Supraconductivité de réentrance induite par courant et effet diode supraconducteur extrêmement non-réciproque dans les systèmes polarisés en vallée

Informations de base

• ID de l'article: 2501.00835
• Titre: Current-induced re-entrant superconductivity and extreme nonreciprocal superconducting diode effect in valley-polarized systems
• Auteurs: Yu-Chen Zhuang, Qing-Feng Sun
• Classification: cond-mat.supr-con
• Date de publication: 1er janvier 2025
• Lien de l'article: https://arxiv.org/abs/2501.00835

Résumé

L'effet diode supraconducteur (EDS) désigne la non-réciprocité du courant critique supraconducteur dans la transition métal-supraconducteur. Généralement, l'EDS présente deux courants critiques positif et négatif $j_{c\pm}$ de magnitudes inégales correspondant à deux directions opposées. Des observations expérimentales récentes ont révélé une non-réciprocité extrême, où les deux courants critiques peuvent être simultanément positifs (ou négatifs). Cet article propose théoriquement un mécanisme possible pour réaliser un EDS non-réciproque extrême. Sur la base d'une théorie microscopique et d'un modèle simple de polarisation en vallée, les auteurs démontrent que le courant de rupture de paires de Cooper nécessaire pour dissoudre les paires peut être remodulé sous l'interaction entre la polarisation en vallée et le courant appliqué. À proximité de la disparition de la supraconductivité, cette remodulation s'avère induire une non-réciprocité extrême ainsi qu'une supraconductivité de réentrance induite par courant, où le système présente deux intervalles de courant critique distincts.

Contexte et motivation de la recherche

1. Problème fondamental: L'effet diode supraconducteur (EDS) est un phénomène supraconducteur récemment découvert, caractérisé par la non-réciprocité du supercourant non-dissipatif. L'efficacité η de l'EDS traditionnel n'atteint généralement que quelques dizaines de pour cent, tandis qu'une non-réciprocité extrême avec une efficacité de 100% a été récemment observée dans le graphène tricouche à petit angle de torsion.
2. Importance du problème: L'EDS peut non seulement révéler les caractéristiques potentielles des systèmes supraconducteurs exotiques, mais aussi servir de circuits non-dissipatifs, avec des applications importantes en électronique supraconductrice, spintronique supraconductrice, information quantique et technologies de communication.
3. Limitations actuelles: Bien que le phénomène de non-réciprocité extrême ait été observé, son mécanisme physique reste peu clair. Les études théoriques existantes suggèrent que cet accroissement remarquable pourrait provenir du couplage entre le paramètre d'ordre de symétrie brisée et le supercourant, ou de la dissipation induite par un champ électrique hors plan.
4. Motivation de la recherche: Dans les systèmes de graphène tordu, le courant continu peut moduler voire commuter la polarisation en vallée. Compte tenu du rôle important de la polarisation en vallée spontanée dans l'EDS du graphène tricouche tordu, il est nécessaire d'étudier le lien entre l'EDS non-réciproque extrême et la modulation de la polarisation en vallée induite par courant.

Contributions principales

1. Mécanisme théorique: Proposition d'un mécanisme théorique pour réaliser la non-réciprocité extrême basé sur la modulation de la polarisation en vallée induite par courant
2. Construction du modèle: Établissement d'un modèle simple du système polarisé en vallée, incluant la supraconductivité s-onde avec appariement inter-vallée
3. Découverte de nouveaux phénomènes: Prédiction de la supraconductivité de réentrance induite par courant, le système présentant deux intervalles de courant critique distincts
4. EDS à 100% d'efficacité: Fourniture d'une nouvelle voie pour concevoir des EDS à 100% d'efficacité
5. Image physique: Clarification du mécanisme physique de la remodulation du courant de rupture intrinsèque en courant critique réel

Détails méthodologiques

Définition de la tâche

Étudier comment le courant appliqué affecte le courant critique supraconducteur dans les systèmes polarisés en vallée en modulant la polarisation en vallée, réalisant ainsi un effet diode supraconducteur extrêmement non-réciproque.

