2025-11-24T00:28:17.542754

Identification of formation of amorphous Si phase in SiOxNy films produced by plasma enhanced chemical vapor deposition

Voitovych, Sarikov, Yukhymchuk et al.

Peculiarities of formation of inclusions of amorphous Si (a-Si) phase in Si-rich Si oxynitride films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) are studied by combined Raman scattering and infrared (IR) absorption spectroscopy. The Raman scattering results identify presence of a-Si phase in the studied films at the relative Si content exceeding a threshold value of about 0.4. The a-Si amount correlates with the concentration of hydrogen in the films, the presence of which is detected by characteristic IR absorption bands corresponding to Si-H bending (about 660 cm-1) and stretching (a composite band in the range of about 1900-2400 cm-1) vibrations. The method of deconvolution of IR absorbance spectra in the range of about 600 to 1300 cm-1 developed earlier is used to reliably separate the IR band at about 660 cm-1. This band is identified to origin from the amorphous Si phase within the studied Si oxynitride films. This makes it possible to propose IR spectroscopy with analysis of the low-wavenumber part of the spectra as an efficient method of identifying phase composition of Si-rich Si oxynitride films. The obtained results contribute to understanding of the regularities of formation of phase compositions of PECVD grown Si oxynitride films and are useful for controlling the films properties for practical applications.

academic

प्लाज्मा संवर्धित रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा उत्पादित SiOxNy फिल्मों में अक्रिस्टलीय Si चरण के गठन की पहचान

मूल जानकारी

पेपर ID: 2510.14701
शीर्षक: प्लाज्मा संवर्धित रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा उत्पादित SiOxNy फिल्मों में अक्रिस्टलीय Si चरण के गठन की पहचान
लेखक: M. V. Voitovych, A. Sarikov, V. O. Yukhymchuk, V. V. Voitovych, M. O. Semenenko
वर्गीकरण: cond-mat.mtrl-sci cond-mat.mes-hall
अनुसंधान संस्थान: यूक्रेन राष्ट्रीय विज्ञान अकादमी अर्धचालक भौतिकी संस्थान और अन्य संस्थान
पेपर लिंक: https://arxiv.org/abs/2510.14701

सारांश

यह अनुसंधान रमन बिखरने और अवरक्त अवशोषण स्पेक्ट्रोस्कोपी के संयुक्त तकनीकों के माध्यम से, प्लाज्मा संवर्धित रासायनिक वाष्प जमाव (PECVD) द्वारा तैयार किए गए सिलिकॉन-समृद्ध ऑक्सीनाइट्राइड सिलिकॉन फिल्मों में अक्रिस्टलीय सिलिकॉन (a-Si) चरण समावेश के गठन विशेषताओं का अध्ययन करता है। रमन बिखरने के परिणाम दर्शाते हैं कि जब सापेक्ष सिलिकॉन सामग्री लगभग 0.4 की सीमा से अधिक हो जाती है, तो अध्ययन की गई फिल्मों में a-Si चरण मौजूद होता है। a-Si की सामग्री फिल्म में हाइड्रोजन की सांद्रता से संबंधित है, हाइड्रोजन की उपस्थिति Si-H झुकने वाली कंपन (~660 cm⁻¹) और खिंचाव कंपन (~1900-2400 cm⁻¹ श्रेणी में समग्र बैंड) की विशेषता अवरक्त अवशोषण बैंड के माध्यम से पहचानी जाती है। अनुसंधान सुझाता है कि अवरक्त स्पेक्ट्रोस्कोपी निम्न तरंग संख्या भाग विश्लेषण के साथ संयुक्त सिलिकॉन-समृद्ध ऑक्सीनाइट्राइड सिलिकॉन फिल्मों के चरण संरचना को पहचानने के लिए एक प्रभावी विधि हो सकती है।

अनुसंधान पृष्ठभूमि और प्रेरणा

समस्या पृष्ठभूमि

सामग्री महत्व: SiOxNy फिल्में आधुनिक सूक्ष्मइलेक्ट्रॉनिक्स और फोटोइलेक्ट्रॉनिक्स उपकरण निर्माण में महत्वपूर्ण हैं, इनकी संरचना सामग्री के गुणों को निर्धारित करती है
संरचना जटिलता: जब सिलिकॉन सामग्री बढ़ती है, तो SiOxNy फिल्मों की आकृति विज्ञान और संरचना में मौलिक परिवर्तन होते हैं, जिससे परिवर्तनशील आकार के अक्रिस्टलीय सिलिकॉन समूह विद्युत माध्यम में एम्बेड हो सकते हैं
पहचान चुनौती: चरण संरचना विश्लेषण की मौजूदा विधियों में अक्रिस्टलीय सिलिकॉन चरण की पहचान में सीमाएं हैं

