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Effect of the Lattice-distortion on the Electronic Structure, Magnetic Anisotropy, and Hall Conductivities of the CoFeCrGa Spin Gapless Semiconductor: A First-Principles Study

Kumar, Chaudhary, Chandra
Spin gapless semiconductors (SGSs), novel quantum materials, are notable for their tunable spin-transport properties. Considering that the SGS materials might have an invariably deformed lattice upon integration into devices, and given that the SGS nature is highly sensitive to external factors, the impact of lattice distortions on the different physical properties of CoFeCrGa SGS alloy has been investigated using density functional theory calculations. For lattice distortions, the uniform strain corresponding to $-6\% \leq ΔV / V_0 \leq 6\% \quad (a: 5.60\text{-}5.83~\textÅ)$, and the tetragonal distortion corresponding to $0.8 \leq c/a \leq 1.2 \quad (a: 5.38\text{-}6.16~\textÅ,~c: 4.92\text{-}6.45~\textÅ)$ are modelled. All uniformly strained CoFeCrGa structures are found to display SGS character, magnetic isotropy, small anomalous Hall conductivity (AHC), and small spin Hall conductivity (SHC) - closely resembling those of the ideal CoFeCrGa structure. In contrast, the tetragonally deformed structures display nearly half-metallic behavior with very high spin polarization, very large magnetic anisotropy ($ \sim 10^6~\mathrm{J/m^3}$), and very large AHC ranging from ($ -215 \text{ to } 250~\mathrm{S/cm} $) depending on the axial ratio of the distorted structure. The SHC, however, does not change significantly under tetragonal distortion and remains nearly of the same order as that of the Y-I ordered structure. In summary, these findings demonstrate that CoFeCrGa displays favorable spintronic properties even under lattice distortions, underscoring its potential for next-generation spintronic applications.
academic

Effetto della Distorsione Reticolare sulla Struttura Elettronica, Anisotropia Magnetica e Conducibilità di Hall del Semiconduttore Spin Gapless CoFeCrGa: Uno Studio da Primi Principi

Informazioni Fondamentali

  • ID Articolo: 2411.06520
  • Titolo: Effect of the Lattice-distortion on the Electronic Structure, Magnetic Anisotropy, and Hall Conductivities of the CoFeCrGa Spin Gapless Semiconductor: A First-Principles Study
  • Autori: Amar Kumar (IIT Delhi), Sujeet Chaudhary (IIT Delhi), Sharat Chandra (IGCAR)
  • Classificazione: cond-mat.mtrl-sci (Fisica della Materia Condensata - Scienza dei Materiali)
  • Data di Pubblicazione: Novembre 2024
  • Link Articolo: https://arxiv.org/abs/2411.06520

Riassunto

Questo studio indaga sistematicamente gli effetti della distorsione reticolare sulla struttura elettronica, l'anisotropia magnetica e la conducibilità di Hall del semiconduttore spin gapless (SGS) CoFeCrGa mediante calcoli di teoria del funzionale della densità (DFT). La ricerca considera due modalità di distorsione reticolare: deformazione uniforme (-6% ≤ ΔV/V₀ ≤ 6%) e distorsione tetragonale (0.8 ≤ c/a ≤ 1.2). I risultati dimostrano che la struttura CoFeCrGa sotto deformazione uniforme mantiene le caratteristiche SGS, l'isotropia magnetica e una conducibilità di Hall anomala (AHC) e conducibilità di Hall di spin (SHC) ridotte. Al contrario, le strutture con distorsione tetragonale mostrano comportamento quasi semimagnetico, con polarizzazione di spin estremamente elevata, anisotropia magnetica gigante (~10⁶ J/m³) e AHC significativamente aumentata (-215 a 250 S/cm).

