Dépendance à la température cryogénique et hystérésis de la fuite de grille induite par les pièges de surface dans les transistors à haute mobilité d'électrons en GaN

Informations de base

• ID de l'article: 2510.14456
• Titre: Cryogenic temperature dependence and hysteresis of surface-trap-induced gate leakage in GaN high-electron-mobility transistors
• Auteurs: Ching-Yang Pan, Shi-Kai Lin, Yu-An Chen, Pei-hsun Jiang (Université Normale Nationale de Taïwan)
• Classification: cond-mat.mes-hall physics.app-ph
• Date de publication: 16 octobre 2024
• Lien de l'article: https://arxiv.org/abs/2510.14456

Résumé

Cette étude cartographie en détail les différents mécanismes de fuite de grille induite par les pièges de surface dans les transistors à haute mobilité d'électrons en GaN (HEMTs), sur une plage de température allant de la température ambiante aux températures extrêmement basses. Une conduction par saut à portée variable bidimensionnelle (2D-VRH) est observée sous faibles polarisations de grille. Sous des polarisations de grille inverses plus élevées, la fuite au-dessus de 220 K est principalement dominée par l'émission Poole-Frenkel, mais se transforme progressivement en tunnelage assisté par pièges en dessous de 220 K en raison de l'effet de gel des pièges. La hauteur de barrière des pièges extraite du balayage de grille ascendant est de 0,65 V, soit 12% plus élevée que celle du balayage descendant. La relation fonctionnelle entre le courant de fuite de grille et la polarisation de grille présente une hystérésis dans le sens des aiguilles d'une montre au-dessus de 220 K, tandis qu'elle présente une hystérésis dans le sens inverse des aiguilles d'une montre en dessous de 220 K. Ce phénomène d'hystérésis inverse remarquable est entièrement expliqué par les mécanismes de pièges.

Contexte et motivation de la recherche

1. Problèmes à résoudre:
   • Les mécanismes de fuite de grille des HEMTs en GaN en environnement extrêmement froid n'ont pas été suffisamment étudiés
   • La fuite de grille induite par les pièges de surface a un impact grave sur la fiabilité des dispositifs
   • Manque d'études systématiques sur le comportement d'hystérésis de la fuite de grille à très basse température
2. Importance du problème:
   • La demande croissante de dispositifs électroniques cryogéniques pour les applications aérospatiales, l'informatique quantique et les systèmes supraconducteurs
   • Les HEMTs en GaN présentent des performances supérieures à basse température, mais les effets de pièges limitent la fiabilité des dispositifs
   • La fuite de grille réduit la tension de claquage et augmente la consommation d'énergie en mode bloqué
3. Limitations des méthodes existantes:
   • Les études antérieures se sont principalement concentrées sur la dépendance à la température de la fuite de grille au-dessus de la température ambiante
   • Manque d'études approfondies sur la fuite de grille de surface à très basse température
   • Compréhension insuffisante des mécanismes physiques du comportement d'hystérésis de la fuite de grille
4. Motivation de la recherche:
   • Fournir une base théorique pour le développement et l'application de dispositifs GaN à très basse température
   • Révéler les mécanismes physiques de la fuite de grille dans différentes plages de température
   • Établir l'association entre les mécanismes de pièges et le comportement d'hystérésis

Contributions principales

1. Cartographie systématique des différents mécanismes de fuite de grille des HEMTs en GaN sur une plage de température de 300 K à 1,5 K
2. Découverte et explication de la transition de mécanisme de l'émission Poole-Frenkel au tunnelage assisté par pièges autour de 220 K
3. Première observation du phénomène d'inversion de direction de l'hystérésis de fuite de grille avant et après 220 K
4. Fourniture de mesures précises de la hauteur de barrière des pièges (0,65 V) et de sa relation avec la direction de balayage
5. Établissement d'un modèle d'association physique entre différents mécanismes de fuite et le comportement d'hystérésis

