2025-11-13T07:49:11.035604

Transferable Parasitic Estimation via Graph Contrastive Learning and Label Rebalancing in AMS Circuits

Shen, Hua, Zou et al.

Graph representation learning on Analog-Mixed Signal (AMS) circuits is crucial for various downstream tasks, e.g., parasitic estimation. However, the scarcity of design data, the unbalanced distribution of labels, and the inherent diversity of circuit implementations pose significant challenges to learning robust and transferable circuit representations. To address these limitations, we propose CircuitGCL, a novel graph contrastive learning framework that integrates representation scattering and label rebalancing to enhance transferability across heterogeneous circuit graphs. CircuitGCL employs a self-supervised strategy to learn topology-invariant node embeddings through hyperspherical representation scattering, eliminating dependency on large-scale data. Simultaneously, balanced mean squared error (BMSE) and balanced softmax cross-entropy (BSCE) losses are introduced to mitigate label distribution disparities between circuits, enabling robust and transferable parasitic estimation. Evaluated on parasitic capacitance estimation (edge-level task) and ground capacitance classification (node-level task) across TSMC 28nm AMS designs, CircuitGCL outperforms all state-of-the-art (SOTA) methods, with the $R^2$ improvement of $33.64\% \sim 44.20\%$ for edge regression and F1-score gain of $0.9\times \sim 2.1\times$ for node classification. Our code is available at https://github.com/ShenShan123/CircuitGCL.

academic

AMS सर्किट में ग्राफ कंट्रास्टिव लर्निंग और लेबल रीबैलेंसिंग के माध्यम से ट्रांसफरेबल पैरासिटिक एस्टिमेशन

मूल जानकारी

पेपर ID: 2507.06535
शीर्षक: AMS सर्किट में ग्राफ कंट्रास्टिव लर्निंग और लेबल रीबैलेंसिंग के माध्यम से ट्रांसफरेबल पैरासिटिक एस्टिमेशन
लेखक: Shan Shen, Shenglu Hua, Jiajun Zou, Jiawei Liu, Jianwang Zhai, Chuan Shi, Wenjian Yu
वर्गीकरण: cs.LG cs.SY eess.SY
प्रकाशन तिथि: 25 अक्टूबर 10 (arXiv सबमिशन)
पेपर लिंक: https://arxiv.org/abs/2507.06535

सारांश

यह पेपर एनालॉग-मिक्स्ड सिग्नल (AMS) सर्किट के पैरासिटिक पैरामीटर एस्टिमेशन समस्या के लिए CircuitGCL फ्रेमवर्क प्रस्तावित करता है। यह फ्रेमवर्क ग्राफ कंट्रास्टिव लर्निंग और लेबल रीबैलेंसिंग तकनीकों के माध्यम से सर्किट डिजाइन डेटा की कमी, लेबल वितरण असंतुलन और सर्किट कार्यान्वयन की विविधता की चुनौतियों को हल करता है। CircuitGCL आत्म-पर्यवेक्षित रणनीति अपनाता है, हाइपरस्फेरिकल प्रतिनिधित्व स्कैटरिंग के माध्यम से टोपोलॉजी-अपरिवर्तनीय नोड एम्बेडिंग सीखता है, साथ ही संतुलित माध्य वर्ग त्रुटि (BMSE) और संतुलित softmax क्रॉस-एंट्रॉपी (BSCE) हानि कार्यों को पेश करता है। TSMC 28nm AMS डिजाइन पर प्रयोग दिखाते हैं कि यह विधि किनारे प्रतिगमन कार्य पर R² में 33.64%~44.20% सुधार और नोड वर्गीकरण कार्य पर F1 स्कोर में 0.9×~2.1× सुधार करती है।