Contesto di Ricerca e Motivazione

Contesto del Problema

  1. Esigenze di Materiali per l'Elettronica di Spin: I dispositivi moderni di elettronica di spin richiedono materiali magnetici con elevata polarizzazione di spin, alta temperatura di Curie, grande anisotropia magnetica e conducibilità di Hall elevata.
  2. Limitazioni dei Materiali Esistenti:
    • Le leghe CoFeB mostrano debole anisotropia magnetica perpendicolare all'interfaccia con barriere tunnel
    • Le leghe di Heusler tetragonali presentano bassa magnetoresistenza tunnel
    • I materiali perovskiti sono strutturalmente instabili in forma di film sottile
    • Le leghe di Heusler cubiche mostrano bassa polarizzazione di spin sperimentale e isotropia magnetica
  3. Vantaggi dei Materiali SGS:
    • Temperatura di Curie più elevata rispetto ai semiconduttori magnetici
    • Forniscono simultaneamente portatori di elettroni e lacune con polarizzazione di spin del 100%
    • Bassa energia di eccitazione per trasporto ad alta efficienza
    • Lunghezza di diffusione dei portatori lunga, consentendo trasporto di spin efficiente

Motivazione della Ricerca

Il CoFeCrGa, come materiale SGS di lega di Heusler quaternaria recentemente scoperto, possiede alta temperatura di Curie (>600 K) e momento magnetico (~2.0 μB/f.u.), ma inevitabilmente subisce distorsione reticolare durante l'integrazione nei dispositivi. Poiché le proprietà SGS sono altamente sensibili a fattori esterni, lo studio sistematico degli effetti della distorsione reticolare sulle sue proprietà fisiche è cruciale per la progettazione dei dispositivi.

Contributi Fondamentali

  1. Quadro di Ricerca Sistematico: Prima indagine completa degli effetti della deformazione uniforme e della distorsione tetragonale su molteplici proprietà fisiche della lega SGS CoFeCrGa
  2. Verifica del Funzionale di Scambio-Correlazione: Mediante confronto tra i metodi GGA e GGA+U, si determina che GGA è più appropriato per lo studio delle proprietà fisiche del CoFeCrGa
  3. Scoperta della Stabilità della Struttura Elettronica: Dimostra che la caratteristica SGS del CoFeCrGa è robusta sotto deformazione uniforme, ma si trasforma in proprietà semimagnetica sotto distorsione tetragonale
  4. Meccanismo di Controllo dell'Anisotropia Magnetica: Rivela l'anisotropia magnetica gigante indotta da distorsione tetragonale (~10⁶ J/m³) e le sue caratteristiche bipolari
  5. Controllo delle Proprietà di Trasporto di Hall: Scopre che la distorsione tetragonale può aumentare significativamente la conducibilità di Hall anomala, fornendo nuovi mezzi di controllo per applicazioni di elettronica di spin

Dettagli Metodologici

Metodo di Calcolo

Questo studio utilizza la teoria del funzionale della densità (DFT) basata su onde piane e pseudopotenziali, implementata nel pacchetto software QUANTUM ESPRESSO.

Parametri Tecnici

  • Funzionale di Scambio-Correlazione: Approssimazione del Gradiente Generalizzato (GGA) - parametrizzazione PBE
  • Cutoff Energetico: 350 Ry
  • Griglia di Punti k: 15×15×15 (cella cubica ordinata Y-I di 16 atomi)
  • Criteri di Convergenza:
    • Forze atomiche < 10⁻³ Ry/Bohr
    • Variazione di energia totale < 10⁻⁶ Ry

Modellazione della Distorsione Reticolare

Deformazione Uniforme

  • Intervallo di Deformazione: -6% ≤ ΔV/V₀ ≤ 6%
  • Parametri Reticolari: 5.60-5.83 Å
  • Significato Fisico: Simula effetti di stress isotropo durante l'integrazione nei dispositivi

Distorsione Tetragonale

  • Intervallo di Rapporto Assiale: 0.8 ≤ c/a ≤ 1.2
  • Vincolo di Volume: Mantiene il volume V₀ della fase cubica ottimizzata costante
  • Parametri Reticolari: a = 5.38-6.16 Å, c = 4.92-6.45 Å

