Modelli Predittivi Commutati a Ordine Ridotto con Retroazione Parziale dello Stato per i Sistemi di Litografia Ottica di Prossima Generazione

Informazioni Fondamentali

• ID Articolo: 2402.13928
• Titolo: Partial State-Feedback Reduced-Order Switching Predictive Models for Next-Generation Optical Lithography Systems
• Autori: Raaja Ganapathy Subramanian (Eindhoven University of Technology & ASML NV), Barry Moest (ASML NV), Bart Paarhuis (ASML NV)
• Classificazione: math.OC (Ottimizzazione e Controllo Matematico)
• Data di Pubblicazione: Preprint sottomesso a Control Engineering Practice, 15 ottobre 2025
• Link Articolo: https://arxiv.org/abs/2402.13928

Riassunto

Questo articolo propone un modello predittivo commutato a ordine ridotto con retroazione parziale dello stato, finalizzato a supportare la roadmap tecnologica della litografia ottica di prossima generazione. Il metodo affronta il compromesso tra l'aumento del numero di misurazioni per migliorare la precisione di sovrapposizione e le sfide associate (incluso il rumore di misurazione più elevato, la riduzione della produttività e gli errori di sovrapposizione/posizionamento in condizioni operative incerte). Minimizzando l'errore di posizionamento del chip e riducendo le misurazioni non necessarie, il metodo migliora le prestazioni del sistema e la produttività. La soluzione impiega un modello semplificato con logica di commutazione adattativa per gestire l'incertezza variabile nel tempo causata da condizioni operative fluttuanti. Il metodo è implementato su uno scanner di litografia all'avanguardia per mitigare la dinamica spazio-temporale del riscaldamento della maschera, come applicazione industriale rappresentativa. Il riscaldamento della maschera si deteriora con l'aumento della produttività, introducendo distorsioni spazio-temporali che riducono direttamente la precisione di posizionamento del chip. I risultati sperimentali mostrano miglioramenti significativi: riduzione dell'errore di posizionamento di 2-3 volte e aumento della produttività di 0,3 secondi per wafer.

Contesto di Ricerca e Motivazione

Contesto del Problema

1. Importanza della Tecnologia di Litografia: La litografia è la tecnologia più critica nel processo di fabbricazione dei semiconduttori, determinando la scala di fabbricazione degli elementi del chip e influenzando direttamente la qualità della produzione dei circuiti integrati.
2. Sfide Tecnologiche:
   • Dimensioni minime delle caratteristiche da 3 nm a 500 nm, richiedendo precisione sub-nanometrica
   • Contraddizione tra i requisiti di elevata produttività e alta precisione
   • Impatto della dinamica spazio-temporale sulle prestazioni del sistema
3. Limitazioni dei Metodi Esistenti:
   • Mancata corrispondenza tra le ipotesi di simulazione e il comportamento del sistema in tempo reale
   • Sensibilità all'incertezza e ai disturbi esterni
   • Difficoltà nel garantire la stabilità globale ad anello chiuso nelle operazioni in tempo reale
   • Compromesso tra la precisione della modellazione fisica e la semplicità del modello
   • Limitazioni nella modularità, scalabilità e costi di implementazione

Motivazione della Ricerca

Questo articolo mira a colmare il divario tra i concetti teorici di controllo e l'implementazione pratica nei sistemi di litografia, proponendo un metodo di controllo predittivo commutato a ordine ridotto con retroazione parziale dello stato, mantenendo al contempo la produttività e le prestazioni di sovrapposizione.

Contributi Principali

1. Progettazione del Modello a Ordine Ridotto: Propone l'utilizzo di modelli lineari tempo-invarianti a ordine ridotto derivati dalla dinamica del sistema su larga scala nominale (modello agli elementi finiti), garantendo efficienza computazionale senza compromettere la fedeltà del modello attraverso il disaccoppiamento selettivo della dinamica spazio-temporale critica.
2. Meccanismo di Commutazione Adattativa: Introduce un meccanismo di logica di commutazione che si adatta all'incertezza causata da effetti fisici, migliorando la robustezza.
3. Garanzie di Stabilità: Dimostra che la strategia di controllo proposta garantisce la stabilità asintotica globale uniformemente limitata (GUAS), supportata dal teorema del piccolo guadagno per sistemi non lineari.
4. Verifica Industriale: Implementazione e verifica su sistemi di litografia all'avanguardia, focalizzandosi sulla mitigazione della distorsione spazio-temporale causata dal riscaldamento della maschera.

