Pyrite FeS$_2$ has been investigated for a wide range of applications, including thermoelectrics due to previous observation of large thermopower at room-temperature. However, the values of thermopower reported in the literature is extremely sensitive to the nature of sample -- whether they are natural or lab grown, bulk crystals or thin films -- and an ambiguity in the magnitude and sign of thermopower of pure FeS$_2$ exists. Variation in the magnitude of room-temperature thermopower has also been observed in Co-doped samples. Therefore, it is of interest to clarify the intrinsic thermopower of this system that could be measured in more pure samples. In this paper, we investigate the thermoelectric properties of Co-doped FeS$_2$ using first principles calculations. We apply three different doping schemes to understand the effect of electron doping in FeS$_2$, namely explicit Co-substitution, jellium doping and electron addition within rigid band approximation (RBA) picture. The calculated thermopower is less than $-50$ $μ$V/K for all values of Co doping that we studied, suggesting that this system may not be useful in thermoelectric applications. Interestingly, we find that RBA substantially overestimates the magnitude of calculated thermopower compared to the explicit Co-substitution and jellium doping schemes. The overestimation occurs because the changes in the electronic structure due to doping-induced structural modification and charge screening is not taken into account by the rigid shift of the Fermi level within RBA. RBA is frequently used in first principles investigations of the thermopower of doped semiconductors, and Co-substituted FeS$_2$ illustrates a case where it fails.
- ID Articolo: 2311.06135
- Titolo: Thermoelectric transport properties of electron doped pyrite FeS2
- Autori: Anustup Mukherjee, Alaska Subedi (CPHT, CNRS, École Polytechnique, Institut Polytechnique de Paris)
- Classificazione: cond-mat.mtrl-sci
- Data di Pubblicazione: 13 novembre 2023
- Link Articolo: https://arxiv.org/abs/2311.06135
La pirite FeS₂ è stata ampiamente studiata per applicazioni termoelettriche a causa del grande coefficiente di Seebeck osservato a temperatura ambiente. Tuttavia, i valori di coefficiente di Seebeck riportati in letteratura sono estremamente sensibili alle proprietà del campione (naturale o preparato in laboratorio, cristallo massivo o film sottile), e sussistono ambiguità riguardanti la magnitudine e il segno del coefficiente di Seebeck della FeS₂ pura. Inoltre, vi è variabilità nei valori a temperatura ambiente del coefficiente di Seebeck per campioni drogati con Co. Questo articolo utilizza calcoli da primi principi per investigare le proprietà termoelettriche di FeS₂ drogato con Co, impiegando tre diversi schemi di drogaggio: sostituzione esplicita di Co, drogaggio jellium e approssimazione di banda rigida (RBA). I coefficienti di Seebeck calcolati a tutte le concentrazioni di Co risultano inferiori a -50 μV/K, suggerendo che questo sistema potrebbe non essere pratico per applicazioni termoelettriche. Interessantemente, l'RBA sovrastima significativamente il coefficiente di Seebeck poiché non considera gli effetti delle modifiche strutturali indotte dal drogaggio e dello schermaggio di carica sulla struttura elettronica.
- Incoerenza nei dati sperimentali: I valori misurati del coefficiente di Seebeck di FeS₂ mostrano enormi variazioni, da -115 a 524 μV/K, con segni incoerenti
- Dipendenza dal campione: Le proprietà termoelettriche dipendono fortemente dal tipo di campione (naturale vs artificiale, massivo vs film sottile)
- Accuratezza dei metodi teorici: La maggior parte degli studi teorici esistenti utilizza l'approssimazione di banda rigida (RBA), ma la sua accuratezza è discutibile
- FeS₂ è composto da elementi abbondanti sulla Terra e non tossici, con potenziale in applicazioni energetiche come fotovoltaico, catodi per batterie e termoelettricità
- Chiarire le proprietà termoelettriche intrinseche è cruciale per valutare il valore applicativo pratico
- Fornire guida metodologica per la ricerca teorica sulle proprietà termoelettriche di semiconduttori drogati
- L'approssimazione di banda rigida (RBA) simula gli effetti del drogaggio solo attraverso lo spostamento rigido del livello di Fermi
- Trascura i cambiamenti strutturali indotti dal drogaggio e gli effetti di schermaggio di carica
- Manca un confronto sistematico tra diversi schemi di drogaggio
- Confronto sistematico di tre schemi di drogaggio: Primo confronto tra sostituzione esplicita di Co, drogaggio jellium e RBA nelle differenze nel calcolo delle proprietà termoelettriche di FeS₂
- Rivelazione delle limitazioni dell'RBA: Scoperta che l'RBA sovrastima significativamente il coefficiente di Seebeck, con spiegazione dal punto di vista della struttura elettronica
- Chiarimento delle prestazioni termoelettriche di FeS₂ drogato con Co: Dimostrazione che il coefficiente di Seebeck a tutte le concentrazioni di drogaggio è inferiore a 50 μV/K, indicando che questo sistema non è adatto per applicazioni termoelettriche
- Guida metodologica: Fornisce importanti intuizioni metodologiche per la ricerca teorica sulle proprietà termoelettriche di semiconduttori drogati
Calcoli basati sulla teoria del funzionale della densità (DFT) utilizzando il Vienna Ab initio Simulation Package (VASP):
- Funzionale di scambio-correlazione: Approssimazione della densità locale (LDA)
- Metodo pseudopotenziale: Metodo delle onde aumentate proiettate (PAW)
- Cutoff energetico: ≥420 eV
- Griglia di punti k: 8×8×8 per cicli autoconsistenti, 24×24×24 per calcoli della densità di stati
Simula gli elettroni aggiuntivi spostando il livello di Fermi nella struttura elettronica di FeS₂, corrispondente a un valore equivalente di drogaggio con Co.
