Identification de la formation de la phase silicium amorphe dans les films SiOxNy produits par dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma

Informations de base

• ID de l'article: 2510.14701
• Titre: Identification de la formation de la phase silicium amorphe dans les films SiOxNy produits par dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma
• Auteurs: M. V. Voitovych, A. Sarikov, V. O. Yukhymchuk, V. V. Voitovych, M. O. Semenenko
• Classification: cond-mat.mtrl-sci cond-mat.mes-hall
• Institutions de recherche: Institut de physique des semiconducteurs de l'Académie nationale des sciences d'Ukraine et plusieurs autres institutions
• Lien de l'article: https://arxiv.org/abs/2510.14701

Résumé

Cette étude examine les caractéristiques de formation des inclusions de phase silicium amorphe (a-Si) dans les films d'oxynitrure de silicium riche en silicium préparés par dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD), en utilisant des techniques combinées de diffusion Raman et d'absorption infrarouge. Les résultats de la diffusion Raman montrent que la phase a-Si existe dans les films étudiés lorsque la teneur relative en silicium dépasse un seuil d'environ 0,4. La teneur en a-Si est corrélée à la concentration d'hydrogène dans le film, dont la présence est détectée par les bandes d'absorption infrarouge caractéristiques des vibrations de flexion Si-H (~660 cm⁻¹) et des vibrations d'étirement (bande composite dans la plage 1900-2400 cm⁻¹). L'étude propose que la spectroscopie infrarouge combinée à l'analyse de la région des bas nombres d'onde constitue une méthode efficace pour identifier la composition de phase des films d'oxynitrure de silicium riche en silicium.

Contexte et motivation de la recherche

Contexte du problème

1. Importance du matériau: Les films SiOxNy jouent un rôle important dans la fabrication de dispositifs microélectroniques et optoélectroniques modernes, leur structure déterminant les propriétés du matériau
2. Complexité de la composition: Lorsque la teneur en silicium augmente, la morphologie et la structure des films SiOxNy subissent des changements fondamentaux, pouvant former des amas de silicium amorphe de taille variable incorporés dans une matrice diélectrique
3. Défi de détection: Les méthodes d'analyse de composition de phase existantes présentent des limitations dans l'identification de la phase silicium amorphe

Motivation de la recherche

1. Perfectionnement théorique: Les modèles théoriques existants considèrent principalement la distribution aléatoire des liaisons des atomes Si, O et N, nécessitant une mise à jour pour inclure la possibilité de clusters de silicium amorphe
2. Besoins pratiques: Fournir des méthodes de surveillance pour la préparation de films avec une composition de phase spécifique par la technologie PECVD
3. Innovation méthodologique: Développer des techniques simples et non destructives pour l'identification de la composition de phase

Contributions principales

1. Établissement d'une relation de seuil: Détermination du seuil de teneur relative en silicium d'environ 0,4 au-delà duquel commence la formation de phase silicium amorphe
2. Proposition d'une nouvelle méthode de détection: Démonstration que la bande d'absorption à ~660 cm⁻¹ en spectroscopie infrarouge peut être utilisée pour identifier la phase silicium amorphe
3. Révélation de corrélations: Découverte d'une corrélation directe entre la teneur en silicium amorphe et la concentration d'hydrogène dans le film
4. Développement d'une technique d'analyse: Établissement d'une méthode d'identification de la composition de phase basée sur l'analyse de la région des bas nombres d'onde en spectroscopie infrarouge
5. Fourniture d'un soutien théorique: Fourniture de preuves expérimentales pour la compréhension des lois de formation de la composition de phase des films d'oxynitrure de silicium préparés par PECVD

Détails méthodologiques

Conception expérimentale

Préparation des échantillons:

• Préparation de 9 films SiOxNy de compositions différentes par la technique PECVD
• Épaisseur: 300±5 nm
• Substrat: Plaquettes de silicium CZ dopées au bore, polies sur les deux faces (test infrarouge) et lames de saphir de 1 mm d'épaisseur (test Raman)
• Plage de rapport de débit N2O/SiH4: 0,06-9

