Conception et simulation d'une photodiode à avalanche faible gain 4H-SiC avec isolation par tranchée

Informations de base

• ID de l'article: 2510.14531
• Titre: Design and simulation of a 4H-SiC low gain avalanche diode with trench-isolation
• Auteurs: Sebastian Onder, Philipp Gaggl, Jürgen Burin, Andreas Gsponer, Matthias Knopf, Simon Waid, Neil Moffat, Giulio Pellegrini, Thomas Bergauer
• Classification: physics.ins-det
• Date de publication: 16 octobre 2025
• Lien de l'article: https://arxiv.org/abs/2510.14531v1

Résumé

Cet article présente la conception et la simulation d'une photodiode à avalanche faible gain (LGAD) en 4H-SiC d'une épaisseur de 30 μm, optimisée pour le fonctionnement à haute tension. Une couche de gain épitaxiée d'une épaisseur de 2,4 μm permet une amplification interne contrôlée jusqu'à une polarisation inverse de 1 kV, tout en maintenant une déplétion complète en dessous de 500 V. Les caractéristiques I-V, C-V et de gain ont été simulées dans une géométrie quasi-unidimensionnelle à l'aide du logiciel TCAD Synopsys Sentaurus, et validées dans la plage de variations liées au procédé des paramètres de la couche de gain. Pour assurer la stabilité à haute tension et une terminaison de bord appropriée, des structures de protection combinant des tranchées gravées profondément et une extension de terminaison de jonction (JTE) p+ profonde ont été conçues. Grâce à des simulations TCAD faisant varier les dimensions de la structure de protection, une conception optimisée avec une tension de claquage supérieure à 2,4 kV a été obtenue. La fabrication correspondante des tranches est en cours à l'IMB-CNM de Barcelone.

Contexte et motivation de la recherche

Définition du problème

1. Limitations des détecteurs de silicium traditionnels: Les détecteurs à base de silicium se dégradent considérablement dans les environnements à fort rayonnement, et le courant d'obscurité est important à haute température
2. Défis d'application du matériau SiC: Bien que le 4H-SiC possède d'excellentes performances de résistance aux radiations et un faible courant d'obscurité, son énergie de création de paires électron-trou plus élevée (~7,8 eV contre 3,6 eV pour Si) entraîne une amplitude de signal plus faible, limitant son application dans les expériences de physique des hautes énergies
3. Exigences de fonctionnement à haute tension: Les technologies d'épitaxie existantes produisent généralement des concentrations de dopage élevées (≥10¹⁴ cm⁻³), entraînant une tension de déplétion importante, limitant la réalisation de régions actives épaisses

Importance de la recherche

• Besoin urgent de détecteurs de temps rapides pour les expériences de physique des hautes énergies
• L'amélioration de la disponibilité des matériaux et des techniques de fabrication du SiC dans l'électronique de puissance et l'industrie automobile
• L'application réussie de la technologie LGAD dans les détecteurs à base de silicium fournit une base technologique pour le développement du SiC-LGAD

Limitations des approches existantes

• Le projet SICAR utilise l'isolation par bord biseauté, avec un gain de seulement 2-3
• La production du LBNL et de la NCSU, bien qu'atteignant un gain de 7-8, présente toujours des limitations dans les méthodes d'isolation
• Les structures de protection conventionnelles à injection p peu profonde ne peuvent pas isoler efficacement les dispositifs à couche de gain épaisse

Contributions principales

1. Conception innovante de la structure du dispositif: Proposition d'une conception de couche de gain épitaxiée d'une épaisseur de 2,4 μm, évitant les limitations technologiques du procédé d'implantation profonde
2. Nouvelle structure de protection: Développement d'une structure de protection combinant des tranchées gravées profondément et une injection JTE p+ profonde, réalisant une tension de claquage supérieure à 2,4 kV
3. Optimisation complète par simulation TCAD: Optimisation systématique de la structure du dispositif par balayage de paramètres, tenant compte des tolérances du procédé de fabrication
4. Réalisation de dispositifs haute performance: Déplétion complète en dessous de 500 V, amplification du signal de 1 à 10 fois à une polarisation inverse de 1 kV

Détails de la méthode

Conception de la structure du dispositif

Structure épitaxiée

Le dispositif adopte la structure en couches suivante (de bas en haut):

• Substrat n+: Concentration de dopage ~10¹⁷ cm⁻³, fournissant un support mécanique
• Couche tampon n++: Épaisseur 1 μm, concentration de dopage ~10¹⁸ cm⁻³, agissant comme couche de blocage de champ
• Région active de type n: Épaisseur 27,6 μm, concentration de dopage 1,5×10¹⁴ cm⁻³, couche épitaxiée haute résistivité
• Couche de gain n+: Épaisseur 2,4 μm, concentration de dopage 7,5×10¹⁶ cm⁻³, réalisée par épitaxie
• Couche d'injection p++: Formant la jonction pn et fournissant un contact ohmique