Aggiunge esplicitamente elettroni come carica di fondo nella cella unitaria di FeS₂, eseguendo calcoli della struttura elettronica.
Sostituisce progressivamente atomi di Fe con atomi di Co, considerando gli effetti di sostituzione chimica effettiva.
Utilizza il codice BoltzTraP2 per risolvere l'equazione di trasporto di Boltzmann linearizzata sotto l'approssimazione di tempo di rilassamento costante (CRTA):
Coefficiente di Seebeck:
S(μ,T)=σαiναj
Coefficiente di Hall:
RH(μ,T)=σαjσiβναβk
dove i tensori di trasporto sono definiti come:
σαβ(μ,T)=Ω1∫σαβ(ϵ)[−∂ϵfμ(ϵ)]dϵ
- Struttura cristallina: Pirite FeS₂, gruppo spaziale Pa3
- Composizione della cella unitaria: 4 atomi di Fe (posizione 4a), 8 atomi di S (posizione 8c)
- Concentrazioni di drogaggio: Studiate concentrazioni di Co del 1%, 5%, 10%, 15%, 25%, 50%
Considerate sia fasi non magnetiche che ferromagnetiche, poiché esperimenti indicano che Fe_xCo_{1-x}S₂ è ferromagnetico per x≥0,1.
- Le costanti reticolari dei composti misti seguono la legge di Vegard
- Rilassamento delle posizioni atomiche per minimizzare le forze atomiche
- Parametro interno di FeS₂: u=0,3821
| Schema di Drogaggio | Fase Non Magnetica (μV/K) | Fase Ferromagnetica (μV/K) |
|---|
| RBA | -46,71 | -46,71 |
| Jellium | -14,68 | -14,69 |
| Sostituzione Co | -19,67 | -20,49 |
| Schema di Drogaggio | Fase Non Magnetica (μV/K) | Fase Ferromagnetica (μV/K) |
|---|
| RBA | -39,60 | -39,60 |
| Jellium | -17,52 | -17,52 |
| Sostituzione Co | -25,58 | -25,58 |
- Sovrastima sistematica dell'RBA: A tutte le concentrazioni di drogaggio, l'RBA sovrastima significativamente il valore assoluto del coefficiente di Seebeck
- Coerenza della dipendenza dalla temperatura: Tutti e tre i metodi mostrano che il coefficiente di Seebeck aumenta con la temperatura
- Tipo di portatore di carica: Il coefficiente di Seebeck è negativo in tutti i casi, indicando che gli elettroni sono i portatori di carica dominanti
- Prestazioni termoelettriche limitate: Il coefficiente di Seebeck a temperatura ambiente è inferiore a 50 μV/K a tutte le concentrazioni di drogaggio
Attraverso l'analisi della densità di stati (DOS) e della struttura a bande:
- In RBA: Il livello di Fermi si trova in una regione ripida della densità di stati
- Nel drogaggio jellium: Il livello di Fermi si sposta verso una regione più ampia
- Nella sostituzione Co: Il livello di Fermi si trova in una regione relativamente piatta
Poiché il coefficiente di Seebeck S ∝ d ln N(E_F)/dE, una densità di stati più ripida vicino al livello di Fermi porta a valori di S più grandi nell'RBA.