Techniques de caractérisation

Spectroscopie Raman:

• Longueur d'onde d'excitation: λ = 457 nm
• Densité de puissance: <10³ W/cm² (pour éviter les dommages structuraux)
• Équipement: Spectromètre MDR-23 équipé d'un détecteur CCD Andor iDus 401A
• Normalisation: Sur la base de l'intensité de la bande de silicium amorphe (~480 cm⁻¹)

Spectroscopie infrarouge:

• Plage de mesure: 400-4000 cm⁻¹
• Résolution: 2 cm⁻¹
• Nombre de balayages: 100
• Précision de mesure: ~0,5%
• Équipement: Spectromètre PerkinElmer BX-II

Méthodes de traitement des données

Déconvolution spectrale: Utilisation de fonctions gaussiennes pour la déconvolution mathématique des bandes d'absorption composite, séparant les contributions des différentes configurations de liaisons Si-H:

• H1 (2252±2 cm⁻¹): Complexe H-Si(O₃)
• H2 (2150±4 cm⁻¹): Complexe H-Si(Si₂O)
• H3 (2050±4 cm⁻¹): Complexe H-Si(Si₃)

Calcul de la longueur de liaison: Utilisation de formules empiriques pour calculer la longueur de liaison Si-H:

νSi-H (dSi-H)³ = 7074 cm²

Configuration expérimentale

Paramètres des échantillons

Indicateurs d'évaluation

• Position et largeur à mi-hauteur des pics Raman
• Intensité intégrale des bandes d'absorption infrarouge
• Concentration d'hydrogène (calculée par absorption infrarouge)
• Corrélation entre la teneur relative en silicium et la teneur en phase silicium amorphe

Résultats expérimentaux

Analyse spectroscopique Raman

Découvertes clés:

1. Identification des pics caractéristiques: Observation de deux bandes asymétriques à ~476 cm⁻¹ et ~660 cm⁻¹
2. Analyse de la composition de phase: Le pic à 476 cm⁻¹ correspond au mode TO du silicium amorphe, avec une largeur à mi-hauteur Γ₁ = 66 cm⁻¹
3. Effet de seuil: Lorsque la teneur relative en silicium dépasse 0,4, l'intensité intégrale de la bande TO augmente considérablement

Analyse spectroscopique infrarouge

Région d'étirement Si-H (1900-2400 cm⁻¹):

• Plage de concentration d'hydrogène: ~10²¹-10²² cm⁻³
• Tendance à la hausse avec l'augmentation de la teneur en silicium, tendant à la saturation pour les échantillons à teneur élevée en silicium

Région de flexion Si-H (~660 cm⁻¹):

• Déplacement de pic: De 665 cm⁻¹ (échantillon #3) à 635 cm⁻¹ (échantillon #9)
• Variation d'intensité: Corrélation positive avec la teneur relative en silicium
• Découverte clé: Cette bande d'absorption présente une relation linéaire avec l'intensité du mode TO Raman

Relations quantitatives

Caractéristiques de seuil:

• Seuil de silicium en excès: ~0,2
• Relation linéaire: Au-delà du seuil, la teneur en silicium amorphe croît linéairement avec la concentration de silicium en excès

Travaux connexes

Fondements théoriques

1. Modèle de liaison aléatoire: La théorie traditionnelle considère principalement le mélange de tétraèdres Si-O et de pyramides Si-N
2. Théorie de la séparation de phase: Mécanismes de formation de clusters de silicium dans les films riches en silicium
3. Méthodes de caractérisation spectroscopique: Limitations des méthodes traditionnelles telles que la spectroscopie de photoélectrons X et la diffraction des rayons X en incidence rasante

Caractère innovant de cette recherche

Par rapport aux travaux existants, cette étude applique pour la première fois de manière systématique l'analyse de la région des bas nombres d'onde en spectroscopie infrarouge à l'identification quantitative de la phase silicium amorphe, établissant une relation de seuil explicite.

