Utilisation de la Mémoire d'Accès Aléatoire Résistive Préformée pour Créer une Fonction Physiquement Non-Clonnable Robuste

Informations Fondamentales

• ID de l'article : 2510.02643
• Titre : Using Preformed Resistive Random Access Memory to Create a Strong Physically Unclonable Function
• Auteurs : Jack Garrard, John F. Hardy II, Carlo daCunha, Mayank Bakshi (Northern Arizona University)
• Classification : cs.CR (Cryptographie et Sécurité)
• Date de publication : 6 octobre 2025 (IEEE ACCESS)
• Lien de l'article : https://arxiv.org/abs/2510.02643

Résumé

Les fonctions physiquement non-clonables (PUF) constituent une solution prometteuse pour l'authentification et le chiffrement asymétrique. Cet article propose un nouveau protocole basé sur une PUF à mémoire d'accès aléatoire résistive (ReRAM) pour créer une PUF ReRAM physique disposant d'un grand espace de défis. Le protocole utilise la lecture différentielle de ReRAM non préformée comme méthode de génération de réponses. L'article fournit également une démonstration matérielle expérimentale du protocole sur des dispositifs ReRAM physiques, mettant en évidence d'excellentes caractéristiques de performance en tant que PUF.

Contexte de Recherche et Motivation

Définition du Problème

La communication sécurisée moderne nécessite des mécanismes d'authentification et de chiffrement fiables. Les systèmes cryptographiques à clé publique traditionnels dépendent de la distribution et du stockage sécurisés des clés privées, mais les clés numériques sont facilement copiables et vulnérables aux fuites, ce qui rend leur réémission difficile une fois compromises.

Motivation de la Recherche

1. Fragilité des clés numériques : Les clés traditionnelles sont de forme numérique, peuvent être copiées et sont exposées aux menaces de fuite
2. Limitations des PUF SRAM :
   • L'espace de défis évolue linéairement, avec une portée limitée
   • Fuite directe d'informations secrètes dans les réponses brutes
   • Nécessité de stocker l'espace de réponse complet, impossible de réduire la taille d'enregistrement par modélisation
3. Besoin de cryptographie post-quantique : Nécessité de sources de données aléatoires résistantes aux algorithmes quantiques

Limitations des Approches Existantes

Les PUF SRAM, en tant que solution dominante actuelle, présentent les problèmes suivants :

• Relation linéaire entre l'espace de défis et le nombre de cellules mémoire, faible extensibilité
• Exposition directe des réponses brutes à la source de caractère aléatoire sous-jacente
• Le processus d'enregistrement doit couvrir l'espace de réponse complet
• Vulnérabilité aux attaques différentielles

Contributions Principales

1. Proposition d'un nouveau protocole ReRAM PUF : Nouveau protocole utilisant des cellules ReRAM non préformées comme éléments PUF
2. Vérification expérimentale matérielle : Démonstration matérielle complète sur des dispositifs ReRAM physiques
3. Augmentation significative de l'espace de défis : L'espace de défis évolue quadratiquement avec le nombre de cellules
4. Excellents indicateurs de performance : Taux d'erreur binaire extrêmement faible (<0,03%) et excellentes caractéristiques PUF
5. Pas de fabrication personnalisée requise : Utilisation des processus de fabrication existants, réalisable en omettant l'étape de préformation

Détails de la Méthode

Définition de la Tâche

Concevoir un système PUF robuste basé sur ReRAM où l'entrée est un flux d'octets de défi et la sortie est un flux d'octets de réponse unique correspondant, avec des exigences d'espace de défis important, de faible taux d'erreur binaire et de sécurité robuste.