Détails méthodologiques

Structure et fabrication du dispositif

• Substrat: Couche tampon superlattice GaN/AlGaN de 4 μm d'épaisseur sur substrat Si(111)
• Hétérojonction: GaN(200 nm)/Al₀,₂Ga₀,₈N(25 nm) formant un canal de gaz d'électrons bidimensionnel
• Électrodes: Électrodes source-drain Ti/Al/Ti/Au, électrode de grille Ni/Au/Ti
• Couche de passivation: Couche de passivation SiO₂ de 450 nm
• Dimensions du dispositif: Largeur de grille 100 μm, longueur de grille 3-5 μm, distance source-grille 3-5 μm, distance grille-drain 20-30 μm

Méthodes de test

• Plage de température: Mesures systématiques de 300 K à 1,5 K
• Caractérisation électrique: Caractéristiques I-V, caractéristiques C-V, mesures de mobilité et de concentration de porteurs
• Test de fuite de grille: Balayage de tension de grille bidirectionnel, test à différentes vitesses de balayage
• Test de contrainte: Mesures dépendantes du temps sous polarisation de grille fixe

Modèles théoriques

1. Conduction par saut à portée variable bidimensionnelle (2D-VRH): $I_{2D-VRH} = I_0 \exp\left[-\left(\frac{T_0}{T}\right)^{1/3}\right]$
2. Émission Poole-Frenkel (PFE): $I_{PFE} \propto E \exp\left[\frac{q}{kT}\left(\sqrt{\frac{qE}{\pi\epsilon}} - \phi_{PFE}\right)\right]$
3. Tunnelage assisté par pièges (TAT): $I_{TAT} \propto \exp\left(-\frac{8\pi\sqrt{2m^*q}}{3h}\frac{\phi_{TAT}^{3/2}}{E}\right)$

Configuration expérimentale

Paramètres du dispositif

• Échantillon représentatif: LG = 5 μm, LSG = 3 μm, LGD = 30 μm
• Densité de porteurs à température ambiante: ~9×10¹² cm⁻²
• Mobilité à température ambiante: 1108 cm²/(V·s)
• Mobilité à 1,5 K: 2323 cm²/(V·s)

Conditions de mesure

• Pas de température: 25 K au-dessus de 200 K, 20 K en dessous de 200 K
• Plage de balayage de tension de grille: -10 V à +2 V
• Vitesse de balayage: ±0,05 V par 18-250 ms
• Durée de contrainte: Jusqu'à 90 secondes

Indicateurs d'évaluation

• Relation entre le courant de fuite de grille IG et la tension de grille VG
• Hauteurs de barrière des pièges φPFE et φTAT
• Surface et direction de la boucle d'hystérésis
• Exposant de dépendance à la température

Résultats expérimentaux

Résultats principaux

1. Classification par température:
   • Région haute température (300-220 K): PFE dominant
   • Région température intermédiaire (200-140 K): Transition PFE vers TAT
   • Région basse température (120-1,5 K): TAT dominant, dépendance à la température disparue
2. Identification des mécanismes de fuite:
   • VG > 0,3 V: Émission thermoélectronique Schottky
   • -1 V < VG < 0,3 V: Mécanisme 2D-VRH
   • VG < -4 V: PFE (haute température) ou TAT (basse température)
3. Hauteur de barrière des pièges:
   • Balayage ascendant: φPFE = 0,65 V
   • Balayage descendant: φPFE = 0,58 V
   • Différence: 12%

Phénomènes d'hystérésis

1. Direction de l'hystérésis:
   • T > 220 K: Boucle d'hystérésis dans le sens des aiguilles d'une montre
   • T < 220 K: Boucle d'hystérésis dans le sens inverse des aiguilles d'une montre
   • T = 220 K: Hystérésis minimale
2. Dépendance à la vitesse de balayage:
   • Haute température: Hystérésis peu sensible à la vitesse de balayage
   • Basse température: Forte dépendance à la vitesse de balayage
3. Dépendance au temps:
   • T > 220 K: IG augmente avec le temps
   • T < 220 K: IG diminue avec le temps

Explication des mécanismes physiques

1. Mécanisme PFE (T > 220 K):
   • Excitation thermique des électrons des pièges vers la bande de conduction
   • Plus de pièges d'électrons fournissent un réservoir de porteurs plus grand
   • Produit une hystérésis dans le sens des aiguilles d'une montre
2. Mécanisme TAT (T < 220 K):
   • Effet de gel des pièges, émission d'électrons par tunnelage
   • L'augmentation de l'occupation des pièges supprime le courant de tunnelage
   • Produit une hystérésis dans le sens inverse des aiguilles d'une montre

