Gravure par couche atomique de SiO$_2$ utilisant une exposition séquentielle à SF$_6$ gazeux et plasma Ar

Informations fondamentales

• ID de l'article: 2412.20653
• Titre: Atomic layer etching of SiO$_2$ using sequential SF$_6$ gas and Ar plasma
• Auteurs: Jun Peng, Rakshith Venugopal, Robert Blick, Robert Zierold
• Classification: cond-mat.mtrl-sci (Physique de la matière condensée - Science des matériaux)
• Institutions: Centre de nanostructures hybrides, Université de Hambourg; Laboratoire de recherche DESY (Deutsches Elektronen-Synchrotron), Allemagne
• Lien de l'article: https://arxiv.org/abs/2412.20653

Résumé

Avec l'évolution continue de la technologie des semi-conducteurs, la demande de procédés de couche atomique a engendré des innovations qui jouent un rôle crucial dans la miniaturisation continue des dispositifs. Parmi ceux-ci, la gravure par couche atomique (ALE) attire une attention croissante en raison de son contrôle précis de l'enlèvement de matière au niveau atomique. Bien que certains procédés ALE thermiques aient réalisé une contrôlabilité de gravure sub-nanométrique, les procédés ALE pratiques actuels impliquant des étapes de plasma souffrent d'une vitesse de gravure excessive en raison de l'absence de demi-réactions ALE hautement synergiques. Pour surmonter cette limitation, cette étude développe un procédé ALE pour la gravure du dioxyde de silicium (SiO$_2$) sur des plaquettes de silicium à température ambiante en utilisant une exposition séquentielle à l'hexafluorure de soufre (SF$_6$) gazeux et à un plasma d'argon (Ar), réalisant une vitesse de gravure stable et cohérente d'environ 1,4 Å/cycle. Dans ce procédé, les deux demi-cycles de réaction ne produisent individuellement aucun effet de gravure; la gravure ne se produit que lorsque les deux sont répétés séquentiellement, ce qui signifie un effet synergique de 100%.

Contexte et motivation de la recherche

Définition du problème

1. Problème fondamental: Les procédés actuels de gravure par couche atomique assistée par plasma présentent une vitesse de gravure excessive et une synergie insuffisante, ce qui rend difficile la réalisation d'un contrôle précis au niveau atomique.
2. Importance:
   • À mesure que la loi de Moore approche ses limites, la fabrication de semi-conducteurs nécessite des techniques d'usinage plus précises au niveau atomique
   • L'ALE a déjà été appliquée aux dispositifs logiques des nœuds technologiques 10 nm
   • Les nouveaux dispositifs nanoélectroniques émergents, tels que les dispositifs quantiques, ont des besoins croissants en gravure précise
3. Limitations des méthodes existantes:
   • Bien que l'ALE thermique puisse réaliser un contrôle sub-nanométrique, ses caractéristiques de gravure isotrope limitent les applications
   • Bien que l'ALE assistée par plasma offre une bonne directionnalité, son effet synergique est faible (~80%) et la vitesse de gravure est excessive
   • Absence de demi-réactions ALE hautement synergiques
4. Motivation de la recherche: Développer un procédé de gravure de SiO$_2$ combinant la précision de l'ALE thermique et la directionnalité de l'ALE assistée par plasma, réalisant un effet synergique de 100% et un contrôle au niveau atomique.

Contributions fondamentales

1. Développement d'un nouveau procédé ALE: Proposition d'une méthode de gravure par couche atomique de SiO$_2$ utilisant du SF$_6$ gazeux continu et du plasma Ar, réalisant une vitesse de gravure stable de 1,4 Å/cycle
2. Réalisation d'un effet synergique de 100%: Démonstration que les demi-réactions individuelles ne produisent pas de gravure, et que seule leur combinaison séquentielle est efficace, atteignant une synergie parfaite
3. Détermination de la fenêtre de procédé: Identification de la fenêtre de température (température ambiante ~40°C) et de la fenêtre de puissance plasma (50-100 W), fournissant des orientations pour l'optimisation du procédé
4. Vérification de la gravure directionnelle: Par caractérisation morphologique de micropiliers et de structures de trous, démonstration que ce procédé possède d'excellentes caractéristiques de gravure anisotrope
5. Fourniture d'une solution évolutive: Utilisation d'équipements RIE commerciaux et de gaz courants, présentant une bonne évolutivité et praticité

Détails méthodologiques

Définition du procédé

Entrée: Plaquette SiO$_2$/Si Sortie: Surface SiO$_2$ gravée avec précision au niveau atomique Contraintes: Fonctionnement à température ambiante, contrôle de gravure sub-nanométrique

Architecture du procédé

Procédé cyclique en quatre étapes

1. Étape de modification de surface: Les molécules de SF$_6$ s'adsorbent de manière auto-limitée sur la surface du substrat exposée
2. Étape de purification: Élimination des molécules excédentaires, laissant une fine couche de SF$_6$ sur la surface de SiO$_2$
3. Étape d'enlèvement: Activation du plasma Ar, produisant des ions Ar$^+$ et des électrons libres
4. Étape de purification: Purification à nouveau de la chambre de réaction, laissant une nouvelle surface de SiO$_2$