Optimisation des paramètres de conception

Un balayage paramétrique étendu a été effectué à l'aide de Synopsys Sentaurus TCAD, avec des objectifs d'optimisation incluant:

• Tension de déplétion complète < 500 V
• Fonctionnement stable jusqu'à une polarisation inverse de 1 kV
• Amplification du signal de 2 à 10 fois (par rapport à une diode PIN d'épaisseur équivalente)

Conception de la structure de protection

Isolation par tranchée

• Profondeur: 7 μm, dépassant l'épaisseur de la couche de gain
• Largeur: 5/10/15 μm (limitée par le fabricant)
• Passivation: Passivation multicouche SiO₂/Si₃N₄
• Géométrie: Entourant une diode circulaire de 500 μm de diamètre

Injection JTE

• Profondeur: 4 μm, pénétrant la couche de gain
• Largeur: 30 μm
• Concentration de dopage: 10¹⁷ cm⁻³
• Fonction: Redistribuer le champ électrique de bord, prévenir le claquage prématuré

Points d'innovation technologique

1. Couche de gain non enterrée: Utilisation de l'épitaxie plutôt que de l'implantation ionique, évitant les limitations technologiques de l'implantation haute énergie
2. Structure de protection composite: Combinaison de l'isolation par tranchée et de l'injection JTE profonde, augmentant considérablement la tension de claquage
3. Considération des tolérances de procédé: La conception tient pleinement compte de la plage de variations du procédé de fabrication (épaisseur ±0,2 μm, dopage ±10%)

Configuration de la simulation

Outils et modèles de simulation

• Logiciel: Synopsys Sentaurus TCAD SDevice
• Géométrie: Structure quasi-unidimensionnelle (conception de couche de gain), structure bidimensionnelle (structure de protection)
• Modèles physiques: Ensemble de paramètres d'ionisation par impact Okuto, modèle HeavyIon simulant l'impact des particules
• Paramètres matériaux: Paramètres 4H-SiC personnalisés, tenant compte de l'anisotropie

Méthodologie de simulation

Simulation de conception de couche de gain

• Géométrie: Structure quasi-unidimensionnelle de 1 μm de large
• Maillage: Maillage fin en direction verticale, 4 lignes de maillage en direction transversale
• Types de simulation:
  • Caractéristiques I-V et C-V quasi-statiques (jusqu'à 1 kV)
  • Réponse du signal transitoire (modèle HeavyIon)
• Référence: Diode PIN d'épaisseur équivalente comme référence de calcul de gain

Simulation de structure de protection

• Géométrie: Structure bidimensionnelle, incluant la région locale contenant JTE et tranchée
• Conditions aux limites: Assurer l'absence de champ électrique résiduel aux limites lors du claquage
• Balayage paramétrique: Variation systématique de la largeur JTE, de la largeur et de la profondeur de la tranchée
• Détermination du claquage: Extraction de la tension de claquage basée sur le seuil de courant

Paramètres de simulation clés

• Génération de porteurs: Génération artificielle de porteurs simulant une ligne de base de bruit de 1 pA
• Simulation de particules: Facteur LET de 9,15 pC μm⁻¹, largeur transversale gaussienne de 0,15 μm
• Paramètres de convergence: Convergence et paramètres d'erreur optimisés pour la faible concentration de porteurs intrinsèques du 4H-SiC

Résultats de la simulation

Caractéristiques électriques

Caractéristiques I-V et C-V

• Comportement de déplétion: La couche de gain se déplete en dessous de 400 V, le dispositif se déplete complètement en dessous de 500 V
• Courant d'obscurité: Maintenu en dessous de 30 pA
• Tolérances de procédé: Tous les configurations sauf la combinaison d'épaisseur maximale + dopage maximal ne présentent pas de claquage de couche de gain

Caractéristiques de gain

• Plage de gain: 1-10 fois (excluant les cas de claquage)
• Courbe de gain: Augmentation lisse avec la polarisation inverse
• Dépendance paramétrique: Les couches de gain plus épaisses/plus fortement dopées montrent une pente de gain plus raide

Optimisation du comportement de claquage

Optimisation de la largeur JTE

• Phénomène de saturation: La tension de claquage se sature au-delà d'une largeur JTE de 30 μm
• Valeur optimale: 30 μm sélectionné comme paramètre de conception final

Optimisation des paramètres de tranchée

• Effet de la profondeur:
  • Profondeur de 5 μm entraînant le claquage le plus précoce
  • Profondeur de 7 μm comme valeur optimale
  • Performance diminuant progressivement au-delà de 7 μm
• Effet de la largeur: La largeur améliore continuellement la tension de claquage dans toute la plage de simulation
• Configuration optimale: Tranchée de 7 μm de profondeur × 16 μm de largeur associée à JTE de 30 μm × 4 μm