अनुसंधान पृष्ठभूमि और प्रेरणा

समस्या परिभाषा

आधुनिक AMS सर्किट एनालॉग मॉड्यूल (जैसे एम्पलीफायर, ऑसिलेटर) और डिजिटल सबसिस्टम (जैसे नियंत्रक, SRAM सरणी) को एकीकृत करते हैं, डिजाइन प्रक्रिया में बड़े पैमाने पर मैनुअल पुनरावृत्ति की आवश्यकता होती है। जैसे-जैसे प्रक्रिया नोड सिकुड़ते हैं, पैरासिटिक प्रभाव तेजी से महत्वपूर्ण हो जाते हैं, विशेष रूप से पैरासिटिक कैपेसिटेंस सर्किट प्रदर्शन को महत्वपूर्ण रूप से प्रभावित करता है, जिससे प्रसार विलंब में वृद्धि, बिजली खपत में वृद्धि और सिग्नल अखंडता में गिरावट होती है।

अनुसंधान का महत्व

पारंपरिक डिजाइन प्रवाह पैरासिटिक प्रभावों को सत्यापित करने के लिए लेआउट-पश्च सिमुलेशन पर निर्भर करता है, यह विधि समय लेने वाली और महंगी है। प्री-लेआउट चरण में पैरासिटिक पैरामीटर भविष्यवाणी डिजाइन पुनरावृत्ति को महत्वपूर्ण रूप से कम कर सकती है और डिजाइन दक्षता में सुधार कर सकती है। ग्राफ न्यूरल नेटवर्क (GNN) इसके लिए एक प्रभावी समाधान प्रदान करते हैं, जो सर्किट को पैरासिटिक पैरामीटर भविष्यवाणी के लिए ग्राफ संरचना के रूप में मॉडल कर सकते हैं।

मौजूदा विधियों की सीमाएं

डेटा की कमी: उच्च गुणवत्ता वाले AMS सर्किट डेटा (SPICE नेटलिस्ट, लेआउट पैरासिटिक पैरामीटर सहित) आमतौर पर मालिकाना होते हैं और उत्पन्न करने में महंगे होते हैं
सर्किट विविधता: AMS सर्किट एनालॉग, डिजिटल और मिश्रित सिग्नल डोमेन में फैले होते हैं, विभिन्न डिजाइन सिद्धांत और प्रदर्शन आवश्यकताएं होती हैं
लेबल असंतुलन: पैरासिटिक कैपेसिटेंस वितरण लंबी-पूंछ विशेषता प्रदर्शित करता है, बड़े कैपेसिटेंस मान नमूने गंभीर रूप से अपर्याप्त हैं
कमजोर स्थानांतरणीयता: मौजूदा विधियां विशिष्ट सर्किट प्रकार पर प्रशिक्षित होती हैं, अन्य सर्किट टोपोलॉजी में सामान्यीकृत करना मुश्किल है

मुख्य योगदान

CircuitGCL फ्रेमवर्क प्रस्तावित करना: प्रतिनिधित्व स्कैटरिंग तंत्र (RSM) को ग्राफ कंट्रास्टिव लर्निंग में अनुकूलित करना, स्थानांतरणीय प्रतिनिधित्व उत्पन्न करना जो कार्य-विशिष्ट फाइन-ट्यूनिंग के बिना अदेखे AMS डिजाइन पर सीधे लागू किया जा सकता है
लेबल रीबैलेंसिंग तकनीक: संतुलित MSE और संतुलित BSCE हानि कार्यों के माध्यम से सर्किट डेटासेट में असंतुलन समस्या को हल करना, क्रॉस-डोमेन स्थानांतरण क्षमता को बढ़ाना
एकीकृत सैद्धांतिक ढांचा: वितरण संरेखण सिद्धांत से शुरू करके, असंतुलित प्रतिगमन और वर्गीकरण के लिए एकीकृत सैद्धांतिक आधार प्रदान करना
व्यापक प्रयोज्यता: यह विधि प्रतिरोध/प्रेरकत्व भविष्यवाणी, क्रॉसटॉक विश्लेषण, IR ड्रॉप एस्टिमेशन और क्रॉस-प्रक्रिया स्थानांतरण जैसे कार्यों तक सीधे विस्तारित किया जा सकता है