Calcolo delle Proprietà Fisiche

Energia di Anisotropia Magnetocristallina (MCA)

Calcolata utilizzando il teorema della forza magnetica:

MCA = E_band[100] - E_band[001]
K_MCA = MCA/V

Anisotropia Magnetica di Forma (MSA)

Calcolata mediante metodo di somma diretta dell'interazione dipolo-dipolo:

MSA = E_dip[100] - E_dip[001]

Conducibilità di Hall

Calcolata utilizzando funzioni di Wannier massimamente localizzate (MLWF) e formula di Kubo per conducibilità di Hall anomala (AHC) e conducibilità di Hall di spin (SHC).

Risultati Sperimentali

Verifica del Funzionale di Scambio-Correlazione

MetodoParametro Reticolare (Å)Momento Magnetico (μB/f.u.)Caratteristica SGSPolarizzazione di Spin
GGA5.722.00Sì92.33%
GGA+U6.489.33No33.14%
Valore Sperimentale5.792.01Sì-

I risultati calcolati con il metodo GGA sono in eccellente accordo con i dati sperimentali, pertanto GGA è stato selezionato come funzionale di scambio-correlazione per i calcoli successivi.

Effetti della Deformazione Uniforme

Stabilità della Struttura Elettronica

  • Mantenimento della Caratteristica SGS: Tutte le strutture con deformazione uniforme (-6% ≤ ΔV/V₀ ≤ 6%) mantengono la caratteristica SGS
  • Stabilità del Momento Magnetico: Il momento magnetico totale rimane a 2.00 μB/f.u.
  • Polarizzazione di Spin: ~100% sotto deformazione negativa, ~50% sotto deformazione positiva (1-5%), risalita a ~100% con massima deformazione positiva (6%)

Energia di Formazione Relativa

L'energia di formazione relativa delle strutture con deformazione uniforme è molto piccola (≲ 0.1 eV/f.u.), indicando che queste strutture si formano facilmente sperimentalmente.

Effetti della Distorsione Tetragonale

Transizione della Struttura Elettronica

  • Transizione SGS→Semimagnetica: Anche piccole distorsioni tetragonali distruggono la caratteristica SGS
  • Polarizzazione di Spin Elevata: Strutture con piccola distorsione (0.90 ≤ c/a ≤ 1.10) mostrano ~90% di polarizzazione di spin
  • Aumento della Metallicità: Grande distorsione (|Δc/a| ≥ 0.10) porta a proprietà metalliche dominanti

Anisotropia Magnetica

La distorsione tetragonale induce anisotropia magnetocristallina gigante:

  • Strutture Compresse (c/a < 1.0): Anisotropia magnetica nel piano, MCA = -0.17 a -2.07×10⁶ J/m³
  • Strutture Allungate (c/a > 1.0): Anisotropia magnetica perpendicolare, MCA = 0.10 a 1.64×10⁶ J/m³
  • Caratteristica Bipolare: MCA mostra chiara variazione bipolare al variare del rapporto assiale

Controllo della Conducibilità di Hall

  • Aumento Significativo di AHC: Sotto distorsione tetragonale AHC varia da -215 a 250 S/cm, significativamente superiore ai -30 S/cm della struttura cubica
  • Stabilità di SHC: SHC rimane relativamente stabile sotto distorsione tetragonale, mantenendo livelli comparabili alla struttura ordinata Y-I

Analisi dei Contributi Atomici e Orbitali

  • Contributi Principali a MCA: Orbitali d dei metalli di transizione e orbitali p del Ga
  • Specificità Orbitale: Specifici orbitali (come Co-d_z², Fe-d_xy, ecc.) in diverse strutture distorte contribuiscono significativamente a MCA
  • Ridistribuzione Elettronica: La ridistribuzione degli stati elettronici vicino al livello di Fermi è il meccanismo microscopico del cambiamento di MCA