Conclusions et discussion

Conclusions principales

1. Mécanisme de seuil: Confirmation de la teneur relative en silicium de 0,4 comme valeur critique pour la formation de phase silicium amorphe
2. Méthode de détection: Établissement d'une méthode d'identification de la phase silicium amorphe basée sur la bande d'absorption à ~660 cm⁻¹ en spectroscopie infrarouge
3. Relation structure-propriété: Révélation de la corrélation directe entre la teneur en hydrogène et la teneur en phase silicium amorphe
4. Valeur pratique: Fourniture de moyens simples et efficaces de surveillance en ligne pour l'optimisation du procédé PECVD

Limitations

1. Plage d'échantillons: Étude limitée aux films d'épaisseur spécifique (300 nm)
2. Effet du substrat: Exploration insuffisante de l'influence de différents substrats sur la formation de phase
3. Mécanisme de dynamique: Manque d'analyse détaillée du processus dynamique de formation de phase

Directions futures

1. Mise à jour du modèle théorique: Intégration des clusters de silicium amorphe dans les modèles de diagrammes de phase thermodynamiques
2. Optimisation du procédé: Développement de procédés de préparation personnalisés basés sur le contrôle de la composition de phase
3. Extension d'application: Exploration du potentiel d'application dans les dispositifs photovoltaïques et optoélectroniques

Évaluation approfondie

Points forts

1. Caractère innovant de la méthode: Application systématique pour la première fois de l'analyse infrarouge des bas nombres d'onde pour identifier la phase silicium amorphe, méthode simple et non destructive
2. Suffisance expérimentale: Utilisation de techniques de caractérisation Raman et infrarouge doubles, résultats mutuellement vérifiés, renforçant la fiabilité des conclusions
3. Analyse quantitative: Établissement de relations de seuil explicites et de corrélations quantitatives, présentant une valeur pratique
4. Contribution théorique: Fourniture de preuves expérimentales importantes pour la compréhension des mécanismes de formation de phase des films PECVD

Insuffisances

1. Explication des mécanismes: Manque d'analyse théorique approfondie du mécanisme microscopique de formation de phase silicium amorphe
2. Plage de paramètres: Plage de paramètres expérimentaux relativement limitée, universalité à vérifier
3. Vérification d'application: Manque de vérification des performances dans les dispositifs réels

Impact

1. Valeur académique: Fourniture d'une nouvelle méthode d'analyse de composition de phase pour le domaine de la science des matériaux
2. Valeur pratique: Fourniture de moyens simples de contrôle de qualité pour l'industrie des semiconducteurs
3. Reproductibilité: Haut degré de standardisation des méthodes expérimentales, facile à reproduire

Scénarios d'application

1. Production industrielle: Surveillance en ligne et contrôle de qualité du procédé PECVD
2. Application en recherche et développement: Conception de composition de phase de nouveaux matériaux d'oxynitrure de silicium
3. Optimisation de dispositifs: Contrôle des performances de matériaux pour les cellules photovoltaïques et les dispositifs optoélectroniques

Références bibliographiques

L'article cite 28 références importantes couvrant tous les aspects de la préparation, de la caractérisation et de l'application des films SiOxNy, fournissant une base théorique solide et des références expérimentales pour la recherche.

Évaluation globale: Cet article représente une contribution importante dans le domaine de la science des matériaux. Par une étude spectroscopique systématique, les auteurs ont établi une nouvelle méthode pour identifier la phase silicium amorphe dans les films d'oxynitrure de silicium préparés par PECVD, fournissant un outil précieux pour la compréhension et le contrôle de la composition de phase de ces matériaux fonctionnels importants. La méthodologie de recherche est scientifiquement rigoureuse et les résultats présentent une importance théorique et une valeur pratique significatives.