विधि विवरण

कार्य परिभाषा

इनपुट: AMS सर्किट की योजनाबद्ध नेटलिस्ट, विषम ग्राफ G = (V, E) के रूप में मॉडल किया गया, जहां नोड V नेटवर्क, ट्रांजिस्टर उपकरण और पिन का प्रतिनिधित्व करते हैं, किनारे E कनेक्शन संबंध को एन्कोड करते हैं आउटपुट:

किनारे प्रतिगमन कार्य: युग्मित कैपेसिटेंस मान की भविष्यवाणी करना
नोड वर्गीकरण कार्य: ग्राउंड कैपेसिटेंस को असतत श्रेणियों (छोटा/मध्यम/बड़ा) में वर्गीकृत करना

मॉडल आर्किटेक्चर

1. ग्राफ रूपांतरण मॉड्यूल

विषम AMS ग्राफ को सजातीय ग्राफ में परिवर्तित करना, नोड प्रकार विशेषता X ∈ {0,1,2}^{N×1} के माध्यम से नेटवर्क, उपकरण और पिन नोड को अलग करना। संवर्धित विशेषता मैट्रिक्स X_C ∈ R^{N×d_C} विस्तृत डिजाइन पैरामीटर और कनेक्शन सांख्यिकी जानकारी को कैप्चर करता है।

2. प्रतिनिधित्व स्कैटरिंग तंत्र (RSM)

परिभाषा: D-आयामी एम्बेडिंग स्पेस R^D में, RSM दो बाधाओं को लागू करता है:

केंद्र-दूरी बाधा: नोड एम्बेडिंग स्कैटरिंग केंद्र c से अधिकतम दूरी पर हो
समरूपता बाधा: नोड एम्बेडिंग उप-स्पेस S_k पर समान रूप से वितरित हों

कार्यान्वयन:

h̃_i = h_i / max(||h_i||_2, ε)  # L2 सामान्यीकरण
L_scattering = -1/N ∑||h̃_i - c||²_2  # स्कैटरिंग हानि
c = 1/N ∑h̃_i  # स्कैटरिंग केंद्र

3. ऑनलाइन एनकोडर

लक्ष्य एनकोडर स्कैटरिंग प्रतिनिधित्व H_target = f_φ(A,X) उत्पन्न करता है, ऑनलाइन एनकोडर मध्यवर्ती प्रतिनिधित्व H_online उत्पन्न करता है, भविष्यवक्ता q_θ(·) के माध्यम से पूर्वानुमान प्रतिनिधित्व z_online प्राप्त करता है। संरेखण हानि है:

L_alignment = -1/N ∑(z_i^T h_i)/(||z_i||_2 ||h_i||_2)

लक्ष्य एनकोडर पैरामीटर घातीय गतिशील औसत द्वारा अपडेट किए जाते हैं: φ ← τφ + (1-τ)θ

तकनीकी नवाचार बिंदु

1. DSPD की तुलना में लाभ

CircuitGPS दोहरे-एंकर सबसे छोटा पथ दूरी (DSPD) को स्थिति एन्कोडिंग के रूप में उपयोग करता है, लेकिन गणना और भंडारण लागत ग्राफ आकार के साथ द्विघात रूप से बढ़ती है। CircuitGCL की GCL प्री-ट्रेनिंग उच्च समानांतरता और अच्छी मॉडल स्केलेबिलिटी है, बड़े पैमाने के सर्किट पर DSPD से महत्वपूर्ण रूप से बेहतर है।

2. लेबल रीबैलेंसिंग सैद्धांतिक आधार

बेयस प्रमेय के आधार पर, प्रशिक्षण वितरण p_train(y|x) और संतुलित वितरण p_bal(y|x) के बीच संबंध है:

p_train(y|x)/p_bal(y|x) ∝ p_train(y)/p_bal(y)

प्रयोगात्मक सेटअप

डेटासेट

TSMC 28nm CMOS तकनीक में कार्यान्वित 6 AMS सर्किट डिजाइन का उपयोग:

प्रशिक्षण सेट: SSRAM (87K नोड, 134K किनारे)
परीक्षण सेट: DIGITAL CLK GEN, TIMING CTRL, ARRAY 128 32, ULTRA8T, SANDWICH-RAM
अधिकतम डिजाइन में 4.3M नोड और 13.3M किनारे हैं