Mécanisme réactionnel

• Le plasma de SF$_6$ produit des espèces actives: SF$_5^+$, SF$_4^{2+}$, radicaux F
• Les radicaux F réagissent avec SiO$_2$ pour produire des sous-produits volatils SiF$_4$
• L'adsorption auto-limitée de SF$_6$ assure que seule une monocouche de surface est gravée

Points d'innovation technique

1. Combinaison de gaz unique: Première utilisation de la combinaison de gaz SF$_6$ pur et de plasma Ar, évitant la complexité des composés fluorocarbonés traditionnels
2. Conception de synergie parfaite:
   • α (contribution unique de SF$_6$) = 0
   • β (contribution unique du plasma Ar) = 0
   • Effet synergique S = 100%
3. Fonctionnement à température ambiante: Comparé à d'autres procédés ALE nécessitant des températures élevées, cette méthode fonctionne efficacement près de la température ambiante
4. Caractéristique auto-limitée: La saturation est atteinte à 25 sccm·s de SF$_6$, prouvant la caractéristique d'adsorption auto-limitée

Configuration expérimentale

Préparation des échantillons

• Substrat: Plaquettes SiO$_2$ (300 nm)/Si de 4 pouces, découpées en échantillons de 1×1 cm
• Nettoyage: Nettoyage à l'acétone, isopropanol et eau déionisée
• Équipement: Système commercial de gravure par ions réactifs (SenTech SI 500)

Paramètres de procédé standard

• Température: 23°C constant
• Pression: Pression de travail de 1 Pa
• Débit de gaz: Flux continu d'Ar de 100 sccm, impulsion de SF$_6$ de 20 sccm pendant 5 secondes
• Plasma: Puissance ICP de 100 W, 60 secondes
• Temps de purification: 30 secondes

Méthodes de caractérisation

• Mesure d'épaisseur: Ellipsométrie (SenTech), utilisant le modèle de Cauchy
• Caractérisation morphologique: Microscopie électronique à balayage (Zeiss Crossbeam 550)
• Mesure de rugosité: Microscopie à force atomique (AFM, Dimension)
• Fabrication de motifs: Système de lithographie par faisceau d'électrons (Raith)

Indicateurs d'évaluation

• Quantité gravée par cycle (EPC): Å/cycle
• Effet synergique: S = (EPC-(α+β))/EPC × 100%
• Rugosité de surface: Valeur Ra
• Uniformité: Écart-type intra-plaquette

Résultats expérimentaux

Résultats principaux

Performance de gravure

• EPC: 1,4 Å/cycle, ajustement linéaire R² ≈ 0,999
• Effet synergique: S = 100% (α = 0, β = 0)
• Uniformité: Écart-type ~0,5 nm dans une région de 4×4 cm
• Qualité de surface: Ra ≈ 0,7 nm, maintenant une faible rugosité

Comparaison avec les technologies existantes

L'EPC de ce procédé (1,4 Å/cycle) est significativement supérieur aux méthodes ALE assistées par plasma rapportées au cours de la dernière décennie:

• Plasma C$_4$F$_8$/Ar: 1,9-20 Å/cycle
• Plasma CHF$_3$/Ar: 4,0-15 Å/cycle
• La précision de ce procédé est proche du niveau de l'ALE thermique (0,027-0,52 Å/cycle)

Caractérisation de la fenêtre de procédé

Fenêtre de température

• Intervalle stable: Température ambiante ~40°C, EPC reste stable
• Décroissance à haute température: >40°C, l'EPC diminue progressivement, probablement en raison de la désorption thermique des molécules de SF$_6$

Fenêtre de puissance

• Intervalle efficace: Puissance ICP de 50-100 W
• Faible puissance: <50 W, énergie insuffisante, EPC diminue
• Haute puissance: >100 W, l'EPC diminue anormalement, probablement en raison de la dilution de la concentration de radicaux F et de la diffusion élastique

Vérification de la gravure directionnelle

Expérience avec micropiliers

• Diamètre des piliers: 600 nm, hauteur ~91 nm
• Résultat de gravure: Après 450 cycles, la hauteur des piliers reste inchangée (89,6±1,00 nm), le diamètre ne change pas
• Gravure verticale: Épaisseur totale gravée 62 nm, rapport d'anisotropie >27:1

Expérience avec structures de trous

• Diamètre des trous: 0,6 μm et 1,2 μm
• Résultat: Le diamètre des trous reste inchangé pendant le processus de gravure, confirmant les caractéristiques directionnelles

Expériences d'ablation

Test d'étapes uniques

1. Exposition à SF$_6$ seul: EPC ≈ 0, aucun effet de gravure
2. Plasma Ar seul: EPC ≈ 0, pas de pulvérisation physique
3. Procédé combiné: EPC = 1,4 Å/cycle