अनुसंधान प्रेरणा

सैद्धांतिक सुधार: मौजूदा सैद्धांतिक मॉडल मुख्य रूप से Si, O, N परमाणुओं के यादृच्छिक बंधन वितरण पर विचार करते हैं, अक्रिस्टलीय सिलिकॉन समूहों की संभावना को शामिल करने के लिए अपडेट की आवश्यकता है
व्यावहारिक आवश्यकता: PECVD तकनीक द्वारा विशिष्ट चरण संरचना वाली फिल्मों की निगरानी विधि प्रदान करना
विधि नवाचार: सरल, गैर-विनाशकारी चरण संरचना पहचान तकनीक विकसित करना

मुख्य योगदान

सीमा संबंध स्थापित किया: सापेक्ष सिलिकॉन सामग्री 0.4 से अधिक होने पर अक्रिस्टलीय सिलिकॉन चरण गठन शुरू होने की सीमा निर्धारित की
नई पहचान विधि प्रस्तावित की: अवरक्त स्पेक्ट्रोस्कोपी में ~660 cm⁻¹ पर अवशोषण बैंड का उपयोग अक्रिस्टलीय सिलिकॉन चरण की पहचान के लिए किया जा सकता है
संबंध प्रकट किया: अक्रिस्टलीय सिलिकॉन सामग्री और फिल्म में हाइड्रोजन सांद्रता के बीच प्रत्यक्ष संबंध खोजा
विश्लेषण तकनीक विकसित की: अवरक्त स्पेक्ट्रोस्कोपी के निम्न तरंग संख्या क्षेत्र विश्लेषण के आधार पर चरण संरचना पहचान विधि स्थापित की
सैद्धांतिक समर्थन प्रदान किया: PECVD द्वारा तैयार ऑक्सीनाइट्राइड सिलिकॉन फिल्मों के चरण संरचना गठन नियमों को समझने के लिए प्रायोगिक साक्ष्य प्रदान किया

विधि विवरण

प्रायोगिक डिजाइन

नमूना तैयारी:

PECVD तकनीक का उपयोग करके 9 विभिन्न संरचना वाली SiOxNy फिल्मों के नमूने तैयार किए गए
मोटाई: 300±5 nm
सब्सट्रेट: दोहरी ओर से पॉलिश किए गए बोरॉन-डोप्ड CZ सिलिकॉन वेफर (अवरक्त परीक्षण) और 1mm मोटे नीलम टुकड़े (रमन परीक्षण)
N2O/SiH4 प्रवाह अनुपात श्रेणी: 0.06-9

लक्षण वर्णन तकनीकें

रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी:

उत्तेजना तरंग दैर्ध्य: λ = 457 nm
शक्ति घनत्व: <10³ W/cm² (संरचना क्षति से बचने के लिए)
उपकरण: Andor iDus 401A CCD डिटेक्टर के साथ MDR-23 स्पेक्ट्रोमीटर
सामान्यीकरण: अक्रिस्टलीय सिलिकॉन बैंड (~480 cm⁻¹) की तीव्रता के आधार पर

अवरक्त स्पेक्ट्रोस्कोपी:

माप श्रेणी: 400-4000 cm⁻¹
संकल्प: 2 cm⁻¹
स्कैन संख्या: 100 बार
माप सटीकता: ~0.5%
उपकरण: PerkinElmer BX-II स्पेक्ट्रोमीटर

डेटा प्रसंस्करण विधि

स्पेक्ट्रल डिकॉनवोल्यूशन: विभिन्न Si-H बंधन विन्यास के योगदान को अलग करने के लिए समग्र अवशोषण बैंड पर गाऊसी फ़ंक्शन का उपयोग करके गणितीय डिकॉनवोल्यूशन:

H1 (2252±2 cm⁻¹): H-Si(O₃) समग्र
H2 (2150±4 cm⁻¹): H-Si(Si₂O) समग्र
H3 (2050±4 cm⁻¹): H-Si(Si₃) समग्र

