Émission de photons uniques pompée électriquement par h-BN dans une hétérostructure de van der Waals

Informations fondamentales

• ID de l'article: 2407.14070
• Titre: Émission de photons uniques pompée électriquement par h-BN dans une hétérostructure de van der Waals
• Auteurs: Mihyang Yu, Jeonghan Lee, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Jieun Lee
• Classification: quant-ph cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
• Date de publication: Juillet 2024
• Lien de l'article: https://arxiv.org/abs/2407.14070

Résumé

Cet article rapporte la réalisation de l'émission de photons uniques pompée électriquement par des défauts du nitrure de bore hexagonal (h-BN) dans une hétérostructure de van der Waals. En construisant une structure de dispositif où une couche atomiquement mince de h-BN est pincée entre des électrodes de graphène et de NbSe2, nous avons réalisé une émission de lumière non classique pilotée par un courant de tunnelage induit par les défauts. Les photons émis présentent une plage d'énergie de 1,4-2,9 eV, révélant l'excitation électrique de multiples défauts atomiques. En analysant l'orientation de l'axe dipolaire des émetteurs, nous avons confirmé que les émetteurs correspondent à des structures de défauts cristallographiques du cristal h-BN.

Contexte et motivation de la recherche

1. Problèmes à résoudre:
   • Les sources de photons uniques traditionnelles dépendent principalement du pompage optique, ce qui présente des limitations dans les dispositifs quantiques intégrés
   • Les sources de photons uniques pompées électriquement permettraient une meilleure intégration et contrôle des dispositifs, mais n'ont pas encore été réalisées dans les matériaux bidimensionnels
   • Les canaux de conduction larges réduisent l'efficacité d'injection de porteurs au niveau de chaque site de défaut
2. Importance du problème:
   • Les sources de photons uniques sont des dispositifs essentiels pour la communication quantique, l'informatique quantique et la détection quantique
   • Les sources de photons uniques pilotées électriquement permettraient une meilleure scalabilité et intégration
   • Le h-BN, en tant que matériau bidimensionnel, possède des propriétés optiques quantiques uniques
3. Limitations des méthodes existantes:
   • Bien que les centres de couleur dans le diamant et le carbure de silicium permettent le pompage électrique, l'épaisseur du matériau limite la miniaturisation des dispositifs
   • Le pompage optique nécessite une source laser, ce qui augmente la complexité du système et génère un signal de fond
   • Absence de contrôle précis sur les sites de défauts spécifiques
4. Motivation de la recherche:
   • Exploiter la précision au niveau atomique des hétérostructures de van der Waals pour construire des dispositifs de photons uniques pompés électriquement
   • Réaliser l'excitation électrique directe des défauts h-BN
   • Fournir des solutions miniaturisées et intégrées pour les applications de photoélectronique quantique

Contributions principales

1. Première réalisation de l'émission de photons uniques pompée électriquement par des défauts h-BN, dépassant les limitations du pompage optique traditionnel
2. Conception d'une nouvelle structure de dispositif en hétérostructure de van der Waals, utilisant une configuration d'électrodes asymétriques graphène/h-BN/NbSe2
3. Démonstration de la corrélation directe entre le courant de tunnelage induit par les défauts et l'émission de photons, avec une intensité d'émission linéaire en fonction du courant
4. Observation de l'émission de photons uniques sur une large plage d'énergie (1,4-2,9 eV), révélant l'excitation électrique de multiples types de défauts
5. Confirmation de la structure cristallographique des émetteurs par analyse de polarisation, les classant en trois groupes de défauts distincts
6. Fourniture d'une nouvelle voie technologique pour la miniaturisation et l'intégration des dispositifs de photoélectronique quantique

Détails méthodologiques

Définition de la tâche

La tâche de cette recherche est de réaliser l'émission de photons uniques pompée électriquement par des défauts h-BN dans une hétérostructure de van der Waals. L'entrée est la tension appliquée aux deux extrémités du dispositif, la sortie est l'émission de photons uniques, et les contraintes incluent la nécessité de fonctionner à basse température (6,5 K) pour obtenir une émission quantique stable.

