desde selección de material hasta diseño de dispositivo y estructura de protección
2. Simulación Detallada: Optimización integral de parámetros utilizando herramientas TCAD profesionales
3. Alta Innovación: Diseño de capa de ganancia epitaxial y estructura de protección compuesta poseen innovación significativa
4. Practicidad Fuerte: Diseño considera plenamente restricciones y tolerancias de procesos de fabricación reales
5. Tecnología Avanzada: Voltaje de ruptura >2,4 kV supera significativamente nivel de tecnología existente

Insuficiencias

1. Falta de Verificación Experimental: Actualmente solo resultados de simulación, falta datos de prueba de dispositivos reales
2. Análisis de Costo Insuficiente: No se discute detalladamente ventaja de costo relativa a LGAD basado en silicio
3. Escenarios de Aplicación Limitados: Principalmente dirigido a aplicaciones de física de altas energías, aplicabilidad en otros campos no suficientemente explorada
4. Estabilidad a Largo Plazo: No se considera confiabilidad a largo plazo y características de envejecimiento del dispositivo

Impacto

1. Valor Académico: Proporciona referencia de diseño importante para desarrollo de SiC-LGAD
2. Impulso Tecnológico: Promueve desarrollo de tecnología de detectores SiC hacia aplicación práctica
3. Impacto Industrial: Puede promover aplicación comercial de detectores SiC
4. Reproducibilidad: Parámetros de diseño detallados y metodología de simulación facilitan reproducción por otros investigadores

Escenarios Aplicables

1. Experimentos de Física de Altas Energías: Aplicación de detectores de tiempo rápido
2. Aplicaciones Espaciales: Detección de partículas en entornos de alta radiación
3. Investigación de Física Nuclear: Sistemas de detección que requieren alta resolución temporal
4. Imágenes Médicas: Detectores de alto rendimiento de rayos X o radiación gamma

Referencias

El artículo cita 15 referencias relacionadas, cubriendo la evolución principal del desarrollo de tecnología de detectores SiC y puntos técnicos clave, proporcionando base teórica sólida y referencia de comparación técnica para esta investigación.