Architecture du modèle

1. Modèle de polarisation en vallée induit par interaction

Construction d'un hamiltonien à deux bandes contenant l'interaction inter-vallée: $H_v = \sum_{k,\tau} (\epsilon_{k,\tau} - \mu)c^\dagger_{k,\tau} c_{k,\tau} + \frac{U_v}{V}\sum_{k,k'} c^\dagger_{k,+}c_{k,+}c^\dagger_{k',-}c_{k',-}$

où τ = ± désigne les indices de vallée K, K', et $U_v > 0$ représente l'interaction répulsive inter-vallée.

2. Modulation de la polarisation en vallée induite par courant

Dans le cadre du transport quantique balistique hors équilibre, sous une tension appliquée V, les niveaux de Fermi des électrons de vitesse positive (négative) augmentent (diminuent) de $eV/2$ par rapport au niveau de Fermi d'équilibre. En raison de la rupture de la symétrie d'inversion intra-vallée, la variation du nombre d'occupation des électrons de chaque vallée devient: $n_\tau = n^0_\tau + \alpha_\tau j_{ext}$

où $\alpha_\tau$ est un coefficient dépendant du potentiel chimique modifié et du champ de clivage de vallée.

3. Hamiltonien BdG

Ajout d'un terme d'appariement s-onde inter-vallée: $H(q) = \sum_{k,\tau} E_{k,\tau} c^\dagger_{k,\tau} c_{k,\tau} + \sum_k \Delta(q)c^\dagger_{k+q,+}c^\dagger_{-k+q,-} + H.c.$

où 2q représente le moment du centre de masse de la paire de Cooper, reflétant un état hélicoïdal ou FFLO.

Points d'innovation technique

1. Innovation du mécanisme physique: Première proposition du mécanisme par lequel la modulation de la polarisation en vallée induite par courant peut remoduliser le courant de rupture
2. Simplification du modèle: Utilisation du modèle Stoner simple pour capturer les caractéristiques essentielles de la polarisation en vallée
3. Calcul auto-cohérent: Résolution auto-cohérente des équations de gap et de polarisation en vallée pour obtenir le diagramme de phase complet
4. Phénomène de réentrance: Prédiction d'un nouveau phénomène de réentrance supraconductrice induit par courant

Configuration expérimentale

Ensemble de données

Calculs numériques utilisant un modèle unidimensionnel:

• Taille du système: V = Na, conditions aux limites périodiques, N = 2000
• Unité d'énergie: t = 1
• Unité de courant: e/ℏ·t = 1
• Unité de longueur: a = 1
• Paramètres: $U_v = 2.8$, $U_s = 1.86$, température T = 0.1

Indicateurs d'évaluation

1. Efficacité de diode: $\eta = \frac{j_{c+} - |j_{c-}|}{j_{c+} + |j_{c-}|}$
2. Courant critique: $j_{c\pm}$ correspondant aux valeurs critiques de la transition métal-supraconducteur
3. Champ de clivage de vallée: $h_v = \frac{U_v}{2V}m$, où m est la polarisation en vallée

Méthodes de comparaison

• Théorie EDS traditionnelle (sans modulation de polarisation en vallée induite par courant)
• Modèle de supraconducteur Rashba-Zeeman
• Analogie avec le modèle magnétique Stoner-Wohlfarth

Résultats expérimentaux

Résultats principaux

1. Diagramme de phase avec quatre régions distinctes

• Région I: Pas d'EDS, en raison de $h^0_v = 0$
• Région II: EDS traditionnel, $j_{c+} \neq |j_{c-}|$
• Région III: Supraconductivité de réentrance, existence de quatre courants critiques
• Région IV: Non-réciprocité extrême, seulement deux courants critiques positifs

2. Résultats numériques des courants critiques

Sous l'estimation d'une largeur de bande étroite 4t = 10 meV:

• Unité d'énergie: t = 2.5 meV
• Unité de courant: ≈ 96.6 nA
• Amplitude du courant critique: plage 0-34 nA
• Température: environ 2.9 K

3. Effet de modulation par champ magnétique

Un champ magnétique externe B peut se coupler à la vallée via l'effet Zeeman, produisant un champ de clivage de vallée supplémentaire $h_B \propto B$, modulant ainsi le type et la polarité de l'EDS.