Fondamentaux de la Technologie ReRAM

Structure et Principes de ReRAM

ReRAM adopte une structure d'empilement de films métal-isolant-métal :

• Modification de l'état de résistance par formation et rupture de filaments conducteurs (CF)
• Processus de préformation : application d'une polarité positive pour former des chemins de lacunes d'oxygène
• Processus de réinitialisation/mise en place : commutation entre état de haute résistance (HRS) et état de basse résistance (LRS)

Caractéristiques de ReRAM Non-Préformée

Cette recherche utilise des cellules ReRAM non préformées :

• État de résistance extrêmement stable, facile à mesurer
• Évite les problèmes de relaxation dépendante du temps causés par la diffusion d'oxygène
• La variabilité de fabrication fournit une source naturelle de caractère aléatoire

Architecture du Protocole Principal

1. Protocole de Génération de Défis

Flux de génération de défis :
1. Génération de données initiales via SHA256 en utilisant des octets aléatoires et une clé cryptographique
2. Analyse en pool de paires d'adresses (environ 1,5 fois la taille de clé cible)
3. Filtrage des cellules à écart-type élevé
4. Vérification que la différence des paires de cellules est suffisamment grande pour produire des réponses reproductibles
5. Génération d'un masque de stabilité marquant les cellules instables

2. Mécanisme de Génération de Réponses

Flux de génération de réponses :
1. Réception d'octets aléatoires et du masque de stabilité
2. Régénération des paires d'adresses et application du filtrage par masque
3. Exécution de lectures différentielles sur double puce ReRAM
4. Conditionnement du signal via circuit analogique et fourniture d'offset
5. Comparateur analogique produisant une réponse d'un seul bit
6. Concaténation de tous les bits et hachage du résultat

Points d'Innovation Technique

1. Mécanisme de Lecture Différentielle

• Utilisation de deux puces ReRAM pour comparaison plutôt que mesure absolue
• Génération de réponses basée sur la comparaison de résistances plutôt que sur les valeurs de résistance directes
• Isolation efficace des informations de mesure analogique sous-jacentes

2. Extension d'Espace de Défis Quadratique

Calcul de l'espace de défis : 4096 × 4096 × 8 × (1-0,33) × (1-0,12) ≈ 80 000 000 paires de cellules Nombre final de CRP : environ (8×10^7)^256

3. Stratégie de Filtrage Adaptative

• Filtrage au niveau cellule : seuil d'écart-type de 30 comptages ADC
• Filtrage au niveau paire : différence supérieure à 2 fois la somme des écarts-types
• Génération dynamique de masque de stabilité

Configuration Expérimentale

Plateforme Matérielle

• Puce ReRAM : Configuration CrossBar Al/Al2O3/W 1R1T
• Spécifications de matrice : Matrice de test 1kb×4, 32 lignes de mots, 128 bits
• Plage de courant : 105-793 nA (8 valeurs présélectionnées)
• Limite de tension : Maximum 1,5V pour prévenir la préformation accidentelle
• PCB personnalisé : Conditionnement de signal et comparateur analogique

Indicateurs d'Évaluation

1. Taux d'erreur binaire (BER) : Distance de Hamming entre réponse enregistrée et réponse réelle
2. Fiabilité : Cohérence des réponses répétées pour le même défi
3. Unicité : Caractère aléatoire des réponses entre différentes PUF (valeur idéale 50%)
4. Diffusion : Caractère aléatoire entre différents défis pour la même PUF
5. Uniformité : Distribution équilibrée des 0 et 1 dans les réponses

Paramètres Expérimentaux

• Échantillons d'enregistrement : 50 échantillons par cellule
• Échelle de test : 7 puces, 8 valeurs de courant, 1000 CRP
• Paramètres de filtrage : Seuil d'écart-type cellule 30, seuil multiplicateur de paire 2

Résultats Expérimentaux

Indicateurs de Performance Principaux

Analyse de Dépendance au Courant

Performance BER à différents courants :

• 105 nA : 2,563×10^-4
• 793 nA : 4,055×10^-4
• Tendance : Augmentation légère du BER avec le courant, mais maintien d'un niveau extrêmement faible

Analyse de Consommation d'Énergie

• Consommation par génération défi-réponse : Niveau microwatt
• Lecture de tension unique : <40 nW
• Consommation globale : <1 mW, adaptée aux dispositifs clients

Comparaison avec Autres Technologies PUF

Travaux Connexes

Développement de la Technologie PUF

1. PUF SRAM : Technologie dominante actuelle, mais croissance linéaire de l'espace de défis
2. Variantes de PUF ReRAM :
   • PUF ReRAM préformée : Problèmes de fiabilité et de diffusion
   • Protocole à cellule de référence : Espace de défis linéaire, utilisation faible des puces
3. Autres PUF mémoire : Technologies émergentes comme STT-MRAM

