Charge Susceptibility and Kubo Response in Hatsugai-Kohmoto-related Models
Ma, Zhao, Huang et al.
We study in depth the charge susceptibility for the band Hatsugai-Kohmoto (HK) and orbital (OHK) models. As either of these models describes a Mott insulator, the charge susceptibility takes on the form of a modified density response function with lower and upper Hubbard bands, thereby giving rise to a multi-pole structure. The particle-hole continuum consists of hot spots along the $Ï$ vs $q$ axis arising from inter-band transitions. Such transitions, which are strongly suppressed in non-interacting systems, obtain here because of the non-rigidity of the Hubbard bands. This modified density response function gives rise to a plasmon dispersion that is inversely dependent on the momentum, resulting in an additional contribution to the conventional f-sum rule. This extra contribution originates from a long-range diamagnetic contribution to the current. This results in a non-commutativity of the long-wavelength ($q\rightarrow 0$) and thermodynamic ($L\rightarrow\infty$) limits. When the correct limits are taken, we find that the Kubo response computed with either open or periodic boundary conditions yields identical results that are consistent with the continuity equation contrary to recent claims. We also show that the long wavelength pathology of the current noted previously also plagues the Anderson impurity model interpretation of dynamical mean-field theory (DMFT).
academic
Susceptibilité de Charge et Réponse de Kubo dans les Modèles Apparentés à Hatsugai-Kohmoto
Cet article étudie en profondeur la susceptibilité de charge des modèles de bande Hatsugai-Kohmoto (HK) et du modèle HK orbital (OHK). Puisque ces deux modèles décrivent des isolants de Mott, leur susceptibilité de charge se présente sous la forme d'une fonction de réponse de densité modifiée possédant des bandes de Hubbard inférieure et supérieure, produisant ainsi une structure multipolaire. Le spectre continu particule-trou contient des points chauds générés par des transitions interbandes sur l'axe ω vs q. Ces transitions sont fortement supprimées dans le système non-interagissant, mais sont ici réalisées en raison de la non-rigidité des bandes de Hubbard. Cette fonction de réponse de densité modifiée produit une dispersion de plasma inversement proportionnelle à la quantité de mouvement, conduisant à une contribution supplémentaire à la règle f-sum traditionnelle. Cette contribution supplémentaire provient de la contribution diamagnétique à longue portée du courant, entraînant une non-commutativité des limites de longue longueur d'onde (q→0) et thermodynamique (L→∞).
Défis des systèmes électroniques fortement corrélés: Dans les systèmes électroniques fortement corrélés (tels que les supraconducteurs à base de cuprates), la théorie traditionnelle du liquide de Fermi échoue, nécessitant de nouveaux cadres théoriques pour comprendre les propriétés de réponse de charge.
Particularités des isolants de Mott: Les isolants de Mott, en raison des effets de corrélation électronique forte, voient leur structure de bande se diviser en bandes de Hubbard supérieure et inférieure, ce qui contraste fortement avec les prédictions de la théorie des bandes traditionnelle.
Phénomènes anormaux observés expérimentalement: Les expériences récentes de spectroscopie de perte d'énergie électronique résolue en quantité de mouvement (MEELS) dans les cuprates ont observé:
Un spectre continu indépendant de la température et de la quantité de mouvement à l'échelle d'énergie intermédiaire
χ''∝q² à basse énergie, décroissant en q²/ω² à haute énergie
Lacune théorique: Bien que le modèle HK soit largement étudié comme plateforme exactement soluble pour la physique de Mott, sa fonction de réponse densité-densité n'a jamais été étudiée en profondeur auparavant.
Questions théoriques fondamentales: Nécessité de comprendre dans les systèmes fortement corrélés:
Comment le spectre continu particule-trou change en présence de bandes de Hubbard non-rigides
Si l'annulation du facteur de quantité de mouvement conduisant à la fréquence de plasma reste valide
Premier calcul complet de la susceptibilité de charge du modèle HK: Fournit des expressions analytiques exactes de la fonction de réponse de densité pour les modèles HK de bande et HK orbital.
Découverte d'une relation de dispersion de plasma anormale: Démontre que la fréquence de plasma ωₚ∼1/q dans le modèle HK, contrastant fortement avec le comportement dans les métaux traditionnels.
Révélation d'une règle f-sum modifiée: Découvre que la règle f-sum acquiert un terme supplémentaire en raison de la contribution de courant diamagnétique à longue portée, violant la loi d'échelle q² traditionnelle.
Résolution de la controverse sur la définition de l'opérateur de courant: Dérive rigoureusement l'opérateur de courant invariant de jauge par le principe du couplage minimal, prouvant l'établissement de l'équation de continuité.
Établissement du lien avec la DMFT: Démontre que le modèle Anderson monosite dans le cadre DMFT présente également des problèmes pathologiques similaires à longue longueur d'onde.
Guerci et al. ont récemment remis en question la définition de l'opérateur de courant dans le modèle HK; cet article fournit une clarification complète.
Cet article cite 48 références importantes, couvrant les travaux clés dans les domaines du modèle HK, des systèmes électroniques fortement corrélés, de la théorie DMFT et domaines connexes, fournissant une base théorique solide pour la recherche.
Évaluation Globale: Ceci est un article de haute qualité avec des contributions importantes à la théorie des systèmes électroniques fortement corrélés. Par une analyse théorique exacte, les auteurs révèlent les propriétés nouvelles de la réponse de charge dans les isolants de Mott, non seulement en résolvant d'importantes controverses théoriques, mais aussi en fournissant un nouveau cadre théorique pour comprendre les propriétés de transport des matériaux fortement corrélés. L'article possède un niveau technique élevé, une intuition physique profonde, et joue un rôle important dans l'avancement du développement de ce domaine.