Études d'ablation

1. Impact de l'asymétrie de bande: Une asymétrie de bande plus importante conduit à un coefficient $\alpha_+ - \alpha_-$ plus grand, facilitant la réalisation de la non-réciprocité extrême
2. Convergence de la taille du système: À facteur de remplissage fixe, le courant critique converge avec la variation de la taille du système N
3. Effets de température: Les effets sont plus prononcés à basse température

Étude de cas

La figure 3 montre l'évolution du courant critique sous quatre occupations électroniques n différentes:

• n = 640: Pas d'EDS
• n = 560: EDS traditionnel
• n = 510: Supraconductivité de réentrance
• n = 480: Non-réciprocité extrême

Travaux connexes

Principales directions de recherche

1. Observations expérimentales d'EDS: Supercristaux artificiels Nb/V/Tan, matériaux massifs, jonctions Josephson, etc.
2. Mécanismes théoriques: Anisotropie chirale magnétique, appariement de Cooper à moment fini
3. Graphène tordu: Polarisation en vallée, couplage spin-orbite, effets de corrélation

Avantages de cet article

1. Premier lien établi entre la modulation de la polarisation en vallée induite par courant et l'EDS
2. Prédiction d'un nouveau phénomène de réentrance supraconductrice
3. Fourniture d'une voie théorique pour l'EDS à 100% d'efficacité
4. Résultats numériques quantitatifs et estimations de paramètres

Conclusions et discussion

Conclusions principales

1. La modulation de la polarisation en vallée induite par courant peut remoduliser le courant de rupture, réalisant un EDS non-réciproque extrême
2. La non-réciprocité extrême apparaît facilement à proximité de la disparition de la supraconductivité
3. Le système peut présenter une supraconductivité de réentrance induite par courant
4. Un champ magnétique externe peut moduler le type et la polarité de l'EDS

Limitations

1. L'approximation linéaire n'est valide que pour les petits courants
2. L'effet d'écran de tension dans l'état supraconducteur est négligé
3. Les comportements d'hystérésis potentiels n'ont pas été suffisamment considérés
4. Le modèle est relativement simplifié; les systèmes réels sont plus complexes

Directions futures

1. Calculs auto-cohérents plus précis incluant les effets non-linéaires
2. Considération de la dynamique de polarisation en vallée dans l'état supraconducteur
3. Vérification expérimentale des prédictions théoriques
4. Extension à d'autres systèmes de matériaux bidimensionnels

Évaluation approfondie

Points forts

1. Forte innovativité théorique: Première proposition du mécanisme d'EDS par modulation de polarisation en vallée induite par courant
2. Image physique claire: Clarification de l'essence des phénomènes complexes par un modèle simple
3. Calculs numériques suffisants: Étude systématique de l'espace des paramètres et des effets de champ externe
4. Haute pertinence expérimentale: Forte corrélation avec les expériences sur le graphène tordu
5. Grande valeur prédictive: Prédiction de nouveaux phénomènes de réentrance supraconductrice

Insuffisances

1. Simplification excessive du modèle: Négligence des degrés de liberté de spin et des mécanismes d'appariement plus complexes
2. Auto-cohérence insuffisante: Domaine d'applicabilité limité de l'approximation linéaire
3. Manque de vérification expérimentale: Absence de preuves expérimentales directes soutenant la théorie
4. Précision quantitative limitée: Estimations de paramètres relativement grossières

Impact

1. Impact académique: Fourniture d'un nouveau cadre théorique pour comprendre l'EDS extrême
2. Perspectives d'application: Orientation pour la conception de diodes supraconductrices hautement efficaces
3. Valeur inspirante: Possibilité de généralisation à d'autres systèmes d'électronique de vallée

Scénarios applicables

1. Systèmes supraconducteurs de graphène tordu
2. Autres matériaux bidimensionnels possédant des degrés de liberté de vallée
3. Systèmes où la polarisation en vallée et la supraconductivité coexistent
4. Applications de dispositifs nécessitant des diodes supraconductrices hautement efficaces

Références bibliographiques

Cet article cite 66 références pertinentes, couvrant les observations expérimentales de l'EDS, les mécanismes théoriques, la physique du graphène tordu et d'autres aspects, fournissant une base solide pour la recherche. Les références importantes incluent la première observation de l'EDS 7, l'expérience de non-réciprocité extrême dans le graphène tricouche tordu 12, ainsi que les travaux théoriques connexes 33,34, etc.