मूल्यांकन मेट्रिक्स

प्रतिगमन कार्य: MAE, MSE, R²
वर्गीकरण कार्य: Accuracy, Precision, Recall, F1-score

तुलना विधियां

ParaGraph: MPNN-आधारित एकीकृत मॉडल
DLPL-Cap: बहु-विशेषज्ञ GNN रिग्रेसर
CircuitGPS: स्थिति एन्कोडिंग के साथ कम-नमूना सीखने की विधि

कार्यान्वयन विवरण

एनकोडर: 4-परत ClusterGCN, 256 छिपे हुए आयाम, Tanh सक्रियण, 0.3 dropout
डाउनस्ट्रीम GNN: 5-परत GraphSAGE, 144 छिपे हुए आयाम, PReLU सक्रियण
σ_noise = 0.001, τ = 0.99

प्रयोगात्मक परिणाम

मुख्य परिणाम

किनारे प्रतिगमन कार्य (युग्मित कैपेसिटेंस एस्टिमेशन)

परीक्षण सेट	सर्वश्रेष्ठ विधि	R² सुधार
TIMING CTRL	CircuitGCL(GAI)	41.08%
ARRAY 128 32	CircuitGCL(GAI)	44.20%
ULTRA8T	CircuitGCL(GAI)	37.44%
SANDWICH-RAM	CircuitGCL(GAI)	33.64%

नोड वर्गीकरण कार्य (ग्राउंड कैपेसिटेंस वर्गीकरण)

परीक्षण सेट	सर्वश्रेष्ठ विधि	F1 सुधार
DIGITAL CLK GEN	CircuitGCL(BSCE)	0.9×
ARRAY 128 32	CircuitGCL(BSCE)	2.1×
ULTRA8T	CircuitGCL(BSCE)	1.2×
SANDWICH-RAM	CircuitGCL(BSCE)	1.5×

विलोपन प्रयोग

RSM प्रभाव विश्लेषण

RSM सभी डेटासेट पर प्रदर्शन सुधार लाता है:

R² अधिकतम सुधार 26.9% (ARRAY 128 32)
F1 अधिकतम सुधार 20.0% (ULTRA8T)
न्यूनतम सुधार भी 4.1% (F1) और 6.56% (R²) तक पहुंचता है

लेबल रीबैलेंसिंग प्रभाव

BSCE सभी आधारभूत विधियों पर लागू होने से महत्वपूर्ण सटीकता सुधार मिलता है, विशेष रूप से बड़े पैमाने के डिजाइन पर प्रभाव अधिक स्पष्ट है। संतुलित MSE डेटा-दुर्लभ क्षेत्रों में मॉडल प्रदर्शन में महत्वपूर्ण सुधार करता है।

निष्कर्ष और चर्चा

मुख्य निष्कर्ष

CircuitGCL आत्म-पर्यवेक्षित प्रतिनिधित्व सीखने और वितरण-जागरूक हानि कार्यों के माध्यम से AMS सर्किट डिजाइन में डेटा की कमी और लेबल असंतुलन समस्या को सफलतापूर्वक हल करता है
RSM द्वारा उत्पन्न टोपोलॉजी-अपरिवर्तनीय एम्बेडिंग में उत्कृष्ट क्रॉस-डोमेन स्थानांतरण क्षमता है
संतुलित हानि कार्य सैद्धांतिक रूप से असंतुलित प्रतिगमन और वर्गीकरण समस्याओं को एकीकृत करते हैं
कई TSMC 28nm डिजाइन पर SOTA प्रदर्शन प्राप्त करता है

सीमाएं

केवल TSMC 28nm प्रक्रिया पर सत्यापित, क्रॉस-प्रक्रिया नोड स्थानांतरण क्षमता सत्यापन के लिए प्रतीक्षा कर रही है
वर्तमान में कैपेसिटेंस भविष्यवाणी पर केंद्रित, प्रतिरोध/प्रेरकत्व भविष्यवाणी की प्रयोज्यता को आगे सत्यापन की आवश्यकता है
बड़े पैमाने के सर्किट की गणना दक्षता में अभी भी अनुकूलन की गुंजाइश है