| Composizione | RBA (μV/K) | Jellium (μV/K) |
|---|
| Fe₀.₉₉Co₀.₀₁S₂ | -32,45 | -28,52 |
| Fe₀.₉₅Co₀.₀₅S₂ | -10,47 | -10,24 |
| Fe₀.₉Co₀.₁S₂ | -17,11 | -10,13 |
| Fe₀.₈₅Co₀.₁₅S₂ | -25,41 | -11,75 |
- Dati storici: Coefficienti di Seebeck riportati nella prima metà del XX secolo variano da -115 a 524 μV/K
- Ricerca moderna:
- Kato et al.: Campioni n-tipo naturali S = -300 μV/K
- Willeke et al.: Monocristalli ad alta mobilità con S fino a -320 μV/K
- Studi su film sottili: Comunemente riportano valori positivi di S (60-75 μV/K)
- Calcoli precedenti: Gudelli et al. e Harran et al. utilizzando RBA prevedono S ottimizzato superiore a -400 μV/K
- Contributo di questo lavoro: Primo confronto sistematico di diversi schemi di drogaggio, rivelando le limitazioni dell'RBA
- Prestazioni termoelettriche limitate: FeS₂ drogato con Co mostra un coefficiente di Seebeck a temperatura ambiente inferiore a 50 μV/K a tutte le concentrazioni di drogaggio studiate, ben al di sotto dello standard per eccellenti materiali termoelettrici (>200 μV/K)
- Limitazioni del metodo RBA: L'approssimazione di banda rigida sovrastima significativamente il coefficiente di Seebeck perché trascura:
- Modifiche strutturali indotte dal drogaggio
- Effetti di schermaggio di carica
- Variazioni nell'allargamento di banda e nella scissione relativa
- Significato metodologico: FeS₂ con sostituzione Co è un esempio tipico del fallimento dell'RBA, fornendo un importante avvertimento per la ricerca sulle proprietà termoelettriche di semiconduttori drogati
- Limitazioni del metodo di calcolo: L'uso di LDA potrebbe sottostimare il gap di banda, influenzando l'accuratezza delle proprietà termoelettriche
- Intervallo di concentrazione di drogaggio: Lo schema di sostituzione esplicita di Co è limitato dalle dimensioni della cella unitaria, impedendo lo studio di concentrazioni di drogaggio molto basse
- Approssimazione del tempo di rilassamento: L'adozione dell'approssimazione di tempo di rilassamento costante potrebbe influenzare l'accuratezza delle proprietà di trasporto
- Miglioramento dei metodi di calcolo: Utilizzo di funzionali di scambio-correlazione più accurati (come HSE06)
- Estensione del sistema di ricerca: Studio degli effetti del drogaggio con altri metalli di transizione
- Verifica sperimentale: Preparazione di campioni di alta qualità per verificare le previsioni teoriche
- Innovazione metodologica: Primo confronto sistematico di tre schemi di drogaggio, fornendo un importante benchmark metodologico per il campo
- Intuizioni fisiche profonde: Spiegazione approfondita dal punto di vista della struttura elettronica del meccanismo di sovrastima dell'RBA
- Calcoli rigorosi: Considerazione degli effetti magnetici, utilizzo di parametri di calcolo appropriati e standard di convergenza
- Valore pratico chiaro: Indicazione esplicita che FeS₂ drogato con Co non è adatto per applicazioni termoelettriche, evitando investimenti sperimentali inefficaci
- Limitazioni del metodo teorico: LDA potrebbe non essere sufficientemente accurato, in particolare per sistemi con elettroni correlati
- Intervallo di temperatura limitato: Focus principale sulle proprietà a temperatura ambiente, mancanza di studio sistematico ad alte temperature
- Meccanismo di drogaggio singolo: Studio solo del drogaggio di tipo n, senza considerazione della possibilità di drogaggio di tipo p
- Contributo accademico: Fornisce importante guida metodologica per la ricerca teorica sulle proprietà termoelettriche di semiconduttori drogati
- Valore pratico: Aiuta i ricercatori a evitare di sprecare risorse su sistemi non promettenti
- Forte riproducibilità: Descrizione dettagliata dei dettagli di calcolo, facile da riprodurre ed estendere
- Ricerca teorica: Fornisce riferimento metodologico per la ricerca sulle proprietà termoelettriche di altri semiconduttori drogati
- Selezione di materiali: Esclusione di candidati non appropriati nello screening ad alto rendimento di materiali termoelettrici
- Guida sperimentale: Fornisce base teorica ai ricercatori sperimentali per la selezione di strategie di drogaggio appropriate
L'articolo cita 38 importanti riferimenti, coprendo proprietà fondamentali di FeS₂, ricerca sperimentale, metodi di calcolo teorico e altri aspetti, fornendo una solida base bibliografica per la ricerca. Merita particolare attenzione il riferimento ai recenti lavori sperimentali di Xi et al., che sembra risolvere le precedenti controversie sul tipo di portatore di carica di FeS₂.
Valutazione Complessiva: Questo è un articolo di ricerca teorica di alta qualità che non solo chiarisce le proprietà termoelettriche di FeS₂ drogato con Co, ma più importantemente rivela le limitazioni del metodo RBA ampiamente utilizzato, fornendo importanti contributi metodologici alla ricerca teorica del campo. I risultati della ricerca hanno valore importante per guidare lo screening teorico e la ricerca sperimentale di materiali termoelettrici.