Performance finale

• Tension de claquage maximale: 2450 V (configuration optimale)
• Marge de conception: Dépassant largement l'exigence de tension de fonctionnement de 1 kV
• Contraintes de fabrication: La conception finale adopte une tranchée plus étroite pour réduire le risque de gravure

Travaux connexes

Historique du développement des détecteurs SiC

1. Recherche précoce: Recherche fondamentale sur le SiC comme matériau de détection de rayonnement
2. Projet SICAR: Première réalisation du SiC-LGAD, gain de 2-3
3. Collaboration LBNL/NCSU: Amélioration du procédé d'isolation, gain atteignant 7-8, résolution temporelle <35 ps
4. FNSPE CTU/FZU CAS: Utilisation de l'isolation JTE, dopage de couche épitaxiée réduit à 5×10¹³ cm⁻³, gain de 10-100

Tendances du développement technologique

• Évolution du procédé de bord biseauté vers l'isolation JTE
• Réduction continue de la concentration de dopage de la couche épitaxiée
• Amélioration continue des performances de gain
• Maturation progressive du procédé de fabrication

Conclusions et discussion

Conclusions principales

1. Conception réussie: Réalisation d'une conception complète du LGAD 4H-SiC d'une épaisseur de 30 μm, satisfaisant aux exigences de stabilité à haute tension
2. Performance excellente: Déplétion complète en dessous de 500 V, fonctionnement stable à 1 kV, gain de 1-10 fois
3. Structure de protection efficace: La structure de protection composite tranchée + JTE réalise une tension de claquage >2,4 kV
4. Faisabilité de fabrication: La conception tient compte des tolérances de procédé, la fabrication des tranches est en cours

Avantages techniques

• La couche de gain épitaxiée évite les limitations technologiques de l'implantation profonde
• La structure de protection composite fournit une excellente stabilité à haute tension
• L'optimisation TCAD systématique assure la fiabilité de la conception

Limitations

1. Contraintes de fabrication: La largeur de tranchée est limitée par les capacités de procédé du fabricant
2. Considérations de coût: Le coût du matériau 4H-SiC et du procédé reste élevé
3. Besoin de vérification: Les résultats de simulation nécessitent une vérification expérimentale

Directions futures

1. Vérification expérimentale: Achèvement de la fabrication des tranches et tests électriques et de rayonnement
2. Optimisation des performances: Optimisation supplémentaire des paramètres de conception basée sur les résultats expérimentaux
3. Extension d'application: Exploration du potentiel d'application dans différentes expériences de physique des hautes énergies

Évaluation approfondie

Points forts

1. Force systématique: Considération complète du choix des matériaux à la conception du dispositif et à la structure de protection
2. Simulation détaillée: Optimisation paramétrique complète utilisant des outils TCAD professionnels
3. Haute innovativité: La conception de la couche de gain épitaxiée et de la structure de protection composite présente une innovativité élevée
4. Forte praticité: La conception tient pleinement compte des contraintes et tolérances réelles du procédé de fabrication
5. Technologie avancée: La tension de claquage >2,4 kV dépasse considérablement le niveau technologique existant

Insuffisances

1. Absence de vérification expérimentale: Actuellement uniquement des résultats de simulation, manque de données de test de dispositifs réels
2. Analyse de coût insuffisante: Discussion insuffisante des avantages de coût par rapport aux LGAD à base de silicium
3. Scénarios d'application limités: Principalement orienté vers les applications de physique des hautes énergies, applicabilité insuffisamment explorée dans d'autres domaines
4. Stabilité à long terme: Fiabilité à long terme et caractéristiques de vieillissement du dispositif non considérées

Impact

1. Valeur académique: Fournit une référence de conception importante pour le développement du SiC-LGAD
2. Promotion technologique: Favorise le développement de la technologie des détecteurs SiC vers l'application pratique
3. Impact industriel: Peut promouvoir l'application commerciale des détecteurs SiC
4. Reproductibilité: Les paramètres de conception détaillés et les méthodes de simulation facilitent la reproduction par d'autres chercheurs

Scénarios d'application

1. Expériences de physique des hautes énergies: Applications de détecteurs de temps rapides
2. Applications spatiales: Détection de particules dans les environnements à fort rayonnement
3. Recherche en physique nucléaire: Systèmes de détection nécessitant une résolution temporelle élevée
4. Imagerie médicale: Détecteurs haute performance pour rayons X ou rayons gamma

Références

L'article cite 15 références connexes, couvrant l'historique principal du développement de la technologie des détecteurs SiC et les points techniques clés, fournissant une base théorique solide et des références de comparaison technique pour cette recherche.