Dettagli del Metodo

Definizione del Compito

Ingressi:

• Stato del sistema $x \in \mathbb{R}^n$ (deformazione completa della maschera prevista)
• Ingresso esogeno $u_e \in \mathbb{R}^m$ (fonti termiche)
• Dati dei sensori sparsi $y \in \mathbb{R}^q$

Uscite:

• Uscita correlata all'errore di posizionamento $z \in \mathbb{R}^p$

Vincoli:

1. L'errore di posizionamento previsto rimane limitato: $\|z\| \leq \varepsilon$ (livello sub-nanometrico)
2. Riduzione del tempo di misurazione, saltando selettivamente le misurazioni di determinati insiemi di marcatori

Architettura del Modello

Formulazione dello Spazio di Stato

La formulazione dello spazio di stato del sistema è:

$\hat{P} := \begin{cases} \dot{x}_i = A_i x_i + B_i u_e + B_f u_f \\ u_f = \Gamma(.)y \\ u_i = C_i x_i \end{cases}$

dove:

• $x_i$: stato di deformazione interna
• $u_e$: profilo di riscaldamento esterno
• $u_f$: segnale di retroazione dai sensori di allineamento
• $\Gamma(.)$: funzione che converte le misurazioni di retroazione sparse in un layout denso appropriato
• $C_i$: mappatura di uscita da $x_i$ a $u_i$

Metodo di Progettazione in Quattro Fasi

Fase 1 - Integrazione dello Scheduler e Retroazione ad Anello Chiuso: Lo scheduler $\Phi$ è definito come: $\Phi = \{M_i | I \in R_i, \forall i \in \mathbb{Z}\}$

dove $I \in \{y, u_e, u_\Delta\}$ rappresenta l'insieme delle informazioni storiche.

Fase 2 - Modello Nominale a Ordine Ridotto: Utilizzo del metodo di corrispondenza dei momenti di Krylov per la riduzione parametrizzata: $M_i := \begin{cases} \dot{x}_i = A_i x_i + B_i u_e \\ u_i = C_i x_i \end{cases}$

Fase 3 - Integrazione della Retroazione Parziale: Integrazione della retroazione dello stato parziale nel modello a ordine ridotto attraverso l'introduzione esplicita del canale di ingresso di retroazione $B_f$.

Fase 4 - Gestione dell'Incertezza: Utilizzo di un approccio di centralizzazione per rappresentare il modello come: $\hat{P}(\Phi|I) = M_n + M_\Delta = M_n + \Delta_m(\Phi|I)$

Punti di Innovazione Tecnica

1. Strategia di Commutazione Guidata dalle Informazioni Storiche: A differenza del controllo a guadagno variabile basato solo sull'ampiezza del segnale di retroazione, questo metodo utilizza i dati storici $I$ per guidare la selezione del modello.
2. Mantenimento dell'Interpretabilità Fisica: La conservazione dell'interpretazione fisica originale del modello a ordine ridotto attraverso il metodo di corrispondenza dei momenti di Krylov.
3. Framework del Sistema di Tipo Lur'e: Trasformazione del sistema in un sistema di tipo Lur'e, combinando la parte dinamica lineare con la parte non lineare/incerta.

Configurazione Sperimentale

Piattaforma Sperimentale

• Dispositivo: Scanner di litografia ASML Twinscan all'avanguardia
• Scenario di Applicazione: Mitigazione del riscaldamento della maschera
• Condizioni di Test: 2 lotti, 16 wafer per lotto

Indicatori di Valutazione

1. Errore di Posizionamento: Errore di sovrapposizione di posizionamento nelle direzioni x-y
2. Aumento della Produttività: Risparmio di tempo per wafer
3. Stabilità: Coerenza delle prestazioni in diverse condizioni operative

Metodi di Confronto

1. Metodo Tradizionale: Metodo standard attuale basato su sensori
2. Metodo Lineare: Versione lineare utilizzando solo il modello nominale $M_n$

Dettagli di Implementazione

• Utilizzo di 3 momenti per descrivere il modello nominale e incerto di riscaldamento della maschera
• Salto dei marcatori di allineamento periferici, utilizzo solo dei marcatori di allineamento superiore-inferiore
• Risparmio di circa 0,3 secondi per misurazione/wafer

Risultati Sperimentali

Risultati Principali

1. Miglioramento dell'Errore di Posizionamento:
   • Riduzione dell'errore di posizionamento nelle direzioni x-y di 2-3 volte rispetto al metodo tradizionale
   • Miglioramento delle prestazioni nelle direzioni x-y di 2 volte nei primi 2 wafer
   • Mantenimento di precisione stabile e migliorata sia in condizioni nominali che incerte
2. Aumento della Produttività:
   • Risparmio di 0,3 secondi per wafer
   • Possibilità di aumentare la produttività fino a 7 wafer all'ora
3. Verifica della Robustezza:
   • Il metodo lineare mostra un calo delle prestazioni di 3 volte in condizioni incerte
   • Il metodo proposto mantiene prestazioni coerenti in diverse aree di immagine

Verifica in Diverse Aree di Immagine

Negli esperimenti con aree di esposizione più piccole:

• Il metodo proposto mostra un miglioramento delle prestazioni di 3 volte in condizioni nominali e incerte
• Il metodo lineare mostra un calo delle prestazioni di 2-3 volte
• Verifica della robustezza e adattabilità del metodo

Analisi di Stabilità

Attraverso il teorema del piccolo guadagno è stata provata la stabilità asintotica globale uniformemente limitata (GUAS), soddisfacendo:

• Le caratteristiche fisiche del riscaldamento della maschera garantiscono una dinamica limitata
• Sia il modello nominale che il modello incerto soddisfano le condizioni di stabilità
• Il punto di equilibrio $x^*$ (dove $\|z\| = 0$) è GUAS

Lavori Correlati

Controllo dei Sistemi di Litografia

• I metodi tradizionali di controllo predittivo lineare sono limitati dall'"effetto vasca d'acqua"
• I metodi non lineari includono controllo a guadagno variabile, filtri e controllori commutati
• I metodi esistenti spesso trascurano la dinamica spazio-temporale

Tecniche di Riduzione del Modello

• Troncamento bilanciato, metodi del sottospazio di Krylov, decomposizione ortogonale corretta (POD)
• I metodi esistenti, sebbene riducano la dimensionalità, perdono l'interpretabilità fisica
• Il metodo proposto mantiene l'interpretazione fisica mentre realizza l'efficienza computazionale

Controllo dei Sistemi Commutati

• Strategie di commutazione basate su informazioni storiche
• Metodi di controllo guidati da eventi
• Teoria di stabilità dei sistemi di tipo Lur'e

Conclusioni e Discussione

Conclusioni Principali

1. Sviluppo riuscito di un modello predittivo commutato a ordine ridotto con retroazione parziale dello stato
2. Realizzazione del simultaneo miglioramento della precisione e della produttività
3. Verifica della robustezza in condizioni operative incerte
4. Fornitura di garanzie teoriche di stabilità

Limitazioni

1. L'applicabilità del metodo dipende dalle caratteristiche fisiche specifiche del sistema
2. La progettazione della logica di commutazione richiede conoscenze specialistiche nel dominio
3. La riduzione del modello potrebbe influenzare la precisione in alcune condizioni estreme

Direzioni Future

1. Framework Predittivo Unificato: Estensione alle variazioni spaziali e temporali dell'intero sistema
2. Ottimizzazione Intelligente delle Misurazioni: Integrazione di previsione, apprendimento e intelligenza per ridurre le misurazioni non necessarie
3. Verifica delle Ipotesi Pratiche: Riduzione del divario tra i concetti teorici e le applicazioni pratiche

Valutazione Approfondita

Punti di Forza

1. Forte Rilevanza Industriale: Affronta direttamente problemi pratici nella fabbricazione di semiconduttori
2. Fondamenti Teorici Solidi: Fornisce analisi di stabilità rigorosa
3. Verifica Sperimentale Completa: Verifica degli effetti su sistemi industriali reali
4. Innovazione Metodologica: Approccio innovativo che combina modellazione a ordine ridotto, controllo commutato e retroazione parziale
5. Alto Valore Pratico: Miglioramento simultaneo della precisione e della produttività con valore economico diretto

Insufficienze

1. Limitazioni di Applicabilità: Principalmente focalizzato sul problema del riscaldamento della maschera, la generalizzabilità ad altre applicazioni rimane da verificare
2. Gestione della Complessità: La progettazione e l'ottimizzazione della logica di commutazione potrebbero richiedere notevoli conoscenze specialistiche
3. Esperimenti di Confronto: Mancanza di confronti approfonditi con altri metodi di controllo avanzati
4. Stabilità a Lungo Termine: Discussione insufficiente sulla degradazione delle prestazioni durante l'operazione a lungo termine

Impatto

1. Valore Accademico: Fornisce un nuovo framework teorico per il controllo dei sistemi spazio-temporali
2. Valore Industriale: Applicazione diretta a apparecchiature semiconduttori del valore di miliardi di dollari
3. Promozione Tecnologica: Il metodo è estensibile ad altri sistemi di fabbricazione di precisione
4. Riproducibilità: Fornisce chiari passaggi di implementazione e fondamenti teorici

Scenari Applicabili

1. Sistemi di Fabbricazione di Precisione: Processi di fabbricazione che richiedono precisione sub-nanometrica
2. Applicazioni di Gestione Termica: Sistemi che coinvolgono il controllo della deformazione termica
3. Requisiti di Alta Produttività: Scenari che richiedono l'aumento dell'efficienza mantenendo la precisione
4. Ambienti Incerti: Sistemi industriali con frequenti variazioni nelle condizioni operative

Bibliografia

L'articolo cita 45 riferimenti correlati, coprendo importanti lavori in più campi tra cui teoria del controllo, tecnologia di litografia, riduzione del modello e identificazione del sistema, fornendo una base teorica solida e uno sfondo tecnico per la ricerca.

Valutazione Complessiva: Questo è un articolo di alta qualità di ricerca applicata in ingegneria, che applica con successo la teoria del controllo avanzato a problemi industriali pratici, raggiungendo un buon equilibrio tra il rigore teorico e il valore pratico. Il contributo dell'articolo non risiede solo nell'innovazione tecnologica, ma anche nel fornire soluzioni pratiche e realizzabili per l'industria critica della fabbricazione di semiconduttori.