Architecture du dispositif

1. Conception générale:
   • Structure à trois couches: NbSe2 (électrode supérieure)/h-BN/graphène (électrode inférieure)
   • La couche h-BN comprend une couche optiquement active (5 nm) et une couche d'isolation (2 nm)
   • Les bords des électrodes sont alignés pour limiter le chemin du courant de tunnelage
2. Principes de sélection des matériaux:
   • NbSe2: Métal de van der Waals de type p, fonction de travail 5,9 eV
   • Graphène: Électrode de type n, fonction de travail 4,5 eV
   • h-BN: Matériau bidimensionnel à large bande interdite, contenant des défauts optiquement actifs
3. Mécanisme de fonctionnement:
   • La différence de fonction de travail crée un champ électrique interne
   • La tension appliquée pilote le tunnelage des porteurs à travers les défauts
   • La recombinaison électron-trou produit l'émission de photons uniques

Points d'innovation technique

1. Conception d'électrodes asymétriques:
   • Exploitation de la différence de fonction de travail entre NbSe2 et graphène pour une injection efficace de porteurs
   • Sous polarisation directe, NbSe2 fournit les trous et le graphène fournit les électrons
2. Ingénierie des défauts:
   • Création de défauts optiquement actifs par recuit à haute température en atmosphère d'O2
   • La densité et le type de défauts peuvent être contrôlés par les conditions de recuit
3. Stratégie de limitation du courant:
   • L'alignement des bords des électrodes réduit le nombre de défauts participant à la conduction
   • Améliore l'efficacité d'injection de porteurs au niveau des défauts individuels

Configuration expérimentale

Préparation du dispositif

1. Préparation des matériaux: Cristaux h-BN de haute pureté traités par recuit à haute température en atmosphère d'O2
2. Fabrication du dispositif: Technique de transfert à sec pour l'empilement couche par couche de l'hétérostructure de van der Waals
3. Fabrication des électrodes: Lithographie par faisceau d'électrons et évaporation de métaux pour les contacts Au

Système de mesure

1. Système optique: Microscope confocal personnalisé, objectif avec ouverture numérique 0,65
2. Spectromètre: Détecteur CCD capable d'imagerie spatiale et de mesure spectrale
3. Mesure de corrélation: Interféromètre Hanbury Brown-Twiss pour mesurer la fonction de corrélation du second ordre
4. Contrôle environnemental: Cryostat, température de fonctionnement 6,5 K

Indicateurs d'évaluation

1. Caractéristiques de photons uniques: Fonction de corrélation du second ordre g²(0) < 0,5
2. Stabilité d'émission: Stabilité temporelle et spectrale
3. Conversion électro-optique: Relation linéaire entre l'intensité d'émission et le courant
4. Caractéristiques spectrales: Position de la ligne de zéro phonon, largeur de raie, bande latérale de phonon

Résultats expérimentaux

Résultats principaux

1. Confirmation de l'émission de photons uniques:
   • Pour l'émetteur E1: g²(0) = 0,25 ± 0,21, confirmant clairement la nature de photon unique
   • Largeur de la fonction de corrélation 18,2 ± 7,2 ns, reflétant le processus de transition unique de l'excitation électrique
2. Corrélation électro-optique:
   • L'intensité d'émission est linéaire en fonction du courant de tunnelage (pente ≈ 1,31)
   • Tension de seuil d'environ 26 V, taux de comptage de photons ~700 cps à un courant d'environ 6 nA
3. Caractéristiques spectrales:
   • Observation de lignes de zéro phonon à 1,5, 2,8 et 2,9 eV
   • L'émetteur à 2,8 eV présente une bande latérale de phonon de 160 meV, correspondant au phonon optique longitudinal h-BN
   • Décalage Stark et élargissement spectral observés avec l'augmentation de la tension

Analyse de classification des défauts

Selon l'énergie d'émission et les caractéristiques de polarisation, les émetteurs observés sont classés en trois catégories:

1. Groupe 1 (1,4-1,7 eV):
   • Ligne de zéro phonon nette, bande latérale de phonon faible
   • Distribution d'axe de polarisation aléatoire
   • Probablement correspondant à des défauts liés à l'oxygène
2. Groupe 2 (1,9-2,4 eV):
   • Forme spectrale et distribution de polarisation très variables
   • Types de défauts mixtes dans la plage d'énergie intermédiaire
3. Groupe 3 (2,4-3,0 eV):
   • Bande latérale de phonon distincte de 160 meV
   • L'axe de polarisation s'aligne principalement avec les directions cristallographiques espacées de 60°
   • Probablement correspondant à des défauts liés au carbone

Dépendance à la polarité de tension

• Polarisation directe: Le nombre d'émetteurs est bien supérieur à celui de la polarisation inverse; les émetteurs haute énergie sont principalement observés sous polarisation directe
• Polarisation inverse: Moins d'émetteurs, principalement des émetteurs basse énergie
• Ceci est cohérent avec l'injection asymétrique de porteurs résultant de la différence de fonction de travail entre NbSe2 et graphène