भविष्य की दिशा

अधिक व्यापक AMS सर्किट प्रकारों तक विस्तार
पैरासिटिक प्रतिरोध एस्टिमेशन के लिए अनुकूलन
RC-जागरूक लेआउट-राउटिंग टूल में एकीकरण
क्रॉस-प्रक्रिया नोड स्थानांतरण सीखने का अनुसंधान

गहन मूल्यांकन

शक्तियां

समस्या महत्व: EDA क्षेत्र की वास्तविक समस्याओं को संबोधित करता है, महत्वपूर्ण इंजीनियरिंग मूल्य है
विधि नवाचार: पहली बार ग्राफ कंट्रास्टिव लर्निंग को सर्किट पैरासिटिक पैरामीटर भविष्यवाणी में लागू करता है, RSM अनुकूलन चतुर है
सैद्धांतिक योगदान: असंतुलित प्रतिगमन और वर्गीकरण के लिए एकीकृत सैद्धांतिक ढांचा प्रदान करता है
पर्याप्त प्रयोग: कई वास्तविक सर्किट डिजाइन पर सत्यापित, परिणाम विश्वसनीय हैं
पुनरुत्पादनीयता: ओपन-सोर्स कोड प्रदान करता है, पुनरुत्पादन और अनुप्रयोग को सुविधाजनक बनाता है

कमियां

डेटासेट सीमाएं: केवल एकल प्रक्रिया नोड का डेटा उपयोग करता है, सामान्यीकरण क्षमता सत्यापन के लिए प्रतीक्षा कर रही है
गणना ओवरहेड: हालांकि DSPD से अधिक कुशल है, GCL प्री-ट्रेनिंग को अभी भी अतिरिक्त गणना संसाधनों की आवश्यकता है
विशेषता इंजीनियरिंग: सर्किट विशेषताओं का निष्कर्षण और प्रतिनिधित्व अभी भी मानव डिजाइन पर निर्भर है
सैद्धांतिक विश्लेषण: RSM विशेष रूप से सर्किट ग्राफ के लिए उपयुक्त क्यों है, इसका गहन सैद्धांतिक विश्लेषण अभाव है

प्रभाव

शैक्षणिक मूल्य: EDA क्षेत्र में ग्राफ कंट्रास्टिव लर्निंग के अनुप्रयोग की शुरुआत करता है, अधिक संबंधित अनुसंधान को प्रेरित कर सकता है
इंजीनियरिंग मूल्य: वाणिज्यिक EDA टूल में सीधे लागू किया जा सकता है, डिजाइन दक्षता में सुधार करता है
विधि सामान्यता: फ्रेमवर्क अन्य प्रकार की पैरासिटिक पैरामीटर भविष्यवाणी और सर्किट विश्लेषण कार्यों तक विस्तारित किया जा सकता है

लागू परिदृश्य

प्री-लेआउट चरण: पैरासिटिक प्रभावों का तेजी से मूल्यांकन, डिजाइन पुनरावृत्ति को कम करना
डिजाइन स्पेस अन्वेषण: बड़े पैमाने के डिजाइन स्पेस में उम्मीदवार योजनाओं को तेजी से फ़िल्टर करना
क्रॉस-डिजाइन स्थानांतरण: एक सर्किट पर प्रशिक्षित मॉडल को नए सर्किट डिजाइन पर लागू करना
EDA टूल एकीकरण: वाणिज्यिक EDA टूल के मुख्य एल्गोरिदम मॉड्यूल के रूप में

समग्र मूल्यांकन: यह एक उच्च गुणवत्ता वाला अंतःविषय अनुसंधान पेपर है, जो मशीन लर्निंग अग्रणी तकनीकों को EDA क्षेत्र की वास्तविक समस्याओं में सफलतापूर्वक लागू करता है। विधि नवीन है, प्रयोग पर्याप्त हैं, परिणाम महत्वपूर्ण हैं, और इसमें महत्वपूर्ण सैद्धांतिक और व्यावहारिक मूल्य है।