Avantages de cet Article

1. Espace de défis : Croissance quadratique vs croissance linéaire
2. Compatibilité de fabrication : Pas de processus personnalisé requis
3. Sécurité : Mesure indirecte prévenant la fuite d'informations
4. Efficacité énergétique : Consommation extrêmement faible adaptée aux applications IoT

Conclusions et Discussion

Conclusions Principales

1. Implémentation réussie d'un protocole PUF robuste basé sur ReRAM non-préformée
2. Réalisation d'excellents indicateurs de performance : BER < 0,03%, toutes les caractéristiques PUF proches des valeurs idéales
3. Réalisation d'une extension d'espace de défis quadratique, significativement supérieure aux PUF SRAM existantes
4. Pas de processus de fabrication personnalisé requis, potentiel de mise en pratique

Limitations

1. Dépendance matérielle : Nécessité de puces ReRAM spécialisées et de circuits analogiques
2. Sensibilité à la température : Bien que ReRAM non-préformée soit relativement stable, une vérification supplémentaire est nécessaire
3. Vérification à l'échelle : Les expériences actuelles sont basées sur une taille de matrice relativement petite
4. Stabilité à long terme : Nécessité de tests de stabilité sur une période plus longue

Directions Futures

1. Générateur de nombres véritablement aléatoires : Utilisation de cellules à écart-type élevé pour générer des bits aléatoires continus
2. Modélisation améliorée : Développement de modèles précis des relations entre cellules ReRAM et courant
3. Conception miniaturisée : Création de dispositifs tokenisés pour applications pratiques
4. Intégration de réseaux de neurones : Combinaison avec des réseaux de neurones matériels basés sur ReRAM

Évaluation Approfondie

Points Forts

1. Innovation technique forte : Première utilisation systématique de ReRAM non-préformée pour implémenter une PUF robuste
2. Vérification expérimentale complète : Implémentation matérielle complète et évaluation de performance exhaustive
3. Valeur pratique élevée : Résolution des limitations clés des PUF SRAM
4. Conception de sécurité excellente : Le mécanisme de lecture différentielle prévient efficacement la fuite d'informations

Insuffisances

1. Considérations de coût insuffisantes : Le coût des puces ReRAM peut être supérieur à celui du SRAM
2. Adaptabilité environnementale : Manque de tests de stabilité dans différentes conditions environnementales
3. Analyse de modèles d'attaque : Analyse insuffisante de la résistance aux méthodes d'attaque avancées
4. Degré de normalisation : Manque d'analyse de compatibilité avec les normes PUF existantes

Évaluation d'Impact

1. Contribution académique : Fourniture d'une nouvelle voie technologique pour le domaine des PUF
2. Valeur industrielle : Potentiel de promotion de l'application de ReRAM dans les puces de sécurité
3. Reproductibilité : Configuration expérimentale détaillée facilitant la reproduction par d'autres chercheurs
4. Perspectives d'application : Particulièrement adaptée aux dispositifs IoT et aux applications de réseaux de neurones matériels

Scénarios d'Application

1. Authentification de dispositifs IoT : Les caractéristiques de faible consommation conviennent aux dispositifs à ressources limitées
2. Modules de sécurité matérielle : Intégration possible dans les puces de sécurité
3. Informatique en périphérie : Fonctionnement coordonné avec les réseaux de neurones ReRAM
4. Sécurité de la chaîne d'approvisionnement : Identification d'empreinte de dispositif et prévention de contrefaçon

Références Bibliographiques

Cet article cite 28 références pertinentes, couvrant plusieurs domaines incluant la technologie PUF, les dispositifs ReRAM, les protocoles cryptographiques et autres travaux importants, fournissant une base théorique solide à la recherche.

Évaluation Globale : Ceci est un article de recherche en sécurité matérielle de haute qualité proposant une solution PUF ReRAM innovante, dont l'efficacité a été vérifiée par des expériences matérielles complètes. L'article démontre une excellence en innovation technique, vérification expérimentale et valeur pratique, apportant une contribution importante au développement de la technologie PUF.