Travaux connexes

Principaux domaines de recherche

1. Étude des caractéristiques à très basse température des HEMTs en GaN
2. Étude des mécanismes de pièges dans les dispositifs semi-conducteurs
3. Analyse de la dépendance à la température de la fuite de grille
4. Phénomènes d'hystérésis dans les diodes Schottky

Unicité de cet article

• Première étude systématique de la fuite de grille des HEMTs en GaN sur une très large plage de température
• Découverte et explication de l'inversion de direction de l'hystérésis en fonction de la température
• Établissement de limites claires entre différents mécanismes de fuite

Conclusions et discussion

Conclusions principales

1. Transition de mécanisme: 220 K est le point de température critique pour la transition PFE vers TAT
2. Inversion d'hystérésis: L'inversion de la direction de l'hystérésis correspond directement au changement du mécanisme de fuite
3. Effet de gel des pièges: Le gel des pièges à basse température est la cause fondamentale du mécanisme TAT et de l'hystérésis inverse
4. Valeur pratique: La mesure d'hystérésis peut servir d'outil pratique pour identifier les mécanismes de fuite

Limitations

1. Limitations matérielles: L'étude se limite aux dispositifs cultivés par MOCVD avec passivation SiO₂
2. Plage de température: Le rapport signal/bruit dans certaines plages de température limite l'analyse précise
3. Modèle théorique: L'inhomogénéité de la distribution du champ électrique affecte l'extraction précise de la hauteur de barrière TAT

Directions futures

1. Optimisation des procédés: Étudier l'impact de différents matériaux de passivation et méthodes de croissance
2. Perfectionnement théorique: Établir un modèle plus précis de la distribution du champ électrique de surface
3. Application aux dispositifs: Développer des stratégies d'amélioration de la fiabilité basées sur la compréhension des mécanismes de pièges

Évaluation approfondie

Points forts

1. Forte systématicité: Couvre une très large plage de température, fournissant une image physique complète
2. Mécanismes clairs: Identification précise des différents mécanismes de fuite par ajustement de plusieurs modèles théoriques
3. Phénomènes novateurs: Première découverte de l'inversion de direction de l'hystérésis en fonction de la température
4. Explication raisonnable: L'explication des mécanismes basée sur la physique des pièges est logique et convaincante
5. Valeur pratique: Fournit une référence importante pour la conception et l'évaluation de la fiabilité des dispositifs GaN à très basse température

Insuffisances

1. Limitations d'échantillons: Étude limitée à une structure de dispositif spécifique et des conditions de procédé
2. Simplification du modèle: Certaines interactions de pièges complexes peuvent être négligées
3. Analyse quantitative: L'extraction de certains paramètres est limitée par les conditions expérimentales

Impact

1. Valeur académique: Fournit une nouvelle perspective et une nouvelle méthode pour la recherche en physique des dispositifs GaN
2. Perspectives d'application: Importance significative pour les applications à très basse température telles que l'informatique quantique
3. Contribution méthodologique: La mesure d'hystérésis comme outil d'identification de mécanisme a une valeur de promotion

Scénarios applicables

1. Électronique cryogénique: Systèmes aérospatiales, informatique quantique
2. Électronique de puissance: Convertisseurs d'alimentation haute efficacité
3. Applications radiofréquence: Amplificateurs faible bruit, amplificateurs de puissance
4. Fiabilité des dispositifs: Analyse de défaillance et prédiction de durée de vie

Références

L'article cite 93 références connexes, couvrant plusieurs domaines importants tels que la physique des dispositifs GaN, les mécanismes de pièges et l'électronique cryogénique, fournissant une base théorique solide et des références comparatives pour la recherche.

Évaluation globale: Cet article est un travail de physique expérimentale de haute qualité qui étudie systématiquement et en profondeur les mécanismes de fuite de grille des HEMTs en GaN à très basse température, découvre de nouveaux phénomènes physiques et fournit des explications théoriques raisonnables. Les résultats de la recherche sont d'une importance significative pour promouvoir l'application des dispositifs GaN dans les environnements extrêmes.