Dépendance à la dose

• Dose de SF$_6$: Saturation atteinte à 25 sccm·s, prouvant la caractéristique auto-limitée
• Temps de plasma: 60 secondes est le paramètre optimal

Travaux connexes

Développement de la technologie ALE

1. Historique: Concept ALE proposé pour la première fois en 1988 pour la gravure du diamant
2. ALE thermique: Lee et George ont rapporté le premier ALE Al$_2$O$_3$ thermique en 2015
3. ALE assistée par plasma: Applications généralisées mais effet synergique non idéal

État actuel de la recherche sur l'ALE de SiO$_2$

1. Méthodes thermiques: Utilisation de triméthylaluminium comme précurseur, EPC <1 Å/cycle
2. Méthodes assistées par plasma: Utilisation de composés fluorocarbonés pour modifier la surface, EPC 2-20 Å/cycle
3. Gravure thermique infrarouge: Méthode ALE combinant les effets thermiques

Avantages de ce travail

1. Précision supérieure: Atteinte au niveau de précision de l'ALE thermique dans l'ALE assistée par plasma
2. Meilleure synergie: 100% vs ~80% traditionnel
3. Procédé plus simple: Évite la chimie complexe des fluorocarbonés
4. Fonctionnement à température ambiante: Réduit la complexité du procédé

Conclusions et discussion

Conclusions principales

1. Développement réussi d'un procédé ALE SF$_6$/Ar plasma pour SiO$_2$, réalisant une gravure stable de 1,4 Å/cycle
2. Réalisation d'un effet synergique de 100%, prouvant la pureté du procédé
3. Détermination de la fenêtre de température près de l'ambiante et de la fenêtre de puissance de 50-100 W
4. Vérification d'excellentes caractéristiques de gravure directionnelle et de qualité de surface

Limitations

1. Limitation de matériaux: Actuellement validée uniquement sur SiO$_2$, d'autres matériaux nécessitent des recherches supplémentaires
2. Dépendance à l'équipement: Nécessite un système RIE avec contrôle précis
3. Vitesse de gravure: Comparée à la gravure RIE traditionnelle, la vitesse ALE est plus faible, affectant l'efficacité de production
4. Considérations de coût: Le contrôle précis augmente le coût du procédé

Directions futures

1. Extension de matériaux: Exploration de l'application de cette méthode sur d'autres matériaux diélectriques
2. Optimisation du procédé: Amélioration supplémentaire de la vitesse de gravure et de la sélectivité
3. Recherche mécanistique: Compréhension approfondie du mécanisme réactionnel du plasma SF$_6$/Ar
4. Industrialisation: Développement de paramètres de procédé adaptés à la production à grande échelle

Évaluation approfondie

Points forts

1. Innovation technique forte: Première réalisation d'une ALE synergique à 100% avec plasma SF$_6$/Ar
2. Conception expérimentale rigoureuse: Vérification systématique de l'effet synergique et caractérisation de la fenêtre de procédé
3. Résultats convaincants: Relation linéaire R²≈0,999, bonne reproductibilité
4. Valeur pratique élevée: Utilisation d'équipements commerciaux et de gaz courants, facile à promouvoir

Insuffisances

1. Explication mécanistique insuffisante: L'explication de la diminution d'EPC à haute puissance est plutôt spéculative
2. Recherche de sélectivité manquante: Pas d'implication dans la gravure sélective de différents matériaux
3. Stabilité à long terme: Absence de données de stabilité de cycle à long terme
4. Plage de température limitée: La fenêtre de procédé est relativement étroite

Impact

1. Contribution académique: Fourniture d'une nouvelle voie de procédé pour le domaine de l'ALE
2. Valeur industrielle: Fourniture d'une solution de gravure précise pour la fabrication de semi-conducteurs avancés
3. Reproductibilité: Les paramètres expérimentaux détaillés facilitent la reproduction par d'autres groupes de recherche

Scénarios applicables

1. Fabrication de dispositifs quantiques: Structures quantiques nécessitant une gravure précise au niveau atomique
2. Dispositifs logiques avancés: Usinage de précision des nœuds technologiques 10 nm et inférieur
3. Dispositifs MEMS: Systèmes microélectromécaniques nécessitant un traitement de surface de haute précision
4. Dispositifs optoélectroniques: Éléments optiques exigeant une qualité de surface extrêmement élevée

Références

Cet article cite 37 références pertinentes, couvrant l'historique du développement de la technologie ALE, les méthodes de gravure de SiO$_2$ et la chimie du plasma, fournissant une base théorique solide pour la recherche.

Évaluation globale: Cet article est un travail de recherche de haute qualité en science des matériaux, apportant une contribution importante au domaine de la gravure par couche atomique. Ce travail réalise non seulement une percée technologique, mais possède également une bonne valeur pratique et des perspectives d'industrialisation.