Travaux connexes

1. Sources de photons uniques à l'état solide: Le pompage électrique des centres NV du diamant et des défauts SiC a été réalisé, mais l'épaisseur du matériau limite la miniaturisation
2. Émission quantique de matériaux bidimensionnels: L'émission d'excitons dans WSe2, MoSe2 et autres matériaux, mais principalement par pompage optique
3. Recherche sur les défauts h-BN: Les sources de photons uniques h-BN pompées optiquement ont été largement étudiées, mais le pompage électrique n'avait pas été réalisé auparavant
4. Hétérostructures de van der Waals: Largement appliquées dans le transport électronique et les dispositifs optoélectroniques, mais moins d'applications en optique quantique

Conclusions et discussion

Conclusions principales

1. Réalisation réussie du premier émetteur de photons uniques pompé électriquement dans h-BN, démontrant le potentiel des hétérostructures de van der Waals dans les dispositifs d'optique quantique
2. Le mécanisme de courant de tunnelage induit par les défauts fournit une nouvelle perspective pour le pompage électrique dans les matériaux bidimensionnels
3. L'excitation simultanée de multiples types de défauts démontre la polyvalence de cette approche
4. L'épaisseur atomique du dispositif ouvre la voie à la miniaturisation de la photoélectronique quantique

Limitations

1. Température de fonctionnement: Actuellement, le fonctionnement à basse température (6,5 K) est nécessaire, limitant les applications pratiques
2. Tension de seuil: La tension de seuil relativement élevée (~26 V) peut affecter l'intégration des dispositifs
3. Efficacité d'émission: Le taux de comptage de photons est relativement faible, nécessitant une optimisation supplémentaire
4. Stabilité: Certains émetteurs présentent des phénomènes de scintillement, affectant la stabilité à long terme

Directions futures

1. Fonctionnement à température ambiante: Réaliser l'émission de photons uniques à température ambiante par l'ingénierie des défauts et l'optimisation des dispositifs
2. Réduction du seuil: Améliorer la qualité de l'interface et la résistance de contact pour réduire la tension de fonctionnement
3. Amélioration de l'émission: Combiner avec des microcavités optiques pour augmenter l'efficacité d'émission et de collection
4. Préparation déterministe: Développer des techniques de création de défauts contrôlables pour réaliser des sources de photons uniques à la demande

Évaluation approfondie

Avantages

1. Contribution pionnière: Première réalisation de l'émission de photons uniques pompée électriquement dans h-BN, comblant un vide dans ce domaine
2. Conception ingénieuse du dispositif: La combinaison de la configuration d'électrodes asymétriques et de l'ingénierie des défauts reflète une compréhension physique approfondie
3. Expérimentation complète: Caractérisation exhaustive des propriétés de photons uniques à la classification des défauts
4. Importance technologique majeure: Fournit une nouvelle voie pour la miniaturisation et l'intégration des dispositifs quantiques

Insuffisances

1. Explication des mécanismes: L'explication du mécanisme physique des différences entre l'excitation électrique et l'excitation optique nécessite une approfondissement
2. Reproductibilité: La cohérence et la reproductibilité entre différents dispositifs nécessitent une vérification supplémentaire
3. Limitations d'application: Le fonctionnement à basse température et l'efficacité relativement faible limitent les perspectives d'application pratique

Impact

1. Impact académique: Ouvre une nouvelle direction de recherche en optique quantique pompée électriquement dans les matériaux bidimensionnels
2. Promotion technologique: Fournit une nouvelle option technologique pour les dispositifs de communication quantique et d'informatique quantique
3. Perspectives industrielles: Bien que toujours au stade de la recherche fondamentale, cela jette les bases pour la future industrialisation des dispositifs quantiques

Scénarios d'application

1. Optique quantique intégrée sur puce: Convient à la construction de circuits d'optique quantique intégrés
2. Communication quantique: Peut servir de source de photons uniques miniaturisée pour la distribution de clés quantiques
3. Recherche fondamentale: Fournit un nouvel outil pour étudier les phénomènes quantiques dans les matériaux bidimensionnels

Références

L'article cite 59 références importantes couvrant plusieurs domaines connexes, notamment les sources de photons uniques à l'état solide, la physique des matériaux bidimensionnels et les hétérostructures de van der Waals, fournissant une base théorique et expérimentale solide pour la recherche.

Ce travail revêt une importance majeure dans le domaine interdisciplinaire de l'optique quantique et des matériaux bidimensionnels. Bien que certains défis technologiques subsistent actuellement, il ouvre une nouvelle direction pour le développement futur des dispositifs quantiques. Avec le progrès technologique continu, il devrait être possible de réaliser des sources de photons uniques pompées électriquement plus efficaces et plus stables.