बंधन लंबाई गणना: Si-H बंधन लंबाई की गणना के लिए अनुभवजन्य सूत्र का उपयोग:

νSi-H (dSi-H)³ = 7074 cm²

प्रायोगिक सेटअप

नमूना पैरामीटर

नमूना	N2O/SiH4 अनुपात	x मान	y मान	सापेक्ष Si सामग्री
#1	9	1.95	0.01	0.34
#2	3	1.3	0.28	0.39
#3	1.5	1.09	0.32	0.41
...	...	...	...	...
#9	0.06	0.18	0.05	0.80

मूल्यांकन संकेतक

रमन शिखर स्थिति और अर्ध-चौड़ाई
अवरक्त अवशोषण बैंड समन्वित तीव्रता
हाइड्रोजन सांद्रता (अवरक्त अवशोषण के माध्यम से गणना)
सापेक्ष सिलिकॉन सामग्री और अक्रिस्टलीय सिलिकॉन चरण सामग्री के बीच संबंध

प्रायोगिक परिणाम

रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी विश्लेषण

मुख्य निष्कर्ष:

विशेषता शिखर पहचान: ~476 cm⁻¹ और ~660 cm⁻¹ पर दो असममित बैंड देखे गए
चरण संरचना विश्लेषण: 476 cm⁻¹ शिखर अक्रिस्टलीय सिलिकॉन के TO मोड के अनुरूप है, अर्ध-चौड़ाई Γ₁ = 66 cm⁻¹
सीमा प्रभाव: जब सापेक्ष सिलिकॉन सामग्री 0.4 से अधिक हो जाती है, तो TO बैंड समन्वित तीव्रता में उल्लेखनीय वृद्धि होती है

अवरक्त स्पेक्ट्रोस्कोपी विश्लेषण

Si-H खिंचाव कंपन क्षेत्र (1900-2400 cm⁻¹):

हाइड्रोजन सांद्रता श्रेणी: ~10²¹-10²² cm⁻³
सिलिकॉन सामग्री बढ़ने के साथ ऊपर की ओर प्रवृत्ति, उच्च सिलिकॉन सामग्री नमूने संतृप्ति की ओर प्रवृत्त होते हैं

Si-H झुकने वाली कंपन क्षेत्र (~660 cm⁻¹):

शिखर स्थानांतरण: 665 cm⁻¹ (नमूना #3) से 635 cm⁻¹ (नमूना #9) तक
तीव्रता परिवर्तन: सापेक्ष सिलिकॉन सामग्री के साथ सकारात्मक संबंध
मुख्य निष्कर्ष: यह अवशोषण बैंड रमन TO मोड तीव्रता के साथ रैखिक संबंध दर्शाता है

मात्रात्मक संबंध

सीमा विशेषताएं:

अतिरिक्त सिलिकॉन सीमा: ~0.2
रैखिक संबंध: सीमा से अधिक होने के बाद, अक्रिस्टलीय सिलिकॉन सामग्री अतिरिक्त सिलिकॉन सांद्रता के साथ रैखिक वृद्धि दर्शाती है

निष्कर्ष और चर्चा

मुख्य निष्कर्ष

सीमा तंत्र: सापेक्ष सिलिकॉन सामग्री 0.4 को अक्रिस्टलीय सिलिकॉन चरण गठन के महत्वपूर्ण मान के रूप में पुष्टि की
पहचान विधि: अवरक्त स्पेक्ट्रोस्कोपी में ~660 cm⁻¹ अवशोषण बैंड के आधार पर अक्रिस्टलीय सिलिकॉन चरण पहचान विधि स्थापित की
संरचना-गुण संबंध: हाइड्रोजन सामग्री और अक्रिस्टलीय सिलिकॉन चरण सामग्री के बीच प्रत्यक्ष संबंध प्रकट किया
व्यावहारिक मूल्य: PECVD प्रक्रिया अनुकूलन के लिए सरल और प्रभावी ऑन-लाइन निगरानी साधन प्रदान किया

सीमाएं

नमूना श्रेणी: केवल विशिष्ट मोटाई (300 nm) की फिल्मों का अध्ययन किया गया
सब्सट्रेट प्रभाव: विभिन्न सब्सट्रेट पर चरण गठन के प्रभाव की गहन खोज नहीं की गई
गतिशीलता तंत्र: चरण गठन गतिशीलता प्रक्रिया का विस्तृत विश्लेषण अभाव