Lavori Correlati

Stato Attuale della Ricerca su Materiali SGS

  • Previsioni Teoriche: Nel decennio passato sono stati predetti numerosi materiali SGS mediante calcoli da primi principi
  • Verifica Sperimentale: Molteplici materiali SGS sono stati verificati sperimentalmente, inclusi Cr₃Al, V₃Al, FeMnGa, ecc.
  • Vantaggi Quaternari: Le leghe di Heusler quaternarie SGS mostrano maggiore sintonizzabilità rispetto a quelle binarie o ternarie

Storia della Ricerca su CoFeCrGa

  • Prima Previsione: Predetto teoricamente per la prima volta da Gao et al.
  • Verifica Sperimentale: Preparato sperimentalmente per la prima volta da Bainsla et al. e confermata la caratteristica SGS
  • Stabilità del Film: Mishra et al. hanno dimostrato che mantiene la caratteristica SGS in forma di film sottile

Ricerca sulla Distorsione Reticolare

La ricerca esistente si concentra principalmente sugli effetti di distorsione in altre leghe di Heusler; questo studio rappresenta la prima indagine sistematica su CoFeCrGa.

Conclusioni e Discussione

Conclusioni Principali

  1. Stabilità sotto Deformazione: La caratteristica SGS del CoFeCrGa mostra buona robustezza sotto deformazione uniforme, il che è molto vantaggioso per applicazioni pratiche nei dispositivi
  2. Controllo mediante Distorsione: La distorsione tetragonale può trasformare SGS in semimagnetico e indurre anisotropia magnetica gigante e conducibilità di Hall aumentata
  3. Anisotropia Magnetica Bipolare: Controllando il rapporto c/a è possibile realizzare controllo preciso dell'anisotropia magnetica nel piano o perpendicolare
  4. Guida per la Progettazione dei Dispositivi: Lo studio fornisce importante guida teorica per la progettazione di dispositivi di elettronica di spin basati su CoFeCrGa

Prospettive di Applicazione Pratica

Strategie di Integrazione nei Dispositivi

  • Substrato GaAs: Può indurre anisotropia magnetica perpendicolare (PMA)
  • Substrato MgO: Può indurre anisotropia magnetica nel piano (IMA)
  • Ingegneria della Deformazione: Realizza l'orientamento magnetico desiderato controllando le condizioni di crescita

Vantaggi Prestazionali

  • Alta Stabilità Termica: L'anisotropia magnetica gigante assicura elevata stabilità termica del dispositivo
  • Alta Densità di Immagazzinamento: L'anisotropia magnetica perpendicolare favorisce l'immagazzinamento dati ad alta densità
  • Basso Consumo Energetico: La caratteristica SGS favorisce il trasporto di spin a basso consumo energetico

Limitazioni

  1. Precisione Computazionale: I calcoli DFT contengono approssimazioni intrinseche; i valori reali potrebbero differire dai valori calcolati
  2. Effetti di Temperatura: Lo studio considera solo proprietà a 0K, non include effetti a temperatura finita
  3. Effetti di Interfaccia: Non considera effetti di interfaccia e difetti nei dispositivi reali
  4. Stabilità Dinamica: Non sono stati eseguiti calcoli di fononi per verificare la stabilità dinamica delle strutture distorte

Direzioni Future

  1. Verifica Sperimentale: Necessaria ricerca sperimentale per verificare gli effetti di distorsione predetti teoricamente
  2. Ingegneria dell'Interfaccia: Studio delle proprietà di interfaccia tra CoFeCrGa e materiali diversi
  3. Effetti di Difetti: Considerazione dell'influenza dei difetti puntuali sulle proprietà SGS
  4. Simulazione di Dispositivi: Simulazione prestazionale a livello di dispositivo basata sulle proprietà materiali