भविष्य की दिशाएं

सैद्धांतिक मॉडल अपडेट: अक्रिस्टलीय सिलिकॉन समूहों को थर्मोडायनामिक चरण आरेख मॉडल में शामिल करना
प्रक्रिया अनुकूलन: चरण संरचना नियंत्रण के आधार पर अनुकूलित तैयारी प्रक्रिया विकसित करना
अनुप्रयोग विस्तार: फोटोवोल्टिक, फोटोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में अनुप्रयोग संभावनाओं की खोज

गहन मूल्यांकन

शक्तियां

विधि नवीनता: पहली बार अवरक्त स्पेक्ट्रोस्कोपी के निम्न आवृत्ति विश्लेषण का उपयोग करके अक्रिस्टलीय सिलिकॉन चरण की पहचान की, विधि सरल और गैर-विनाशकारी है
प्रायोगिक पर्याप्तता: रमन और अवरक्त दोहरी लक्षण वर्णन तकनीकों का उपयोग किया, परिणाम एक-दूसरे को सत्यापित करते हैं, निष्कर्षों की विश्वसनीयता बढ़ाते हैं
मात्रात्मक विश्लेषण: स्पष्ट सीमा संबंध और मात्रात्मक संबंध स्थापित किए, व्यावहारिक मूल्य है
सैद्धांतिक योगदान: PECVD फिल्मों के चरण गठन तंत्र को समझने के लिए महत्वपूर्ण प्रायोगिक साक्ष्य प्रदान किया

कमियां

तंत्र व्याख्या: अक्रिस्टलीय सिलिकॉन चरण गठन के सूक्ष्म तंत्र की गहन सैद्धांतिक विश्लेषण की कमी
पैरामीटर श्रेणी: प्रायोगिक पैरामीटर श्रेणी अपेक्षाकृत सीमित है, सार्वभौमिकता सत्यापन की आवश्यकता है
अनुप्रयोग सत्यापन: वास्तविक उपकरणों में प्रदर्शन सत्यापन की कमी

प्रभाव

शैक्षणिक मूल्य: सामग्री विज्ञान क्षेत्र के लिए नई चरण संरचना विश्लेषण विधि प्रदान करता है
व्यावहारिक मूल्य: अर्धचालक उद्योग के लिए सरल गुणवत्ता नियंत्रण साधन प्रदान करता है
पुनरुत्पादनीयता: प्रायोगिक विधि मानकीकृत स्तर उच्च है, पुनरुत्पादन में आसान

लागू परिदृश्य

औद्योगिक उत्पादन: PECVD प्रक्रिया की ऑन-लाइन निगरानी और गुणवत्ता नियंत्रण
अनुसंधान और विकास: नई ऑक्सीनाइट्राइड सिलिकॉन सामग्री की चरण संरचना डिजाइन
उपकरण अनुकूलन: फोटोवोल्टिक सेल, फोटोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की सामग्री प्रदर्शन नियंत्रण

संदर्भ

पेपर में 28 महत्वपूर्ण संदर्भ उद्धृत हैं, जो SiOxNy फिल्मों की तैयारी, लक्षण वर्णन और अनुप्रयोग आदि सभी पहलुओं को शामिल करते हैं, अनुसंधान के लिए मजबूत सैद्धांतिक आधार और प्रायोगिक संदर्भ प्रदान करते हैं।

समग्र मूल्यांकन: यह सामग्री विज्ञान क्षेत्र में महत्वपूर्ण योगदान वाला एक प्रायोगिक अनुसंधान पेपर है। लेखकों ने व्यवस्थित स्पेक्ट्रोस्कोपिक अनुसंधान के माध्यम से PECVD द्वारा तैयार ऑक्सीनाइट्राइड सिलिकॉन फिल्मों में अक्रिस्टलीय सिलिकॉन चरण की पहचान के लिए नई विधि स्थापित की है, इन महत्वपूर्ण कार्यात्मक सामग्रियों के चरण संरचना को समझने और नियंत्रित करने के लिए मूल्यवान उपकरण प्रदान किए हैं। अनुसंधान विधि वैज्ञानिक रूप से कठोर है, परिणामों का महत्वपूर्ण सैद्धांतिक अर्थ और व्यावहारिक मूल्य है।