Valutazione Approfondita

Punti di Forza

  1. Completezza della Ricerca: Studio sistematico di due principali modalità di distorsione su molteplici proprietà fisiche, con contenuto di ricerca completo e approfondito
  2. Rigore Metodologico:
    • Verifica preliminare dell'affidabilità del metodo di calcolo
    • Adozione di appropriati test di convergenza
    • Configurazione razionale del modello fisico
  3. Credibilità dei Risultati:
    • Risultati calcolati in eccellente accordo con dati sperimentali disponibili
    • Spiegazione chiara e ragionevole dei meccanismi fisici
    • Risultati numerici statisticamente significativi
  4. Valore Pratico: Fornisce importante guida teorica per la progettazione di dispositivi di elettronica di spin basati su CoFeCrGa
  5. Innovazione Tecnica:
    • Prima indagine sistematica degli effetti di distorsione su CoFeCrGa
    • Rivela il meccanismo di controllo dell'anisotropia magnetica indotta da distorsione
    • Scopre la sintonizzabilità della conducibilità di Hall

Insufficienze

  1. Limitazioni Teoriche:
    • Considera solo magnetismo colineare, non include strutture magnetiche non colineari
    • Calcoli a 0K, mancano effetti a temperatura finita
    • Non considera effetti di accoppiamento magnone-fonone
  2. Assenza di Dati Sperimentali:
    • Mancanza di verifica sperimentale, specialmente per la preparazione di strutture distorte
    • Nessun confronto sperimentale con altri materiali SGS
  3. Limitazioni Applicative:
    • Non considera effetti di interfaccia nei dispositivi reali
    • Mancanza di valutazione prestazionale a livello di dispositivo
    • Nessuna discussione sulla fattibilità dei processi di produzione
  4. Dettagli Computazionali:
    • Il calcolo MSA mediante metodo di somma diretta potrebbe presentare problemi di precisione
    • Nessun calcolo di fononi per verificare la stabilità dinamica

Valutazione dell'Impatto

  1. Contributo Accademico:
    • Fornisce base teorica importante per l'ingegneria della deformazione di materiali SGS
    • Arricchisce la teoria del controllo magnetico delle leghe di Heusler
    • Fornisce nuove prospettive per la progettazione di materiali di elettronica di spin
  2. Valore Pratico:
    • Guida la progettazione e preparazione di dispositivi basati su CoFeCrGa
    • Fornisce base materiale per lo sviluppo di nuovi dispositivi di elettronica di spin
    • Favorisce la realizzazione di dispositivi di immagazzinamento magnetico ad alte prestazioni
  3. Riproducibilità:
    • Descrizione dettagliata di metodi di calcolo e parametri
    • Utilizzo di pacchetti software open-source
    • Buona riproducibilità dei risultati

Scenari di Applicazione

  1. Dispositivi di Immagazzinamento Magnetico: Utilizzo dell'anisotropia magnetica sintonizzabile per immagazzinamento ad alta densità e basso consumo energetico
  2. Dispositivi di Logica di Spin: Utilizzo della caratteristica SGS per trasporto e manipolazione di spin ad alta efficienza
  3. Sensori Magnetici: Utilizzo dell'effetto di Hall aumentato per rilevamento di campo magnetico ad alta sensibilità
  4. Emettitori di Terahertz: Utilizzo della grande conducibilità di Hall anomala per l'emissione di onde terahertz

Bibliografia

Questo articolo cita 75 articoli correlati, coprendo importanti lavori in molteplici campi di ricerca inclusi materiali SGS, leghe di Heusler, anisotropia magnetica ed effetto di Hall, fornendo una solida base teorica per la ricerca.

Valutazione Complessiva: Questo è un articolo di ricerca teorica di alta qualità che rivela sistematicamente i meccanismi attraverso i quali la distorsione reticolare influenza le proprietà del materiale SGS CoFeCrGa, fornendo importante guida teorica per la progettazione e l'applicazione di dispositivi correlati. Il metodo di ricerca è rigoroso, i risultati sono credibili e possiede importante valore accademico e prospettive di applicazione.